富含硅的抗反射涂層材料及其制備方法

文檔序號：2708904閱讀：399來源：國知局

富含硅的抗反射涂層材料及其制備方法
【專利摘要】本發明提供了一種用于光刻法中的抗反射涂層(ARC)配方，所述配方包含分散于溶劑中的富含硅的聚硅烷硅氧烷樹脂，以及具有涂覆有所述ARC配方的表面的基材和一種將所述ARC配方施加至所述表面以形成ARC層的方法。所述聚硅烷硅氧烷樹脂包含由(R’)2SiO2的結構單元定義的第一組分；由(R”)SiO3的結構單元定義的第二組分以及由(R”’)q+2Si2O4-q的結構單元定義的第三組分。在這些聚硅烷硅氧烷樹脂中，所述R’、R”和R”’獨立地選擇為烴或氫(H)；并且所述下標q為1或2。作為另外一種選擇，所述R’、R”和R”’獨立地選擇為甲基(Me)或氫(H)。通常，所述第一組分以x的摩爾比存在，所述第二組分以y的摩爾比存在，并且所述第三組分以z的摩爾比存在，使得(x+y+z)＝1、x<y并且x<z。所述聚硅烷硅氧烷樹脂具有大于或等于約42重量％的硅含量。
【專利說明】富含硅的抗反射涂層材料及其制備方法
[0001] 本發明整體涉及光刻法。更具體地講，本發明涉及制備富含硅的樹脂以及在電子器件的光刻處理過程中將其用作抗反射涂層。
[0002] 隨著半導體工業對較小特征尺寸的不斷需求，最近出現了使用193nm光的光刻法，作為一種能夠生產具有低于l〇〇nm特征的器件的技術。使用這種短波長光需要包括底部抗反射涂層，該涂層能夠降低將光反射到基材上的發生率，以及通過吸收穿過光致抗蝕劑的光來抑制光致抗蝕劑擺動固化。由有機基和無機基材料組成的抗反射涂層（ARC)可商購獲得。表現良好耐蝕刻性的常規無機基ARC通常使用化學氣相沉積（CVD)工藝來沉積。因此，這些無機基ARC具有與極端形貌特征相關的所有綜合缺點。另一方面，常規的有機基 ARC通常使用旋涂工藝來施加。因而，有機基ARC表現出優良的填充和平面化特性，但缺陷是與有機光致抗蝕劑結合使用時的蝕刻選擇性較差。因此，一直需要開發具有有機基和無機基ARC的結合優點的新型材料。

【發明內容】

[0003] 在克服所列缺陷和相關技術中的其他限制方面，本發明大致提供了一種用于光刻法中的抗反射涂層（ARC)配方，該配方包含大于或等于約42重量％的硅，但不超過約 90重量％。ARC配方包含分散于溶劑中的聚硅烷硅氧烷樹脂。聚硅烷硅氧烷樹脂包含由 (R'）2Si0 2的結構單元定義的第一組分；由（R"）Si03的結構單元定義的第二組分；以及由 (R"' 的結構單元定義的第三組分。在這些結構單元中，R'、R"和R"'獨立地選擇為烴或氫⑶；并且下標q為1或2。作為另外一種選擇，R'、R"和R"'獨立地選擇為甲基 (Me)或氫（H)。通常，第一組分以X的摩爾比存在，第二組分以y的摩爾比存在，并且第三組分以z的摩爾比存在，使得（x+y+z) = l、x〈y并且x〈z。
[0004] 根據本發明的一個方面，根據本發明教導內容制備的許多聚硅烷硅氧烷樹脂中的一個例子包括其選擇使得（R'） 2Si02的結構單元為（Me) (H)Si02的R' ；其選擇使得（R"） Si〇3的結構單元為⑶Si03和（Me)Si03的混合物的R"；以及其選擇使得（R"' USiAq的結構單元為（Me)3Si203和（Me) 4Si202的混合物的R"'和q。在這一個例子中，X的摩爾比等于〇. 1，y的摩爾比等于0.45,并且z的摩爾比等于0.45。
