專利名稱：反射鏡、用于極紫外投射曝光系統的光學系統以及制造組件的方法
技術領域：
本發明涉及一種用于EUV (極紫外)輻射的反射鏡。本發明還涉及一種照明光學系統(illumination optical system) >一種投身寸光學系統(projection optical system) >一種光學系統及一種EUV投射曝光系統(projection exposure system)。此外,本發明涉及一種制造微結構化或納米結構化組件的方法及一種以此方法制造的組件。
背景技術：
從EPl 927 892A1獲知用于EUV輻射的反射鏡及EUV投射曝光系統。從US6 522717B1獲知X光顯微鏡。
發明內容
本發明的目的在于開發一種用于EUV輻射的反射鏡，使得可以改進EUV投射曝光系統的光學質量。通過根據權利要求1的反射鏡實現此目的。根據本發明認識到，用作光刻掩模(lithography mask)的掩模母版(reticle)的反射能力從用于照明的EUV輻射的特定入射角起快速下降。傾斜照明還導致嚴重的遠心誤差(telecentric error)。然而，在掩模母版的垂直照明下，換句話說，在照明光學系統的主光束(mainbeam)的路線平行于光軸且掩模母版相對于此垂直取向的情況下，由于結構上的限制，在照明和/或投射光學系統中發生光束路徑的遮蔽(obscuration)。物場點(object field point)(換句話說,掩模母版上的特定點)的主光束在此定義為該物場點與照明光學系統的光瞳(pupil)中心之間的連線。根據本發明，提供一種用于EUV輻射的反射鏡，其設有至少一個EUV輻射反射區以及至少兩個、尤其是更多個、尤其是至少三個、尤其是至少四個、尤其是至少五個EUV輻射可穿透區。尤其，EUV福射可穿透區在此構造為反射鏡主體中的通孔(through-opening)。尤其，輻射可穿透區在反射鏡主體中布置為分離的。尤其，輻射可穿透區在反射鏡主體上布置為分散的，使得它們的包絡界定一面積，該面積覆蓋輻射反射區的總面積的至少30%、尤其是至少40%、尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少 90%o對應地，也可以有與此相反的反射鏡構造，其中反射區和可穿透區正好對調。在此相反構造下，提供較多個、尤其是至少兩個、尤其是至少三個、尤其是至少四個、尤其是至少五個EUV輻射反射區。尤其，輻射反射區在此可構造為分離的。尤其，輻射反射區可利用交叉支柱(cross-strut)彼此機械鏈接。尤其，福射反射區可應用于編結型支架(braiding-type holder)中。在反射鏡的此構造中，EUV福射可穿透面積構成此反射鏡的總面積的尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少90%。使用根據本發明的反射鏡，即使在照明光學系統的高數值孔徑(numericalaperture)的情況下，也可以較小入射角照明掩模母版，而不會發生掩模母版反射的EUV輻射的遮蔽。使用根據本發明的反射鏡，尤其可以引導掩模母版反射的EUV輻射的零衍射級(zero diffraction order)通過投射光學系統而沒有任何遮蔽。使用根據本發明的反射鏡，可以形成照明和成像光束路徑的空間分離(spatialseparation)。根據權利要求2，反射鏡具有相關聯的EUV輻射反射區用于每一個EUV輻射可穿透區。該EUV輻射反射區又稱為與相應輻射可穿透區互補的區域。尤其，反射鏡上與特定輻射可穿透區相關聯及其中成像掩模母版反射的輻射的零衍射級的區域稱為共軛區(conjugated region)。術語“互補區(complementary region) ” 及“共軛區”只是用來說明本發明。對應區不一定具有限定的機械限制。互補區，尤其是共軛區，分別布置在反射鏡上相對于輻射可穿透區的預定位置。原則上，在掩模母版上反射的輻射，尤其是較高衍射級的輻射，可落在反射鏡的任何區上。