陣列基板及制作方法、液晶顯示面板和反射式液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】本公開提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及形成于襯底基板上的薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括依次堆疊在所述襯底基板上的源/漏電極、有源區(qū)和柵電極，其中所述源/漏電極與所述像素電極同層布置在所述襯底基板上。根據(jù)本公開，在保證高反射率和高開口率的性能的同時(shí)，減少了構(gòu)圖工藝次數(shù)，從而減少工藝步驟，提高生產(chǎn)節(jié)拍并且有效地控制成本。本公開還提供了一種制作陣列基板的方法、包括該陣列基板的液晶顯示面板以及反射式液晶顯示器。
【專利說(shuō)明】陣列基板及制作方法、液晶顯示面板和反射式液晶顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，并且具體而言涉及一種陣列基板、制作陣列基板的方法、包括該陣列基板的液晶顯示面板以及反射式液晶顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，透射式液晶顯示器通常包括透射式液晶顯示面板10，該透射式液晶顯示面板10包括背光源101和透射式液晶盒102。如圖中箭頭所示，從背光源101發(fā)射的光透射穿過(guò)透射式液晶盒102以實(shí)現(xiàn)顯示功能。由于背光源101通常采用有機(jī)發(fā)光二極管，亮度較低，傳統(tǒng)的透射式液晶顯示器在戶外顯示時(shí)的可讀性非常差。如果通過(guò)提高亮度來(lái)提升戶外可讀性，透射式液晶顯示器的功耗將增加，續(xù)航時(shí)間減小，同時(shí)伴隨有散熱問(wèn)題。
[0003]如圖2所示，反射式液晶顯示器通常包括具有反射式液晶盒201的反射式液晶顯示面板20。如圖中箭頭所示，反射式液晶盒201反射來(lái)自環(huán)境的光以實(shí)現(xiàn)顯示功能。在反射式液晶顯示器中，環(huán)境光的亮度越高，反射光的亮度也變高，從而增加了戶外顯示時(shí)的可讀性。由于反射式液晶顯示器不需要背光源，可以大幅降低功耗，延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間，并且容易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品輕薄化。
[0004]在現(xiàn)有反射式液晶顯示器中，陣列基板的制作通常包括下述步驟:柵電極層成膜并通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成柵電極圖案，柵極絕緣層成膜并通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層圖案，源/漏電極層成膜并通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成源/漏電極圖案，鈍化層成膜并通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝形成鈍化層，樹脂層成膜并通過(guò)第五次構(gòu)圖工藝形成平坦樹脂層，像素電極層成膜并通過(guò)第六次構(gòu)圖工藝形成像素電極圖案，以及金屬保護(hù)層成膜并通過(guò)第七次構(gòu)圖工藝形成金屬保護(hù)層。上述制作方法中的各個(gè)構(gòu)圖工藝均包括光刻膠涂覆，利用掩模進(jìn)行曝光、對(duì)光刻膠顯影、對(duì)光刻膠刻蝕以及剝離光刻膠等工序。在上述制作方法中，現(xiàn)有反射式液晶顯示器的陣列基板一般需要七次構(gòu)圖工藝。
[0005]因此，現(xiàn)有反射式液晶顯示器存在改進(jìn)的空間，并且本領(lǐng)域中存在對(duì)反射式液晶顯示器進(jìn)行改進(jìn)的需求。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本公開的目的在于減輕或解決前文所提到的問(wèn)題。根據(jù)本公開，在反射式液晶顯示器的陣列基板中采用頂柵型設(shè)計(jì)，并且源/漏電極與像素電極同時(shí)形成，從而在確保高反射率、高開口率的前提下降低了構(gòu)圖工藝的次數(shù)。
[0007]根據(jù)本公開的第一個(gè)方面，提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及形成于襯底基板上的薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括依次堆疊在所述襯底基板上的源/漏電極、有源區(qū)和柵電極，其中所述源/漏電極與所述像素電極同層布置在所述襯底基板上。
