一種陣列基板的柵極行驅動電路及顯示裝置制造方法

一種陣列基板的柵極行驅動電路及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發明實施例提供一種陣列基板的柵極行驅動電路及顯示裝置，用于顯示【技術領域】，能夠減少由于ESD而造成的GOA單元的短路，提高GOA電路的良品率。所述GOA電路包括GOA單元，以及與所述GOA單元電連接的STV信號線，所述STV信號線包括第一部分和第二部分；所述GOA電路還包括第一透明電極以及所述第一透明電極與所述第一部分中間的絕緣層，所述第一透明電極、所述第一部分以及所述絕緣層組成第一電容。本發明實施例提供的GOA電路，用于顯示【技術領域】。
【專利說明】-種陣列基板的柵極行驅動電路及顯示裝置

【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板的柵極行驅動電路及顯示裝 置。

【背景技術】
[0002] 液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜場效應晶體管液晶顯示器）是目前液晶顯示器中的主流產 品。隨著TFT-IXD產品的競爭日益激烈，各廠家紛紛通過采用新技術來降低產品的成本，提 高產品的市場競爭力。其中，GOA (Gate Driver on array,陣列基板行驅動）技術是指將 TFT-IXD的柵極驅動器（Gate Driver)集成在陣列基板上，形成對面板的掃描驅動。相比 傳統覆晶薄膜（Chip On Flex/Film，C0F)和直接綁定在玻璃上（Chip On Glass，C0G)的工 藝，GOA技術的主要特點是依靠集成在陣列基板上的GOA驅動單元連續觸發實現其移位寄 存功能，替代了原來的Gate Driver 1C的綁定（Bonding)區域以及Fan-out布線空間，使 得面板可以做到兩邊對稱美觀設計，實現了窄邊框的設計，降低了成本，同時對產能和良品 率提升也比較有利。
[0003] 目前，G0A技術已經在TFT-IXD制造領域得到廣泛應用，然而由于其電路連接及 工藝的復雜性，G0A電路的良品率很低，其中，影響其良品率的一個主要因素為靜電積累 和ESD(Electro-Static discharge,靜電釋放），在現有的G0A電路的制造過程中，由于 STV(Vertical Start Pluse，巾貞開啟脈沖信號）信號線較長，在等離子氣相沉積環境中容易 積累大量的電荷，而當這些電荷向G0A單元的內部釋放時容易導致G0A單元被靜電擊穿現 象的發生，造成的G0A單元短路，使G0A電路無法正常工作，從而導致顯示裝置無法正常顯 示畫面。


【發明內容】

[0004] 本發明的實施例提供一種陣列基板的柵極行驅動電路及顯示裝置，能夠減少由于 ESD而造成的G0A單兀的短路，提商G0A電路的良品率。
[0005] 為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：
[0006] 一方面，提供一種G0A電路，包括G0A單元，以及與所述G0A單元電連接的STV信 號線，所述STV信號線包括第一部分和第二部分；
[0007] 所述G0A電路還包括第一透明電極以及所述第一透明電極與所述第一部分中間 的絕緣層，所述第一透明電極、所述第一部分以及所述絕緣層組成第一電容。
[0008] 可選的，所述第一透明電極通過至少一個過孔與所述陣列基板的公共電極線電連 接。
[0009] 可選的，所述第一部分的寬度大于或等于所述第二部分的寬度。
[0010] 可選的，所述STV信號線的所述第二部分包括第一子部分和第二子部分，所述第 一子部分與所述第一電容連接，所述第二子部分與所述G0A單元連接；
