專利名稱：一種用于監控led外延和芯片前段制程的光罩版模組的制作方法
技術領域：
—種用于監控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組技術領域[0001]本實用新型涉及一種用于監控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，屬于LED 芯片制造技術領域。
背景技術：
[0002]在半導體制程中，抽測(test) —般被認為是芯片前段制程的最后一步，因為抽測 制程的下一步為晶片減薄工序，如果晶片被減薄之后就不能再進行前段返工，這樣晶片的 良率就會固定下來；而如果在抽測中發現參數異常，往往很多異常是可以通過前段返工作 業使參數正常，這樣可以使芯片良率得到提升，所以抽測的良率監控至關重要，抽測站在半 導體制程中起著將前后段制程承上啟下的作用。[0003]現在幾乎所有LED芯片段制程中均有抽測工序，發現參數異常后也大多有前段返 工作業，同時可以人工測量特殊位置，比如用于傳輸線模型(Transmission Line Model, TLM)測量的常規光罩版(如圖1所示)，從而確定異常原因，然而人工測量耗時，再加上由于 操作手法不一致誤差較大，所得到的數據非常有限且難以作為可靠的參考標準。發明內容[0004]基于上述技術的不足，本實用新型提供一種新式的用于監控LED外延和芯片前段 制程的光罩版模組。[0005]本實用新型的目的是，為了有效地監控外延和芯片前段制程的穩定性，即在光罩 版的預設位置添加分別用于監控P型外延層、N型外延層、電流擴展層等結構層性能的單元 圖案。[0006]本實用新型是通過以下技術方案實現[0007]本實用新型提出了一種新式的用于監控LED外延和芯片前段制程的光罩版即在 光罩版的預設位置添加需要測量參數的單元圖案，分別用于監控P型外延層、N型外延層、 電流擴展層等結構層性能，通過規劃設計抽測間距，使抽測時必然會抽測到這些單元圖案， 這樣即可實現監控外延質量、電流擴展層等結構層的質量，在發生異常時，可以簡單地初步 判定異常的主要原因，在制程正常時也可以監控各種參數并及時優化相關工序。[0008]所述光罩版模組包括至少兩塊光罩版，其特征在于至少在一塊光罩版上設置有 用于監控LED芯片的各結構層性能的單元圖案。[0009]所述光罩版模組其特征在于至少在兩塊光罩版上設置有前述單元圖案，各塊光 罩版不同位置上設置有用于監控不同的結構層性能的單元圖案。[0010]所述光罩版模組其特征在于同一塊光罩版設置有用于監控同一結構層性能的單 元圖案。[0011]所述光罩版模組包括其特征在于所述單元圖案的大小與LED芯粒圖案的大小一致。[0012]所述需要測量參數的單元圖案是通過光罩版設計完成。[0013]所述抽測間距的設定是為了實現將需要測量參數的單元圖案納入抽測。[0014]所述需要測量參數的單元圖案的位置可以位于晶圓的上側或下側或左側或右側或中心或前述的組合。[0015]本實用新型與現有技術相比較的有益效果是本實用新型是在不改變芯片制程的基礎上，即在光罩版的預設位置添加分別用于監控P型外延層、N型外延層、電流擴展層等結構層性能的單元圖案，可實現在抽測作業時測試這些單元圖案，使得監控外延和前段制程變得更加簡潔方便，及時有效地調整相關制程，從而使工藝條件穩定并且及時得到優化。
[0016]附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的限制。此外，附圖數據是描述概要，不是按比例繪制。[0017]圖1是常規的光罩版模組示意圖。圖2是本實用新型的光罩版模組示意圖。[0019]圖3是本實用新型的第I道光罩版示意圖。[0020]圖4是圖3中需測量參數的單元圖案放大圖。[0021]圖5是本實用新型的第2道光罩版示意圖。[0022]圖6是圖5中需測量參數的單元圖案放大圖。[0023]圖7是本實用新型的第3道光罩版示意圖。[0024]圖8是圖7中需測量參數的單元圖案放大圖。[0025]圖中標號表[0026]Al :需要測量參數的Al單元圖案；[0027]B1:需要測量參數的BI單元圖案；[0028]Cl :需要測量參數的Cl單元圖案；[0029]A2 :需要測量參數的A2單元圖案；[0030]B2 :需要測量參數的B2單元圖案；[0031]C2 :需要測量參數的C2單元圖案；[0032]A3 :需要測量參數的A3單元圖案；[0033]B3 :需要測量參數的B3單元圖案；[0034]C3 :需要測量參數的C3單元圖案。