然而，利用傳統使用的掩模母版的結構的知識，可以通過有目標地布置輻射可穿透區及輻射反射區來預先確定反射光的哪些衍射級對這些掩模母版投射到像場(image field)中有貢獻。尤其，可以針對明場照明(bright fieldillumination)或暗場照明(dark field illumination)來構造反射鏡。根據權利要求3，分別與EUV輻射可穿透區共軛的EUV輻射反射區被布置為與相關聯的EUV輻射可穿透區相對于對稱軸對稱。此布置有利于明場應用(bright fieldapplication)，因為這確保掩模母版上反射的輻射的至少零衍射級可分別精確地落在EUV福射反射區上。因此，點鏡射的照明光瞳(point-mirrored illumination pupil)的至少一部分，尤其是整個點鏡射的照明光瞳，是成像光束路徑的組件。反射鏡，尤其是EUV輻射反射區及EUV輻射可穿透區的布置，可被適配于特定的預定掩模母版、尤其是典型使用的掩模母版。使用具有典型掩模母版結構(尤其是具有要成像的已知結構)的給定掩模母版，在反射鏡上適當地布置EUV輻射可穿透區，尤其可實現:作為零衍射級的補充或替代，在掩模母版上反射的輻射的其他衍射級，尤其是+/_第一衍射級，分別精確地落在EUV輻射反射區上。如果這里及下文提及區的“對稱軸”及“對稱布置”，則其分別還用于表示反射鏡的對應變形構造(correspondingly distorted configuration),這對于反射鏡相對于光束路徑的主光束的位置傾斜的情況是必須的。使用根據本發明的反射鏡，可照明掩模母版，致使主光束的角度(即主光線角(chief ray angle,CRA))小于物側數值孔徑(object-side numerical aperture,NA0)的反正弦(arcsin),即 CRA〈arcsin(NAO)。根據權利要求4，反射鏡分別具有較多的輻射可穿透區及與其共軛的輻射反射區。一方面，這允許有較多的不同照 明設定(illumination setting),以及另一方面，由此減少用來在像場中成像物場(object field)的全部福射的每一個單獨(individual)福射可穿透區及與其共軛的相應福射反射區的相對比率(relative fraction)。如果與單獨的特定輻射可穿透區相關聯的反射輻射的衍射級偶然地再次照射在輻射可穿透區上并因此未被反射，則由此將減少其對成像質量的影響。因此，可以使成像質量整體更加穩定。為此目的，尤其是，如果相對于總光學可用面(換句話說，反射的反射鏡面)，輻射可穿透區分別盡可能小，則是有利的。由于根據權利要求5，在繞著對稱軸的圓圈上布置輻射可穿透區，因此可實現掩模母版的特別一致(uniform)、均勻的照明。尤其，輻射可穿透區在此可等距離地布置在圓圈上。等距離布置奇數個輻射可穿透區在此精確地導致明場構造(bright fieldconfiguration),因為,在此情況中，福射反射區關于對稱軸與每一個福射可穿透區相對。因此，等距離布置偶數個輻射可穿透區導致暗場構造(dark fieldconfiguration),因為另一福射可穿透區關于對稱軸精確地與每一個福射可穿透區相對。由掩模母版從每一個輻射可穿透區反射的輻射的零衍射級因此至少局部地(尤其是完全地)再次精確地照射在輻射可穿透區上，因此不會被反射鏡反射，并因此無法對物場在像場中的成像做出貢獻。此外，輻射可穿透區可布置在繞著對稱軸的多個同心圓上。因此，可以有不同入射角的不同照明設定。由此可減少干涉效應(interference effect)。根據權利要求6，輻射可穿透區被布置成它們的共同重心(centre of gravity)與對稱軸重合。因此，可以照明掩模母版，使得照明輻射的主光束具有0°的入射角。本發明其他目的在于改進用于將物場成像于像場中的EUV照明光學系統和EUV投射光學系統。通過權利要求7和8的特征來實現這些目的。此類型照明/投射光學系統的優點對應于上文已經說明的優點。根據權利要求9，反射鏡被布置為接近光瞳。當滿足下列條件時，反射鏡M被布置為接近光瞳:
P (M) =D (SA) / (D (SA) +D (CR))彡 0.5。D(SA)是從物場點發射的筆形光束(beam pencil)在反射鏡M處的子孔徑直徑(sub-aperture diameter),以及D(CR)是在反射鏡M的表面上的、由成像光學系統成像的有效物場的主光束在光學系統的參考平面(reference plane)中所測量的最大間隔。參考平面可以是成像光學系統的對稱平面或子午面(meridional plane)。參數P(M)的定義對應于W02009/024164A1中給出的定義。在場平面(field plane)中，P(M)=O。在瞳平面(pupil plane)中，P(M)=1。通過接近于光瞳的布置可確保掩模母版反射的輻射的至少零衍射級分別完全落在輻射反射區上。此外，本發明基于改進用于EUV投射曝光系統的光學系統及此類型系統的目的。通過權利要求10至13的特征來實現此目的。其優點對應于上文已經說明的優點。本發明其他目的在于公開一種使用投射曝光系統制造組件的方法及一種利用該方法制造的組件。根據本發明，通過根據權利要求14的制造方法以及根據權利要求15的組件實現這些目的。 這些主題的優點對應于上文已經說明的優點。
下面將借助于附圖更詳細地說明本發明的實施例，其中:圖1顯示用于EUV光刻的EUV投射曝光系統的組件的示意圖；圖2顯示根據圖1的投射曝光系統的照明光及成像光的光束路徑在要在投射曝光中成像的反射物體(形式為掩模母版)的區域中的部分放大的示意圖；圖3顯示類似于圖2的照明光及成像光的光束路徑的部分放大的示意圖，但以另一方式引導光束路徑；圖4A、4B顯示根據本發明第一實施例的反射鏡的示意圖；圖5A、5B顯不根據本發明另一實施例的反射鏡的不意圖；圖6及圖7顯不反射鏡的另一實施例的不意圖；圖8顯示結合施瓦茲希爾(Schwarzschild)光學系統使用根據本發明的反射鏡的示意圖；及圖9顯不反射鏡的另一實施例的不意圖。
具體實施例方式圖1以子午剖面(meridional section)示意性地顯示用于光刻的投射曝光系統I的組件。投射曝光系統I的照明系統2除了光束源(beam source) 3之外，還包含曝光物平面(object plane)6中的物場5的照明光學系統4。這里曝光的掩模母版7 (僅以截面顯示)被布置在物場5中且由掩模母版保持器(reticle holder)8保持。投射光學系統9被用來成像物場5于像平面(image plane) 11的像場10中。掩模母版7上的結構被成像于晶片12的感光層上，該晶片被布置在像平面11中的像場10的區域中，其由也示意性地顯示的晶片保持器13保持。輻射源3是EUV輻射源,其發射EUV輻射14。EUV輻射源3所發射的有用輻射的波長在5nm至30nm的范圍中。也可以使用在光刻中使用且可由合適光源獲得的其他波長。輻射源3可以是等離子體源,例如DPP源或LPP源。也可使用基于同步加速器(synchrotron)的輻射源作為輻射源3。本領域的技術人員可找到有關此類型輻射源的信息，例如從US6859 515B2。提供集光器(collector) 15，以使來自EUV輻射源3的EUV輻射14成束。EUV輻射14又稱為照明光或成像光。照明光學系統4包含具有大量場分面(field facet) 17的場分面反射鏡(fieldfacet mirror) 16。場分面反射鏡16布置在照明光學系統4的平面中，該平面與物平面6光學共軛。EUV輻射14由場分面反射鏡16反射至照明光學系統4的瞳分面反射鏡(pupilfacet mirror) 18。瞳分面反射鏡18具有大量瞳分面(pupil facet) 19。借助瞳分面反射鏡18，場分面反射鏡16的場分面17被成像于物場5中。對于場分面反射鏡16上的每一個場分面17，在瞳分面反射鏡18上有正好一個相關聯的瞳分面19。在各情況中,在場分面17與瞳分面19之間構造光通道(light channel)。至少一個分面反射鏡16、18的分面17、19可以是可切換的(switchable)。