[0005] 根據本發明的另一個方面，提供了一種形成抗反射涂層（ARC)的方法。該方法大致包括以下步驟：提供如本文進一步所述分散于溶劑中的聚硅烷硅氧烷樹脂以形成ARC配方；提供電子器件；將ARC配方施加至電子器件的表面以形成膜；從膜上去除溶劑；以及固化膜以形成抗反射涂層。作為另外一種選擇，通過旋涂將ARC配方施加至電子器件的表面并且在小于或等于250°C的溫度下固化膜。任選地，該方法還可包括將添加劑摻入ARC配方中的步驟或在固化膜之前將膜置于惰性大氣環境中的步驟。
[0006] 根據本發明的又一個方面，公開了一種涂覆有抗反射涂層（ARC)的基材，其中ARC 層包含富含硅的聚硅烷硅氧烷樹脂。作為另外一種選擇，聚硅烷硅氧烷可具有大于或等于約42重量％的硅。該聚硅烷硅氧烷樹脂包含根據以下式的D K'、TK"和PSSXK"'結構單元：
[0007] (DK，）x(TK，，） y(PSSXK，，，）z
[0008] 其中（DK' ^表示（R'）2Si02的結構單元；（TK"）y表示（R"）Si0 3的結構單元；并且 (PSSXK"'）z表示（R"' USiAi的結構單元；其中R'、R"和R"'獨立地選擇為烴或氫并且下標q為1或2,其中下標x、y和z表示大于零并且小于一的摩爾分數，使得（x+y+z) = 1。作為另外一種選擇，R'、R"和R"'獨立地選擇為甲基（Me)或氫⑶。
[0009] 除了別的以外，涂覆在基材上的聚硅烷硅氧烷樹脂的一個例子包括其選擇使得 (R'）2Si0 2的結構單元為（Me) (H)Si02的1?' ；其選擇使得（R"）Si03的結構單元為（H)Si03 和（Me)Si(U^g合物的R"；以及其選擇使得（R"' USiAi的結構單元為（Me)3Si203和 (Me) 4Si202的混合物的R"'和q。聚硅烷硅氧烷樹脂可具有（DK'） x、（產'\和（PSSXK"'）z 結構單元，其存在使得x〈y并且x〈z。作為另外一種選擇，x的摩爾比等于0. 1，y的摩爾比等于0.45,并且z的摩爾比等于0.45。
[0010] 通過本文提供的說明，其他適用領域將變得顯而易見。應當理解，說明和具體實例旨在僅用于示例目的，而非旨在限制本發明的范圍。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 本文所述附圖僅用于示例目的，而非旨在以任何方式限制本發明的范圍。
[0012] 圖1為一種根據本發明教導內容制備包含聚硅烷硅氧烷樹脂的抗反射涂層的方法的示意圖。

【具體實施方式】
[0013] 以下說明實質上僅為示例性的，并且決不旨在限制本發明或其應用或用途。應當理解，在所有說明和附圖中，相應的參考編號指示類似或相應的部分或結構。
[0014] 本發明大致提供了一種用于光刻法中的抗反射涂層（ARC)配方。抗反射涂層的配方包括分散于溶劑中的聚硅烷硅氧烷樹脂。聚硅烷硅氧烷樹脂通常包含由（R'）2Si02的結構單元定義的第一組分；由（R"）Si03的結構單元定義的第二組分以及由（R"' 的結構單元定義的第三組分。在該聚硅烷硅氧烷樹脂中，R'、R"和R"'獨立地選擇為烴或氫 ⑶；并且下標q為1或2。作為另外一種選擇，R'、R"和R"'獨立地選擇為甲基（Me)或氫 (H)。本發明的聚硅烷硅氧烷樹脂包含大于或等于約42重量％的硅，但不超過約90重量％。
