基于巨電光系數材料且結構精細的塊體電光元件及其制造方法

基于巨電光系數材料且結構精細的塊體電光元件及其制造方法
【專利摘要】一種電光元件，在其襯底(1)上有一塊體材料鐵電層(4)，在襯底(1)和鐵電層(4)之間構成接地面的電極(2)、與該電極相對地安裝在鐵電層之上的另一個窄電極(5)，以及被布置在鐵電層中、上面的電極(5)的兩側的一些槽(6)。
【專利說明】基于巨電光系數材料且結構精細的塊體電光元件及其制造方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及電光學領域，尤其針對光調制應用。
【背景技術】
[0002]當前存在被稱為“微塊體”結構的電光元件。如圖1所示，這種元件具有一個玻璃的、硅的、或任何其它類型的襯底(I)，襯底的剛性和熱膨脹屬性適合該元件工作，支撐一薄鐵電塊體材料層(4)。襯底與鐵電層之間有一個電極(2);與該電極相對,在鐵電層上方有另一個更窄的電極(5)。各構件的厚度可以隨應用變化。
[0003]這種元件在Marc B0UVR0T于2010年2月8日法國貝藏松弗朗什-孔泰大學進行的博士論文《基于巨系數電光晶體的光微調制器(MCRO MODULATEURS DE LUMIERE A
BASE DE CRISTAUX ELECTRO -OPTIQUES \ COEFFICIENTS GRANTS )》中有敘述。
[0004]商用電光調制器采用鈮酸鋰。鈮酸鋰的居里溫度大約1134°C，可以通過表面擴散制作波導，需要升溫大約1000°C。然而，其電光性能仍然一般。
[0005]有一些材料被稱作巨系數電光材料。例如，被稱作SBN或KTN的材料，將在下文中詳細定義。然而，它們的居里溫度很低，接近環境溫度。不過可以用分子冷焊技術把電光材料晶體(鐵電型單晶體)固定在襯底上，從而制成元件。但是 申請人:注意到:巨系數電光材料的優點還沒有充分利用。

【發明內容】

[0006]本發明的目的就是改善這一狀況。
[0007]—種電光兀件，其襯底上有一鐵電塊體材料層，在該襯底與該鐵電層之間有一個構成接地面的電極；與該電極相對，在該鐵電層上方還安裝了另一個線形電極；該電光元件還具有一些槽，這些槽位于鐵電層中上面的電極的兩側。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]閱讀下文的描述以及附圖后，可以了解到本發明的其它優點和特征。附圖包括:
[0009]圖1，已在前文中引述過，是一種現有電光元件的示意性剖面圖；
[0010]圖2是圖1所示電光元件的透視圖，在實驗布置中連接了兩根光纖；
[0011]圖3是與圖2同一類型的視圖，但沒有安裝支撐；圖中顯示了晶體的期望朝向，以及穿過元件的光場和電場的方向；
[0012]圖4a至圖4d是示意性的剖面圖，描繪了本文提出的電光元件的制造過程；
[0013]圖5是與圖1相似的視圖，但顯示的是一個多通路元件。
[0014]圖6a至6b是標稱化的檢測到的強度/電壓關系圖形表示，分別對應的是KTN的線性方式和二次方式。[0015]附圖和下文中的描述及其附錄在本質上包含了特定特征的元素。附圖至少部分地表示了只有用圖形才能更好描述的內容。附圖與描述是一個整體，因此不僅有助于更好地理解本發明，而且在必要時還有助于其定義。
[0016]本描述后附的表格也起同樣的作用。
【具體實施方式】
[0017]在本文中，使用“長度”一詞用于與光傳播方向(圖3中的矢量X)基本上平行的方向。使用“寬度”一詞用于與光傳播方向基本上垂直并位于元件平面內的方向(圖3中的矢量Y)。用“窄”表示寬度小。“上方”、“下方”、“上”、“下”是以元件厚度方向(圖3中的矢量Z)為參照的。
