薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發明公開一種薄膜晶體管陣列基板，包括兩個接線層(170)、柵極線(120a)、數據線(150a)及由柵極線(120a)與數據線(150a)交叉而限定的像素區域，像素區域包括公共電極(180)及設置在公共電極(180)上的像素電極(190)，像素電極(190)與公共電極(180)電絕緣，數據線(150a)包括斷線區(151)，兩個接線層(170)分別設置在斷線區(151)的兩側，兩個接線層(170)均與數據線(150a)電接觸，像素電極(190)的鄰近斷線區(151)的部分去除，公共電極(180)鄰近斷線區(151)的部分與其余部分電絕緣，兩個接線層(170)均與公共電極(180)鄰近斷線區(151)的部分電接觸。本發明的斷線區修復方法去除的像素電極的面積非常小，能夠提升液晶顯示面板的顯示品質。
【專利說明】薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示面板
【技術領域】
[0001]本發明屬于液晶顯示【技術領域】，具體地講，涉及一種薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示面板。
【背景技術】
[0002]隨著信息社會的發展，人們對平板顯示器的需求得到了快速的增長。液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱IXD)具有體積小、功耗低、無福射等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。通常液晶顯示器包括相對設置的液晶顯示面板及背光模塊，其中，由于液晶顯示面板無法自身發光，所以其必須借用背光模塊提供的面光源而顯示影像。
[0003]液晶顯示面板包括互相對向設置的上基板和下基板，以及夾設于上下基板之間的液晶層。而上基板通常稱為彩色濾光片(Color Filter, CF)基板，下基板通常稱為陣列(Array)基板。在陣列基板中，一般使用薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)作為驅動，從而實現高速度、高亮度、高對比度的顯示屏幕信息。
[0004]然而，在現有技術的陣列基板的制程過程中，會出現大量信號線斷線的現象，因此需要對斷線的信號線進行修復。目前的修復方法需要采用長導線跨越陣列基板上的公共電極，從而實現信號線斷點處的修復。但是，這種方式會使的長導線覆蓋到透明像素電極層(即IT0薄膜層)上，為了避免長導線與透明像素電極層電導通，需要將長導線所在區域的透明像素電極層去除。但是，由于長導線所占區域較大，需要去除的透明像素電極層的區域也大，而在去除透明像素電極層后的區域的相對處，只有彩色濾光片基板上的公共電極驅動液晶層中的液晶分子旋轉，這將會使該相對處的液晶分子一直保持偏轉，該相對處出現長亮狀態，從而使液晶顯示面板在該相對處的位置出現微亮點。
【發明內容】
[0005]為了解決上述現有技術存在的問題，本發明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括柵極線、數據線以及由所述柵極線與所述數據線交叉而限定的像素區域，所述像素區域包括公共電極及設置在所述公共電極上的像素電極，所述像素電極與所述公共電極電絕緣，所述數據線包括斷線區，所述薄膜晶體管陣列基板還包括至少兩個接線層，所述兩個接線層分別設置在所述斷線區的兩側，所述兩個接線層均與所述數據線電接觸，所述像素電極的鄰近所述斷線區的部分去除，所述公共電極鄰近所述斷線區的部分與其余部分電絕緣，所述兩個接線層均與所述公共電極鄰近所述斷線區的部分電接觸。
[0006]進一步地，所述像素區域還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層設置在所述像素電極與所述公共電極之間。
[0007]進一步地，位于所述像素電極的去除部分處的第二絕緣層上設置有至少兩個接觸孔，其中，所述兩個接線層設置在所述第二絕緣層上，所述兩個接線層分別填充對應的接觸孔，以與所述公共電極鄰近所述斷線區的部分電接觸。
[0008]進一步地，所述接線層與所述像素電極電絕緣。
[0009]進一步地，所述公共電極與所述像素電極的材料均為氧化銦錫，所述接線層的材料為金屬。
[0010]本發明的另一目的還在于提供一種液晶顯示面板，包括相對設置的薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光片基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括柵極線、數據線以及由所述柵極線與所述數據線交叉而限定的像素區域，所述像素區域包括公共電極及設置在所述公共電極上的像素電極，所述像素電極與所述公共電極電絕緣，所述數據線包括斷線區，所述薄膜晶體管陣列基板還包括至少兩個接線層，所述兩個接線層分別設置在所述斷線區的兩側，所述兩個接線層均與所述數據線電接觸，所述像素電極的鄰近所述斷線區的部分去除，所述公共電極鄰近所述斷線區的部分與其余部分電絕緣，所述兩個接線層均與所述公共電極鄰近所述斷線區的部分電接觸。
[0011]進一步地，所述像素區域還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層設置在所述像素電極與所述公共電極之間。
[0012]進一步地，位于所述像素電極的去除部分處的第二絕緣層上設置有至少兩個接觸孔，其中，所述兩個接線層設置在所述第二絕緣層上，所述兩個接線層分別填充對應的接觸孔，以與所述公共電極鄰近所述斷線區的部分電接觸。