[0011] 所述GOA電路還包括轉換模塊，所述轉換模塊包括第一過孔組、第二過孔組和第 一透明導電薄膜，所述第一過孔組用于連接所述第一子部分與所述第一透明導電薄膜，所 述第二過孔組用于連接所述第一透明導電薄膜與所述第二子部分，所述第一透明導電薄膜 與所述陣列基板的像素電極同層設置。
[0012] 可選的，所述STV信號線的所述第二部分包括第一子部分和第二子部分，所述第 一子部分與所述第一電容連接，所述第二子部分與所述G0A單元連接；
[0013] 所述G0A電路還包括轉換模塊，所述轉換模塊包括第三過孔組，第四過孔組，第五 過孔組，第六過孔組，第一金屬層，第二透明導電薄膜和第三透明導電薄膜，所述第一金屬 層與所述陣列基板的源漏層同層設置，所述第二透明導電薄膜和第三透明導電薄膜與所述 陣列基板的像素電極同層設置，所述第三過孔組用于連接所述第一子部分與所述第二透明 導電薄膜，所述第四過孔組用于連接所述第二透明導電薄膜與所述第一金屬層，所述第五 過孔組用于連接所述第一金屬層與所述第三透明導電薄膜，所述第六過孔組用于連接所述 第三透明導電薄膜與所述第二子部分。
[0014] 可選的，所述G0A電路還包括跨接模塊，所述跨接模塊位于所述G0A單元與所述 STV信號線之間，用于在所述STV信號線接入G0A單元之前與所述STV信號線形成跨接。
[0015] 可選的，所述跨接模塊為虛擬G0A單元，所述虛擬G0A單元與所述G0A單元的結構 相同。
[0016] 一方面，提供一種顯示裝置，包括陣列基板和以上所述的任意一種G0A電路。
[0017] 本發明實施例提供一種G0A電路及顯示裝置，所述G0A電路包括G0A單元，與所述 G0A單元電連接的STV信號線，所述G0A電路還包括第一電容和/或轉換模塊和/或跨接模 塊，當所述STV信號線中積累大量靜電，可能會造成靜電擊穿而破壞G0A單元時，首先會經 過第一電容對所述靜電進行緩慢釋放，然后還可以經過所述轉換模塊進行靜電釋放，如果 還有靜電殘留，在經過跨接模塊時，首先破壞跨接模塊的電路，并不會對正常工作的G0A單 元產生影響，相較于現有技術，能夠減少由于靜電擊穿引起的G0A單元短路，提高G0A電路 的良品率，進而使得顯示裝置能夠正常顯示畫面。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0019] 圖1為發明人已知的G0A電路的結構示意圖；
[0020] 圖2為本發明實施例提供的一種G0A電路的結構示意圖；
[0021] 圖3(a)為本發明實施例提供的另一種G0A電路的結構示意圖；
[0022] 圖3(b)為本發明實施例提供的一種第一電容的剖面示意圖；
[0023] 圖4為本發明實施例提供的一種第一透明電極的結構示意圖；
[0024] 圖5 (a)為本發明實施例提供的又一種G0A電路的結構示意圖；
[0025] 圖5 (b)為本發明實施例提供的一種轉換模塊的剖面示意圖；
[0026] 圖6為本發明實施例提供的另一種轉換模塊的剖面示意圖；
[0027] 圖7為本發明實施例提供的再一種GOA電路的結構示意圖。
[0028] 附圖標記：
[0029] G0A 電路-10, G0A 單元-101，STV 信號線-102,第一部分-1021，第二部分-1022,第 一子部分-1021a，第二子部分-1021b，第一電容-103,第一透明電極-103a，轉換模塊-104， 第一過孔組-104a，第二過孔組-104b，第一透明導電薄膜-104c，第三過孔組104d，第四 過孔組-104e，第五過孔組-104f，第六過孔組-104g，第一金屬層104h，第二透明導電薄 膜-104i，第三透明導電薄膜-104 j，跨接模塊-105。

【具體實施方式】
[0030] 下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的合理的變 形和改動，都屬于本發明保護的范圍。