[0008]根據(jù)本公開，陣列基板上的薄膜晶體管采用頂柵型設(shè)計(jì)，外界光線可以被柵電極遮擋而不照射到有源區(qū)，從而避免有源區(qū)受外界光線照射而產(chǎn)生光電流。因而，根據(jù)本公開，彩色濾光片基板上所需要的黑矩陣的線寬可以減小，這可以提高反射式液晶顯示器的高開口率。
[0009]根據(jù)本公開，所述源/漏電極與所述像素電極同層布置在所述襯底基板上。像素電極形成于平坦的襯底基板上，因此具有較高的反射率，這有利于提高反射式液晶顯示器在戶外顯示時(shí)的可讀性。
[0010]相對(duì)于透射式液晶顯示器，根據(jù)本公開的反射式液晶顯示器具有其固有的優(yōu)勢(shì)，即，不需要背光源，大幅降低功耗，延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間，并且容易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品輕薄化。此外，相對(duì)于現(xiàn)有反射式液晶顯示器，根據(jù)本公開的反射式液晶顯示器在保證高反射率和高開口率的性能的同時(shí)，減少了構(gòu)圖工藝次數(shù)，從而減少工藝步驟，提高生產(chǎn)節(jié)拍并且有效地控制成本。
[0011]在一實(shí)施例中，所述陣列基板還可以包括布置在所述襯底基板和所述薄膜晶體管之間的有源區(qū)保護(hù)層。根據(jù)本公開，該有源區(qū)保護(hù)層可以是無(wú)機(jī)絕緣層，從而保護(hù)后續(xù)形成的半導(dǎo)體材料的有源區(qū)，避免有源區(qū)與諸如玻璃的襯底基板直接接觸而形成不良界面。
[0012]在一實(shí)施例中，所述陣列基板還可以包括與所述源/漏電極同層布置的位于數(shù)據(jù)線區(qū)域中的數(shù)據(jù)線。根據(jù)本公開，所述數(shù)據(jù)線與所述源/漏電極在同一工序中形成，從而有利于簡(jiǎn)化工藝并且降低成本。
[0013]在一實(shí)施例中，所述陣列基板還可以包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層布置在所述有源區(qū)和所述柵電極之間并且覆蓋所述有源區(qū)、源/漏電極、像素電極和數(shù)據(jù)線。根據(jù)本公開，所述柵極絕緣層覆蓋所述源/漏電極，避免所述源/漏電極和后續(xù)形成的所述柵電極之間電氣短路。此外，根據(jù)本公開，所述柵極絕緣層覆蓋所述像素電極，可以避免所述像素電極被氧化或腐蝕。
[0014]在一實(shí)施例中，所述陣列基板還可以包括與所述柵電極同層布置的位于柵線區(qū)域中的柵線。根據(jù)本公開，所述柵線與所述柵電極在同一工序中形成，從而有利于簡(jiǎn)化工藝并且降低成本。
[0015]在一實(shí)施例中，所述陣列基板還可以包括覆蓋所述柵電極、柵極絕緣層和柵線的鈍化層。根據(jù)本公開，所述鈍化層保護(hù)柵電極，避免所述柵電極被氧化或腐蝕。此外，根據(jù)本公開，由于采用頂柵型設(shè)計(jì)，像素電極與源/漏電極同時(shí)形成于襯底基板上，因此像素電極被柵極絕緣層和鈍化層覆蓋，使得像素電極沒(méi)有被氧化或腐蝕的風(fēng)險(xiǎn)。
[0016]在一實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)線上方可以設(shè)有貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層的第一過(guò)孔，所述柵線上方可以設(shè)有貫穿所述鈍化層的第二過(guò)孔，并且所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔上方可以覆蓋有金屬保護(hù)層。
[0017]在一實(shí)施例中，在垂直于所述襯底基板的方向上，所述有源區(qū)的投影完全落在所述柵電極的投影之內(nèi)。根據(jù)本公開，所述柵電極布置在所述有源區(qū)上方并且在垂直方向上的投影完全覆蓋所述有源區(qū)，因而外界光線可以被所述柵電極完全遮擋而不照射到所述有源區(qū)。
[0018]根據(jù)本公開的第二個(gè)方面，提供了一種制作陣列基板的方法，其包括:步驟S600，在襯底基板上沉積導(dǎo)電材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源/漏電極和像素電極的圖形；步驟S602，在步驟S600得到的襯底基板上沉積半導(dǎo)體材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括有源區(qū)的圖形；以及步驟S604，在步驟S602得到的襯底基板上沉積絕緣材料以形成柵極絕緣層，并且進(jìn)一步沉積導(dǎo)電材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極的圖形。
