一種顯示面板的制作方法

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示面板。

背景技術：

液晶顯示器具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用。現有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶面板及背光模組(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，并在兩片玻璃基板上施加驅動電壓來控制液晶分子的旋轉方向，以將背光模組的光線折射出來產生畫面。

其中，薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，tft-lcd)由于具有低的功耗、優異的畫面品質以及較高的生產良率等性能，目前已經逐漸占據了顯示領域的主導地位。同樣，薄膜晶體管液晶顯示器包含液晶面板和背光模組，液晶面板包括彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate，也稱彩色濾光片基板)、薄膜晶體管陣列基板(thinfilmtransistorsubstrate，tftsubstrate)和光罩(mask)，上述基板的相對內側存在透明電極。兩片基板之間夾一層液晶分子(liquidcrystal，lc)。

然而，靜電放電即electrostaticdischarge，簡稱esd，靜電放電超過一定的電壓可使集成電路芯片介質擊穿，芯線熔斷，漏電流增大加速老化，電性能參數改變等，因而esd的防護相當重要。

技術實現要素：

本發明所要解決的技術問題是提供一種保護電路可靠有效的的顯示面板。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：

一種顯示面板，包括：

基板，設有多個像素區；

靜電放電電路，所述靜電放電電路設置在所述基板上；

所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及

第一放電單元：所述第一放電單元的輸出端分別與高電平接線端和低電平接線端連接，所述第一放電單元的控制端和輸入端與所述靜電輸入端連接；

第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。

其中，所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導電線，所述公共端接地連接。高電平接線端(vgh)與低電平接線端(vgl)之間的所用的導電線所需的線寬較小，這樣相當于會有一個比較大的電阻所，相對的泄流電流也比較小，第一放電單元單獨發揮泄流的能力可能不夠。而第二導電線用于接地端(gnd)連接，它的線寬都遠遠大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會比原本來的大，以達到更好的防護效果。

其中，所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導電線，所述公共端與所述顯示面板的公共電壓端連接。高電平接線端(vgh)與低電平接線端(vgl)之間的所用的導電線所需的線寬較小，這樣相當于會有一個比較大的電阻所，相對的泄流電流也比較小，第一放電單元單獨發揮泄流的能力可能不夠。而第二導電線用于公共電壓端(vcom)連接，它的線寬都遠遠大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會比原本來的大，以達到更好的防護效果。

其中，所述第二放電電路包括一個第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接。第二放電單元通過第三薄膜晶體管泄流，設置簡單，有效可靠。

其中，所述第二放電電路包括一個電容，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接。利用電容具有隔直流、通交流，通高頻、阻低頻的特性，電壓笵圍在vgl～vgh時，第二放電單元不參與作用。同時電壓笵圍不在vgl～vgh時，例如瞬間有個正的大電壓時，第二放電單元能夠正常工作，不產生經第二薄膜晶體管留下vgl的電流。

其中，所述第二放電電路包括一個第四薄膜晶體管，所述第四薄膜晶體管的輸入端與所述電容的第二端連接，所述第四薄膜晶體管的控制端與所述高電平接線端連接，所述第四薄膜晶體管的輸出端與所述低電平接線端連接，或者，所述第四薄膜晶體管的控制端與所述低電平接線端連接，所述第四薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接。第四薄膜晶體管的導通進一步完成第二放電單元的放電功用，同時將電容的第二端的電位拉到與公共端一致，這樣當電壓笵圍在vgl～vgh時，第三薄膜晶體管不至于導通放電而影響保護電路的正常工作。

其中，所述第一放電電路包括一個第一n型薄膜晶體管和一個第二n型薄膜晶體管，所述第一n型薄膜晶體管的源極與所述高電平接線端連接，第一n型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第二n型薄膜晶體管的源極連接，所述第二n型薄膜晶體管的源極還與所述靜電輸入端連接，所述第二n型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述低電平接線端連接；

所述第二放電電路包括一個第三n型薄膜晶體管、一個電容、一個第四n型薄膜晶體管，所述第三n型薄膜晶體管的源極與第一n型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三n型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三n型薄膜晶體管的柵極連接，所述第四n型薄膜晶體管的源極與所述電容的第二端連接，所述第四n型薄膜晶體管的柵極與所述高電平接線端連接，所述第四n型薄膜晶體管的漏極與所述低電平接線端連接。這里是保護電路的一個實施方式，明確具體采用的電元件以及連接關系。

其中，所述第一放電電路包括一個第一p型薄膜晶體管和一個第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接；

所述第二放電電路包括一個第三n型薄膜晶體管、一個電容、一個第四n型薄膜晶體管，所述第三n型薄膜晶體管的源極與第一n型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三n型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三n型薄膜晶體管的柵極連接，所述第四n型薄膜晶體管的源極與所述電容的第二端連接，所述第四n型薄膜晶體管的柵極與所述高電平接線端連接，所述第四n型薄膜晶體管的漏極與所述低電平接線端連接。這里是保護電路的一個實施方式，明確具體采用的電元件以及連接關系。

其中，所述第一放電電路包括一個第一p型薄膜晶體管和一個第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接；

所述第二放電電路包括一個第三p型薄膜晶體管、一個電容、一個第四p型薄膜晶體管，所述第三p型薄膜晶體管的源極與所述第二p型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三p型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三p型薄膜晶體管的柵極連接，所述第四p型薄膜晶體管的源極與所述電容的第二端連接，所述第四p型薄膜晶體管的柵極與所述低電平接線端連接，所述第四p型薄膜晶體管的漏極與所述高電平接線端連接。這里是保護電路的一個實施方式，明確具體采用的電元件以及連接關系。

其中，所述顯示面板包括柵極集成電路，所述高電平接線端、所述低電平接線端分別于所述柵極集成電路的薄膜晶體管開啟電壓端和薄膜晶體管關閉電壓端連接。具體vgh、vgl的連接。

與現有技術相比，本發明的技術效果是：

本發明由于兩個相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數量得以加大，實現對顯示面板更好的保護效果，延長使用壽命。

附圖說明

所包括的附圖用來提供對本申請實施例的進一步的理解，其構成了說明書的一部分，用于例示本申請的實施方式，并與文字描述一起來闡釋本申請的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1是本發明實施例一種顯示面板的保護電路的示意圖；

圖2是本發明實施例一種顯示面板的保護電路的示意圖；

圖3是本發明實施例一種顯示面板的保護電路的示意圖；

圖4是本發明實施例一種顯示面板的保護電路的示意圖；

圖5是本發明實施例一種顯示面板的保護電路的示意圖；

圖6是本發明實施例一種顯示面板的保護電路的示意圖；

圖7是本發明實施例一種顯示面板的保護電路的示意圖；

圖8是本發明實施例一種顯示面板的保護電路的示意圖；

圖9是本發明實施例一種顯示面板的結構示意圖。

其中，1、高電平接線端(vgh)；2、低電平接線端(vgl)；3、公共端；4、靜電輸入端(pin)；51、第一n型薄膜晶體管；52、第二n型薄膜晶體管；53、第一p型薄膜晶體管；54、第二p型薄膜晶體管；6、第二放電單元；61、第三n型薄膜晶體管；62、第四n型薄膜晶體管；63、第三p型薄膜晶體管；64、第四p型薄膜晶體管；81、第一放電電流；82、第二放電電流；83、第三放電電流；10、基板；11、靜電放電電路；12、柵極驅動電路；13、源極驅動電路；14、掃描線；15、數據線；16、像素區。

具體實施方式

這里所公開的具體結構和功能細節僅僅是代表性的，并且是用于描述本發明的示例性實施例的目的。但是本發明可以通過許多替換形式來具體實現，并且不應當被解釋成僅僅受限于這里所闡述的實施例。

在本發明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。另外，術語“包括”及其任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。

在本發明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。

這里所使用的術語僅僅是為了描述具體實施例而不意圖限制示例性實施例。除非上下文明確地另有所指，否則這里所使用的單數形式“一個”、“一項”還意圖包括復數。還應當理解的是，這里所使用的術語“包括”和/或“包含”規定所陳述的特征、整數、步驟、操作、單元和/或組件的存在，而不排除存在或添加一個或更多其他特征、整數、步驟、操作、單元、組件和/或其組合。

下面結合附圖和較佳的實施例對本發明作進一步詳細說明。

作為本發明的一個實施例，如圖1-2所示，所述顯示面板包括：基板，設有多個像素區；靜電放電電路，所述靜電放電電路設置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元的輸出端分別與高電平接線端和低電平接線端連接，所述第一放電單元的控制端和輸入端與所述靜電輸入端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。其中，所述第一放電單元包括一個第一薄膜晶體管和一個第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接，第一薄膜晶體管的輸入端、所述第二薄膜晶體管的輸出端與所述靜電輸入端連接，所述第二薄膜晶體管的輸入端與所述低電平接線端連接。本發明由于兩個相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數量得以加大，實現對顯示面板更好的保護效果，延長使用壽命。如圖9所示，所示基板上設置有靜電放電電路、柵極驅動電路和源極驅動電路，水平設置的掃描線和豎直設置的數據線與其相對應的電路耦合連接，多條所述數據線與多條所述掃描線依次相交設置形成多個像素區。

具體的，所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導電線，所述公共端接地連接。高電平接線端(vgh)與低電平接線端(vgl)之間的所用的導電線所需的線寬較小，這樣相當于會有一個比較大的電阻所，相對的泄流電流也比較小，第一放電單元單獨發揮泄流的能力可能不夠。而第二導電線用于接地端(gnd)連接，它的線寬都遠遠大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會比原本來的大，以達到更好的防護效果。所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導電線，所述公共端與所述顯示面板的公共電壓端連接。而第二導電線用于公共電壓端(vcom)連接，它的線寬都遠遠大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會比原本來的大，以達到更好的防護效果。其中，所述顯示面板包括柵極集成電路，所述高電平接線端、所述低電平接線端分別于所述柵極集成電路的薄膜晶體管開啟電壓端和薄膜晶體管關閉電壓端連接。

作為本發明的又一個實施例，所述顯示面板包括：基板，設有多個像素區；靜電放電電路，所述靜電放電電路設置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元的輸出端分別與高電平接線端和低電平接線端連接，所述第一放電單元的控制端和輸入端與所述靜電輸入端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。其中，所述第一放電單元包括一個第一薄膜晶體管和一個第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接，第一薄膜晶體管的輸入端、所述第二薄膜晶體管的輸出端與所述靜電輸入端連接，所述第二薄膜晶體管的輸入端與所述低電平接線端連接。兩個相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數量得以加大，實現對顯示面板更好的保護效果，延長使用壽命。所述第二放電電路包括一個第三薄膜晶體管、一個電容，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接。第二放電單元通過第三薄膜晶體管泄流，設置簡單，有效可靠。所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接。利用電容具有隔直流、通交流，通高頻、阻低頻的特性，電壓笵圍在vgl～vgh時，第二放電單元不參與作用。同時電壓笵圍不在vgl～vgh時，例如瞬間有個正的大電壓時，第二放電單元能夠正常工作，不產生經第二薄膜晶體管留下vgl的電流。所以如果pin的輸入電壓笵圍在vgl～vgh間因為電容在直流電流中可視為開路，這個電容和薄膜晶體管是不會動作的。

具體的，如圖3所示，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管為n型薄膜晶體管：第一n型薄膜晶體管、第二n型薄膜晶體管，所述第一n型薄膜晶體管的源極與所述高電平接線端連接，第一n型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第二n型薄膜晶體管的源極連接，所述第二n型薄膜晶體管的源極還與所述靜電輸入端連接，所述第二n型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述低電平接線端連接；所述第三n型薄膜晶體管的源極與第一n型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三n型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三n型薄膜晶體管的柵極連接。當pin瞬間有個正的大電壓進來時，則第一n型薄膜晶體管導通，有第一放電電流產生。由于pin電位瞬間變高，電容耦合特效下，電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點的電位也同時變大，則第三n型薄膜晶體管也導通，此時pin的正的大電壓可以往gnd泄流。因為gnd的走線通常比vgl粗，所以相對應的電阻值遠小于vgl的，故第二放電電流大于第一放電電流。

當然，第一放電單元可以使用p型薄膜晶體管，或者n型薄膜晶體管和p型薄膜晶體管搭配使用。比如，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管為p型薄膜晶體管：第一p型薄膜晶體管、第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接。

作為本發明的又一個實施例，所述顯示面板包括：基板，設有多個像素區；靜電放電電路，所述靜電放電電路設置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元的輸出端分別與高電平接線端和低電平接線端連接，所述第一放電單元的控制端和輸入端與所述靜電輸入端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。其中，所述第一放電單元包括一個第一薄膜晶體管和一個第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接，第一薄膜晶體管的輸入端、所述第二薄膜晶體管的輸出端與所述靜電輸入端連接，所述第二薄膜晶體管的輸入端與所述低電平接線端連接。兩個相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數量得以加大，實現對顯示面板更好的保護效果，延長使用壽命。所述第二放電電路包括一個第三薄膜晶體管、一個電容、一個第四薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接。第二放電單元通過第三薄膜晶體管泄流，設置簡單，有效可靠。所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接。利用電容具有隔直流、通交流，通高頻、阻低頻的特性，電壓笵圍在vgl～vgh時，第二放電單元不參與作用。同時電壓笵圍不在vgl～vgh時，例如瞬間有個正的大電壓時，第二放電單元能夠正常工作，不產生經第二薄膜晶體管留下vgl的電流。所以如果pin的輸入電壓笵圍在vgl～vgh間因為電容在直流電流中可視為開路，這個電容和薄膜晶體管是不會動作的。所述第四薄膜晶體管的輸入端與所述電容的第二端連接，所述第四薄膜晶體管的控制端與所述高電平接線端連接，所述第四薄膜晶體管的輸出端與所述低電平接線端連接，或者，所述第四薄膜晶體管的控制端與所述低電平接線端連接，所述第四薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接。第四薄膜晶體管的導通進一步完成第二放電單元的放電功用，同時將電容的第二端的電位拉到與公共端一致，這樣當電壓笵圍在vgl～vgh時，第三薄膜晶體管不至于導通放電而影響保護電路的正常工作。

具體的，如圖4-5所示，圖5可以看作圖4的實際等效電路，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管為n型薄膜晶體管：第一n型薄膜晶體管、第二n型薄膜晶體管，所述第一n型薄膜晶體管的源極與所述高電平接線端連接，第一n型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第二n型薄膜晶體管的源極連接，所述第二n型薄膜晶體管的源極還與所述靜電輸入端連接，所述第二n型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述低電平接線端連接；所述第二放電電路包括一個第三n型薄膜晶體管、一個電容、一個第四n型薄膜晶體管，所述第三n型薄膜晶體管的源極與第一n型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三n型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三n型薄膜晶體管的柵極連接，所述第四n型薄膜晶體管的源極與所述電容的第二端連接，所述第四n型薄膜晶體管的柵極與所述高電平接線端連接，所述第四n型薄膜晶體管的漏極與所述低電平接線端連接。這里是保護電路的一個實施方式，明確具體采用的電元件以及連接關系。由于pin電位瞬間變高，電容耦合特效下，電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點的電位也同時變大，則第三n型薄膜晶體管也導通，此時pin的正的大電壓可以往gnd泄流。因為gnd的走線通常比vgl粗，所以相對應的電阻值遠小于vgl的，故第二放電電流大于第一放電電流。而第四n型薄膜晶體管也會同時把電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點的電位拉到gnd。所以當pin瞬間有個大的正電壓進來時，泄掉的電流為第一放電電流、第二放電電路與第三放電電流的和值更大，相比第一放電單元的單獨作用總的泄流電流較大，有更好的保護效果。

當然，第一放電單元可以使用p型薄膜晶體管，或者n型薄膜晶體管和p型薄膜晶體管搭配使用。比如，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管為p型薄膜晶體管：第一p型薄膜晶體管、第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接。

作為本發明的又一個實施例，如圖2所示，所述顯示面板包括：基板，設有多個像素區；靜電放電電路，所述靜電放電電路設置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元包括一個第一p型薄膜晶體管和一個第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。本發明由于兩個相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數量得以加大，實現對顯示面板更好的保護效果，延長使用壽命。

具體的，所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導電線，所述公共端接地連接。高電平接線端(vgh)與低電平接線端(vgl)之間的所用的導電線所需的線寬較小，這樣相當于會有一個比較大的電阻所，相對的泄流電流也比較小，第一放電單元單獨發揮泄流的能力可能不夠。而第二導電線用于接地端(gnd)連接，它的線寬都遠遠大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會比原本來的大，以達到更好的防護效果。所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導電線，所述公共端與所述顯示面板的公共電壓端連接。而第二導電線用于公共電壓端(vcom)連接，它的線寬都遠遠大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會比原本來的大，以達到更好的防護效果。其中，所述顯示面板包括柵極集成電路，所述高電平接線端、所述低電平接線端分別于所述柵極集成電路的薄膜晶體管開啟電壓端和薄膜晶體管關閉電壓端連接。

作為本發明的又一個實施例，所述顯示面板包括：基板，設有多個像素區；靜電放電電路，所述靜電放電電路設置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元包括一個第一p型薄膜晶體管和一個第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。兩個相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數量得以加大，實現對顯示面板更好的保護效果，延長使用壽命。所述第二放電電路包括一個第三薄膜晶體管、一個電容，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接。第二放電單元通過第三薄膜晶體管泄流，設置簡單，有效可靠。所述第二放電電路包括，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接。利用電容具有隔直流、通交流，通高頻、阻低頻的特性，電壓笵圍在vgl～vgh時，第二放電單元不參與作用。同時電壓笵圍不在vgl～vgh時，例如瞬間有個正的大電壓時，第二放電單元能夠正常工作，不產生經第二薄膜晶體管留下vgl的電流。所以如果pin的輸入電壓笵圍在vgl～vgh間因為電容在直流電流中可視為開路，這個電容和薄膜晶體管是不會動作的。

具體的，如圖6所示，所述第三薄膜晶體管為p型薄膜晶體管：第三p型薄膜晶體管，所述第三p型薄膜晶體管的源極與所述第二p型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三p型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三p型薄膜晶體管的柵極連接。由于pin電位瞬間變高，電容耦合特效下，電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點的電位也同時變大，則第三n型薄膜晶體管也導通，此時pin的正的大電壓可以往gnd泄流。因為gnd的走線通常比vgl粗，所以相對應的電阻值遠小于vgl的，故第二放電電流大于第一放電電流。

作為本發明的又一個實施例，所述顯示面板包括：基板，設有多個像素區；靜電放電電路，所述靜電放電電路設置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元包括一個第一p型薄膜晶體管和一個第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。兩個相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數量得以加大，實現對顯示面板更好的保護效果，延長使用壽命。所述第二放電電路包括一個第三薄膜晶體管、一個電容、一個第四薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接。第二放電單元通過第三薄膜晶體管泄流，設置簡單，有效可靠。所述第二放電電路包括，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接。利用電容具有隔直流、通交流，通高頻、阻低頻的特性，電壓笵圍在vgl～vgh時，第二放電單元不參與作用。同時電壓笵圍不在vgl～vgh時，例如瞬間有個正的大電壓時，第二放電單元能夠正常工作，不產生經第二薄膜晶體管留下vgl的電流。所以如果pin的輸入電壓笵圍在vgl～vgh間因為電容在直流電流中可視為開路，這個電容和薄膜晶體管是不會動作的。所述第四薄膜晶體管的控制端與所述低電平接線端連接，所述第四薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接。第四薄膜晶體管的導通進一步完成第二放電單元的放電功用，同時將電容的第二端的電位拉到與公共端一致，這樣當電壓笵圍在vgl～vgh時，第三薄膜晶體管不至于導通放電而影響保護電路的正常工作。

具體的，如圖7-8所示，圖8可以看作圖7的實際等效電路，所述第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管為p型薄膜晶體管：第三p型薄膜晶體管、第四p型薄膜晶體管，所述第三p型薄膜晶體管的源極與所述第二p型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三p型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三p型薄膜晶體管的柵極連接，所述第四p型薄膜晶體管的源極與所述電容的第二端連接，所述第四p型薄膜晶體管的柵極與所述低電平接線端連接，所述第四p型薄膜晶體管的漏極與所述高電平接線端連接。由于pin電位瞬間變高，電容耦合特效下，電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點的電位也同時變大，則第三n型薄膜晶體管也導通，此時pin的正的大電壓可以往gnd泄流。因為gnd的走線通常比vgl粗，所以相對應的電阻值遠小于vgl的，故第二放電電流大于第一放電電流。而第四n型薄膜晶體管也會同時把電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點的電位拉到gnd。所以當pin瞬間有個大的正電壓進來時，泄掉的電流為第一放電電流、第二放電電路與第三放電電流的和值更大，相比第一放電單元的單獨作用總的泄流電流較大，有更好的保護效果。

作為本發明的又一個實施例，本發明還公開了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括背光模組和如上所述的顯示面板。

需要說明的是，在上述實施例中，所述基板的材料可以選用玻璃、塑料等。

在上述實施例中，顯示面板包括液晶面板、oled(organiclight-emittingdiode)面板、曲面面板、等離子面板等，以液晶面板為例，液晶面板包括陣列基板(thinfilmtransistorsubstrate，tftsubstrate)和彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate)，所述陣列基板與彩膜基板相對設置，所述陣列基板與彩膜基板之間設有液晶和間隔單元(ps，photospacer)，所述陣列基板上設有薄膜晶體管(tft，thinfilmtransistor)，彩膜基板上設有彩色濾光層。

在上述實施例中，彩膜基板可包括tft陣列，彩膜及tft陣列可形成于同一基板上，陣列基板可包括彩色濾光層。

在上述實施例中，本發明的顯示面板可為曲面型面板。

以上內容是結合具體的優選實施方式對本發明所作的進一步詳細說明，不能認定本發明的具體實施只局限于這些說明。對于本發明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發明的保護范圍。