一種陣列基板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種陣列基板和顯示裝置，用以增大像素的開口率。其中，所述陣列基板包括襯底基板、在所述襯底基板上交叉布置的掃描線、數據線以及由所述掃描線和數據線劃分出的呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元內設置有薄膜晶體管、像素電極和發光結構，所述像素電極位于所述薄膜晶體管所在層的上方，其覆蓋區域包括薄膜晶體管的上方區域；所述發光結構設置在薄膜晶體管所在層的上方，其覆蓋區域與所述像素電極的覆蓋區域相對應，用于提供背光源。
【專利說明】一種陣列基板和顯示裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及液晶顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，近年來得到了迅速地發展，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。
[0003]TFT-1XD由液晶顯示面板、驅動電路以及背光模組組成，液晶顯示面板是TFT-1XD的重要部分。液晶顯示面板是通過在陣列基板和彩膜基板之間注入液晶，四周用封框膠密封，然后在陣列基板和彩膜基板上分別貼敷偏振方向相互垂直的偏振片等過程形成的。參見圖1和圖2，圖1為現有技術中陣列基板的平面結構圖，圖2為沿圖1中A — Al方向的陣列基板的剖面結構示意圖；從圖1和圖2中可以看出，所述陣列基板包括多個呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元包括透光區域和非透光區域，其中，虛線EE’與虛線CC’所界定區域為像素單元的透光區域，虛線CC’與虛線DD’所界定區域為像素單元的非透光區域。所述非透光區域包括在襯底基板100上交叉設置的掃描線101和數據線102，以及呈矩陣式排列的薄膜晶體管10，所述薄膜晶體管10包括:柵極103、柵絕緣層104、有源層105、源極106、和漏極107 ;所述透光區域包括像素電極108。
[0004]通常所述有源層105采用非晶硅(a-Si)材料形成，所述由非晶硅材料形成的薄膜晶體管具有技術成熟、成本低、工藝簡單、穩定性好等優點；但是，所述由非晶硅材料形成的薄膜晶體管特性很低，其中，最基本的代表薄膜晶體管特性的參數包括:載流子遷移率、閾值電壓和閾下振幅。隨著顯示技術的發展，出現了采用多晶硅(P-Si)材料形成的薄膜晶體管和采用金屬氧化物材料形成的薄膜晶體管；其中，采用多晶硅材料形成的薄膜晶體管具有TFT特性高、載流子遷移率高等優點，但所述采用多晶硅材料形成的薄膜晶體管特性不穩定、均一性差；所述采用氧化物材料形成的薄膜晶體管具有特性較高、均一性好等優點，但是生成成本高，制作工藝復雜。
[0005]隨著高開口率、高分辨率等發展趨勢的需要，目前已有多種技術可用于實現較高的分辨率，如低溫多晶硅薄膜晶體管技術，半導體氧化物薄膜晶體管技術，降低柵極線、源極線和漏極線寬度的細化技術，但是開口率的改善情況并不理想，其中，所述開口率是指除去每一像素的周邊電路區域和薄膜晶體管區域后的光線通過部分的面積與每一像素整體的面積之間的比例。隨著有機發光二極管技術(Organic Light-Emitting Diode,OLEDMA發展，OLED被用于提高像素的開口率，但是OLED是電流驅動器件，需要較高的載流子遷移率，只有應用低溫多晶硅技術驅動OLED才能獲得較高的開口率，但是，由于低溫多晶硅中存在均一性差，工藝復雜，良品率低等問題，使得應用低溫多晶硅技術驅動OLED的方案仍無法很好的解決開口率低的問題。
實用新型內容[0006]本實用新型實施例提供了一種陣列基板和顯示裝置，用以增大像素的開口率。
[0007]本實用新型實施例提供的陣列基板包括:多個呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元包括透光區域和非透光區域，所述透光區域包括像素電極，所述非透光區域包括薄膜晶體管、掃描線和數據線，其中，所述像素電極位于所述薄膜晶體管所在層的上方，且所述像素電極部分或全部覆蓋所述非透光區域；所述像素單元還包括設置在所述薄膜晶體管所在層上方的、與像素電極絕緣設置的發光結構，所述發光結構的覆蓋區域與所述像素電極的覆蓋區域相對應，用于提供背光源。