[0018]如圖1所示，微塊體結構的電光元件具有一個玻璃的或硅材料的襯底1，該襯底支撐著一鐵電塊體材料薄層4。在襯底和鐵電層之間有一個電極2 ;還有一個比電極2更窄的電極5位于電極2的對面，在塊體材料層的上方。本文所提到的塊體材料層是變薄了的。
[0019]圖2也顯不了上述構件,并且還顯不了一條輸入光纖OFl和一條輸出光纖0F2。兩條光纖的芯都與鐵電層4進行光連接，鐵電層4位于電極2和5之間。這種連接定義了一條光路:輸入光纖中的LP10，然后鐵電層4中的LP11，以及輸出光纖0F2中的LP12。
[0020]應用為信號處理、近程及遠程光纖通信、光傳感器，以及激光、偏振開關，或者從一串脈沖(尤其是短脈沖)中選擇并隔離一個光脈沖(英文稱作“pulse-picking”，脈沖提取)的應用。
[0021]該元件的工作基于雙折射干涉原理:兩列波通過由兩個相對電極形成的電容性微結構后發生的雙折射干涉。直線偏振的入射光電磁波在所述元件的輸入端分成獨立的兩列波，每列波沿晶體的中性軸(圖3中的軸Y和Z)傳播。這兩個軸上各自不同的折射率(η。和rO導致所述兩列波的傳播速`度不同。這兩列波在元件的輸出端重新合并成一列光電磁波，其偏振態與在元件輸入端處不同。所述元件的電控信號(E)可以控制材料兩個中性軸之間的折射率差值(Λη=η0-ηε)，從而可以改變穿過位于上面的電極5下方激活區的光的偏振態。
[0022]鐵電層4的晶體尤其根據電光元件所需特性而選擇。
[0023]眾所周知，鐵電材料是熱電材料的一個子類。熱電材料在一定的溫度范圍內具有自發電極化屬性，而這種自發電極化可以通過施加電場來消除或重新定向。因此鐵電材料既是壓電的，又是熱電的。這些鐵電材料具有整體極化現象，因此具有相對介電常數，該相對介電常數同時取決于溫度、機械應力和電場。這些現象同時存在，因此有關這些材料的物理屬性的研究很困難，進展不大，盡管多年以來其潛在應用激發了很大的興趣。前文中引述的論文就屬于這些研究之一。
[0024]考慮到給定的鐵電材料的結晶結構，所述論文的第二章說明了如何定義電光張量，電光張量用數學方法表示了根據鐵電材料光折射率各向異性的鐵電材料屬性。該論文還顯示了存在一個優先方向使得施加的電場可以激發最高電光系數并得到最強電光效應，該方向與一個通常用r33表示的電光系數相關，其值比其它系數的值大。這些張量的值是已知的并且專屬于每種材料。例如，附錄III給出了鈮酸鋰和SBN各自的線性電光張量(Pockels效應)的值。在線性工況，鈮酸鋰具有3m對稱三角結構，而SBN具有4mm四方結構。
[0025]對于巨系數鐵電材料，主系數的值隨材料的成分而變。對于SBN，其值一般介于400 至 1400pm/V 之間。
[0026]直到目前，主要使用鈮酸鋰，因為其大約1134°C的居里溫度足夠高，以便通過表面擴散制作波導，這需要升溫100(TC左右。然而，其系數r33仍然一般。
[0027]有一些材料的系數r33明顯優于鈮酸鋰，被稱作巨系數電光材料，例如被稱作SBN (Strontium 銀，Baryum 鋇，Niobium 銀)、KTN (Potassium 鉀，Tantale 組，Niobium 銀)的材料。然而其居里溫度低，接近環境溫度，因此有問題。如所述論文的第三章所述，這些問題之一可以這樣解決:用分子冷焊技術將電光塊體材料晶體固定在襯底上。要根據所期望的取向來實施固定，以便使主系數起作用。主系數r33應該沿電光元件的厚度方向(圖3中的矢量Z)取向。
[0028]圖3是與圖2相似的透視圖，只不過沒有畫出襯底。圖3描繪了晶體的一種定位，使得系數r33沿矢量方向Z起作用，從而改變偏振折射率& (稱作異常折射率)。另外兩個方向X和Y涉及的是系數r13，影響折射率η。(稱作普通折射率)。
[0029]當材料只具有兩個不同的折射率η。和時，就被歸為單軸傳播介質類。當三個折射率都互不相同時，介質就被稱作雙軸的。在所有的情況下，光傳播軸的折射率(圖3中的矢量X)都對電光元件的整體電光性能沒有任何影響。
