專利名稱：一種陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶技術領域，尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示面板。
背景技術：
隨著高級超維場轉換技術(Advanced Super Dimension Switch,ADS)液晶顯不產品需求量越來越大，對功耗的要求也越來越高，這就要求像素單元開口率達到一個更高的水平來降低功耗。除了通過工藝的控制，設計的改進已成為增大開口率的重要途徑。傳統添加公共電極走線的ADS產品中，公共電極走線通過過孔周期性和公共電極線的ITO層連接，起到并聯電阻減小電阻的作用。參考圖1，其柵線101朝向各自像素單元A (該區域由一柵線101、兩條縱向數據線102和一公共電極線103圍成)，不能有效利用空間，同時源電極連接像素電極的過孔B在像素單元顯示區域A內。同時為了防止漏光，往往通過彩膜側的黑矩陣BM (圖中未示出)來遮擋，但同時很大程度上減小了開口率，并且因為對盒精度問題，往往會造成過孔處的漏光。另外，傳統添加公共電極走線的ADS產品中，柵線位置上一行的BM擋住薄膜晶體管TFT和走線，導致形狀不規則，和公共電極上一行平整的BM不一致，這樣在最終的成品中會形成橫紋，進而相鄰行的亮度差異導致在整個屏幕上顯示異常。
實用新型內容本實用新型實施例提供了一種陣列基板及液晶顯示面板，用以增大像素單元開口率，避免因為相鄰行黑矩陣形狀不同而造成的顯示出現橫紋，提高顯示質量。本實用新型實施例提供的一種陣列基板，包括交叉設置的數據線和柵線，以及由數據線和柵線圍設形成的像素單元，所述像素單元包括TFT和像素電極，所述TFT包括柵電極、源電極和漏電極，所述源電極與所述數據線連接，其中，相鄰兩行柵線位于被驅動的相鄰兩行像素單元之間，所述漏電極與所述像素電極的連接處對應于驅動同一列的所述相鄰兩像素單元的相鄰兩行柵線之間或柵線上。本實用新型實施例提供的一種液晶顯示面板，包括對盒設置的彩膜基板和陣列基板，其中陣列基板為上述的陣列基板。本實用新型實施例提供的一種TFT陣列基板及液晶顯示面板，通過將像素電極和TFT漏極連接位置設置在相鄰像素單元的柵線之間或柵線上，并將像素單元上下相鄰的兩個像素單元的柵極交錯相向，由于上下相鄰兩個像素單元TFT相向，所以BM遮擋的邊緣和柵極線邊緣平行，會形成和公共電極對應的寬度相同的外形平整的BM遮擋，這樣所有像素單元的開口大小相同外觀一致，避免了相鄰行BM差異而產生的橫紋。
圖1為現有技術中TFT陣列基板結構的俯視示意圖；圖2 Ca)為本實用新型實施例提供的一種TFT陣列基板結構的俯視不意圖；[0011]圖2 (b)為本實用新型實施例提供的另一種TFT陣列基板結構的俯視不意圖；圖3為本實用新型實施例提供的一種采用L型TFT的陣列基板結構的俯視示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的一種采用U型TFT的陣列基板結構的俯視示意圖；圖5為本實用新型實施例提供的一種TFT陣列基板的各個制備步驟完成時的陣列基板的結構剖面圖，該剖面對應圖3中a-a’方向；圖6為本實用新型實施例提供的一種TFT陣列基板的各個步驟完成時的陣列基板的結構剖面圖，右側虛線框中部分對應圖3中C中心的截面；圖7為本實用新型實施例提供的另一種TFT陣列基板的首I]面不意圖；圖8為本實用新型實施例提供的一種液晶顯不面板的俯視不意圖。
具體實施方式
本實用新型實施例提供了一種陣列基板及液晶顯示面板，用以增大像素單元開口率，避免因為相鄰行黑矩陣不同而造成的顯示出現橫紋，提高顯示質量。本實用新型實施例提供的一種陣列基板，包括交叉設置的數據線和柵線，以及由數據線和柵線圍設形成的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管TFT和像素電極，所述TFT包括柵電極、源電極和漏電極，所述源電極與所述數據線連接，其中，相鄰兩行柵線位于被驅動的相鄰兩行像素單元之間，所述漏電極與所述像素電極的連接處對應于驅動同一列的所述相鄰兩像素單元的相鄰兩行柵線之間或柵線上。進一步的，所述漏電極與所述像素電極通過第一過孔連接。進一步的，所述柵線包括凸起結構，驅動同一列的所述相鄰兩像素單元的所述相鄰兩行柵線的凸起結構交錯相向。進一步的，所述相鄰兩行柵線中的上一行柵線驅動所述相鄰兩行像素單元中位于下一行的像素單元，所述相鄰兩行柵線中的下一行柵線驅動所述相鄰兩行像素單元中位于上一行的像素單元，或者也可以是上行柵線驅動上行像素單元，下行柵線驅動下行像素單