這些分面尤其可以可傾翻地(tiltably)布置在場分面反射鏡16、18上。這里可以使僅一部分可傾翻，例如使分面17、19的最多30%、最多50%或最多70%可傾翻。也可以使所有分面17、19可傾翻。可切換的分面17、19尤其是場分面17。通過傾斜場分面17，其相對于相應瞳分面19的分配以及因此光通道的構造可以被改變。有關具有可傾翻分面17、19的分面反射鏡16、18的更多細節，參考DElO 2008 009 600A1。有關照明光學系統4的更多細節，也參考DElO 2008 009 600A1。從圖1無法推斷EUV輻射14在照明光學系統4及投射光學系統9中的光束路徑，且尤其無法推斷場分面反射鏡16及瞳分面反射鏡18的結構布置。可以控制的方式位移掩模母版保持器8，使得在投射曝光期間可在物平面6中在位移方向中位移掩模母版7。因此，可以控制的方式位移晶片保持器13，使得可在像平面11中在位移方向中位移晶片12。因此，可分別穿過物場5和像場10掃描掩模母版7和晶片
12。位移方向在下文中也稱為掃描方向。掩模母版7及晶片12在掃描方向中的位移優選可彼此同步地進行。投射光學系統9包含大量投射反射鏡(圖1未顯不)。投射光學系統9包含尤其是至少三個、尤其是至少五個投射反射鏡。投射光學系統9尤其可具有至少六個、七個或八個投射反射鏡。投射光學系統9尤其包含反射鏡20，其詳細說明如下。反射鏡20具有含反射鏡面24的反射鏡主體21，反射鏡面24具有大量EUV輻射可穿透區22及相應相關聯的EUV輻射反射區23。與EUV輻射可穿透區22相關聯的相應EUV輻射反射區23又稱為與EUV輻射可穿透區22互補的區域。尤其，在反射鏡20上與特定輻射可穿透區22相關聯的輻射反射區23 (由掩模母版7反射的輻射14的0衍射級在其中成像)稱為共軛區23。很明顯地，與EUV輻射可穿透區22互補的EUV輻射反射區23不僅包含相應共軛區23 (在圖中為了觀察而表示)。原則上，互補區在每種情況下均包含整個反射鏡面24。反射鏡20中輻射可穿透區22的數目尤其精確對應于瞳分面反射鏡18上的瞳分面19的數目。然而，這并非絕對必要。尤其對于可切換分面17、19的情況，輻射可穿透區22的數目亦可多于或少于瞳分面反射鏡18上瞳分面19和/或場分面反射鏡16上場分面17的數目。一般地，反射鏡20具有至少兩個EUV輻射可穿透區22。這些EUV輻射可穿透區22被構造為反射鏡主體21中的通孔。EUV輻射反射區23可構造為連續構造的反射鏡面24的除通孔22之外的部分區域。EUV輻射反射區23尤其可為連接的。EUV輻射可穿透區22尤其可以分離的方式布置在反射鏡主體21中。反射鏡面24可為凸面、平面或凹面。輻射可穿透區22被布置為與反射鏡20的對稱軸25隔開，尤其是布置成每一個EUV輻射可穿透區22可通過繞著對稱軸25旋轉而被轉移至與其共軛的相應EUV輻射反射區23中。對稱軸25尤其垂直于反射鏡面24。在中央區中，換句話說，在對稱軸25穿過的點的區域中，反射鏡20(換句話說，反射鏡面24)尤其是反射的。原則上，亦可設想反射鏡20設有中央通孔。反射鏡20相對于對稱軸25具有離散的至少二重旋轉對稱性(two-foldrotational symmetry) 0其尤其可具有奇數(例如三重、五重或七重)旋轉對稱性。也可以使用更多重對稱性。對奇數旋轉對稱性而言，每一個EUV輻射可穿透區22被布置為相對于對稱軸25對稱于與其共軛的相應EUV輻射反射區23。通孔22的形狀精確對應于瞳分面反射鏡18上的瞳分面19的形狀。這些通孔尤其是圓形。也可以使用卵形(oval)，尤其是橢圓形構造。有利的是，輻射可穿透區22在反射鏡20上的布置及瞳分面19在瞳分面反射鏡18上的布置被適配于彼此。輻射可穿透區22總計覆蓋反射鏡面24的最多50%、尤其是最多40%、尤其是最多30%、尤其是最多20%、尤其是最多10%。在圖4A、4B及圖5A、5B中顯示的實施例中，EUV輻射可穿透區22被布置在繞著對稱軸25的圓圈上。一般而言,輻射可穿透區22的至少一部分被布置在繞著對稱軸25的圓圈上。這些輻射可穿透區尤其被等距離地布置在圓圈上。