[0015] 根據本發明的一個方面，ARC配方包含分散于溶劑中的聚娃燒娃氧燒樹脂，其中選擇R'使得第一組分中的（R'） 2Si02的結構單元為（Me) (H)Si02 ;選擇R"使得第二組分中的 (R"）Si03的結構單元為（H) Si03和（Me) Si03的混合物；以及選擇R"'和q使得第三組分中的（R"' USiAq的結構單元為（Me)3Si203和（Me)4Si 202的混合物。
[0016] 可預先確定ARC配方中所用的聚硅烷硅氧烷樹脂中存在的第一組分、第二組分和第三組分的量。第一組分以X的摩爾比存在于ARC配方中，第二組分以y的摩爾比存在，并且第三組分以z的摩爾比存在，使得（x+y+z) = l、x〈y并且x〈z。作為另外一種選擇，χ的摩爾比為大約0. l，y的摩爾比為大約0.45,并且ζ的摩爾比為大約0.45。
[0017] 在光刻過程中，由這些聚硅烷硅氧烷樹脂形成的抗反射涂層（ARC)相對于隨后沉積在ARC層頂部的有機光致抗蝕劑表現出高度的蝕刻對比度。盡管不希望受到理論的束縛，但據信，本發明的聚硅烷硅氧烷樹脂中的較高硅（Si)含量會增加 ARC層的蝕刻速率并且進一步增強ARC層和光致抗蝕劑之間的蝕刻對比度。除了吸收193nm的光之外，由本發明的聚硅烷硅氧烷樹脂形成的ARC層還滿足用作抗反射涂層的基本要求。這些基本要求中的兩者包括：1)施加至電子器件的ARC層在450°C或更低、作為另外一種選擇在250°C或更低的溫度下固化，作為另外一種選擇所述溫度等于或高于ARC配方中存在的溶劑所表現出的沸點；和2)固化的ARC層抵制隨后暴露于溶劑和/或蝕刻劑，包括但不限于丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA)和四甲基氫氧化銨（TMAH)。
[0018] 其中具有較高硅含量的本發明的聚硅烷硅氧烷樹脂的另一潛在應用為蝕刻轉移。雙圖案化可潛在地將當前193nm的干式蝕刻延伸至22nm技術節點或以下的分辨率。可在這種應用中使用具有較高硅含量和較高蝕刻敏感性的蝕刻轉移層。
[0019] 聚硅烷硅氧烷樹脂可通過適當的鹵代硅烷和/或烷氧基硅烷的水解和縮合來制備，其類似于如授予Sakamoto等人的美國專利No. 5, 762, 697、授予Becker等人的美國專利No. 6, 281，285和授予Bank等人的美國專利No. 5, 010, 159中所述用于制備倍半硅氧烷樹脂的方法，所述專利的公開內容以引用方式并入本文。作為不完全水解或縮合的結果，殘余的羥基或烷氧基基團可保留在聚硅烷硅氧烷樹脂中。通常，本發明的聚硅烷硅氧烷樹脂包含的含羥基或烷氧基基團的單元小于約40摩爾％，作為另外一種選擇小于約20摩爾％，作為另外一種選擇小于約10摩爾％，作為另外一種選擇小于約5摩爾％，作為另外一種選擇小于約1摩爾％。
[0020] 根據本發明的方法制備的聚硅烷硅氧烷樹脂表現出的重均分子量（Mw)在500至 400,000的范圍內，作為另外一種選擇在500至100,000的范圍內，作為另外一種選擇在 700至30, 000的范圍內。本領域技術人員將會理解，可通過使用折光率（RI)檢測和聚苯乙烯標準的凝膠滲透色譜法來進行這種分子量的測定。
[0021] 水解反應過程中存在的水量范圍通常為硅烷反應物中存在的每摩爾鹵代或烷氧基基團中有〇. 5至2摩爾水，作為另外一種選擇在硅烷反應物中的每摩爾鹵代或烷氧基基團中有0. 5至1. 5摩爾水。