[0008]所述陣列基板中，包括位于所述薄膜晶體管所在層的上方的像素電極，以及設置在所述薄膜晶體管所在層上方的發光結構；其中，所述像素電極的覆蓋區域包括薄膜晶體管的上方區域，所述發光結構用于提供背光源。由于所述像素電極的覆蓋區域包括薄膜晶體管的上方區域，因此像素電極的覆蓋區域較現有技術中像素電極的覆蓋區域增大，同時，由于發光結構充當背光源，因此，使得位于薄膜晶體管上方的像素電極所對應的區域內有光線通過，可以進行圖像顯示，提高了像素的開口率。
[0009]較佳的，所述發光結構與公共電極線連接，用于充當陣列基板的公共電極，進一步簡化了制作工藝，節約了生產成本。此外，所述陣列基板中還可以增設一公共電極，和像素電極共同產生電場以驅動液晶層分子發生偏轉。
[0010]較佳的，所述發光結構包括:設置在像素電極上方的陰極，設置在陰極上方的發光材料層，以及設置在所述發光材料層上方的陽極，其中，所述陽極連接公共電極線；或者，所述發光結構包括:設置在像素電極上方的陽極，設置在陽極上方的發光材料層，以及設置在所述發光材料層上方的陰極，其中，所述陽極連接公共電極線。由于所述發光結構中設置有兩個電極用于驅動發光材料層進行發光，消除了發光結構對具有較高載流子遷移率的薄膜晶體管的依賴，解決了載流子遷移率較低的薄膜晶體管不能用于制作高開口率和高分辨率顯示器的問題。
[0011]較佳的，所述發光結構位于所述像素電極的上方，所述發光結構為狹縫狀，所述像素電極為板狀或狹縫狀；或者，所述發光結構位于所述像素電極的下方，所述發光結構為狹縫狀或板狀，所述像素電極為狹縫狀。使得可以在所述發光結構與像素電極之間形成水平電場，驅動液晶層的液晶分子發生偏轉，進而實現圖像的顯示。
[0012]較佳的，所述柵絕緣層的厚度為6000?8000埃，該厚度約為一般薄膜晶體管中柵絕緣層厚度的兩倍，增大所述柵絕緣層的厚度，可以有效減小薄膜晶體管的柵極與源極、漏極之間的耦合電容，進而降低薄膜晶體管的功耗。
[0013]較佳的，陣列基板還包括設置在所述薄膜晶體管所在層與像素電極之間的鈍化層，使得可以在所述薄膜晶體管的上方區域形成像素電極，同時用于保護薄膜晶體管不被腐蝕；此外，所述鈍化層中還設置有過孔，使得所述像素電極通過該過孔與薄膜晶體管的漏極電連接。
[0014]較佳的，所述陣列基板還包括設置在像素電極與發光結構之間的第二鈍化層，用于將所述像素電極與發光結構進行隔離。
[0015]本實用新型實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。
【專利附圖】
【附圖說明】[0016]圖1為現有技術中的一種陣列基板的平面結構示意圖；
[0017]圖2為沿圖1中A — Al方向的陣列基板的剖面結構示意圖；
[0018]圖3為本實用新型實施例一提供的一種陣列基板的平面結構示意圖；
[0019]圖4為沿圖3中B — BI方向的陣列基板的剖面結構示意圖；
[0020]圖5為實施例一提供的陣列基板中發光結構的剖面結構示意圖；
[0021]圖6為本實用新型實施例二提供的一種陣列基板的剖面結構示意圖；
[0022]圖7為本實用新型實施例三提供的一種陣列基板的剖面結構示意圖；
[0023]圖8為實施例四中發光結構的剖面結構示意圖；
[0024]圖9為完成柵極制作的陣列基板的剖面結構示意圖；
[0025]圖10為完成柵絕緣層制作的陣列基板的剖面結構示意圖；
[0026]圖11為完成有源層制作的陣列基板的剖面結構示意圖；
[0027]圖12為完成源極和漏極制作的陣列基板剖面結構示意圖；
[0028]圖13為完成鈍化層制作的陣列基板剖面結構示意圖；
[0029]圖14為完成像素電極制作的陣列基板剖面結構示意圖；
[0030]圖15為完成第二鈍化層制作的陣列基板剖面結構示意圖；
[0031]圖16為制作實施例二提供的陣列基板的流程示意圖；
[0032]圖17為制作實施例三提供的陣列基板的薄膜晶體管的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0033]本實用新型實施例提供了一種陣列基板和顯示裝置，用以增大像素的開口率。
