光學層疊體、透鏡部及顯示方法與流程

本發明涉及光學層疊體、透鏡部及顯示方法。

背景技術：

1、以液晶顯示裝置及場致發光(el)顯示裝置(例如，有機el顯示裝置)為代表的圖像顯示裝置正在迅速普及。在圖像顯示裝置中，為了實現圖像顯示、提高圖像顯示的性能，一般使用偏振構件、相位差構件等光學構件(例如，參照專利文獻1)。

2、近年來，開發出了圖像顯示裝置的新用途。例如，用于實現virtual?reality(虛擬現實，vr)的帶顯示器的護目鏡(vr護目鏡)已開始產品化。由于vr護目鏡在各種場景下的利用已得到了研究，因此，期望其輕質化、視覺辨認性的提高等。輕質化例如可以通過將用于vr護目鏡的透鏡薄型化來實現。另一方面，也期望開發出適于使用了薄型透鏡的顯示系統的光學構件。

3、現有技術文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1：日本特開2021-103286號公報

技術實現思路

1、發明所要解決的問題

2、鑒于上述情況，本發明的主要目的在于提供能夠實現vr護目鏡的輕質化、視覺辨認性的提高的光學層疊體。

3、解決問題的方法

4、1.本發明的實施方式的光學層疊體具備具有基材和表面處理層的層疊膜、和相位差構件，上述層疊膜的基材與上述相位差構件相鄰地配置，上述相位差構件依次包含第一相位差層、粘接劑層以及第二相位差層，上述粘接劑層的厚度為0.5μm以上且1.3μm以下。

5、2.上述1所述的光學層疊體的層疊體平滑性可以為0.7arcmin以下。

6、3.在上述1或2所述的光學層疊體中，上述粘接劑層可以為樹脂的固化層。

7、4.在上述1～3中任一項所述的光學層疊體中，上述層疊膜的表面平滑性可以為0.5arcmin以下。

8、5.在上述1～4中任一項所述的光學層疊體中，上述層疊膜的上述基材可以包含(甲基)丙烯酸類樹脂。

9、6.在上述1～5中任一項所述的光學層疊體中，上述層疊膜的上述表面處理層可以具有防反射功能。

10、7.在上述1～6中任一項所述的光學層疊體中，上述第一相位差層可以顯示出nx＞ny≥nz的折射率特性，可以滿足re(450)＜re(550)＜re(650)的關系。

11、8.在上述1～7中任一項所述的光學層疊體中，上述第二相位差層可以顯示出nz＞nx≥ny的折射率特性。

12、9.上述1～8中任一項所述的光學層疊體的可見度修正單體透射率的y值可以為93％以上。

13、10.本發明的實施方式的透鏡部用于對使用者顯示圖像的顯示系統，其中，上述透鏡部具備：

14、反射型偏振構件，其將從顯示圖像的顯示元件的顯示面朝向前方出射、并在偏振構件及第1λ/4構件通過后的光反射；

15、第一透鏡部，其配置于上述顯示元件與上述反射型偏振構件之間的光路上；

16、半反射鏡，其配置于上述顯示元件與上述第一透鏡部之間，使從上述顯示元件出射的光透過，并使在上述反射型偏振構件進行了反射后的光朝向上述反射型偏振構件進行反射；

17、第二透鏡部，其配置于上述反射型偏振構件的前方；以及

18、上述1～9中任一項所述的光學層疊體，該光學層疊體配置于上述半反射鏡與上述反射型偏振構件之間的光路上。

19、11.本發明的實施方式的顯示方法具有：

20、使經由偏振構件及第1λ/4構件而出射的顯示圖像的光在半反射鏡及第一透鏡部通過的步驟；

21、使在所述半反射鏡及所述第一透鏡部通過后的光在上述1～9中任一項所述的光學層疊體通過的步驟；

22、使在所述光學層疊體通過后的光在反射型偏振構件朝向所述半反射鏡反射的步驟；

23、使在所述反射型偏振構件及所述半反射鏡進行了反射后的光能夠通過所述光學層疊體在所述反射型偏振構件透過的步驟；以及

24、使在所述反射型偏振構件透過后的光通過第二透鏡部的步驟。

25、發明的效果

26、根據本發明的實施方式的光學層疊體，能夠實現vr護目鏡的輕質化、視覺辨認性的提高。

技術特征：

1.一種光學層疊體，其具備：

2.根據權利要求1所述的光學層疊體，其層疊體平滑性為0.7arcmin以下。

3.根據權利要求1所述的光學層疊體，其中，

4.根據權利要求1所述的光學層疊體，其中，

5.根據權利要求1所述的光學層疊體，其中，

6.根據權利要求1所述的光學層疊體，其中，

7.根據權利要求1所述的光學層疊體，其中，

8.根據權利要求1所述的光學層疊體，其中，

9.根據權利要求1所述的光學層疊體，其可見度修正單體透射率的y值為93％以上。

10.一種透鏡部，其用于對使用者顯示圖像的顯示系統，

11.一種顯示方法，該方法具有：

技術總結
本發明提供能夠實現VR護目鏡的輕質化、視覺辨認性的提高的光學層疊體。本發明的實施方式的光學層疊體具備具有基材和表面處理層的層疊膜(31)、和相位差構件(22)，上述層疊膜的基材與上述相位差構件相鄰地配置，上述相位差構件依次包含第一相位差層(22a)、粘接劑層(50)以及第二相位差層(22b)，上述粘接劑層的厚度為0.5μm以上且1.3μm以下。

技術研發人員：小島理,北野康平,后藤周作
受保護的技術使用者：日東電工株式會社
技術研發日：
技術公布日：2024/11/4