[0031] 如圖1所示，現有技術中，陣列基板上G0A電路10包括多個G0A單元101，與所述 G0A單元101電連接的至少一個STV信號線102, STV信號線102用于為所述G0A單元101 提供開啟信號，所述STV信號線102與所述陣列基板的柵線同層設置，實際應用中，可以是 一個STV信號線102為多個G0A單元101提供開啟信號，也可以是兩個STV信號線102分 別為相鄰兩個G0A單元101提供開啟信號。
[0032] 本發明實施例提供一種陣列基板的柵極行驅動G0A電路10,包括G0A單元101，以 及與所述G0A單元101電連接的STV信號線102,以兩個STV信號線102為例進行說明，如 圖2所示，每個所述STV信號線102包括第一部分1021和第二部分1022。
[0033] 如圖3(a)和圖3(b)所示，所述G0A電路10還包括第一透明電極103a、所述第一 透明電極l〇3a與所述第一部分1021中間的絕緣層103b，所述第一透明電極103a、所述第 一部分1021和所述絕緣層103b組成第一電容103,圖3(b)為沿圖3(a)中A-A線的剖面 圖。
[0034] 這樣一來，在G0A電路的制造過程中，當所述STV信號線上積累了大量電荷時，所 述電荷不會直接釋放到G0A單元，對所述G0A單元造成靜電擊穿，而是通過所述第一電容進 行緩慢的釋放，相較于現有技術，能夠減少由于靜電擊穿引起的G0A單元短路，提高G0A電 路的良品率，進而使得顯示裝置能夠正常顯示畫面。
[0035] 需要說明的，如圖2所示，所述STV信號線102通常與陣列基板的柵線同層設置 且材質相同，示例的，在通過構圖工藝形成所述陣列基板的柵線時，所述STV信號線102和 所述柵線都對應掩膜板的不透光區域，經過曝光、顯影之后，通過刻蝕和剝離工藝得到所述 STV信號線102和所述柵線。
[0036] 通常情況下，如圖3 (b)所示，所述絕緣層103b為所述陣列基板的柵線層上方的鈍 化層。所述第一透明電極l〇3a位于所述絕緣層103b的上方，通過至少一個過孔與所述陣 列基板的公共電極線電連接，與所述陣列基板的像素電極同層設置且材質相同，可以通過 同一次構圖工藝得到第一透明電極與所述像素電極。
[0037] 本發明實施例提供一種陣列基板的柵極行驅動G0A電路10,包括G0A單元101，以 及與所述G0A單元101電連接的STV信號線102,以兩個STV信號線102為例進行說明，每 個所述STV信號線102包括第一部分1021和第二部分1022。所述GOA電路10還包括第一 透明電極l〇3a、所述第一透明電極103a與所述第一部分1021中間的絕緣層103b，所述第 一透明電極l〇3a、所述第一部分1021和所述絕緣層103b組成第一電容103。
[0038] 可選的，所述第一透明電極103a通過至少一個過孔與所述陣列基板的公共電極 線電連接，能夠增大第一電容103所能容納的電荷量。
[0039] 優選的，在形成所述第一電容103時，所述STV信號線102的所述第一部分1021 的寬度大于所述第二部分1022的寬度。
[0040] 可選的，所述第一透明電極103a為"S"型或與所述第一部分1021對應的長方形， 能夠增大所述第一透明電極103a與所述第一部分1021的相對面積，進而使得所述第一電 容的電容量增大，更加有效的釋放對所述STV信號線102上積累的電荷。示例的，如圖4所 示的所述第一透明電極l〇3a為"S"型。
[0041] 進一步的，如圖5(a)所示，所述STV信號線的所述第二部分1022包括第一子部分 1022a和第二子部分1022b，所述第一子部分1022a與所述第一電容103連接，所述第二子 部分1022b與所述G0A單元連接，所述G0A電路10還包括轉換模塊104,所述轉換模塊104 包括第一過孔組104a、第二過孔組104b和第一透明導電薄膜104c，所述第一過孔組104a 包括至少一個過孔，用于連接所述第一子部分1022a與所述第一透明導電薄膜104c，所述 第二過孔組104b包括至少一個過孔，用于連接所述第一透明導電薄膜104c與所述第二子 部分1022b，所述第一透明導電薄膜104c與所述陣列基板的像素電極同層設置，圖5(b)為 沿圖5(a)的B-B線的剖面圖。
