專利名稱:液晶顯示器用陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器(LCD)用陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常液晶顯示器(LCD)利用液晶層的電光學(xué)特性來顯示圖像。LCD包括彼此相對(duì)地布置的濾色器基板和陣列基板，液晶層被插入在這兩個(gè)基板之間。陣列基板使用薄膜晶體管(TFT)作為開關(guān)器件。將參照?qǐng)D1和2詳細(xì)描述陣列基板。
圖1是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LCD用陣列基板的平面圖。圖2是示出了沿I-I’線截取的圖1陣列基板的剖面圖。
參照?qǐng)D1和圖2，典型的LCD用陣列基板1包括選通線20、數(shù)據(jù)線30、薄膜晶體管40、像素電極50、公共電極52、公共線54、以及存儲(chǔ)電極60。
選通線20和數(shù)據(jù)線30彼此絕緣且交叉地形成在透明絕緣基板10上，柵絕緣層32位于其間，從而限定了像素。
薄膜晶體管40連接到選通線20和數(shù)據(jù)線30并用作開關(guān)器件。為了被用作開關(guān)器件，每個(gè)薄膜晶體管40包括柵極41、源極42、漏極43、有源層44、以及歐姆接觸層45。
通過利用從漏極43提供的數(shù)據(jù)電壓，每個(gè)像素電極50與公共電極52一起形成電場(chǎng)。為此，像素電極50通過穿透無機(jī)絕緣層70的接觸孔72連接到漏極43。
此外，通過利用從公共線54提供的公共電壓，每個(gè)公共電極52與像素電極50一起形成電場(chǎng)。為此，公共電極52從其所屬的公共線54分叉并被形成為與像素電極50交叉。此外，公共電極52是由與同一平面上的選通線20和柵極41相同的材料形成的。這里，由公共電壓和數(shù)據(jù)電壓之間的電壓差形成電場(chǎng)。
公共線54向公共電極52提供從外部提供的公共電壓。為了提供公共電壓，公共線54是由與同一平面上的選通線20和柵極41相同的材料形成的。
存儲(chǔ)電極60將像素電極50的數(shù)據(jù)電壓保持在高于預(yù)定值的電平。簡(jiǎn)而言之，對(duì)于包括陣列基板1的LCD中的一個(gè)幀，存儲(chǔ)電極60將像素電極50的數(shù)據(jù)電壓保持在一致的電平。為了保持該數(shù)據(jù)電壓，存儲(chǔ)電極60通過穿透無機(jī)絕緣層70的接觸孔74連接到像素電極50，并且它們盡可能大地形成。
存儲(chǔ)電極60與公共線54絕緣且交疊，柵絕緣層32插入在存儲(chǔ)電極60與公共線54之間。這里，在存儲(chǔ)電極60、公共線54和柵絕緣層32相交疊的位置處形成存儲(chǔ)電容(Cst)。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，當(dāng)在LCD用陣列基板1中形成像素電極50和數(shù)據(jù)線30時(shí)，在像素電極50和數(shù)據(jù)線30之間會(huì)發(fā)生覆蓋偏差(overlaydeviation)。
因此，存在這樣的問題對(duì)于各像素區(qū)，形成在像素電極50和數(shù)據(jù)線30之間的寄生電容(Cdp)的值可能不同。不同的寄生電容值使包括陣列基板1的LCD的圖像質(zhì)量劣化。
此外，存在這樣的問題應(yīng)該將公共線54和選通線20布置為彼此分開預(yù)定間隔，以防止在選通線20和公共線54之間出現(xiàn)短路。此外，應(yīng)該將公共線54形成得較寬以形成存儲(chǔ)電容(Cst)。因此，存在這樣的問題包括陣列基板1的LCD的孔徑比下降。
發(fā)明內(nèi)容因此，設(shè)計(jì)本發(fā)明以至少解決背景技術(shù)的問題和缺點(diǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種可使形成在像素電極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的值的波動(dòng)最小的液晶顯示器(LCD)用陣列基板及其制造方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種可通過改變存儲(chǔ)電容的結(jié)構(gòu)而增加孔徑比的LCD用陣列基板及其制造方法。