[0022] 形成聚硅烷硅氧烷樹脂的時間取決于多個因素，例如溫度、硅烷反應物的類型和量以及催化劑（如果存在）的量。允許反應進行一段時間，足以使基本上所有鹵代和/或烷氧基基團發生水解反應。通常，反應時間為約2分鐘至約10小時，作為另外一種選擇為 10分鐘至1小時。本領域技術人員將能夠容易地確定完成反應所必需的時間。
[0023] 只要不引起顯著膠凝化或聚硅烷硅氧烷樹脂的固化，生產聚硅烷硅氧烷樹脂的反應就可在任何溫度下進行。進行反應的溫度通常在25°C至高達反應混合物的回流溫度的范圍內。可通過在回流下加熱使反應進行10分鐘至1小時。
[0024] 為了有利于完成水解和縮合反應，需要時可使用催化劑。催化劑可為堿或酸，例如礦物酸或無機酸。可用的礦物酸包括但不限于HCl、HF、HBr、HN0 3和H2S04等等，作為另外一種選擇礦物酸為HCI。當使用時，催化劑的量基于反應混合物的總重量計通常為約0. 05重量％至約1重量％。在完成反應后，可任選地去除催化劑。用于去除催化劑的方法對于本領域技術人員而言是熟知的，并且包括中和、剝除或水洗滌或者它們的組合。
[0025] 由于硅烷反應物是不溶于水或僅微溶于水的，因此反應在溶劑中進行。聚硅烷硅氧烷樹脂在其中形成的溶劑以足以使硅烷反應物溶解的任何量存在。通常，溶劑的存在量基于反應混合物的總重量計為1至99重量％，作為另外一種選擇為約70至90重量％。有機溶劑的例子包括但不限于飽和脂族經，例如正戊烷、己烷、正庚烷和異辛烷；脂環族經，例如環戊烷和環己烷；芳族烴，例如苯、甲苯、二甲苯和均三甲苯；醚，例如四氫呋喃、二噁烷、乙二醇二乙醚和乙二醇二甲醚；酮，例如甲基異丁基酮（MIBK)和環己酮；鹵素取代的烷烴，例如三氯乙烷；鹵化芳族烴，例如溴苯和氯苯；和酯，例如丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA)、異丁酸異丁酯和丙酸丙酯。可用的有機硅溶劑可例舉但不限于環狀硅氧烷，例如八甲基環四硅氧烷和十甲基環五硅氧烷。可使用單一溶劑或可使用溶劑的混合物。
[0026] 在制備聚硅烷硅氧烷樹脂的過程中，在反應完成之后，可在減壓下從聚硅烷硅氧烷樹脂溶液中去除揮發性物質。這種揮發性物質包括醇副產物、過量的水、催化劑、鹽酸 (如果使用氯硅烷反應物）和溶劑。用于去除這些揮發性物質的方法是本領域技術人員已知的并且包括例如減壓下的蒸餾或汽提。
[0027] 為了增加聚硅烷硅氧烷樹脂的分子量和/或提高樹脂的貯存穩定性，可利用"稠化"步驟。這種稠化步驟可涉及允許反應持續一段延長的時間，其中從40°C加熱至高達溶劑的回流溫度。稠化步驟可在反應步驟之后進行或作為反應步驟的一部分進行。通常，稠化步驟進行一段時間，該時間的范圍為10分鐘至6小時，作為另外一種選擇為20分鐘至3 小時。
[0028] 在用以制備聚硅烷硅氧烷樹脂的反應后，可進行多個任選的步驟來獲得所需形式的聚硅烷硅氧烷樹脂。例如，可通過去除溶劑以固體形式回收聚硅烷硅氧烷樹脂。溶劑去除的方法不是關鍵性的，并且許多方法是本領域熟知的（如，加熱和/或真空下的蒸餾）。一旦以固體形式回收聚硅烷硅氧烷樹脂，就可根據特定用途需要任選地將樹脂重新溶解在相同或另一溶劑中。作為另外一種選擇，如果最終產品需要不同溶劑（不同于反應中所用的溶劑），則可通過添加第二溶劑和例如通過蒸餾去除第一溶劑而完成溶劑交換。此外，溶劑中的樹脂濃度可通過去除一些溶劑或添加附加量的溶劑進行調整。