[0013]進一步地，所述接線層與所述像素電極電絕緣。
[0014]進一步地，所述公共電極與所述像素電極的材料均為氧化銦錫，所述接線層的材料為金屬。
[0015]本發明將像素電極鄰近斷線區的部分去除，通過設置在斷線區兩側的兩個接線層分別與公共電極鄰近斷線區的部分和數據線電接觸，以完成對斷線區的修復，并且這種修復方法去除的像素電極的面積非常小，避免了現有技術的采用長導線而導致的去除大面積的像素電極。而且，由于去除的像素電極的面積非常小，即使在去除處形成微小的微亮點，在視覺上也不會受到影響，從而提升液晶顯示面板的顯示品質。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]通過結合附圖進行的以下描述，本發明的實施例的上述和其它方面、特點和優點將變得更加清楚，附圖中:
[0017]圖1是根據本發明的實施例的薄膜晶體管陣列基板的正視示意圖；
[0018]圖2是根據本發明的實施例的液晶顯示器的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0019]以下，將參照附圖來詳細描述本發明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發明，并且本發明不應該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發明的原理及其實際應用，從而使本領域的其他技術人員能夠理解本發明的各種實施例和適合于特定預期應用的各種修改。
[0020]圖1是根據本發明的實施例的薄膜晶體管陣列基板的正視示意圖。整個薄膜晶體管陣列基板通常包括多條數據線、多條柵極線以及多條數據線與多條柵極線相互交叉形成的多個像素區域，為清楚起見，圖1中只示出了其中一個像素區域作為示例。
[0021]參照圖1，根據本發明的實施例的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)陣列(Array)基板100包括由柵極線120a與數據線150a交叉而限定的像素區域。其中，該像素區域內包括設置在基板(例如，透明的玻璃基板)110上的第一透明導電層180和第二透明導電層190，以及位于柵極線120a與數據線150a交叉處附近的薄膜晶體管。其中，第一透明導電層180作為公共電極，第二透明導電層190作為像素電極。
[0022]該薄膜晶體管包括在基板110上依次形成的柵極120b、覆蓋柵極120b的第一絕緣層(未示出)、由非晶硅(a-Si)形成的非晶硅層(即有源層)140、非晶硅層140上的源極150b和漏極150c、第二絕緣層(或稱鈍化層)130、位于漏極150c上方并在第二絕緣層上形成的過孔160以及第二透明導電層190，其中，第二透明導電層190通過過孔160與漏極150c接觸。
[0023]在本實施例中，柵極線120a及柵極120b由第一金屬層圖案化形成，數據線150a、源極150b和漏極150c由第二金屬層圖案化形成。第一透明導電層180與第二透明導電層190均由氧化銦錫(ITO)等透明導電材料形成。
[0024]誠如【背景技術】中所描述，在現有的薄膜晶體管陣列基板的制程過程中，會出現大量信號線斷線的現象。繼續參照圖1，圖1中在數據線150a上的黑色區域為斷線區151。
[0025]為了對數據線150a上的斷線區151進行修復，在本實施例中，薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，簡稱TFT)陣列(Array)基板100還包括至少兩個接線層170。將第二透明導電層190鄰近斷線區151的部分去除，以使第二透明導電層190被去除的部分下的第二絕緣層130暴露，并且將第二絕緣層130下方的第一透明導電層180鄰近斷線區151的部分切斷，也就是說，第一透明導電層180鄰近斷線區151的部分與第一透明導電層180的其余部分不發生電接觸，即電絕緣。在暴露的第二絕緣層130上開設兩個接觸孔131。兩個接線層170分別設置在第二絕緣層130上以填充對應的接觸孔131，從而與第一透明導電層180鄰近斷線區151的部分電接觸，并且兩個接線層170分別設置在斷線區151的兩側，以與數據線150a電接觸，進而完成對斷線區151的修復。
[0026]由上述可知，將第二透明導電層190鄰近斷線區151的部分去除，通過分別設置在斷線區151兩側的接線層170分別與第一透明導電層180鄰近斷線區151的部分和數據線150a電接觸，以完成對斷線區151的修復，并且這種修復方法去除的第二透明導電層190的面積非常小，避免了現有技術的采用長導線而導致的去除大面積的像素電極。而且，由于去除的第二透明導電層190的面積非常小，即使在去除處形成微小的微亮點，在視覺上也不會受到影響，從而提升液晶顯不面板的顯不品質。
[0027]圖2是根據本發明的實施例的液晶顯示器的結構示意圖。
[0028]參照圖2，根據本發明的實施例的液晶顯示器包括液晶顯示面板以及與該液晶顯示面板相對設置的背光模組400，其中，背光模組400提供顯示光源給該液晶顯示面板，以使該液晶顯示面板借由背光模組400提供的光來顯示影像。而液晶顯示面板具有如下配置:上述的薄膜晶體管陣列基板100 ;第二基板200，其為彩色濾光片(CF)基板，通常包括黑色矩陣以及配向層等；液晶層300，夾設在薄膜晶體管陣列基板100和第二基板200之間；并且薄膜晶體管陣列基板100和第二基板200被布置成彼此面對。