[0042] 需要說明的，所述STV信號線102與所述第一透明導電薄膜104c之間存在絕緣 層，所述第一透明導電薄膜l〇4c與所述陣列基板的像素電極同層設置且材質相同，示例 的，在通過構圖工藝形成所述陣列基板的像素電極時，首先沉積透明導電膜層，然后采用第 一掩膜板對所述透明導電膜層進行曝光，其中所述第一透明導電薄膜l〇4c和所述像素電 極都對應第一掩膜板的不透光區域，經過曝光、顯影之后，通過刻蝕和剝離工藝得到所述第 一透明導電薄膜104c和所述像素電極。
[0043] 可選的，如圖6所示，所述STV信號線的所述第二部分1022包括第一子部分1022a 和第二子部分1022b，所述第一子部分1022a與所述第一電容103連接，所述第二子部分 1022b與所述G0A單元101連接，所述轉換模塊104還可以包括第三過孔組104d，第四過孔 組104e，第五過孔組104f，第六過孔組104g、第一金屬層104h，第二透明導電薄膜104i和 第三透明導電薄膜104j，所述第一金屬層104h與所述陣列基板的源漏層同層設置，所述第 二透明導電薄膜104i和第三透明導電薄膜104j與所述陣列基板的像素電極同層設置，所 述第三過孔組104d包括至少一個過孔，用于連接所述第一子部分1022a與所述第二透明 導電薄膜104i ;所述第四過孔組104e包括至少一個過孔，用于連接所述第二透明導電薄膜 104i與所述第一金屬層104h ;所述第五過孔組104f包括至少一個過孔，用于連接所述第一 金屬層l〇4h與所述第三透明導電薄膜104i ;所述第六過孔組104g包括至少一個過孔，用 于連接所述第三透明導電薄膜104j與所述第二子部分1022b。
[0044] 需要說明的，所述STV信號線102與所述第一金屬層104h之間存在絕緣層，所述 第一金屬層l〇4h與所述第二透明導電薄膜104i和第三透明導電薄膜104j之間也存在絕 緣層，所述第一金屬層104h與所述陣列基板的源漏極同層設置且材質相同，示例的，在通 過構圖工藝形成所述陣列基板的源漏極時，首先沉積金屬膜層，然后采用第二掩膜板對所 述金屬膜層進行曝光，其中所述第一金屬層l〇4h和所述源漏極都對應第二掩膜板的不透 光區域，經過曝光、顯影之后，通過刻蝕和剝離工藝得到所述第一金屬層104h和所述源漏 極。所述第二透明導電薄膜l〇4i和第三透明導電薄膜104j與所述陣列基板的像素電極 同層設置且材質相同，示例的，在通過構圖工藝形成所述陣列基板的像素電極時，首先沉積 透明導電膜層，然后采用第三掩膜板對所述透明導電膜層進行曝光，其中所述第二透明導 電薄膜l〇4i，第三透明導電薄膜104j和所述像素電極都對應掩膜板的不透光區域，經過曝 光、顯影之后，通過刻蝕和剝離工藝得到所述第一透明導電薄膜104c和所述像素電極。
[0045] 可選的，所述轉換模塊104位于所述第一電容103與所述G0A單元101之間，即所 述轉換模塊104靠近所述G0A單元101。
[0046] 進一步的，如圖7所示，所述G0A電路10還包括跨接模塊105，
[0047] 所述跨接模塊105位于所述G0A單元101與所述STV信號線102之間，用于在所 述STV信號線102接入G0A單元101之前與所述STV信號線102形成跨接。