[0030]現在更詳細地考查現有技術。
[0031]現有技術包括兩類基于鈮酸鋰電光效應的調制器:
[0032]-一般用于激光，或為了滿足自由空間中調制需求的Pockels元件；
[0033]一集成調制器，用于滿足超高速光纖通信的需要。
[0034]在電場E的作用下，電光效應可以改變電光材料的折射率，從而控制穿過電光元件的光的偏振態。
[0035]Pockels元件利用兩電極之間的電容性塊體結構，針對自由入射光應用(無波導)。不過，這類器件要求電極間有較大的間距，因為采用的是塊體材料。較大的間距需要很高的控制電壓，達到幾千伏，因此調制通帶很窄，甚至只能在單個調制頻率上工作。還需要使用特殊的激勵電路或驅動電路，該電路專門用于每一種電光元件，其成本通常與電光元件本身在同一數量級。
[0036]鈮酸鋰集成調制器基于一個復雜的結構，例如在FR0014804中所描述的那種。鈮酸鋰集成調制器采用Mach-Zehnder干涉儀的工作原理。其調制工作基于Mach-Zehnder兩臂之間的不平衡，從而改變兩束光在干涉儀輸出端重新合并時的光交互。該技術基于一個表面擴散的光導結構，該光導結構可以在Mach-Zehnder的臂中對光導向。然而，因為需要沿臂分解光束而且起作用的電光系數r33較小，所以芯片長度必須長，以便限制波導的彎曲損耗，并在整個交互長度上得到足夠的電光效應。起作用的交互長度需要設計特殊的行波電極，以便調整光電磁場和電磁場的傳播速度。這種調整確實可以讓光波在沿臂傳播的整個過程中處于同一折射率調制狀態。
[0037]然而，該技術不適合巨系數材料，原因在于巨系數材料的固有屬性。主要的限制就是材料的居里溫度。該溫度對應于材料兩種狀態之間的界限。低于該溫度，材料具有自發極化:是鐵電相。高于該溫度，材料改變狀態，失去極化:是順電相。因此需要一直保持低于該溫度，尤其是在制造技術階段，以便保持希望的初始屬性。鈮酸鋰的居里溫度大約1134°C，從而可以制作表面擴散波導，制作過程需要升溫大約1000°C。巨系數材料根據其構成不同，具有不同的居里溫度，但一般不超過幾百攝氏度，因此不可能制作擴散波導。
[0038]鈮酸鋰(LiNbOJ
[0039]由于同時具備多種屬性和特征，鈮酸鋰是當前在集成光學領域用得最多的材料。這些特征可以調整材料的響應。可以用鈮酸鋰制成各種光子器件。而且還可以生長出光學性能優異的晶體。為了生長出這種自然狀態下不存在的晶體，最廣泛使用方法就是Czochralski方法，可以制作出數千克非常均質的晶體，且成本相對低廉。這種單晶體具有電光屬性、壓電屬性、光彈性屬性和光學非線性屬性，引人關注。
[0040]該材料是鈮、鋰、氧的化合物(LiNbO3)，三角晶結構，對350和5000納米之間的波長透明，呈現Pockels電光效應。其雙折射強烈依賴于溫度:精確調整溫度可以控制可能的相匹配。其晶體形態以固體材料出現，常溫下化學屬性穩定，因而成為對空間光學和集成光學特別有用的材料。其居里溫度高，可以在成形的技術過程中保持其鐵電屬性。其張量和電光系數(見附錄III，II1.1部分)不大但足夠了，因為擴散波導技術可以實現較大的交互長度和較小的電極間距(因而得到局部強電場)。
[0041]幾十年以來，存在著用于光電信領域的快速調制器這樣的商用電光系統。最近的發展使得調制頻率可以適應大于40Gb/s的速率。此外，現在還有許多LiNbO3集成光學器件都在利用這一材料的電光屬性，例如開關、稱合器、Mach-Zehnder干涉儀。
[0042] 申請人:將鈮酸鋰與其它鐵電材料(其中包括KTN和SBN晶體)進行了對比。對比的核心內容見附表I。
[0043]鉬鈮酸鉀(KTN)