[0034]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0035]本實用新型實施例一提供了一種陣列基板，參見圖3和圖4，圖3為本實用新型實施例一提供的陣列基板的平面結構示意圖，圖4為沿圖3中B — BI方向的陣列基板的剖面結構不意圖；結合圖3和圖4,可以看出所述陣列基板包括:襯底基板100,在襯底基板上交叉設置的掃描線101和數據線102，以及呈矩陣排列的薄膜晶體管10和像素電極108 ;其中，所述薄膜晶體管10包括:柵極103、柵絕緣層104、有源層105、源極106和漏極107。所述陣列基板還包括設置在所述像素電極108上方的發光結構301，所述發光結構301用于提供背光源。
[0036]具體的，所述柵極103與掃描線101同層設置，均位于所述襯底基板100的上方，所述掃描線101用于向所述柵極103提供掃描信號；并且所述柵極103與所述掃描線101采用相同的制作材料，所用制作材料一般為鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)
等非透明金屬及其合金。
[0037]所述柵絕緣層104位于所述柵極103與掃描線101所在層的上方，覆蓋所述柵極103與掃描線101的上方區域，用于將所述柵極103與掃描線101與其它層絕緣。所述柵絕緣層采用采用氧化硅或氮化硅材料形成，且其厚度為6000?8000埃，約為現有技術中柵絕緣層厚度的兩倍。增大所述柵絕緣層104的厚度，可以有效減小柵極103與源極106和漏極107之間的耦合電容，降低薄膜晶體管的功耗。
[0038]所述有源層105位于所述柵絕緣層的上方，所述有源層為膜層結構，具體包括半導體材料層105a和歐姆接觸層105b ;本實施例中，所述半導體材料層105a采用銦鎵鋅氧化物或其他過渡金屬氧化層形成；此外，所述半導體材料層105a還可以采用非晶硅材料或多晶硅材料形成。所述歐姆接觸層105b，設置在所述半導體材料層105a上方、與源極106、漏極107相對應的位置,一般米用磷摻雜非晶娃材料形成。
[0039]所述源極106和漏極107與數據線102同層設置，均位于所述有源層105所在層的上方，且采用相同的制作材料，所用制作材料一般為非透明的金屬材料或其合金；
[0040]所述數據線102與所述源極106電連接；
[0041]所述源極106和漏極107位于所述有源層105上方的相對兩側。
[0042]所述像素電極108，位于所述數據線102、源極106和漏極107所在層的上方區域，其覆蓋區域包括薄膜晶體管的上方區域，所述像素電極部分或全部覆蓋所述非透光區域；所述像素電極108 —般采用氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋁鋅等透明氧化物材料制作，其形狀為板狀或狹縫狀。
[0043]所述發光結構301，位于所述像素電極108的上方區域，且與所述像素電極108絕緣設置，所述發光結構301為狹縫狀，用于提供背光源；同時，所述發光結構301還用于充當所述陣列基板的公共電極，用于和所述像素電極108共同形成水平電場，驅動液晶層的液晶分子發生偏轉，從而實現廣角顯示。
[0044]參見圖5，所述發光結構301包括:設置在像素電極108上方的陰極3011，設置在所述陰極3011上方的發光材料層3012，以及設置在所述發光材料層3012上方的陽極3013，所述陽極3013連接所述陣列基板的公共電極線。所述陰極3011和陽極3013用于向所述發光結構提供給驅動電壓，使得所述發光結構產生白光。
[0045]此外，所述發光結構301還包括:
[0046]電子傳輸層3014，其位于所述陰極3011與所述發光材料層3012之間，用于將電子導入到發光材料層3012 ;
[0047]空穴傳輸層3015，其位于所述發光材料層3012與所述陽極3013之間，用于將空穴導入到發光材料層3012 ;
[0048]第一阻擋層3016，其位于所述電子傳輸層3014與所述發光材料層3012之間，用于阻擋空穴傳輸到所述陰極3011 ；
[0049]第二阻擋層3017，其位于所述空穴傳輸層3015與所述發光材料層3012之間，用于阻擋電子傳輸到所述陽極3013。