[0048] 需要說明的，所述STV信號線102與所述跨接模塊105之間存在絕緣層。所述STV 信號線102為所述G0A單元101提供開啟信號時，與所述G0A單元101中的部分電路形成 跨接，若所述STV信號線102中積累大量電荷，容易在跨接部分造成靜電擊穿，因此，可以在 所述G0A單元101與所述STV信號線102之間設置一個跨接模塊105,用于在所述STV信 號線102接入G0A單元101之前與所述STV信號線102形成跨接，這樣一來，若STV信號線 102中積累了大量電荷，且經過所述第一電容103或所述轉換模塊104之后還有大量殘留電 荷時，首先經過所述跨接模塊105,通過靜電擊穿所述跨接模塊，將靜電釋放，然后再與所述 G0A單元101電連接，能夠保護所述G0A單元101的電路。
[0049] 優選的，所述跨接模塊105為虛擬G0A單元，所述虛擬G0A單元與所述G0A單元 101的結構相同，由于跨接造成靜電擊穿是不可預知的，因此可以將所述跨接模塊105設置 為與G0A單元101完全相同的虛擬G0A單元，當所述STV信號線中殘留的靜電可能會造成 靜電擊穿時，首先破壞的是虛擬G0A單元，并不會對正常工作的G0A單元造成破壞。
[0050] 本發明實施例提供一種G0A電路，包括G0A單元，與所述G0A單元電連接的STV信 號線，所述G0A電路還包括第一電容和/或轉換模塊和/或跨接模塊，當所述STV信號線中 積累大量靜電，可能會造成靜電擊穿而破壞G0A單元時，首先會經過第一電容對所述靜電 進行緩慢釋放，然后還可以經過所述轉換模塊進行靜電釋放，如果還有靜電殘留，在經過跨 接模塊時，首先破壞跨接模塊的電路，并不會對正常工作的G0A單元產生影響，相較于現有 技術，能夠減少由于靜電擊穿引起的G0A單元短路，提高G0A電路的良品率，進而使得顯示 裝置能夠正常顯示畫面。
[0051] 本發明實施例提供一種顯示裝置20,所述顯示裝置20包括陣列基板，和所述G0A 電路10,所述G0A電路10包括G0A單元101，以及與所述G0A單元101電連接的STV信號線 102,所述G0A電路10還包括所述第一電容103和/或轉換模塊104和/或跨接模塊105。
[0052] 所述STV信號線102包括第一部分1021和第二部分1022,所述第一電容103由 第一透明電極103a、所述第一部分1021和所述絕緣層103b形成；其中，所述第一透明電極 103a通過至少一個過孔與所述陣列基板的公共電極線電連接。
[0053] 所述STV信號線102的所述第二部分1022包括第一子部分1022a和第二子部 分1022b，所述轉換模塊104包括第一過孔組104a、第二過孔組104b和第一透明導電薄 膜l〇4c，所述第一過孔組104a用于連接所述第一子部分1022a與所述第一透明導電薄 膜l〇4c，所述第二過孔組104b用于連接所述第一透明導電薄膜104c與所述第二子部分 1022b，所述第一透明導電薄膜104c與所述陣列基板的像素電極同層設置。
[0054] 或者，所述轉換模塊104還可以包括第三過孔組104d，第四過孔組104e，第五過 孔組104f，第六過孔組104g、第一金屬層104h，第二透明導電薄膜104i和第三透明導電薄 膜l〇4j，所述第一金屬層104h與所述陣列基板的源漏層同層設置，所述第二透明導電薄 膜104i和第三透明導電薄膜104j與所述陣列基板的像素電極同層設置，所述第三過孔組 104d用于連接所述第一子部分1022a與所述第二透明導電薄膜104i，所述第四過孔組104e 用于連接所述第二透明導電薄膜l〇4i與所述第一金屬層104h，所述第五過孔組104f用于 連接所述第一金屬層l〇4h與所述第三透明導電薄膜104i，所述第六過孔組104g用于連接 所述第三透明導電薄膜l〇4j與所述第二子部分1022b。
[0055] 所述跨接模塊105位于所述GOA單元101與所述STV信號線102之間，用于在所 述STV信號線102接入G0A單元101之前與所述STV信號線102形成跨接。