這些輻射可穿透區亦可布置在繞著對稱軸的多個同心圓上。輻射可穿透區22尤其布置成使得它們的共同重心與對稱軸25重合。輻射可穿透區22的全體可通過外包絡35來描述。輻射可穿透區22尤其在反射鏡20上被布置成它們的外包絡35界定一個面積，該面積覆蓋總面積(換句話說，多個輻射反射區23的組合，尤其是整個反射鏡面24)的至少30%、尤其是至少40%、尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少90%。在圖4A、4B的圖解中，顯示具有三個圓形輻射可穿透區22的反射鏡20。相應地，在圖5A、5B中，顯示具有五個相應圓形輻射可穿透區22的反射鏡20。此外，為了圖解，在圖4A及5A中，顯示輻射可穿透區22及與其共軛的輻射反射區23還分別被圈起并以連續數字編號，與特定輻射可穿透區22共軛的相應輻射反射區23被標有相同的數字且在其后加上r。圈起共軛區23只是為了圖解且在實際反射鏡20上沒有結構對應性。尤其，取決于掩模母版7的結構以及與其關聯的、由此反射的輻射14的衍射級的位置，整個反射鏡面24可形成EUV輻射反射區23。與輻射可穿透區22相關聯的輻射反射區23尤其可被構造為重疊(overlapping)和/或連接。圖4A及5A中顯示的反射鏡20具有三線(three-line)或五線(five-line)旋轉對稱。輻射可穿透區22因此分別布置為相對于對稱軸25對稱于與其共軛的輻射反射區23。`在根據圖6的實施例中，反射鏡20具有三個扇區的圓形輻射可穿透區22。在根據圖7的實施例中，反射鏡20具有四個扇區的圓形輻射可穿透區。根據本發明的反射鏡20的功能示意性地顯示于圖3中。來自構造于場分面17和瞳分面19之一之間的光通道的EUV輻射14分別通過反射鏡20的相關聯的EUV輻射可穿透區22，在掩模母版7上被反射，然后照射在瞳平面26的在輻射反射區23上的區域中，該瞳平面26尤其是照明光學系統4的出瞳平面及投射光學系統9的入瞳平面，該輻射反射區23與輻射可穿透區22共軛，從輻射反射區23起，EUV輻射14還被投射光學系統9進一步反射。圖2舉例顯示諸如可用例如根據圖4A及4B的反射鏡20實現的光束路徑。舉例顯示EUV輻射14pl42及143，其分別通過反射鏡20的一個通孔22。就此方面，顯示了圖2中所示的光束路線僅是對圖平面的投影，并因此不描繪與圖平面的傾斜。因此，尤其是通過反射鏡20的光束M1不與反射回到反射鏡20上的光束143重合,而是相對于后者為偏斜。對應地，通過反射鏡20的光束143相對于反射回到反射鏡20上的光束M1為偏斜。此外，通過反射鏡20的光束142相對于反射回到反射鏡20上的光束142為偏斜。反射鏡20尤其被布置為接近投射光學系統9中的光瞳。其中適用的尤其是P(M)彡0.5，尤其是P (M)彡0.7，尤其是P (M)彡0.9。反射鏡20尤其是被布置在瞳平面26中。這確保在反射鏡20的區域中來自瞳分面反射鏡18的瞳分面19的輻射14至少大致聚焦，及因此至少掩模母版7上反射的相關聯的輻射的零衍射級照射在反射鏡20上的預定限制區域中。對例如根據圖4、5或6之一的明場構造而言，反射鏡20被構造成在掩模母版7上反射的來自于輻射可穿透區22的輻射14的至少零衍射級精確地照射在與輻射可穿透區22共軛的輻射反射區23上，且因此由投射光學系統9成像于像場10中。由于反射鏡20被布置為接近光瞳，因此可以實現照明及成像光束路徑至少局部地(尤其是完全地)在空間上彼此分離。此分離尤其對于所有場點均相同。尤其，零衍射級的光束路徑在空間上完全彼此分離的區域中行進。作為瞳平面26中的反射鏡20的布置的替代，亦可將反射鏡20布置為與瞳平面26隔開。這一般導致照明的場相依性(field dependency),換句話說,照明在整個物場中不再均勻。在此情況中，只要對于每一個場點傳輸最小數的衍射級的足夠(adequate)比率，則在此情況下，不完全成像的光瞳的這些效應可被完全校正，尤其是利用場相依和結構相依的校正方法(稱為“光學鄰近校正(optical proximity correction, 0PC) ”)。