[0044]該合成物因其非線性屬性而被廣泛使用，是固體合成物KNbO3和KTaO3的混合，其中，KNbO3和KTaO3的比例可以選擇。這兩種合成物的居里溫度Tc的巨大差異(對于KNbO3, Tc=428°C，對于KTaO3, Tc=-260°C )使得可以通過調整鉭和鈮的比例來獲得KTaNbO3的居里溫度，其居里溫度在-38至428°C之間。因此該鐵電材料的居里溫度低于1000°C。在順電相，材料KTN具有立方晶格:該材料是各向同性的。對該材料施加電場會把立方晶格變為四方晶格，從而使其通過電光效應顯示出晶體的雙折射屬性。在塊體晶體形態下，KTN在400-4000nm的窗口是透明晶體，具有激發Kerr 二次電光效應的特性。
[0045]因此，KTN通常為人所知的用途是在二次方式，而不是線性方式。線性方式可以在低于居里溫度，接近0°C的溫度下觀察到。圖6a表示了根據施加的電壓檢測到的光強度。線性工況下表現出正弦圖形，隨施加電壓的恒定間距而重復。對于施加的不同電壓范圍，發光效率斜率是一樣的。但 申請人:注意到可以在二次方式下(也就是說高于居里溫度)使其以局部線性方式工作。在二次方式下，檢測到的光強度與所施加電壓的關系可以從圖6b中看到。二次工況下表現出的圖形其周期隨施加電壓的升高而減小。因此，所施加的電壓升高時，發光效率斜率就顯著增大，參見圖6b的右部分。在二次工況，對于施加40伏左右的電壓，斜率ρβ大于施加10伏左右電壓時的斜率β，而該斜率β又大于線性工況下施加10伏左右電壓時的斜率α。因此，可以激勵基于KTN的電光元件使鐵電材料用于線性工況。該材料的價值在于只需要較低電壓就可以增大發光效率斜率，而且同時還是線性的。
[0046]因此，可以使用在線性工況下的ΚΤΝ，其系數大約幾百皮米每伏，非常明顯地高于鈮酸鋰處于居里溫度下鐵電相時的系數。
[0047]鈮酸鍶鋇(SBN)
[0048]由于其壓電屬性、熱電屬性、電光屬性，SrBaNb2O6在當今廣泛使用，并且，根據二階非線性一般光學法則，被用于滿足光折射的需要，例如利用光折射效應制作臨時地埋波導，因為該波導在可見光下可降解。
[0049]該晶體是固體合成物BaNb2O6和SrNb2O6的混合，最終形成完整晶體SrxBai_xNb206。該材料具有4mm四方晶系結構，其中鋇(Ba)相對于鍶(Sr)的部分濃度可以在20-80%的范圍內調節。該結構的張量及其電光系數的值見附錄III的II1.2部分。例如，SBN:61有合成物 Sra61Baa39Nb2O6, SBN: 34 有合成物 Sr0.34BaQ.66Nb206。其居里溫度 Tc 比 LiNbO3 低得多:變化范圍從對于富鍶合成物的室溫(約22°C)到對于富鋇合成物的80°C。
[0050]鈮酸鍶鋇在高于居里溫度時具有順電工況，在溫度低于Tc時具有鐵電工況。
[0051]該晶體的電光屬性對其成分非常敏感。系數r33的值因此可以在400-1400pm/V之間變化，即大約是LiNbO3的12至40倍。例如在SBN的情況下，鍶的濃度越高，則系數r33越大但居里溫度越低。根據具體應用可以選擇最好的折衷方式。
[0052]本文提出利用微塊體結構巨系數鐵電材料的“巨屬性”來顯著降低控制電壓以及所需的交互長度。該鐵電材料可以包含被稱為SBN、KTN、KNSBN的材料及其混合物中的至少一種。
[0053]從圖1至3可以看到其結構:一個所選鐵電塊體材料的薄片4位于兩片金屬2和5之間，金屬2和5實現電容性寬帶電激勵電極的功能。電激勵產生電場V/d，V是施加的電壓，d是薄片的厚度。因其厚度小，電場就更大了。所得到的調制是電光感應的雙折射調制，
其現象是根據交互長度L而變的光的偏振態調制。在光波的兩個分量之間有相位差J識。
該相位差與交互長度、施加的電場、系數r33成正比，與鐵電塊體材料薄片的厚度成反比:
[0054]Λφ a r33.L.V/d
[0055]由此可以定義主要參數:
[0056]所制造的結構的幾何關系(L/d)；
[0057]所選擇的材料的張量屬性(r33)；