J Li ο進一步的，所述基板還包括公共電極線，相鄰兩行公共電極線之間相隔所述相鄰兩行像素單元，所述公共電極線通過第二過孔與公共電極連接。進一步的，所述公共電極線與公共電極連接的過孔的數量至少為兩個，一般情況下，公共電極由透明電極材料如ITO形成，而ITO的電阻一般較大，而公共電極線一般與柵線金屬層GATE層同層制作，電阻較小。因此將公共電極線與公共電極連接可以降低公共電極的電阻，從而提高信號的響應，并且，公共電極線的數量越多越好，以與像素單元的列數相同為最佳，因為公共電極線采用金屬制作，較公共電極層的材料的電阻較小，因而公共電極線的數量越多，電阻就會越小，在具體實施過程中，公共電極線的數量與像素單元的列數相同為最佳，若數量超過像素單元的列數，在工藝上就需要額外的遮擋，反而增加成本。
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型進行說明。需要說明的是，所述實施例是為了說明本實用新型，但不限制本實用新型。如圖2 (a)所示，本實用新型實施例提供的一種TFT陣列基板，包括交叉設置的柵線101和數據線102、公共電極線103以及由數據線和柵線圍設形成的像素單元A (圖僅示出相鄰兩列像素單元中的上下兩個像素單元Al、A2)，每個像素單元A包括一個TFT和一個像素電極；且數據線102位于相鄰兩列像素單元之間，如圖中所示，數據線102驅動相鄰兩列像素單元中左邊一列的A2和右邊一列的Al ;相鄰兩行柵線101位于驅動的相鄰兩行像素單元之間，該相鄰兩行像素單元中位于同一列的TFT的柵極交錯相向，相鄰兩行公共電極線103之間相隔兩行像素單元，其中，同一列的相鄰兩個像素單元A1、A2的柵線101，圖示中的位于上一行的1011、下一行的1012的凸起位置相向排列，其中，柵線1011驅動像素單元A2，柵線1012驅動像素單元Al。需要說明的是，本實施例中所述的柵線是具有凸起的，僅是以該具有凸起的柵線為例進行說明，但并不限制本實用新型，例如，也可以采用一字型柵線，只要不脫離本實用新型的宗旨即可。同時，如圖2 (a)中所示，位于同一列上一行的像素單元的TFT的漏電極與像素電極的第一過孔連接位置BI，位于像素單元A2的TFT的柵線1011的區域內，在透光方向上，該過孔位置BI的投影完全落在下一行的像素單元的柵線1011的投影內，即保證過孔完全位于柵線對應的黑矩陣的遮擋之下，不會影響開口率；同樣的，對于像素單元A2，其TFT的漏電極與像素電極的第一過孔連接位置B2，位于像素單元Al的TFT的柵線1012的區域內，在透光方向上，該過孔位置B2的投影完全落在下一行的像素單元的柵線1012的投影內；或者，TFT漏極與像素電極連接的過孔也可以位于上述相鄰的柵線之間，只要保證過孔能夠落在柵線對應的黑矩陣的投影內，就可以保證過孔位置不會影響開口率，在具體實施時，也就不需要再額外增加對過孔位置的遮擋。對于公共電極線103，從圖2 Ca)中可以看出，該公共電極線上具有第二過孔位置C，該第二過孔位置C處，即為公共電極(圖中未示出)與公共電極線的連接位置。通過在TFT基板側的上述設計，能夠保證在彩膜基板側相應的黑矩陣的形狀相同，即由于相鄰兩行柵線和公共電極線是間隔排列的，當公共電極線與相鄰兩行柵線所占用TFT陣列基板的區域相同時，所對應的黑矩陣也就可以相應設計成相同的形狀，也就保證了相鄰行的黑矩陣形狀相同，在顯示時就不會出現因相鄰行黑矩陣不同而造成的橫紋。同時，若像素電極與漏電極采用過孔連接，那么通過上述的設計不會額外的增加相應的黑矩陣進行遮擋，增大了開口率。圖2 (a)所示的TFT陣列基板，還可以采用如圖2 (b)所示的變形。其中，區別僅在柵線的凸起位置不同。另外，圖2 (a)和圖2 (b)中所示的TFT采用的是一字型TFT，本實用新型并不限制與此結構的TFT，例如還可以采用L型和U型的TFT，分別如圖3和圖4所示。需要說明的是，本實用新型實施例提供的陣列基板中數據線的連接并不限于上述及附圖中的連接方式，也可以采用其他的數據線連接形狀；漏電極和像素電極也可以不通過過孔連接，也可以采取其他的方式，如通過搭接的方式進行連接，只要實現連接即可。下面結合陣列基板的剖面圖，對本實用新型實施例提供的技術方案進行詳細描述。具體地，參照圖5，為采用L型TFT的像素結構的TFT陣列基板的剖面圖(其對應圖3所示的采用L型TFT的像素結構a-a’方向)，包括步驟SI至步驟S8每一步驟完成時對應的剖面圖。