[0050]所述發光材料層3012包括:位于所述第一阻擋層3016上方的橙色磷光層3012a，位于所述橙色磷光層3012a上方的藍色熒光層3012b，以及位于所述藍色熒光層3012b上方的綠色磷光層3012c。
[0051]所述發光結構的工作時，從所述陰極3011注入電子，從所述陽極3013注入空穴，電子通過所述電子傳輸層3014導入到發光材料層3012中，空穴通過所述空穴傳輸層3015導入到發光材料層3012中，電子和空穴在所述發光材料層3012中復合，形成單重態激子和三重態激子，所述單重態激子和三重態激子由激發態向基態躍遷的過程中，其能量以光子和熱能的方式釋放，其中，部分光子被用作背光源，為實現圖像的顯示提供光線；具體的，在藍色熒光層3012b中，單重態的激子由激發態向基態躍遷時，發出藍色的熒光，在橙色磷光層3012a和綠色磷光層3012c中，三重態的激子由基態向激發態躍遷時，發出綠色磷光和橙色磷光，所述藍色熒光與綠色磷光、橙色磷光復合，形成白光。
[0052]進一步的，所述陣列基板中還包括鈍化層302，所述鈍化層302設置在所述數據線102、源極106和漏極107所在層的上方，覆蓋薄膜晶體管10的上方區域，使得可以在所述薄膜晶體管的上方形成像素電極，同時用于保護薄膜晶體管10不被腐蝕。
[0053]此外，所述鈍化層302中還設置有過孔303，所述過孔303設置在與漏極107相對應的位置，使得所述像素電極108和所述漏極107通過該過孔303電連接。
[0054]進一步的，所述陣列基板還包括第二鈍化層304，所述第二鈍化層304設置在所述像素電極108所在層的上方，用于將所述像素電極108與發光結構301隔離。所述第二鈍化層304采用樹脂材料形成，相對于氧化硅和氮化硅材料，所述樹脂材料具有較低的相對介電系數，可以有效減小所述像素電極和發光結構之間的耦合電容，進一步降低該陣列基板的功耗；并且使用樹脂材料較使用氧化硅或氮化硅材料更易于形成第二鈍化層。
[0055]上述陣列基板工作時，其驅動過程如下:
[0056]在柵極103上施加正偏壓，使得薄膜晶體管導通，數據信號從薄膜晶體管的源極106傳到薄膜晶體管的漏極107，并通過所述過孔303傳輸給像素電極108 ；
[0057]對發光結構301施加電壓，使其產生白光；
[0058]發光結構301通電后，相當于該陣列基板的公共電極，與位于其下方的像素電極108耦合，產生用于驅動液晶分子偏轉的電場，從而實現廣角顯示。
[0059]本實用新型實施二提供了一種陣列基板，參見圖6，所述陣列基板的結構與實施例一提供的陣列基板結構基本相同，兩者不同之處在于，實施例二提供的陣列基板中，所述發光結構301可以設置所述像素電極108的下方，所述發光結構301為板狀或狹縫狀，所述像素電極108為狹縫狀。具體的:所述第二鈍化層304位于在所述薄膜晶體管所在層的上方，所述發光結構301設置在所述第二鈍化層304的上方，所述鈍化層302設置在所述發光結構301的上方，所述像素電極108設置在所述鈍化層302的上方，所述像素電極108通過過孔303'與漏極107電連接，所述過孔303'貫穿所述鈍化層302和第二鈍化層304。
[0060]本實用新型實施例三提供了一種陣列基板，參見圖7，從圖7中可以看出，該陣列基板和圖4所示的陣列基板的結構基本相同，兩者的區別之處在于:圖4所示的陣列基板為底柵結構的陣列基板，而圖7所示的陣列基板為頂柵結構的陣列基板，具體的:所述有源層105位于所述襯底基板100的上方；所述源極106、漏極107和數據線同層設置，位于所述有源層105的上方；所述柵絕緣層104位于所述源極106和漏極107所在層的上方；所述柵極103位于所述柵絕緣層104的上方；并且，圖4所示的陣列基板中過孔303只貫穿鈍化層302，而圖6所示的陣列基板中用于使得漏極107和像素電極108電連接的過孔303'貫穿鈍化層302和柵絕緣層104。
[0061]需指出的是，對于本實用新型實施例三提供的陣列基板，所述發光結構301也可以設置在所述像素電極108的下方，此處不再贅述。