[0019]在一實(shí)施例中，所述制作陣列基板的方法還可以包括:在步驟S600之前，在襯底基板上沉積電介質(zhì)材料以形成有源區(qū)保護(hù)層。
[0020]在一實(shí)施例中，在步驟S600中，所述構(gòu)圖工藝還可以形成位于數(shù)據(jù)線區(qū)域中的數(shù)據(jù)線。
[0021]在一實(shí)施例中，在步驟S604中，所述構(gòu)圖工藝還可以形成位于柵線區(qū)域中的柵線。
[0022]在一實(shí)施例中，所述制作陣列基板的方法還可以包括:在步驟S604得到的襯底基板上沉積電介質(zhì)材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層的圖形。
[0023]在一實(shí)施例中，所述制作陣列基板的方法還可以包括:在所述數(shù)據(jù)線上方形成貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層的第一過(guò)孔，在所述柵線上方形成貫穿所述鈍化層的第二過(guò)孔，沉積導(dǎo)電材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括金屬保護(hù)層的圖形。
[0024]根據(jù)本公開的第三個(gè)方面，提供了一種液晶顯示面板，其包括上文所述的陣列基板、彩膜基板以及布置在所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶。
[0025]根據(jù)本公開的第四個(gè)方面，提供了一種反射式液晶顯示器，包括上文所述的液晶顯示面板。
[0026]根據(jù)本公開的制作陣列基板的方法、液晶顯示面板和反射式液晶顯示器具有與前文所述陣列基板相同或相似的益處，此處不再贅述。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0027]在下文中，結(jié)合附圖參照實(shí)施例通過(guò)實(shí)例的方式對(duì)本公開進(jìn)行詳細(xì)的解釋說(shuō)明，在附圖中:
圖1為圖示傳統(tǒng)透射式液晶顯示器的示意圖；
圖2為圖不反射式液晶顯不器的不意圖；
圖3為圖示本公開的陣列基板的示意性截面圖；
圖4A、4B、4C、4D為圖示本公開的陣列基板在不同制作階段的示意性截面圖；以及圖5為圖示本公開的陣列基板的制作方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下述描述被給出以使得任何本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠達(dá)成和利用本公開，并且該描述是在具體應(yīng)用及其要求的上下文中被提供。本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易想到對(duì)所公開實(shí)施例的各種調(diào)整，并且此處定義的一般原理可以應(yīng)用于其它實(shí)施例和應(yīng)用而不背離本公開的精神和范圍。因而，本公開不限于所示出的各實(shí)施例，而應(yīng)被給予與權(quán)利要求一致的最寬范圍。
[0029]本公開所有實(shí)施例的附圖均示意性地繪示出與發(fā)明點(diǎn)有關(guān)的結(jié)構(gòu)和/或部分，而沒(méi)有繪示或者僅僅部分地繪示與發(fā)明點(diǎn)無(wú)關(guān)的結(jié)構(gòu)和/或部分。
[0030]附圖標(biāo)記列表如下。10:透射式液晶顯示面板；101:背光源；102:透射式液晶盒；20:反射式液晶顯不面板；201:反射式液晶盒；401:襯底基板；402:源/漏電極；403:像素電極；404:有源區(qū)；405:柵極絕緣層；406:柵電極；407:鈍化層；408:金屬保護(hù)層；409:數(shù)據(jù)線;410:柵線;411:第一過(guò)孔;412:第二過(guò)孔;440:像素區(qū);460:數(shù)據(jù)線區(qū)域；以及480:柵線區(qū)域。
[0031]圖3為圖示本公開的陣列基板的示意性截面圖。如圖3所示，在像素區(qū)340，陣列基板包括襯底基板401以及布置在襯底基板401上的薄膜晶體管和像素電極403。該薄膜晶體管包括依次堆疊在襯底基板401上的源/漏電極402、有源區(qū)404、柵極絕緣層405、柵電極406和鈍化層407。
[0032]柵電極406布置在源/漏電極402上方，這意味著該薄膜晶體管為頂柵型設(shè)計(jì)。基于頂柵設(shè)計(jì)，外界光線可以被柵電極406遮擋而不照射到有源區(qū)402，從而避免有源區(qū)402受外界光線照射而產(chǎn)生光電流。藉此，彩色濾光片基板上所需要的黑矩陣的線寬可以減小，進(jìn)而提高反射式液晶顯示器的高開口率。