[0029] 用于將聚硅烷硅氧烷樹脂分散于ARC配方中的溶劑可與用于制備聚硅烷硅氧烷樹脂的溶劑相同或為不同的有機或有機硅溶劑。作為另外一種選擇，可用的溶劑的幾個例子包括但不限于1-甲氧基-2-丙醇、丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA)、γ-丁內酯、乙氧基丙酸乙酯（EEP)和環己酮等等。作為另外一種選擇，溶劑為丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA)或乙氧基丙酸乙酯（EEP)。ARC配方通常包含基于ARC配方的總重量計為10重量％至99. 9 重量％的溶劑，作為另外一種選擇80重量％至95重量％的溶劑。
[0030] ARC配方可任選地包含一種或多種添加劑，包括但不限于固化催化劑、表面活性齊IJ、分散劑和其他成膜助劑。合適的固化催化劑的例子包括但不限于無機酸、光產酸劑和熱產酸劑。作為另外一種選擇，固化催化劑可為硫酸（H 2S04)、（4-乙基硫代苯基）甲基苯基锍三氟甲磺酸鹽或2-萘基二苯基锍三氟甲磺酸鹽。通常，基于ARC配方中存在的聚硅烷硅氧烷樹脂的總重量計，固化催化劑在ARC配方中的存在量高達約lOOOppm，作為另外一種選擇高達約500ppm。合適表面活性劑的幾個例子包括但不限于硬脂酸鈉、十二烷基硫酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉、月桂胺鹽酸鹽、三甲基十二烷基氯化銨、十六烷基三甲基溴化銨、聚氧乙烯醇、烷基苯基乙氧基化物、環氧丙烷改性的聚甲基硅氧烷、十二烷基甜菜堿或月桂酰胺丙基甜菜堿。合適的分散劑可包括但不限于上文所述的表面活性劑，以及2- 丁氧基乙醇、丙二醇、四氫糠醇、二（丙二醇）丁基醚和β-環糊精。合適的成膜助劑的例子包括聚乙烯吡咯烷酮、聚（甲基）丙烯酸酯和聚丙烯酰胺等等。
[0031] 根據本發明的另一個方面，提供了一種涂覆有抗反射涂層（ARC)的基材。該基材為電子器件，包括但不限于半導體器件，例如旨在用于制造半導體組件的硅基器件和砷化鎵基器件。通常，器件包括至少一個半導體層和多個其他包含各種傳導、半導或絕緣材料的層。
[0032] ARC層通常包含聚硅烷硅氧烷樹脂，該樹脂由根據式1中所示的化學式的κ'、Τκ" 和PSSXK"'結構單元制成。在式1和本說明書中的別處，（DK'）X表示〇?'）如0 2的結構單元；（TK"）y表示（R"）Si03的結構單元；并且（PSSX K"'）z表示（R"' 的結構單元。結構單元中的R'、R"和R"'獨立地選擇為烴或氫基團，作為另外一種選擇，它們獨立地選擇為甲基（Me)或氫（H);下標q為1或2 ;并且下標X、7和2表示大于零并且小于一的摩爾分數，使得（x+y+z) = 1。作為另外一種選擇，R'、R "和R'"獨立地選擇為飽和或不飽和烷基基團，其具有1-12個碳原子，作為另外一種選擇1-10個碳原子，其中此類烷基基團為直鏈的、支鏈的或環狀的，作為另外一種選擇為芳香族的。作為另外一種選擇，（D K'）X結構單元、（TK"）y結構單元和構單元存在于聚硅烷硅氧烷樹脂中，使得X小于 7并且X小于z。總體來說，ARC層中存在的聚硅烷硅氧烷樹脂包含大于或等于約42重量％、但不超過90重量％的娃。
[0033] (DK，）x(TK，，） y(PSSXK，，，）z 式 1