本發(fā)明的目的不限于上述目的，本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠從下面的描述中理解其他未提及的目的。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種液晶顯示器(LCD)用陣列基板，該陣列基板包括選通線和數(shù)據(jù)線，其彼此絕緣且交叉地形成在透明絕緣基板上從而限定像素區(qū)；薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管連接至選通線和數(shù)據(jù)線并用作開關(guān)器件；像素電極，每個(gè)像素電極與所述選通線和數(shù)據(jù)線絕緣且交疊，通過接觸孔連接至薄膜晶體管，并跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)伸展從而形成電場(chǎng)；和存儲(chǔ)電極，每個(gè)存儲(chǔ)電極與所述選通線絕緣且交疊，通過接觸孔連接至像素電極，并將由所述像素電極形成的所述電場(chǎng)的強(qiáng)度保持在等于或高于預(yù)定電平的電平。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種LCD用陣列基板的制造方法，該方法包括以下步驟將選通線和柵極形成在透明絕緣基板上；將柵絕緣層、有源層和歐姆接觸層形成在所述透明絕緣基板上；形成在所述透明絕緣基板上與所述選通線絕緣且交叉并限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線、所述數(shù)據(jù)線所連接的源極、面對(duì)所述源極的漏極、以及與所述選通線絕緣且交叉的存儲(chǔ)電極；將有機(jī)絕緣層形成在所述透明絕緣基板上；以及形成像素電極，每個(gè)像素電極與選通線和數(shù)據(jù)線絕緣且交疊，并跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)形成從而形成電場(chǎng)。
在本發(fā)明中提出的LCD用陣列基板及其制造方法可通過使像素電極與數(shù)據(jù)線交疊從而使形成在像素電極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的波動(dòng)最小。因此，包括該陣列基板的LCD可具有提高的圖像質(zhì)量。
此外，該LCD用陣列基板可通過使存儲(chǔ)電極與選通線交疊并將存儲(chǔ)電極形成得較小而具有高孔徑比。
在
具體實(shí)施方式部分和附圖中描述了這些實(shí)施例的其他細(xì)節(jié)。
將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明，在附圖中相似的標(biāo)號(hào)指示相似的部件。
圖1是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器(LCD)用陣列基板的平面圖；圖2是示出了沿I-I’線截取的圖1陣列基板的剖面圖；圖3是描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD用陣列基板的平面圖；圖4是分別沿II-II’線和III-III’線截取的圖3的陣列基板的剖面圖；以及圖5A至5E是描述圖3所示的LCD用陣列基板的制造方法的剖面圖。
具體實(shí)施方式
將參照附圖以更詳細(xì)的方式描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
根據(jù)對(duì)實(shí)施例和附圖的以下描述，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)以及用于實(shí)現(xiàn)這些優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)的方法將變得顯而易見。
在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述在本發(fā)明的實(shí)施例中提出的液晶顯示器(LCD)用陣列基板及其制造方法。
圖3是描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD用陣列基板的平面圖。圖4示出了分別沿II-II’線和III-III’線截取的圖3的陣列基板的剖面圖。
參照?qǐng)D3和圖4，在本實(shí)施例中提出的LCD用陣列基板100包括選通線120、數(shù)據(jù)線130、薄膜晶體管140、像素電極150、以及存儲(chǔ)電極160。陣列基板100還包括有機(jī)絕緣層170。
選通線120和數(shù)據(jù)線130彼此絕緣且交叉地形成在透明絕緣基板110上從而限定了像素區(qū)。具體地，選通線120和數(shù)據(jù)線130以使至少一個(gè)絕緣層(例如，柵絕緣層132)位于其間的方式形成在透明絕緣基板110上，從而限定了像素區(qū)。在下文中，將更詳細(xì)地描述選通線120和數(shù)據(jù)線130。