[0056] 本發明實施例提供一種顯示裝置，包括陣列基板和G0A電路，所述G0A電路包括 G0A單元，與所述G0A單元電連接的STV信號線，所述G0A電路還包括第一電容和/或轉換 模塊和/或跨接模塊，當所述STV信號線中積累大量靜電，可能會造成靜電擊穿而破壞G0A 單元時，首先會經過第一電容對所述靜電進行緩慢釋放，然后還可以經過所述轉換模塊進 行靜電釋放，如果還有靜電殘留，在經過跨接模塊時，首先破壞跨接模塊的電路，并不會對 正常工作的G0A單元產生影響，相較于現有技術，能夠減少由于靜電擊穿引起的G0A單元短 路，提高G0A電路的良品率，進而使得顯示裝置能夠正常顯示畫面。
[0057] 以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵 蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1. 一種GOA電路，包括GOA單元，以及與所述GOA單元電連接的STV信號線，其特征在 于，所述STV信號線包括第一部分和第二部分； 所述G0A電路還包括第一透明電極以及所述第一透明電極與所述第一部分中間的絕 緣層，所述第一透明電極、所述第一部分以及所述絕緣層組成第一電容。
2. 根據權利要求1所述的G0A電路，其特征在于，所述第一透明電極通過至少一個過孔 與陣列基板的公共電極線電連接。
3. 根據權利要求1或2所述的G0A電路，其特征在于，所述第一部分的寬度大于或等于 所述第二部分的寬度。
4. 根據權利要求1或2所述的G0A電路，其特征在于，所述STV信號線的所述第二部分 包括第一子部分和第二子部分，所述第一子部分與所述第一電容連接，所述第二子部分與 所述G0A單元連接； 所述G0A電路還包括轉換模塊，所述轉換模塊包括第一過孔組、第二過孔組和第一透 明導電薄膜，所述第一過孔組用于連接所述第一子部分與所述第一透明導電薄膜，所述第 二過孔組用于連接所述第一透明導電薄膜與所述第二子部分，所述第一透明導電薄膜與所 述陣列基板的像素電極同層設置。
5. 根據權利要求1或2所述的G0A電路，其特征在于，所述STV信號線的所述第二部分 包括第一子部分和第二子部分，所述第一子部分與所述第一電容連接，所述第二子部分與 所述G0A單元連接； 所述G0A電路還包括轉換模塊，所述轉換模塊包括第三過孔組，第四過孔組，第五過孔 組，第六過孔組，第一金屬層，第二透明導電薄膜和第三透明導電薄膜，所述第一金屬層與 所述陣列基板的源漏層同層設置，所述第二透明導電薄膜和第三透明導電薄膜與所述陣列 基板的像素電極同層設置，所述第三過孔組用于連接所述第一子部分與所述第二透明導電 薄膜，所述第四過孔組用于連接所述第二透明導電薄膜與所述第一金屬層，所述第五過孔 組用于連接所述第一金屬層與所述第三透明導電薄膜，所述第六過孔組用于連接所述第三 透明導電薄膜與所述第二子部分。
6. 根據權利要求1或2所述的G0A電路，其特征在于，所述G0A電路還包括跨接模塊， 所述跨接模塊位于所述G0A單元與所述STV信號線之間，用于在所述STV信號線接入G0A 單元之前與所述STV信號線形成跨接。
7. 根據權利要求6所述的G0A電路，其特征在于，所述跨接模塊為虛擬G0A單元，所述 虛擬G0A單元與所述G0A單元的結構相同。
8. -種顯示裝置，其特征在于， 包括權利要求1至7任意一項權利要求所述的G0A電路和陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1362GK104090436SQ201410295588
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月26日 優先權日:2014年6月26日
【發明者】閆巖 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司