[0034] ARC層的一個具體例子為下面的例子：其中選擇R'使得（R'）2Si02的結構單元為 (Me)⑶Si02 ;選擇R"使得（R"）Si03的結構單元為⑶Si03和（Me) Si03的混合物；以及選擇R"'和q使得（R"' 的結構單元為（Me)3Si20 3和（Me)4Si202的混合物。在多個例子中的這一個例子中，x:y:z的摩爾比可包括X等于0. 1，y等于0. 45和z等于0. 45。
[0035] ARC層，其中（DK'）x、（產'\或（PSSXK"' \單元中的一者或多者包含不同單元結構的混合物，各個單元可被寫為更具體地描述單元結構。換句話講，例如，當單元結構（D K'），源于其中R'包含甲基和氫兩者的硅烷的水解時，該單元結構可被識別為（DM) X。相似地，當單元結構0^"\源于其中R"為甲基或氫的硅烷混合物時，該單元結構可被識別為（ΤΜε) 其中a+b = y。以同樣的方式，當單元結構（PSSXK"'）Z源于硅烷的混合物時，例如 Cl3Me3Si2和Cl2Me4Si 2，R"'可每兩個硅原子反映烷基基團的身份及其數量。換句話講，單元結構可被識別為郵3父*^'_。郵5父*^ 2)^，其中〇+(1 = 2。
[0036] 施加至電子器件的ARC層的一個具體例子是一個識別為聚硅烷硅氧烷樹脂的，所述樹脂具有D'J'JH^PSSXM^^PSSXM'j的結構單元。聚硅烷硅氧烷中存在的硅的量大于或等于約42重量％。作為另外一種選擇，娃的量不可為小于約45重量％、47重量％或48重量％。該ARC層在193nm波長的光下表現出良好的反射特性和吸收系數。然而令人吃驚的是，在ARC層的總體聚硅烷硅氧烷結構中摻入（D K'）x單元會降低暴露于PGMEA或四甲基氫氧化銨（TMAH)時損耗的層的量，同時保持用于光刻過程中的ARC層所預期表現出的其他機械、光學和化學特性。
[0037] ARC層的機械、光學和化學特性可使用本領域技術人員已知的任何技術進行測量。不同基本膜特性的例子包括但不限于接觸角、表面能、193nm波長下的折光率（N值）、193nm 波長下的消光系數（K值），以及因暴露于PGMEA或TMAH而導致的膜厚度損耗。由常規聚硅烷硅氧烷配方（運行編號1-3)制備的ARC層和根據本發明的教導內容制備的ARC層（編號4-6)的測量的特性在下面的表1中提供。
[0038] 表1 :常規ARC層與本發明ARC層中的聚硅烷硅氣烷樹脂表現出的特件比較結果
[0039]

【權利要求】
1. 一種抗反射涂層（ARC)配方，所述ARC配方包含聚硅烷硅氧烷樹脂和溶劑；所述聚硅烷硅氧烷樹脂包含：由（R'）2Si02的結構單元定義的第一組分；由（R"）Si03的結構單元定義的第二組分以及由（R"'）q+2Si2〇4i的結構單元定義的第三組分其中R'、R"和R"'獨立地選擇為烴或氫⑶；并且下標q為1或2。
2. 根據權利要求1所述的ARC配方，其中R'、R"和R"'被選擇為甲基（Me)或氫⑶，使得（R'）2Si02的結構單元為（Me) 〇l)Si02 ;(R")Si03的結構單元為ODSiOjP (Me)Si03的混合物；并且R"'和（R"' USiAi的結構單元為（Me)3Si203和（Me)4Si 202的混合物。
3. 根據權利要求1-2所述的ARC配方，其中在所述聚硅烷硅氧烷樹脂中所述第一組分以X的摩爾比存在，所述第二組分以y的摩爾比存在，并且所述第三組分以z的摩爾比存在，使得（χ+y+z) = l、x〈y 并且 χ〈ζ。
4. 根據權利要求3所述的ARC配方，其中所述x的摩爾比等于0. 1，所述y的摩爾比等于0. 45,并且所述z的摩爾比等于0. 45。