需要說明的是，該制備方法是以像素電極與漏電極以過孔連接為例進行說明的，但并不限制本實用新型。如圖所示，該陣列基板的制備方法，包括:步驟SI，通過一次構圖工藝，具體可以為經過濺射曝光刻蝕的方法，在玻璃基板上制備出柵極Gate層，其中包括所述柵線101，如圖5中圖SI所示；本實用新型的實施例中所稱的構圖工藝包括光刻膠涂布、掩模、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例，但是這并非對本實用新型的限制。步驟S2，形成GI絕緣層，具體可以為經過氣相沉積方法，制備出GI絕緣層，覆蓋玻璃基板和上述Gate層，如圖5中圖S2所示；步驟S3，在GI上制備ACT層，如圖5中圖S3左側所示；步驟S4，形成包括源電極與漏電極的數據線SD層，如圖5中圖S4左側所示，源電極與數據線連接，漏電極一端搭接在右側Gate線的上表面，如圖5中圖S4右側所示；步驟S5,在SD層上形成Resin絕緣層,覆蓋源、漏電極及GI絕緣層，并在漏電極末端形成過孔，如圖5中圖S5右側所示；步驟S6，制備出第一透明電極，第一透明電極具體為像素電極，該像素電極通過Resin過孔連接在SD層上，將像素電極與漏電極連接，其過孔連接位置為B，如圖5中圖S6右側所示；步驟S7，第一透明電極上形成1st ITOPVX絕緣層，該PVX絕緣層覆蓋Resin絕緣層和第一透明電極1st IT0，如圖5中圖S7所示；步驟S8，PVX上表面形成第二透明電極2nd ITO作為公共Vcom電極，如圖5中S8右側所示，與第一透明電極1st ITO形成存儲電容及電場來驅動液晶偏轉，同時，完整的圖5中S8為對應圖3所示的采用L型TFT的像素結構a_a’方向的TFT陣列基板的剖面圖，過孔位置B對應圖3中的過孔位置B。需要說明的是，上述SD和ACT是分別形成的，但也可以兩個使用一個Mask形成，在實施過程中，具體工藝順序和過程也可以變化，只要最終實現本實用新型提供的TFT陣列基板的結構即可。較佳地，參照圖3中，在公共電極線的區域內有一過孔C，此過孔是連接公共電極和公共電極線的。具體地，參見圖6右側虛線框中所示的各個步驟完成時的剖面圖，結合上述柵線位置對應的結構的制備步驟，在公共電極線區域內的過孔的制備過程為:步驟SI中，在Gate層中包括公共電極線103，如圖6中SI右側所示；在公共電極的上方，經過步驟S2、S5、S7之后，該公共電極的上表面從下到上分別沉積了 G1、Resin、PVX三層絕緣層，同時，在步驟S7中，將這三層刻蝕出過孔C，如圖6中S7右側所示；需要說明的是，得到過孔C的工藝流程，可以通過一次刻蝕得到，也可以采用三層分別刻蝕得到，本申請實施例不做限定。在步驟S8中，沉積2nd ITO作為Vcom電極，將此Vcom電極與位于GATE層的公共電極線連接，如圖6中S8右側C所示；較佳地，每一公共電極線區域內，其過孔C的數量最少有兩個，最優為陣列基板的像素單元的列數，并且該過孔周期性排列。采用如圖6中S8所示的結構，本實用新型在像素區域增加了橫向gate層Vcom走線，并且周期性與Vcom電極導通，極大程度上降低了 Vcom電阻，防止串擾(cross talk)等由于Vcom電阻增大導致的不良現象的發生。需要說明的是，在上述的TFT結構中，采用2nd ITO作為Vcom電極，本實用新型還可以采用1st ITO作為Vcom電極，采用1st ITO作為Vcom電極的TFT陣列基板的剖面圖如圖7所示。另外，上述工藝中Resin絕緣層、PVX絕緣層等各絕緣層也可以采取其他材料，只要起到絕緣的作用即可。上述的像素結構及包括該像素結構的TFT陣列基板，應用于本實用新型提供的一種液晶顯示面板，即該顯示面板包括對盒設置的彩膜基板和上述的陣列基板。較佳地，該液晶顯示面板，在透光方向上，所述TFT陣列基板上柵線的投影落在彩膜基板上黑矩陣的投影內。較佳地，所述液晶顯示面板，在彩膜基板側，所述柵線位置對應的黑矩陣與所述公共電極線對應的黑矩陣形狀相同。參見圖8，為液晶顯示面板中同一列上下四個像素單元的俯視圖，其中虛線框對應彩膜側的黑矩陣，柵極線位置對應BM與柵極線走線外沿相平，整體形態平整，與公共電極走線位置對應的BM —致，因此相鄰行的顯示像素單元的大小也相同，不會出現橫紋。針對本實用新型實施例提供的陣列基板的柵極驅動方法，包括:對于位于相鄰兩行像素單元之間的相鄰兩行柵線，先掃描相鄰兩行柵線中位于下一行的柵線，再掃描相鄰兩行柵線中位于上一行的柵線；或者，先掃描相鄰兩行柵線中位于上一行的柵線，再掃描相鄰兩行柵線中位于下一行的柵線。