選通線120向薄膜晶體管140的柵極141提供來自形成在陣列基板100的外緣的選通驅(qū)動(dòng)電路的選通開/關(guān)電壓。這里，使選通線120的一側(cè)或兩側(cè)延伸以連接到選通驅(qū)動(dòng)電路。
對(duì)于該連接，選通線120可由以下材料在透明絕緣基板110上形成至少一層鉻或鉻合金、鋁或鋁合金、鉬或鉬合金、銀或銀合金、銅或銅合金、鈦或鈦合金、鉭或鉭合金。
可將選通線120形成為人字形(chevron)形狀。換言之，選通線120可彎曲至少一次。這提高了包括陣列基板100的LCD的孔徑比。
數(shù)據(jù)線130向薄膜晶體管140的源極142提供來自形成在陣列基板100的外緣的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)電壓。這里，使數(shù)據(jù)線130的一側(cè)或兩側(cè)延伸以連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。
對(duì)于該連接，數(shù)據(jù)線130可由以下材料在透明絕緣基板110上形成至少一層鉻或鉻合金、鋁或鋁合金、鉬或鉬合金、銀或銀合金、銅或銅合金、鈦或鈦合金、鉭或鉭合金。
薄膜晶體管140連接到選通線120和數(shù)據(jù)線130并被用作開關(guān)器件。每個(gè)薄膜晶體管140包括柵極141、源極142、漏極143、有源層144、以及歐姆接觸層145?？蓪⒈∧ぞw管140形成在選通線120和數(shù)據(jù)線130的交叉點(diǎn)處。
柵極141基于從選通線120提供的選通開/關(guān)電壓，接通或斷開薄膜晶體管140。即，柵極141對(duì)薄膜晶體管140進(jìn)行開關(guān)。為此，柵極141連接至選通線120，柵極141由與同一平面上的選通線120相同的材料形成。
當(dāng)基于從柵極141發(fā)送的選通“開”電壓接通了薄膜晶體管140時(shí)，源極142將來自數(shù)據(jù)線130的數(shù)據(jù)電壓通過有源層144提供給漏極143。為此，源極142連接到數(shù)據(jù)線130，并且源極142由與同一平面上的數(shù)據(jù)線130相同的材料形成。這里，源極142和柵極141可以以使柵絕緣層位于其間的方式相交疊。
漏極143將從源極142提供的數(shù)據(jù)電壓提供給像素電極150。為此，漏極143可由與同一平面上的數(shù)據(jù)線130相同的材料形成。此外，可將漏極143形成為面對(duì)源極142。這里，漏極143和柵極141可以以使柵絕緣層132位于其間的方式相交疊。
有源層144形成薄膜晶體管140的溝道。有源層144可由非晶硅或多晶硅形成。在下文中，將采用有源層144由非晶硅形成的情況作為示例來描述本發(fā)明。
歐姆接觸層145被布置為用于源極142和有源層144之間的歐姆接觸以及漏極143和有源層144之間的歐姆接觸。歐姆接觸層145由包括n+雜質(zhì)的非晶硅形成。
像素電極150被形成為與選通線120和數(shù)據(jù)線130絕緣且交疊。像素電極150跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)伸展并形成電場(chǎng)。具體地，像素電極150基于分別從形成在兩個(gè)相鄰像素區(qū)中的兩個(gè)漏極143提供的數(shù)據(jù)電壓之間的差而形成電場(chǎng)。像素電極150可通過穿透至少一個(gè)絕緣層(例如，有機(jī)絕緣層170)的接觸孔172連接到漏極143。
可由透明導(dǎo)電材料形成像素電極150，以增加包括陣列基板100的LCD的孔徑比。這里，透明導(dǎo)電材料可以是從由銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)組成的組中選擇的任一材料。
如前所述，像素電極150形成跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)的電場(chǎng)。為了形成該電場(chǎng)，每個(gè)像素電極150包括水平部152和垂直部154。
水平部152從垂直部154的兩側(cè)分叉出來，從而跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)伸展。這里，在一個(gè)像素區(qū)交替地排列從垂直部154的兩側(cè)分叉出的兩個(gè)水平部152。因此，通過利用從兩個(gè)相鄰漏極143提供的數(shù)據(jù)電壓之間的差，從兩個(gè)垂直部154各側(cè)分叉出的水平部152在一個(gè)像素區(qū)內(nèi)可形成一電場(chǎng)。由水平部152形成的電場(chǎng)可以是水平電場(chǎng)。