具體實施方式
[0035]以下將結合附圖及實施例來詳細說明本實用新型的實施方式，借此對本實用新型如何應用技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現過程能充分理解并據以實施。[0036]實施例[0037]如圖2所示，本實施例用于監控LED外延和前段制程的光罩版模組在光罩版中的預設位置添加需要測量參數(用于監控P型外延層、N型外延層、ITO電流擴展層等結構層性能)的單元圖案，通過設定抽測的間距，使抽測時必然會抽測到這些預設位置上的單元圖案。A、B和C單元圖案是通過光罩版設計完成的。抽測間距的設定是為了實現將需要測量參數的單元圖案納入抽測。需要測量參數的A單元圖案的位置位于晶圓的上側，B單元圖 案的位置位于晶圓的左側、中心位置和右側，C單元圖案的位置位于晶圓的下側。[0038]下面以三道光罩為例說明如何通過光罩版設計并抽測預設位置的單位圖案，用于 監控P型外延層、N型外延層、ITO電流擴展層結構層的性能。[0039]如圖3和4所示，本實施例第I道光罩的A、B和C單元用于開制MESA光罩，通過 第I次光罩，A和B單元用于形成N型外延層，而C單元用于形成P型外延層；[0040]如圖5和6所不,本實施例第2道光罩的A、B和C單兀用于開制ITO光罩,通過第 2次光罩，A單元用于形成N型外延層，B單元用于形成圖案化的ITO電流擴展層，而C單元 用于形成P型外延層；[0041]如圖7和8所示，本實施例第3道光罩的A、B和C單元用于開制PAD光罩，通過第 3次光罩，A、B和C單元用于制作金屬電極的圖形，其圖形與其它正常芯粒的金屬電極圖形 一致，這樣抽測機臺可以識別此圖形，并可以自動測量。[0042]綜上所述，通過抽測A單元，便可以監控N型外延層的質量，通過抽測B單元便可 以監控ITO電流擴展層的質量，而通過抽測C單元可以監控P型外延層的質量。由此，本實 施例光罩版的設計可以實現抽測時自動監控LED外延和前段制程的光罩版。
權利要求1.一種用于監控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，包括至少兩塊光罩版，其特征在于至少在一塊光罩版上設置有用于監控LED芯片的各結構層性能的單元圖案。
2.根據權利要求1所述的一種用于監控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，其特征在于至少在兩塊光罩版上設置有前述單元圖案，各塊光罩版不同位置上設置有用于監控不同的結構層性能的單元圖案。
3.根據權利要求2所述的一種用于監控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，其特征在于同一塊光罩版設置有用于監控同一結構層性能的單元圖案。
4.根據權利要求1所述的一種用于監控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，其特征在于所述單元圖案的大小與LED芯粒圖案的大小一致。
5.根據權利要求1或2或4所述的一種用于監控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，其特征在于所述單元圖案的位置位于光罩版的上側或下側或左側或右側或中心或前述的組合。
專利摘要本實用新型涉及一種用于監控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，即在光罩版的預設位置添加需要測量參數的單元圖案，分別用于監控P型外延層、N型外延層、電流擴展層等結構層性能，通過規劃設計抽測間距，使抽測時必然會抽測到這些預設位置，這樣即可實現監控外延質量、電流擴展層等結構層的質量，在發生異常時，可以簡單地初步判定異常的主要原因，在制程正常時也可以監控各種參數并及時優化相關工序。
文檔編號G03F1/44GK202837806SQ201220377478
公開日2013年3月27日 申請日期2012年8月1日 優先權日2012年8月1日
發明者古杰輝, 莊家銘, 黃惠葵, 王安平, 范慧麗 申請人:安徽三安光電有限公司