[0033]在現(xiàn)有反射式液晶顯示器中，需要3次構(gòu)圖工藝(即第三、五、七次構(gòu)圖工藝)形成源/漏電極和像素電極。然而，根據(jù)圖3所示，在本公開中，像素電極403與源/漏電極402同時(shí)形成于襯底基板401上，因此僅需要I次構(gòu)圖工藝即可形成源/漏電極402和像素電極403，與現(xiàn)有技術(shù)相比減少了 2次構(gòu)圖工藝。在構(gòu)圖工藝減少的情況下，所使用的掩模的數(shù)目減少并且工藝步驟減少，這有利于降低成本。
[0034]根據(jù)本公開，像素電極403可以直接形成于襯底基板401。由于襯底基板401表面平整，這有利于提高像素電極403的反射率，進(jìn)而提高反折射液晶顯示器的顯示效果。例如，反射式液晶顯示器在戶外顯示時(shí)的可讀性可以提高。
[0035]在圖3所示陣列基板中，薄膜晶體管直接形成于襯底基板401上。可替換地，該陣列基板還可以包括布置在襯底基板401和該薄膜晶體管之間的有源區(qū)保護(hù)層(未圖示)。該有源區(qū)保護(hù)層可以是無(wú)機(jī)絕緣層，從而保護(hù)后續(xù)形成的半導(dǎo)體材料的有源區(qū)，避免有源區(qū)與諸如玻璃的襯底基板直接接觸而形成不良界面。
[0036]該陣列基板還可以包括與源/漏電極402同層布置的位于數(shù)據(jù)線區(qū)域460中的數(shù)據(jù)線409。由于數(shù)據(jù)線409與源/漏電極402在同一工序中形成，這有利于簡(jiǎn)化工藝并且降低成本。
[0037]該陣列基板還可以包括柵極絕緣層405。該柵極絕緣層405布置在有源區(qū)404和柵電極406之間并且覆蓋有源區(qū)404、源/漏電極402、像素電極403和數(shù)據(jù)線409。此外，柵極絕緣層405覆蓋像素電極403，避免像素電極403被氧化或腐蝕。
[0038]該陣列基板還可以包括與柵電極406同層布置的位于柵線區(qū)域408中的柵線410。柵線410與柵電極406在同一工序中形成，從而有利于簡(jiǎn)化工藝并且降低成本。
[0039]該陣列基板還可以包括覆蓋柵電極406、柵極絕緣層405和柵線410的鈍化層407。鈍化層407保護(hù)柵電極406，避免柵電極406被氧化或腐蝕。由于采用頂柵型設(shè)計(jì)并且像素電極403與源/漏電極402同時(shí)形成于襯底基板401上，因此像素電極403被柵極絕緣層405和鈍化層407 二者覆蓋，有效地防止像素電極403被氧化或腐蝕。
[0040]如圖3所示，數(shù)據(jù)線409上方可以設(shè)有貫穿柵極絕緣層405和鈍化層407的第一過(guò)孔411，并且柵線410上方可以設(shè)有貫穿鈍化層407的第二過(guò)孔412。與具有三個(gè)過(guò)孔的現(xiàn)有構(gòu)造相比，本公開的陣列基板中僅需要兩個(gè)過(guò)孔，這有利于抵消開口率的損失。此外，第一過(guò)孔411和第二過(guò)孔412上方可以覆蓋有金屬保護(hù)層408。
[0041]如圖3所示，在垂直于襯底基板401的方向上，有源區(qū)404的投影可以完全落在柵電極406的投影之內(nèi)。藉此，柵電極406布置在有源區(qū)404上方并且在垂直方向上的投影完全覆蓋有源區(qū)404，使得外界光線可以被柵電極406完全遮擋而不照射到有源區(qū)404。
[0042]現(xiàn)在結(jié)合圖4A、4B、4C、4D和圖3詳細(xì)描述本公開的陣列基板的制作方法。
[0043]如圖4A所示，在例如玻璃的襯底基板401上，通過(guò)濺射、蒸發(fā)等方法沉積金屬層，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝，形成包括源/漏電極402和像素電極403的圖形。通過(guò)該第一次構(gòu)圖工藝，還可以同時(shí)在數(shù)據(jù)線區(qū)域460中形成數(shù)據(jù)線409。此外，可以在沉積上述金屬層之前，通過(guò)物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積等方法在襯底基板401上沉積電介質(zhì)材料，以形成有源區(qū)保護(hù)層。該電介質(zhì)材料可以是諸如氧化物、氮化物、氮氧化物的無(wú)機(jī)絕緣層。該第一構(gòu)圖工藝可以包括光刻膠的涂覆，利用掩模進(jìn)行曝光、光刻膠的顯影、待構(gòu)圖對(duì)象的刻蝕以及光刻膠的剝離等工序。
[0044]如圖4B所示，在圖4A所示的結(jié)構(gòu)上，通過(guò)濺射、蒸發(fā)等方法沉積半導(dǎo)體層，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝，形成包括有源區(qū)404的圖形。該半導(dǎo)體層的材料可以是IGZO、IGO、IAO、IZO等金屬氧化物半導(dǎo)體。