[0062]本實用新型實施例四提供了一種陣列基板，該陣列基板和圖4所示的陣列基板的結構基本相同，兩者的區別之處在于:所述陣列基板中發光結構的結構與圖4所示的陣列基板中發光結構的結構不同，具體的，參見圖8，所述陣列基板的發光結構中，空穴傳輸層3015設置在陽極3013的上方，第二阻擋層3017設置在空穴傳輸層3015的上方，發光材料層3012設置在所述第二阻擋層3017的上方，一阻擋層3016設置在發光材料層3012的上方，電子傳輸層3014設置在第一阻擋層3016的上方，陰極設置在電子傳輸層3014的上方；其中，所述陽極3013 —般采用氧化銦錫/銀/氧化銦錫多膜層結構，所述陰極3011 —般采用鎂銀合金、鋰鋁合金等透明的低功函數合金材料。
[0063]同理，對于本實用新型實施例四提供的陣列基板，所述發光結構301也可以設置在所述像素電極108的下方，此處不再贅述。
[0064]本實用新型實施例五提供了一種陣列基板，該陣列基板和圖7所示的陣列基板的結構基本相同，兩者的區別之處在于:所述陣列基板中發光結構的結構與圖7所示的陣列基板中發光結構的結構不同，該陣列基板中發光結構的具體結構參見圖8 ;同理，本實用新型實施例五提供的陣列基板中，所述發光結構301也可以設置在所述像素電極108的下方，此處不再贅述。
[0065]上述實施例一、實施例二、實施例三、實施例四和實施例五提供的陣列基板中，所述像素電極的覆蓋區域包括薄膜晶體管的上方區域，所述發光結構用于提供背光源。該陣列基板中，由于所述像素電極的覆蓋區域包括薄膜晶體管的上方區域，因此像素電極的覆蓋區域較現有技術中像素電極的覆蓋區域增大，同時，由于發光結構充當背光源，因此，使得位于薄膜晶體管上方的像素電極所對應的區域內有光線通過，有利于提高像素的開口率；此外，所述發光結構還用于充當所述陣列基板的公共電極，與所述像素電極共同作用產生用于驅動液晶分子的水平電場，從而實現了廣角顯示。
[0066]本實用新型實施例提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括形成數據線、掃描線、像素電極的步驟和形成薄膜晶體管的步驟，所述像素電極形成在像素單元的透明區域，所述薄膜晶體管均、掃描線和數據線形成在所述像素區域的非透明區域，其中，所述像素電極位于所述薄膜晶體管所在層的上方，其覆蓋區域包括薄膜晶體管的上方區域，所述像素電極部分或全部覆蓋所述非透光區域；所述方法還包括形成發光結構的步驟，所述發光結構位于所述像素電極的上方，與所述像素電極絕緣設置，所述發光結構的覆蓋區域與所述像素電極的覆蓋區域相對應，用于提供背光源。
[0067]下面以本實用新型實施例一提供的陣列基板為例，詳細介紹實際制作工藝中，所述陣列基板的制作方法，該方法具體包括:
[0068]第一步，參見圖9，在所述襯底基板100上沉積一層金屬薄膜，然后通過構圖工藝處理，形成包括掃描線和柵極103的圖形，所述用于形成金屬薄膜的材料為Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等非透明金屬及其合金。
[0069]第二步，參見圖10，在所述包括掃描線和柵極103的圖形的上方沉積氮化硅或氧化硅層，形成柵絕緣層104;
[0070]該步驟具體包括:
[0071]在所述包括掃描線和柵極103的圖形的上方沉積氮化硅或氧化硅層，其厚度為6000?8000埃，約為現有技術中柵絕緣層厚度的2倍；在所述氮化硅或氧化硅層上涂覆光刻膠；然后經過曝光，顯影等工藝，去除溝道區域對應的部分氮化硅或氧化硅，使得導電溝道區域對應的柵絕緣層的厚度與現有技術中導電溝道與柵絕緣層的厚度相同，從而保證了較高的開態電流。[0072]第三步，參見圖11，在所述柵絕緣層104的上方依次沉積半導體材料和磷摻雜非晶硅材料，然后通過構圖工藝形成包括有源層105的圖形；其中，所述半導體材料可以為多晶硅半導體材料、非晶硅半導體材料或者金屬氧化物半導體材料。
[0073]第四步，參見圖12，在所述包括有源層105的圖形的上方形成源漏金屬薄膜，然后通過構圖工藝，形成包括數據線、源極106和漏極107的圖形。
[0074]第五步，參見圖13，在所述包括數據線、源極106和漏極107的圖形的上方沉積氮化硅或氧化硅層，形成鈍化層302，使得可以在薄膜晶體管的上方形成像素電極，以及用于保護薄膜晶體管不被腐蝕；并且，利用構圖工藝在該鈍化層302中形成過孔303，所述過孔303貫穿所述鈍化層302、與漏極107的位置相對應。