[0029]鑒于本發明中采用的第二基板200與現有技術相同，因此其具體結構可參照相關的現有技術，在此不再贅述。而本實施例的背光模組400也與現有液晶顯示器中的背光模組相同，因此其具體結構也可參照相關的現有技術，在此也不再贅述。
[0030]雖然已經參照特定實施例示出并描述了本發明，但是本領域的技術人員將理解:在不脫離由權利要求及其等同物限定的本發明的精神和范圍的情況下，可在此進行形式和細節上的各種變化。
【權利要求】
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括柵極線(120a)、數據線(150a)以及由所述柵極線(120a)與所述數據線(150a)交叉而限定的像素區域，所述像素區域包括公共電極(180)及設置在所述公共電極(180)上的像素電極(190)，所述像素電極(190)與所述公共電極(180)電絕緣，所述數據線(150a)包括斷線區(151)，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括至少兩個接線層(170)，所述兩個接線層(170)分別設置在所述斷線區(151)的兩偵牝所述兩個接線層(170)均與所述數據線(150a)電接觸，所述像素電極(190)的鄰近所述斷線區(151)的部分去除，所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(151)的部分與其余部分電絕緣，所述兩個接線層(170)均與所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(151)的部分電接觸。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素區域還包括第二絕緣層(130)，所述第二絕緣層(130)設置在所述像素電極(190)與所述公共電極(180)之間。
3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，位于所述像素電極(190)的去除部分處的第二絕緣層(130)上設置有至少兩個接觸孔(131)，其中，所述兩個接線層(170)設置在所述第二絕緣層(130)上，所述兩個接線層(170)分別填充對應的接觸孔(131)，以與所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(151)的部分電接觸。
4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述接線層(170)與所述像素電極(190)電絕緣。
5.根據權利要求1至4任一項所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述公共電極(180)與所述像素電極(190)的材料均為氧化銦錫，所述接線層(170)的材料為金屬。
6.—種液晶顯示面板，包括相對設置的薄膜晶體管陣列基板(100)與彩色濾光片基板(200)，所述薄膜晶體管陣列基板包括柵極線(120a)、數據線(150a)以及由所述柵極線(120a)與所述數據線(150a)交叉而限定的像素區域，所述像素區域包括公共電極(180)及設置在所述公共電極(180)上的像素電極(190)，所述像素電極(190)與所述公共電極(180)電絕緣，所述數據線(150a)包括斷線區(151)，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括至少兩個接線層(170)，所述兩個接線層(170)分別設置在所述斷線區(151)的兩偵牝所述兩個接線層(170)均與所述數據線(150a)電接觸，所述像素電極(190)的鄰近所述斷線區(151)的部分去除，所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(151)的部分與其余部分電絕緣，所述兩個接線層(170)均與所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(151)的部分電接觸。
7.根據權利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述像素區域還包括第二絕緣層(130)，所述第二絕緣層(130)設置在所述像素電極(190)與所述公共電極(180)之間。
8.根據權利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，位于所述像素電極(190)的去除部分處的第二絕緣層(130)上設置有至少兩個接觸孔(131)，其中，所述兩個接線層(170)設置在所述第二絕緣層(130)上，所述兩個接線層(170)分別填充對應的接觸孔(131)，以與所述公共電極(180)鄰近所述斷線區(151)的部分電接觸。
9.根據權利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述接線層(170)與所述像素電極(190)電絕緣。
10.根據權利要求6至9任一項所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述公共電極 (180)與所述像素電極(190)的材料均為氧化銦錫，所述接線層(170)的材料為金屬。
【文檔編號】G02F1/13GK104460071SQ201410853092
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月31日 優先權日:2014年12月31日
【發明者】衣志光 申請人:深圳市華星光電技術有限公司