[0045]如圖4C所示，在圖4B所示的結(jié)構(gòu)上，通過(guò)物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積等方法沉積氧化物、氮化物或氮氧化物的柵極絕緣層405。該柵極絕緣層405可以根據(jù)需要是單層或多層。接著，通過(guò)濺射、蒸發(fā)等方法沉積柵極金屬層，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝，形成包括柵電極406的圖形。柵電極406可以選用Mo、Al、Cu、、Mg、Ca、Cr、W、T1、Ta等金屬或其合金，并且可以由多層金屬構(gòu)成。通過(guò)該第三次構(gòu)圖工藝，還可以同時(shí)在柵線區(qū)域480中形成柵線410。
[0046]如圖4D所示，在圖4C所示的結(jié)構(gòu)上，通過(guò)物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積等方法沉積鈍化層407，通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線409上方的第一過(guò)孔411和柵線410上方的第二過(guò)孔412。
[0047]如圖3所示，在圖4D所示的結(jié)構(gòu)上，通過(guò)濺射、蒸發(fā)等方法沉積柵極金屬層，通過(guò)第五次構(gòu)圖工藝，形成金屬保護(hù)層408。
[0048]在本公開的制作方法中，由于源/漏電極和像素電極同時(shí)形成，僅需要5次構(gòu)圖工藝即可制成陣列基板。
[0049]圖5為圖示本公開的陣列基板的制作方法的流程圖。
[0050]一種制作陣列基板的方法，包括:步驟S600，在襯底基板上沉積導(dǎo)電材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源/漏電極和像素電極的圖形；步驟S602，在步驟S600得到的襯底基板上沉積半導(dǎo)體材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括有源區(qū)的圖形；以及步驟S604，在步驟S602得到的襯底基板上沉積絕緣材料以形成柵極絕緣層，并且進(jìn)一步沉積導(dǎo)電材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極的圖形。
[0051]該方法還可以包括:在步驟S600之前，在襯底基板上沉積電介質(zhì)材料以形成有源區(qū)保護(hù)層。
[0052]在步驟S600中，所述構(gòu)圖工藝還可以形成位于數(shù)據(jù)線區(qū)域中的數(shù)據(jù)線。
[0053]在步驟S604中，所述構(gòu)圖工藝還可以形成位于柵線區(qū)域中的柵線。
[0054]該方法還可以包括:在步驟S604得到的襯底基板上沉積電介質(zhì)材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層的圖形。
[0055]該方法還可以包括:在所述數(shù)據(jù)線上方形成貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層的第一過(guò)孔，在所述柵線上方形成貫穿所述鈍化層的第二過(guò)孔，沉積導(dǎo)電材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括金屬保護(hù)層的圖形。
[0056]上文所述的陣列基板與帶有透明公共電極的彩膜基板組裝，即可得到液晶顯示面板。該液晶顯示面板與諸如驅(qū)動(dòng)電路等部件組裝之后，即可得到反射式液晶顯示器。
[0057]僅僅是出于圖示和說(shuō)明的目的而給出對(duì)本公開實(shí)施例的前述描述。它們不是旨在窮舉或者限制本公開內(nèi)容。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易想到許多調(diào)整和變型。本公開的范圍將由所附權(quán)利要求定義。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板以及形成于襯底基板上的薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括依次堆疊在所述襯底基板上的源/漏電極、有源區(qū)和柵電極，其中所述源/漏電極與所述像素電極同層布置在所述襯底基板上。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述陣列基板還包括布置在所述襯底基板和所述薄膜晶體管之間的有源區(qū)保護(hù)層。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述陣列基板還包括與所述源/漏電極同層布置的位于數(shù)據(jù)線區(qū)域中的數(shù)據(jù)線。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述陣列基板還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層布置在所述有源區(qū)和所述柵電極之間并且覆蓋所述有源區(qū)、源/漏電極、像素電極和數(shù)據(jù)線。