[0075]第六步，參見圖14，在所述鈍化層302的上方使用磁控濺射法沉積一層氧化銦錫透明導電薄膜，并通過構圖工藝，形成包括像素電極108的圖形，所述像素電極108的覆蓋區域包括薄膜晶體的上方區域，且所述像素電極部分或全部覆蓋像素單元的非透光區域；并且，所述像素電極108通過過孔303與所述漏極107電連接。
[0076]第七步，參見圖15，在所述包括像素電極108的圖形的上方旋涂樹脂，形成第二鈍化層304，用于將所述像素電極108與發光結構301進行隔離。所述第二鈍化層還可以采用氮化硅或氧化硅材料制作，但是所述樹脂材料具有較低的相對介電系數，可以有效減小所述像素電極和發光結構之間的耦合電容，進一步降低該陣列基板的功耗，且由于樹脂材料具有流動性，相對氮化硅或氧化硅材料更容易形成第二鈍化層。
[0077]第八步，參見圖4，在所述第二鈍化層304的上方依次沉積高反射率的導電材料，發光材料和透明導電材料，然后通過構圖工藝，形成包括發光結構301的圖形，所述發光結構301用于提供背光源，同時還用于充當陣列基板的公共電極，與所述像素電極共同產生電場以驅動液晶分子發生偏轉，實現圖像顯示；具體的，所述形成發光結構301的步驟包括:在所述鈍化層的上方沉積具有高反射率的導電材料，并通過構圖工藝形成包括陰極的圖形；在所述包括陰極的圖形的上方沉積發光材料，并通過構圖工藝形成包括發光材料層的圖形；在所述包括發光材料層的圖形的上方形成沉積透明導電材料，并通過構圖工藝形成包括陽極的圖形。
[0078]經過上述步驟，即形成本實用新型實施例一提供的、結構如圖4所示的陣列基板。
[0079]對于本實用新型實施二提供的發光結構設置在像素電極下方的陣列基板，其制作方法與制作本實用新型實施例一提供的陣列基板的方法基本相同，兩者不同之處在于，參見圖16，制作本實用新型實施二提供的陣列基板的方法包括:
[0080]在所述包括數據線、源極106和漏極107的圖形的上方旋涂樹脂，形成第二鈍化層304，用于將所述薄膜晶體管與發光結構301進行隔離；
[0081]在所述第二鈍化層304的上方依次沉積高反射率的導電材料，發光材料和透明導電材料，然后通過構圖工藝，形成包括發光結構301的圖形；
[0082]在所述包括發光結構301的圖形的上方沉積氮化硅或氧化硅層，形成鈍化層302 ；
[0083]在所述鈍化層302的上方使用磁控濺射法沉積一層氧化銦錫透明導電薄膜，并通過構圖工藝，形成包括像素電極108的圖形，所述像素電極108的覆蓋區域包括薄膜晶體的上方區域；并且，所述像素電極108通過過孔303'與漏極107電連接，所述過孔303'貫穿所述鈍化層302和第二鈍化層304。[0084]經過上述步驟，即形成本實用新型實施例二提供的、結構如圖6所示的陣列基板。
[0085]需指出的是，對于本實用新型中發光結構設置在像素電極下方的陣列基板，均是在形成薄膜晶體管后依次形成第二鈍化層、發光結構、鈍化層和像素電極，具體可參考制作實施例二提供的陣列基板的方法。
[0086]對于本實用新型實施例三提供的陣列基板，其制作方法與制作本實用新型實施例一提供的陣列基板的方法類似，不同之處在于，參見圖17，在制作實施例三提供的陣列基板時，形成薄膜晶體管的步驟包括:
[0087]在所述襯底基板100的上方沉積非晶硅半導體材料層105a和磷摻雜非晶硅材料層105b，然后通過構圖工藝形成包括有源層105的圖形；
[0088]在所述包括有源層105的圖形的上方形成源漏金屬薄膜，然后通過構圖工藝，形成包括數據線、源極106和漏極107的圖形；
[0089]在所述包括數據線、源極106和漏極107的圖形的上方沉積氮化硅或氧化硅材料，形成柵絕緣層104 ；
[0090]在所述柵絕緣層104的上方沉積一層金屬薄膜，然后通過構圖工藝處理，形成包括掃描線和柵極103的圖形，所述用于形成金屬薄膜的材料為Cr、W、T1、Ta、M0、Al、Cu等非透明金屬及其合金。
[0091]對于本實用新型實施例四提供的陣列基板，其制作方法與制作本實用新型實施例一提供的陣列基板的方法類似，不同之處在于，在制作實施例四提供的陣列基板時，形成發光結構的步驟包括:在所述鈍化層的上方沉積具有高反射率的導電材料，并通過構圖工藝形成包括陽極的圖形；在所述包括陽極的圖形的上方沉積發光材料，并通過構圖工藝形成包括發光材料層的圖形；在所述包括發光材料層的圖形的上方沉積透明導電材料，并通過構圖工藝形成包括陰極的圖形。