[0058]所需控制電壓Vn (為了得到相位差π )。
[0059]本發明i羊細介紹
[0060]為了改善電光元件的性能，該元件還可以包含一些槽6，這些槽位于鐵電層4中，在上面的電極5的兩側圍繞上面的電極5，。
[0061]現在描述制造該類調制器的方法。該方法從本質上包含如下操作:
[0062]a.在選定的襯底(玻璃/硅/剛性材料)上進行金屬沉積:該襯底的厚度可變。
[0063]b.在鐵電材料上進行類似的沉積；根據不同的應用，優先選用不同的材料。
[0064]c.通過壓力分子冷焊將鐵電材料轉移到襯底上。
[0065]d.通過研磨、拋光或超聲波加工使鐵電塊體材料變薄。鐵電材料的最終厚度根據電光元件的期望性能來確定。
[0066]e.用光刻技術制作至少一個表面電極。
[0067]f.在該表面電極兩側制作槽。這些槽可以通過切除材料、飛秒激光加工、超聲波加工、或鋸線切割來制成。
[0068]g.在電光兀件的輸入端和輸出端切割并拋光光通道。
[0069]用該制作方法得到工作于大約5伏控制電壓、調制通帶大約IGHz的電光元件。如果沒有槽，電壓會是大約15伏。
[0070]操作f中制作的槽可以將性能提高至少3倍。這些槽首先可以將電場限制在表面電極下方，因為消除了惡化通帶的寄生泄漏電場線。這些槽還可以提高電場和光場的重疊積分，從而有利于電光交互并可以降低控制電壓。這些槽還有生成脊波導(英文“ridgewaveguide”)類型的偽光波導的效果,從而改善結構中的光稱合,并可以減少器件的插入損耗。
[0071] 圖4a描繪的是襯底I在上表面帶有一個金屬層2、以及與其分離地，鐵電材料塊體晶體3、在下表面的一個同種金屬層2。如箭頭所示，將這兩部分壓在一起，從而在兩層金屬2處形成冷焊，不超過晶體3的居里溫度即镕合。襯底可以是玻璃、硅、或其它剛性材料制成的。例如，金屬層可以是金沉積，非常適合冷焊。
[0072]圖4b描繪了將塊體晶體3變薄的過程。如短劃線和箭頭所示，塊體晶體3厚度減少，變成鐵電薄片4。
[0073]圖4c描繪了通過沉積得到上面的電極5，材料也可以是金。
[0074]圖4d描繪了在鐵電薄片4中制作兩個槽6的過程，這兩個槽與上面的電極5平行并在其兩側。
[0075]附表1I給出了該電光元件的各部分尺寸的例子。可以使電光元件的電極間距小于300微米左右。至少一個電極的寬度小于電極間距。電極間距可以小到十幾個微米左右。
[0076]本發明的變型可以產生根據選擇以相位調制或強度調制工作的元件。以本發明所提出的設備為基礎，可以制成具有獨立的N個通路的集成光調制器，如圖5所示。圖5中的構件與圖4d中的相同，只不過用同一種薄塊體電光材料、在同一襯底上制作了 N = 5個通路。
[0077]各電極5的中心軸距直接取決于器件所處的外部環境(光纖、激光器網絡，……)。例如，各電極5之間至少間隔250微米左右，即光纖的標準寬度。
[0078]其構成與尺寸可以與表1I中的一樣。
[0079]就算沒有強調要用于微波領域，也自然會想到這種幾百MHz、小巧的N路調制產品對如下各個領域的相關系統頗具意義:通信、工業和/或科學應用中信號的傳輸與處理。10個左右的通路數目N可以在單個襯底上的單個鐵電層上實現。獨立的通路數目N可以被選為例如大于或等于2。
[0080]可以有如下兩種工作方式，但不限于此:相位調制、偏振開關。
[0081]在第一種情況下，得到的是獨立N路的相位動態控制器件。這種功能例如可以用在纖維激光系統中，使用N路功率組合的有源方式。例如可以制造出包含64個集成調制器的器件，這64個集成調制器在一個芯片上，或者在并列的多個芯片上。