可將水平部152形成為人字型。即，就像選通線120一樣，水平部152也可被形成為彎曲至少一次。使水平部152彎曲以在包括陣列基板100的LCD中形成多于兩個(gè)的域。彎曲的結(jié)構(gòu)給予了LCD寬視角并防止了色移(color shift)缺陷。
垂直部154與數(shù)據(jù)線130絕緣且交疊，并且垂直部154與水平部152相連。簡(jiǎn)而言之，垂直部154使得像素電極150可跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)伸展。
這里，垂直部154的寬度可以比數(shù)據(jù)線130更寬，從而使形成在垂直部154和數(shù)據(jù)線130之間的寄生電容(Cdp)的值的波動(dòng)最小。在此情況下，具有相對(duì)較窄寬度的數(shù)據(jù)線130可被具有相對(duì)較寬寬度的垂直部154完全交疊?？梢钥紤]形成像素電極150和數(shù)據(jù)線130時(shí)可能發(fā)生的覆蓋偏差來確定垂直部154和數(shù)據(jù)線130的寬度。
此外，可將垂直部154的寬度形成得窄于數(shù)據(jù)線130的寬度，從而使寄生電容(Cdp)的波動(dòng)最小。在此情況下，具有相對(duì)較窄寬度的垂直部154可被具有相對(duì)較寬寬度的數(shù)據(jù)線130完全交疊?？梢钥紤]形成像素電極150和數(shù)據(jù)線130時(shí)可能發(fā)生的覆蓋偏差來確定垂直部154和數(shù)據(jù)線130的寬度。
因此，包括陣列基板100的LCD的圖像質(zhì)量可提高。
存儲(chǔ)電極160將由像素電極150形成的電場(chǎng)的強(qiáng)度保持在預(yù)定電平或更高。為此，存儲(chǔ)電極160可通過穿透有機(jī)絕緣層170的接觸孔174連接至像素電極150。這里，存儲(chǔ)電極160可由與同一平面上的數(shù)據(jù)線130相同的材料形成。
存儲(chǔ)電極160和選通線120可以以使柵絕緣層132位于其間的方式絕緣且交疊。這里，在存儲(chǔ)電極160、選通線120和柵絕緣層132相交疊的位置處形成存儲(chǔ)電容(Cst)。
當(dāng)從存儲(chǔ)電極160中的選通“關(guān)”電壓產(chǎn)生了反沖(kick-back)電壓(ΔVp)時(shí)，像素電極150的數(shù)據(jù)電壓保持等于或高于該選通“關(guān)”電壓的電平。這可以使存儲(chǔ)電極160變小。因此，包括陣列基板100的LCD的孔徑比增加。
將有機(jī)絕緣層170布置在數(shù)據(jù)線130和像素電極150之間以使數(shù)據(jù)線130和像素電極150彼此絕緣。這里，有機(jī)絕緣層170可由具有低介電常數(shù)的丙烯基(acryl-based)材料形成。由此，形成在數(shù)據(jù)線130和像素電極150之間的寄生電容(Cdp)可較小，從而數(shù)據(jù)線130和像素電極150可交疊。
圖5A至5E是描述圖3所示的LCD用陣列基板的制造方法的剖面圖。
首先，如圖5A所示，將選通線120和柵極141形成在透明絕緣基板110上。
具體地，選通金屬層由以下材料在透明絕緣基板110的整個(gè)表面上形成至少一層鉻或鉻合金、鋁或鋁合金、鉬或鉬合金、銀或銀合金、銅或銅合金、鈦或鈦合金、鉭或鉭合金。可通過濺射形成該選通金屬層。
隨后，利用第一掩模通過光刻(photolithography)工藝對(duì)選通金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成至少一層的選通線120和柵極141。
參照?qǐng)D5B，將柵絕緣層132、有源層144、以及歐姆接觸層145布置在透明絕緣基板110上。
具體地，在透明絕緣基板110的整個(gè)表面上，由SiNx和SiOx形成至少一個(gè)柵絕緣層132。隨后，在透明絕緣基板110的整個(gè)表面上，由非晶硅形成有源層144，并由包括n+雜質(zhì)的非晶硅形成歐姆接觸層145?？捎没瘜W(xué)汽相淀積(CVD)法形成柵絕緣層132、有源層144和歐姆接觸層145。
隨后，利用第二掩模通過光刻工藝對(duì)有源層144和歐姆接觸層145進(jìn)行構(gòu)圖。
參照?qǐng)D5C，將數(shù)據(jù)線130、源極142、漏極143和存儲(chǔ)電極160形成在透明絕緣基板110上。
具體地，數(shù)據(jù)金屬層由以下材料在透明絕緣基板110的整個(gè)表面上形成至少一層鉻或鉻合金、鋁或鋁合金、鉬或鉬合金、銀或銀合金、銅或銅合金、鈦或鈦合金、鉭或鉭合金?？赏ㄟ^濺射形成該數(shù)據(jù)金屬層。