[0092]對于本實用新型實施例五提供的陣列基板，其制作方法與制作本實用新型實施例三提供的陣列基板的方法類似，不同之處在于，在制作實施例五提供的陣列基板時，所述形成發光結構的步驟與在制作實施例四提供的陣列基板時形成發光結構的步驟相同。
[0093]需指出的是，在本實用新型中，所述構圖工藝，可以只包括光刻工藝，或者，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。可根據本實用新型中所形成的結構選擇相應的構圖工藝。
[0094]本實用新型實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0095]綜上，本實用新型實施例提供的陣列基板中，由于所述像素電極的覆蓋區域包括薄膜晶體管的上方區域，因此像素電極的覆蓋區域較現有技術中像素電極的覆蓋區域增大，同時，由于發光結構充當背光源，因此，使得位于薄膜晶體管上方的像素電極所對應的區域內有光線通過，可以進行圖像顯示，有利于提高像素的開口率；同時，由于所述發光結構中設置有兩個電極，因此該發光結構的驅動不依賴與薄膜晶體管的特性，因此解決了非晶硅材料不能用于制作高分辨率和高開口率顯示器的問題。
[0096]顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種陣列基板，所述陣列基板包括多個呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元包括透光區域和非透光區域，所述透光區域包括像素電極，所述非透光區域包括薄膜晶體管、掃描線和數據線，其特征在于， 所述像素電極位于所述薄膜晶體管所在層的上方，且所述像素電極部分或全部覆蓋所述非透光區域； 所述像素單元還包括設置在所述薄膜晶體管所在層上方的、與像素電極絕緣設置的發光結構，所述發光結構的覆蓋區域與所述像素電極的覆蓋區域相對應，用于提供背光源。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述發光結構與公共電極線連接，用于充當陣列基板的公共電極。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述發光結構包括:設置在像素電極上方的陰極，設置在陰極上方的發光材料層，以及設置在所述發光材料層上方的陽極，其中，所述陽極連接公共電極線； 或者，所述發光結構包括:設置在像素電極上方的陽極，設置在陽極上方的發光材料層，以及設置在所述發光材料層上方的陰極，其中，所述陽極連接公共電極線。
4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述發光結構位于所述像素電極的上方，所述發光結構為狹縫狀，所述像素電極為板狀或狹縫狀； 或者，所述發光結構位于所述像素電極的下方，所述發光結構為狹縫狀或板狀，所述像素電極為狹縫狀。
5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層的厚度為6000?8000埃。
6.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設置在所述薄膜晶體管所在層與像素電極之間的鈍化層。
7.如權利要求1?6任一權項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設置在像素電極與發光結構之間的第二鈍化層。
8.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求1?7任一權項所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/13357GK203480166SQ201320603846
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年9月25日 優先權日:2013年9月25日
【發明者】張金中, 田宗民 申請人:北京京東方光電科技有限公司