5. 根據權利要求1-4所述的ARC配方，其中所述聚硅烷硅氧烷樹脂包含大于或等于42 重量％的硅。
6. 根據權利要求1-5所述的ARC配方，其中所述溶劑為有機溶劑或有機硅溶劑。
7. 根據權利要求1-6所述的ARC配方，其中所述ARC配方還包含一種或多種添加劑；所述添加劑為催化劑、表面活性劑、分散劑或成膜助劑。
8. -種形成抗反射涂層（ARC)的方法，所述方法包括以下所述步驟：提供分散于溶劑中的聚硅烷硅氧烷樹脂以形成ARC配方；所述聚硅烷硅氧烷樹脂包含：由（R'）2Si02的結構單元定義的第一組分；由（R"）Si03的結構單元定義的第二組分以及由（R"'）q+2Si2〇4i的結構單元定義的第三組分其中R'、R"和R"'獨立地選擇為烴或氫⑶；并且所述下標q為1或2 ; 提供電子器件；將所述ARC配方施加至所述電子器件的所述表面以形成膜；從所述膜中去除所述溶劑；并且固化所述膜以形成所述抗反射涂層。
9. 根據權利要求8所述的方法，其中通過旋涂將所述ARC配方施加至所述電子器件的所述表面。
10. 根據權利要求8或9所述的方法，其中在小于或等于250°C的溫度下固化所述膜。
11. 根據權利要求8-10所述的方法，其中所述方法還包括將一種或多種添加劑摻入所述ARC配方中的所述步驟。
12. 根據權利要求8-11所述的方法，其中所述方法還包括在固化所述膜之前將所述膜置于惰性大氣環境下的所述步驟。
13. -種涂覆有抗反射涂層（ARC)的基材，所述ARC層包含聚硅烷硅氧烷樹脂，所述聚硅烷硅氧烷樹脂包含根據下式的D K'、Τκ"和PSSXK"'結構單元： (DK，）x(TK，，）y(PSSXK，，，） z 其中（DK'）x表示（R'）2Si02的結構單元；（T K"）y表示（R"）Si03的結構單元；并且 (PSSXK"'）z表示（R"' USiAi的結構單元；R'、R"和R"'獨立地選擇為烴或氫基團；并且所述下標為1或2 ;其中所述下標X、5^Pz表示大于零并且小于一的摩爾分數，使得（x+y+z) =1。
14. 根據權利要求13所述的涂覆基材，其中所述基材為電子器件。
15. 根據權利要求13或14所述的涂覆基材，其中R'、R"和R"'被選擇為甲基（Me)或氫（H)，使得（R'）2Si02的所述結構單元為（Me) (H) Si02 ; (R"）Si03的所述結構單元為（H) SiOjP (Me)Si03的混合物；并且R"'和（R"' 的所述結構單元為（Me) 3Si203和 (Me)4Si20 2的混合物。
16. 根據權利要求13-15所述的涂覆基材，其中存在所述聚硅烷硅氧烷樹脂、所述 Φκ' ^結構單元、所述（1^"\結構單元和所述（PSSXK"'）z結構單元使得x〈y并且x〈z。
17. 根據權利要求16所述的涂覆基材，其中所述X的摩爾比等于0. 1，所述y的摩爾比等于0. 45,并且所述z的摩爾比等于0. 45。
18. 根據權利要求13-18所述的涂覆基材，其中所述聚硅烷硅氧烷包含大于或等于42 重量％的硅。
【文檔編號】G03F7/075GK104066804SQ201380005761
【公開日】2014年9月24日申請日期:2013年1月17日優先權日:2012年1月18日
【發明者】明-新·鄒, 蕭冰·周申請人:道康寧公司

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