隨后，利用第三掩模通過光刻工藝對(duì)數(shù)據(jù)金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成至少一層的數(shù)據(jù)線130、源極142、漏極143和存儲(chǔ)電極160。
隨后，通過對(duì)源極142和漏極143之間露出的歐姆接觸層進(jìn)行蝕刻而使源極142和漏極143之間的有源層144露出。這里，可以蝕刻得深一些，從而也蝕刻出某些有源層144。
參照?qǐng)D5D，將有機(jī)絕緣層170布置在透明絕緣基板110上。
具體地，在透明絕緣基板110的整個(gè)表面上，由丙烯基材料形成有機(jī)絕緣層170。通過利用從由旋轉(zhuǎn)式涂布、狹縫式涂布、旋轉(zhuǎn)狹縫式涂布、以及不旋轉(zhuǎn)式涂布組成的組中選擇的方法來形成有機(jī)絕緣層170。
隨后，利用第四掩模通過光刻工藝將接觸孔172和174形成為穿透有機(jī)絕緣層170。
參照?qǐng)D5E，將像素電極150形成在透明絕緣基板110上。
具體地，在透明絕緣基板110的整個(gè)表面上，用從由ITO和IZO組成的組中選擇的任一材料形成透明導(dǎo)電金屬層。可通過濺射形成該透明導(dǎo)電金屬層。
隨后，利用第五掩模進(jìn)行光刻處理，從而完成像素電極150的制造。
盡管這樣描述了本發(fā)明，但是明顯的是，可以以許多方式改變本發(fā)明。這種變型不應(yīng)被視為脫離本發(fā)明的精神和范圍，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言顯而易見的這種修改旨在被包括在后面的權(quán)利要求
的范圍內(nèi)。
因?yàn)樘峁┥鲜鰧?shí)施例是為了使本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員理解本發(fā)明的范圍，所以這些實(shí)施例應(yīng)被理解成示例性的并且不限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明僅由后面的權(quán)利要求
所限定。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器用陣列基板，該陣列基板包括選通線和數(shù)據(jù)線，其彼此絕緣且交叉地形成在透明絕緣基板上從而限定像素區(qū)；薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管連接至選通線和數(shù)據(jù)線并用作開關(guān)器件；像素電極，每個(gè)像素電極與所述選通線和數(shù)據(jù)線絕緣且交疊，通過接觸孔連接至薄膜晶體管，并跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)伸展從而形成電場(chǎng)；和存儲(chǔ)電極，每個(gè)存儲(chǔ)電極與所述選通線絕緣且交疊，通過接觸孔連接至像素電極，并將由所述像素電極形成的所述電場(chǎng)的強(qiáng)度保持在等于或高于預(yù)定電平的電平。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的陣列基板，該陣列基板還包括有機(jī)絕緣層，其形成在所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極之間并使所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極絕緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的陣列基板，其中，所述有機(jī)絕緣層由丙烯基材料形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的陣列基板，其中，每個(gè)像素電極包括水平部，其跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)形成，并形成所述電場(chǎng)；和垂直部，其與所述數(shù)據(jù)線絕緣且交疊并與所述水平部相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求
4所述的陣列基板，其中，所述水平部形成為人字形。
6.根據(jù)權(quán)利要求
4所述的陣列基板，其中，所述垂直部的寬度比所述數(shù)據(jù)線的寬度寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求
4所述的陣列基板，其中，所述垂直部的寬度比所述數(shù)據(jù)線的寬度窄。