5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述陣列基板還包括與所述柵電極同層布置的位于柵線區(qū)域中的柵線。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中所述陣列基板還包括覆蓋所述柵電極、柵極絕緣層和柵線的鈍化層。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中所述數(shù)據(jù)線上方設(shè)有貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層的第一過(guò)孔，所述柵線上方設(shè)有貫穿所述鈍化層的第二過(guò)孔，并且所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔上方覆蓋有金屬保護(hù)層。
8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中在垂直于所述襯底基板的方向上，所述有源區(qū)的投影完全落在所述柵電極的投影之內(nèi)。
9.一種制作陣列基板的方法，包括: 步驟S600，在襯底基板上沉積導(dǎo)電材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源/漏電極和像素電極的圖形； 步驟S602，在步驟S600得到的襯底基板上沉積半導(dǎo)體材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括有源區(qū)的圖形；以及 步驟S604，在步驟S602得到的襯底基板上沉積絕緣材料以形成柵極絕緣層，并且進(jìn)一步沉積導(dǎo)電材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極的圖形。
10.如權(quán)利要求9所述的制作陣列基板的方法，還包括:在步驟S600之前，在襯底基板上沉積電介質(zhì)材料以形成有源區(qū)保護(hù)層。
11.如權(quán)利要求9所述的制作陣列基板的方法，其中在步驟S600中，所述構(gòu)圖工藝還形成位于數(shù)據(jù)線區(qū)域中的數(shù)據(jù)線。
12.如權(quán)利要求11所述的制作陣列基板的方法，其中在步驟S604中，所述構(gòu)圖工藝還形成位于柵線區(qū)域中的柵線。
13.如權(quán)利要求12所述的制作陣列基板的方法，還包括:在步驟S604得到的襯底基板上沉積電介質(zhì)材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層的圖形。
14.如權(quán)利要求13所述的制作陣列基板的方法，還包括:在所述數(shù)據(jù)線上方形成貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層的第一過(guò)孔，在所述柵線上方形成貫穿所述鈍化層的第二過(guò)孔，沉積導(dǎo)電材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括金屬保護(hù)層的圖形。
15.一種液晶顯示面板，包括權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的陣列基板、彩膜基板以及布置在所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶。
16.—種反射式液晶顯示器，包括如權(quán)利要求15所述的液晶顯示面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK104485338SQ201410769917
【公開日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年12月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月15日
【發(fā)明者】徐傳祥, 舒適, 齊永蓮 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司