具體地，參考圖8，所示為上下相鄰的四個像素單元，以及柵線1011、1012、1013U014o Gate柵極線的驅動順序如果為正向掃描應該是1012-1011-1014-1013……依此類推，從而保證像素單元的開啟順序為從上到下，如為反向掃描則應該為1013-1014-1011-1012......依此類推。綜上所述，本實用新型實施例提供的一種陣列基板及液晶顯示面板，通過將像素電極和TFT漏極連接位置設置在相鄰像素單元的柵線之間或柵線上，并將像素單元上下相鄰的兩個像素單元的柵極交錯相向，由于上下相鄰兩個像素單元TFT相向，所以BM遮擋的邊緣和柵極線邊緣平行，會形成和公共電極對應的寬度相同的外形平整的BM遮擋，這樣所有像素單元的開口大小相同外觀一致，避免了相鄰行BM差異而產生的橫紋，同時當像素電極和漏電極通過過孔連接時，也避免了因為防止過孔漏光而特意增加的遮擋，增大了開口率。顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求1.一種陣列基板，包括交叉設置的數據線和柵線，以及由數據線和柵線圍設形成的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管TFT和像素電極，所述TFT包括柵電極、源電極和漏電極，所述源電極與所述數據線連接，其特征在于:相鄰兩行柵線位于被驅動的相鄰兩行像素單元之間，所述漏電極與所述像素電極的連接處對應于驅動同一列的所述相鄰兩像素單元的相鄰兩行柵線之間或柵線上。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述漏電極與所述像素電極通過第一過孔連接。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線包括凸起結構，驅動同一列的所述相鄰兩像素單元的所述相鄰兩行柵線的凸起結構交錯相向。
4.根據權利要 求1所述的陣列基板，其特征在于，所述相鄰兩行柵線中的上一行柵線驅動所述相鄰兩行像素單元中位于下一行的像素單元，所述相鄰兩行柵線中的下一行柵線驅動所述相鄰兩行像素單元中位于上一行的像素單元。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述基板還包括公共電極線，相鄰兩行公共電極線之間相隔所述相鄰兩行像素單元，所述公共電極線通過第二過孔與公共電極連接。
6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線與公共電極連接的所述第二過孔的數量至少為兩個。
7.一種液晶顯示面板，包括對盒設置的彩膜基板和陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為如權利要求Γ6任一權利要求所述的陣列基板。
8.根據權利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，在透光方向上，所述柵線的投影落在所述彩膜基板上黑矩陣的投影內。
9.根據權利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，在彩膜基板側，所述柵線位置對應的黑矩陣與所述公共電極線位置對應的黑矩陣相同。
專利摘要本實用新型公開了一種陣列基板及液晶顯示面板，用以增大像素區域開口率，避免因為相鄰行黑矩陣形狀不同而造成的顯示出現橫紋，提高顯示質量。所述TFT陣列基板，包括交叉設置的數據線和柵線，以及由數據線和柵線圍設形成的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管TFT和像素電極，所述TFT包括柵電極、源電極和漏電極，所述源電極與所述數據線連接，其特征在于相鄰兩行柵線位于被驅動的相鄰兩行像素單元之間，所述漏電極與所述像素電極的連接處對應于驅動同一列的所述相鄰兩像素單元的相鄰兩行柵線之間或柵線上。所述液晶顯示面板包括上述陣列基板。
文檔編號G02F1/1362GK202948237SQ20122069084
公開日2013年5月22日 申請日期2012年12月13日 優先權日2012年12月13日
發明者姜文博, 董學, 薛海林, 陳小川 申請人:北京京東方光電科技有限公司