8.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的陣列基板，其中，所述像素電極由透明導(dǎo)電材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求
8所述的陣列基板，其中，所述透明導(dǎo)電材料是從由銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)組成的組中選擇的任一材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的陣列基板，其中，在形成有所述數(shù)據(jù)線的同一平面上，由與所述數(shù)據(jù)線的材料相同的材料形成所述存儲(chǔ)電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的陣列基板，其中，所述選通線形成為人字形。
12.一種液晶顯示器用陣列基板的制造方法，該方法包括以下步驟將選通線和柵極形成在透明絕緣基板上；將柵絕緣層、有源層和歐姆接觸層形成在所述透明絕緣基板上；形成在所述透明絕緣基板上與所述選通線絕緣且交叉并限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線、連接到所述數(shù)據(jù)線的源極、面對(duì)所述源極的漏極以及與所述選通線絕緣且交叉的存儲(chǔ)電極；將有機(jī)絕緣層形成在所述透明絕緣基板上；以及形成像素電極，每個(gè)像素電極與選通線和數(shù)據(jù)線絕緣且交疊，并跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)形成從而形成電場(chǎng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求
12所述的方法，其中，所述有機(jī)絕緣層由丙烯基材料形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求
12所述的方法，其中，形成所述像素電極的步驟包括形成水平部，每個(gè)水平部跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)伸展從而形成所述電場(chǎng)；以及形成垂直部，每個(gè)垂直部與所述數(shù)據(jù)線絕緣且交疊并與所述水平部相連。
15.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的方法，其中，所述水平部形成為人字形。
16.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的方法，其中，所述垂直部的寬度比所述數(shù)據(jù)線的寬度寬。
17.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的方法，其中，所述垂直部的寬度比所述數(shù)據(jù)線的寬度窄。
18.根據(jù)權(quán)利要求
12所述的方法，其中，所述像素電極由透明導(dǎo)電材料形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求
18所述的方法，其中，所述透明導(dǎo)電材料是從由銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)組成的組中選擇的任一材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求
12所述的方法，其中，所述選通線形成為人字形。
專利摘要
本發(fā)明涉及液晶顯示器用陣列基板及其制造方法。該陣列基板包括選通線和數(shù)據(jù)線，其彼此絕緣且交叉地形成在透明絕緣基板上從而限定像素區(qū)；薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管連接至選通線和數(shù)據(jù)線并用作開關(guān)器件；像素電極，每個(gè)像素電極與所述選通線和數(shù)據(jù)線絕緣且交疊，通過接觸孔連接至薄膜晶體管，并跨兩個(gè)相鄰像素區(qū)伸展從而形成電場(chǎng)；和存儲(chǔ)電極，每個(gè)存儲(chǔ)電極與所述選通線絕緣且交疊，通過接觸孔連接至像素電極，并將由所述像素電極形成的所述電場(chǎng)的強(qiáng)度保持在等于或高于預(yù)定電平的電平。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1991551SQ200610137564
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年10月25日
發(fā)明者柳尚希 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan