光掩膜的缺陷檢測系統及光掩膜的缺陷檢測方法與流程

本申請涉及半導體集成電路的
技術領域：
，具體而言，涉及一種光掩膜的缺陷檢測系統及光掩膜的缺陷檢測方法。
背景技術：
：在半導體制造的整個流程中，其中一部分就是從版圖到wafer制造中間的一個過程，即采用光掩膜(又稱為光罩)進行光刻的過程，即通過一系列生產步驟，將晶圓表面薄膜的特定部分除去，以在晶圓表面上形成帶有微圖形結構的薄膜(特征圖形)的過程。在采用光掩膜進行光刻的過程中，光掩膜的表面缺陷(例如表面顆粒(PIP)等)會嚴重影響曝光過程，甚至會導致曝光過程失效。目前，通常采用每隔數小時或數天進行的光掩膜檢測(masksurfaceinspection)才能發現光掩膜的表面上的缺陷。申請人對光掩膜的表面缺陷進行了大量研究之后發現，40％的表面缺陷是在手工操作過程中產生的(Type-1SC)，而60％的表面缺陷是由機器設備造成的(Type-2SC，即擦傷缺陷)，而且擦傷缺陷更難被發現。為了提高發現擦傷缺陷的幾率，申請人嘗試提高缺陷的粒徑預警值(由原先的50微米提高至10微米)，然而這樣會引起明顯增大缺陷的誤報率。針對上述問題，本領域中還沒有解決上述問題的有效辦法。技術實現要素：本申請旨在提供一種光掩膜的缺陷檢測系統及光掩膜的缺陷檢測方法，以提高光掩膜的缺陷檢測過程中擦傷缺陷的發現幾率。為了實現上述目的，本申請提供了一種光掩膜的缺陷檢測系統，該缺陷檢測系統包括：缺陷掃描單元，用于檢測出光掩膜的表面上的缺陷的坐標值；缺陷分析單元，用于計算出任意兩個或兩個以上缺陷之間的坐標值的差值，并將沿同一坐標軸方向上的差值小于擦傷缺陷寬度容忍值的各缺陷作為擦傷缺陷。進一步地，缺陷分析單元還用于：將沿同一坐標軸方向上的差值小于缺陷相鄰距離設定值的各缺陷作為一個整體缺陷。進一步地，缺陷檢測系統還包括報警單元，當檢測出擦傷缺陷時報警單元發出報警。進一步地，報警單元通過電話或郵件的方式發出報警。本申請還提供了一種光掩膜的缺陷檢測方法，該缺陷檢測方法包括以下步驟：檢測出光掩膜的表面上的缺陷的坐標值；計算出任意兩個或兩個以上缺陷之間的坐標值的差值，并將 沿同一坐標軸方向上的差值小于擦傷缺陷寬度容忍值的各缺陷作為擦傷缺陷。進一步地，擦傷缺陷寬度容忍值為0.15～0.2mm。進一步地，缺陷檢測方法還包括：將沿同一坐標軸方向上的差值小于缺陷相鄰距離設定值的各缺陷作為一個整體缺陷。進一步地，缺陷相鄰距離設定值為0.1～0.14mm。進一步地，缺陷檢測方法還包括：檢測出擦傷缺陷后發出報警，以通知操作人對擦傷缺陷進行人工確定。進一步地，每隔一小時；或者每隔一天；或者不定時執行缺陷檢測方法。應用本申請的技術方案，本申請通過提供一種光掩膜的缺陷檢測系統和缺陷檢測方法，并通過檢測出光掩膜的表面上的缺陷的坐標值，以及計算出任意兩個或兩個以上缺陷之間的坐標值的差值，并將沿同一坐標軸方向上的差值小于擦傷缺陷寬度容忍值的各缺陷作為擦傷缺陷，從而提高了光掩膜的缺陷檢測過程中擦傷缺陷的發現幾率。附圖說明構成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本申請的進一步理解，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。在附圖中：圖1示出了本申請實施方式所提供的光掩膜的缺陷檢測方法的流程示意圖；以及圖2示出了本申請實施方式所提供的光掩膜的缺陷檢測方法中，光掩膜的表面上的缺陷的位置關系示意圖。具體實施方式需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。需要注意的是，這里所使用的術語僅是為了描述具體實施方式，而非意圖限制根據本申請的示例性實施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式也意圖包括復數形式，此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”和/或“包括”時，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。為了便于描述，在這里可以使用空間相對術語，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用來描述如在圖中所示的一個器件或特征與其他器件或特征的空間位置關系。應當理解的是，空間相對術語旨在包含除了器件在圖中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為“在其他器件或構造上方”或“在其他器件或構造之上”的器件之后將被定位為“在其他器件或構造下 方”或“在其他器件或構造之下”。因而，示例性術語“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位(旋轉90度或處于其他方位)，并且對這里所使用的空間相對描述作出相應解釋。正如
背景技術：
中所介紹的，在光掩膜的缺陷檢測過程中擦傷缺陷難以被發現。本申請的發明人針對上述問題進行研究，提出了一種光掩膜的缺陷檢測系統。該缺陷檢測系統包括：缺陷掃描單元，用于檢測出光掩膜的表面上的缺陷的坐標值；缺陷分析單元，用于計算出任意兩個或兩個以上缺陷之間的坐標值的差值，并將沿同一坐標軸方向上的差值小于擦傷缺陷寬度容忍值的各缺陷作為擦傷缺陷。上述光掩膜的缺陷檢測系統通過檢測出光掩膜的表面上的缺陷的坐標值，以及計算出任意兩個或兩個以上缺陷之間的坐標值的差值，并將沿同一坐標軸方向上的差值小于擦傷缺陷寬度容忍值的各缺陷作為擦傷缺陷，從而提高了光掩膜的缺陷檢測過程中擦傷缺陷的發現幾率。上述缺陷檢測系統中，優選地，缺陷分析單元還用于：將沿同一坐標軸方向上的差值小于缺陷相鄰距離設定值的各缺陷作為一個整體缺陷。此時，光掩膜的缺陷檢測過程中擦傷缺陷的發現幾率會得到進一步提高。在一種優選的實施方式中，上述缺陷檢測系統還包括報警單元，且當檢測出擦傷缺陷時報警單元發出報警。優選地，報警單元通過電話或郵件的方式發出報警。當操作人收到報警信息后對擦傷缺陷進行人工確定。同時，本申請還提供了一種光掩膜的缺陷檢測方法。如圖1所示，該缺陷檢測方法包括以下步驟：檢測出光掩膜的表面上的缺陷的坐標值；計算出任意兩個或兩個以上缺陷之間的坐標值的差值，并將沿同一坐標軸方向上的差值小于擦傷缺陷寬度容忍值的各缺陷作為擦傷缺陷。上述光掩膜的缺陷檢測方法通過檢測出光掩膜的表面上的缺陷的坐標值，以及計算出任意兩個或兩個以上缺陷之間的坐標值的差值，并將沿同一坐標軸方向上的差值小于擦傷缺陷寬度容忍值的各缺陷作為擦傷缺陷，從而提高了光掩膜的缺陷檢測過程中擦傷缺陷的發現幾率。下面將更詳細地描述本申請提供的光掩膜的缺陷檢測方法的示例性實施方式。然而，這些示例性實施方式可以由多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的實施方式。應當理解的是，提供這些實施方式是為了使得本申請的公開徹底且完整，并且將這些示例性實施方式的構思充分傳達給本領域普通技術人員。首先，檢測出光掩膜的表面上的缺陷的坐標值。其中，坐標值包括X軸坐標值和Y軸坐標值。檢測缺陷的坐標值的方法有很多種，本領域的技術人員可以根據實際需求選擇檢測缺陷的坐標值的方法。例如，先檢測出光掩膜的表面上的缺陷，然后根據光掩膜的表面上的坐標體系確定缺陷的坐標值。然后，計算出任意兩個或兩個以上缺陷之間的坐標值的差值，并將沿同一坐標軸方向上的差值小于擦傷缺陷寬度容忍值的各缺陷作為擦傷缺陷。其中，可以采用計算機(加載有計算軟件)計算坐標值的差值。該步驟中，擦傷缺陷寬度容忍值的大小可以根據實際需求(例如常見的擦傷缺陷寬度等)進行設定。為了進一步提高光掩膜的缺陷檢測過程中擦傷缺陷的發現幾率，在一種優選地實施方式中，擦傷缺陷寬度容忍值為0.15～0.2mm。優選地，該步驟中，在計算出任意兩個或兩個以上缺陷之間的坐標值的差值之后，本申請提供的缺陷檢測方法還包括：將沿同一坐標軸方向上的差值小于缺陷相鄰距離設定值的各缺陷作為一個整體缺陷。上述缺陷相鄰距離設定值的大小可以根據實際需求進行設定。為了進一步提高光掩膜的缺陷檢測過程中擦傷缺陷的發現幾率，在一種優選地實施方式中，缺陷相鄰距離設定值為0.1～0.14mm。在一種優選的實施方式中，缺陷檢測方法還包括：檢測出擦傷缺陷后發出報警，以通知操作人對擦傷缺陷進行人工確定。另外，本申請提供的缺陷檢測方法的進行時機可以根據實際需求進行設定。優選地，每隔一小時；或者每隔一天；或者不定時執行缺陷檢測方法。下面將結合圖2更進一步說明本申請所提供的缺陷檢測方法。圖2示出了本申請實施方式所提供的光掩膜的缺陷檢測方法中，光掩膜的表面上的缺陷的位置關系示意圖。在圖2中，1至6為缺陷標號，即1代表缺陷1，2代表缺陷2，3代表缺陷3，4代表缺陷4，5代表缺陷5，6代表缺陷6，d1為缺陷1、缺陷2和缺陷3在沿X軸上的最大差值，d2為缺陷4和缺陷5在沿X軸上的差值。表1示出了光掩膜的表面上的缺陷的粒徑和坐標值缺陷標號缺陷的粒徑/μmX軸坐標值/mmY軸坐標值/mm11911.635.1922415.345.2931725.765.1441210.110.1951210.250.261421.891.17表1示出了光掩膜的表面上的缺陷的粒徑和坐標值。為了說明本申請所提供的缺陷檢測方法，作為示例，擦傷缺陷寬度容忍值為0.15mm，缺陷相鄰距離設定值為0.1mm。此時，從表1可以看出，d1＜擦傷缺陷寬度容忍值，因此缺陷1、缺陷2和缺陷3即為擦傷缺陷；d2＜缺陷相鄰距離設定值，因此缺陷4和缺陷5即可作為一個整體缺陷。從以上的描述中，可以看出，本申請上述的實施例實現了如下技術效果：本申請通過提供一種光掩膜的缺陷檢測系統和缺陷檢測方法，并通過檢測出光掩膜的表面上的缺陷的坐標值，以及計算出任意兩個或兩個以上缺陷之間的坐標值的差值，并將沿同一坐標軸方向上的差值小于擦傷缺陷寬度容忍值的各缺陷作為擦傷缺陷，從而提高了光掩膜的缺陷檢測過程中擦傷缺陷的發現幾率。以上所述僅為本申請的優選實施例而已，并不用于限制本申請，對于本領域的技術人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請的保護范圍之內。當前第1頁1 2 3