[0082]上文所指的另外一個功能涉及線間延遲光轉換，用于超高頻天線控制。測試得到的良好消光值(25-30dB)以及直流穩定性是不可否認的巨大優勢。由于小寬度小電容量微帶(英文“microstrip”)的簡化結構，超高頻運行是可能的但對這類應用不一定必需。因此幾何形狀的限制不代表技術上的障礙，并可以將控制電壓降到幾伏的范圍中。[0083]該類器件可以采用前述的電光元件制造方法來制造。該方法的上面的電極的沉積掩膜設計部分要改一下:在電活性薄材料的整個可用寬度上重復制作初始圖案。
[0084]本文提出一種光調制器，該調制器利用薄結構巨系數鐵電材料的塊體屬性，該鐵電材料的厚度隨器件的預期性能而變化。在電場作用下，材料的折射率被改變。因此，根據本發明，可以用亞毫米尺寸的器件實現電光方式以外的調制應用。例如，兩電極的間距可以小于300微米左右。
[0085]通過與電光元件兩電極分別相連的激勵電路9可以實現電場，從而使電光元件以光相位調制器和/或光偏振調制器的方式工作。激勵電路9還可以設計成用于以光強度調制器或光開關工作。
[0086]本發明提出的設備具有明顯的優勢。例如，對于同一控制電壓和同厚度的晶體，得到同樣的電光強度對于鈮酸鋰晶體而言需要IOcm的交互長度，而對于SBN晶體而言只需要5mm的交互長度。
[0087]相應的優勢包括:
[0088]大大提聞了光調制效率；
[0089]大大減小了交互長度；
[0090]射頻調制通帶；
[0091]簡化的電光結構(無波導雙折射干涉)；
[0092]集成制造技術，將多個獨立的調制器件集成在單個器件中。
[0093]說明書附錄
[0094]表I
[0095]
【權利要求】
1.一種電光兀件,包括在襯底(I)上的塊體材料鐵電層(4)、在襯底(I)和鐵電層(4)之間形成接地面的電極(2)以及與該電極相對地安裝在鐵電層之上的另一個窄電極(5)，該電光兀件的特征在于具有一些槽(6),這些槽被布置在鐵電層中、上面的電極(5)的兩側。
2.根據權利要求1的電光元件，其特征在于:鐵電材料⑷具有低于1000°C的居里溫度；以及兩個電極(2、5)之間的距離小于大約300微米。
3.根據權利要求1和2中任一項的電光元件，其特征在于:所述鐵電材料包含稱為SBN、KTN、KNSBN的材料和它們的混合物中的至少一種。
4.根據權利要求1至3中任一項的電光元件，其特征在于所述電光元件被激勵以使得所述鐵電材料用于線性工況。
5.根據權利要求1至4中任一項的電光元件，其特征在于:所述兩個電極(2、5)之間的距離大約10微米，窄電極(5)的寬度小于所述電極之間的距離。
6.根據權利要求1至5中任一項的電光兀件,其特征在于所述電光兀件包含窄電極(5)的N個基本上相互平行的布置，每個窄電極(5)被槽(6)圍繞，這N個布置形成獨立的N個通路，其中N大于或等于2。
7.根據權利要求1至6中任一項的電光元件，其特征在于所述電光元件裝有激勵電路(9)，所述激勵電路(9)被配置為用于使所述電光元件作為光相位調制器工作。
8.根據權利要求1至7中任一項的電光元件，其特征在于所述電光元件裝有激勵電路(9)，所述激勵電路(9)被配置為用于使所述電光元件作為光偏振調制器工作。
9.根據權利要求1至8中任一項的電光元件，其特征在于所述電光元件裝有激勵電路(9)，所述激勵電路(9)被配置為用于使所述電光元件作為光強度調制器或光開關工作。
10.一種電光元件的制造方法，包括如下步驟: a)在選定的襯底上進行金屬沉積， b)在鐵電材料上進行類似的沉積， c)通過分子冷焊將鐵電材料轉移到襯底上， d)使鐵電材料變薄， e)通過光刻技術制成至少一個表面電極， f)在表面電極兩側制成槽，這些槽通過材料切除來獲得， g)在所述電光元件的輸入端和輸出端切割并拋光光通道。
【文檔編號】G02F1/05GK103534635SQ201280011424
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年1月23日 優先權日:2011年1月26日
【發明者】馬克·亞歷山大·布夫羅 申請人:馬克·亞歷山大·布夫羅