在此類型的校正方法中，利用掩模的單個案例相依的結構適配，改進其在晶片上的像。尤其，補償成像誤差(imaging error)并因此校正成像誤差。在暗場構造中，掩模母版7上反射的輻射14的零衍射級(例如在圖7中顯示的)精確地在另一輻射可穿透區22上照射在反射鏡20上并因此不被反射鏡20反射。根據本發明的光學系統27包含照明光學系統4及投射光學系統28。投射光學系統28包含具有至少一個EUV輻射可穿透區22的至少一個反射鏡，該至少一個反射鏡被布置在照明光學系統4的光束路徑中，使得EUV輻射14的至少一部分在照明光學系統中被引導通過此EUV輻射可穿透區22。換句話說，照明光學系統4中的光束路徑因此被引導為使得EUV輻射14在其被掩模母版7反射之前通過至少一個輻射可穿透區22，并且掩模母版7由投射光學系統9成像于像場10中。尤其，提供根據上述投射光學系統9構造的投射光學系統28。在使用投射曝光系統I時，提供掩模母版7及晶片12，該晶片12攜帶有用于照明光14的感光涂層。接著借助投射曝光系統1，將掩模母版7的至少一部分投射于晶片12上。因此以EUV輻射14照明掩模母版，使得EUV輻射14的主光束(CRA，主光線角)以最多6°、尤其是最多3°、尤其是最多1°、尤其是0°的入射角照射在掩模母版7上。入射角在此定義為在被用于照明掩模母版7的光束的主光束與掩模母版7的法線29之間的角度。主光束的入射角尤其小于物側數值孔徑，即CRA〈arcsin(NAO)。在將掩模母版7投射于晶片12上期間，掩模母版保持器8和/或晶片保持器13可在平行于物平面6或平行于像平面的方向中位移。掩模母版7及晶片12的位移優選可彼此同步地進行。最后，在晶片12上顯影由照明光曝光的感光涂層。以此方式制造微結構化或納米結構化組件，尤其是半導體芯片。作為在投射曝光系統中使用的替代，根據本發明的反射鏡20也可在檢查裝置(inspection device)中使用，尤其是用于檢查反射型光刻掩模或檢查經曝光的晶片基板。在此情況中，投射光學系統9的像場10是檢查裝置的檢查物場。如圖8中示意性地顯示的,根據本發明的反射鏡20也可結合Schwarzschild光學系統30 (尤其是Schwarzschild透鏡系統)一起使用。Schwarzschild透鏡系統包含主反射鏡31及輔助反射鏡32。主反射鏡31尤其為凸面。輔助反射鏡32尤其為凹面。輔助反射鏡32具有用于EUV輻射14的通孔33。根據本發明的反射鏡20可被提供為此類型系統中的折迭反射鏡(foldingmirror)。該反射鏡20尤其可被布置為照明光學系統4在投射光學系統9的光束路徑中的一部分或投射光學系統9在照明光學系統4的光束路徑中的一部分。這是可以互換的。因此，尤其可以在明場及暗場構造之間改變。此類型的系統尤其可在檢查裝置中用于檢查反射型光刻掩模或檢查經曝光的晶片基板。圖9顯示反射鏡20a的倒轉構造。反射鏡20a包含大量福射反射區23。福射反射區23在形貌上(topologically)分離。通過保持構件(holding means) 34相對于彼此保持福射反射區23。保持構件尤其以類似支柱的方式來構造。保持構件可以為線形的或拱形的，尤其是圓形的弧形。保持構件亦可以類似編結的方式來構造。保持構件34盡量薄，以使得陰影盡量少。保持構件尤其覆蓋構成反射鏡20a的總表面的最多30%、尤其是最多25%、尤其是最多20%、尤其是最多15%、尤其是最多10%、尤其是最多5%的面積。保持構件尤其可以由鋁、殷鋼、鈦、銅、陶瓷或碳纖維制成。保持構件34的尺寸尤其可設定成使得輻射反射區23相對于彼此可靠地固定。原則上,可設想單體地(monolithically)構造反射鏡20a,即，使福射反射區23在形貌上連接。在此實施例中，與不同輻射反射區23相關聯的各種輻射可穿透區22可在形貌上連接。這些輻射可穿透區23 (除了保持構件34外)尤其可形成連接的(尤其是以路徑方式(path-wise)連接而不是簡單連接的)總區域。換句話說，福射可穿透區22的總區域(除了保持構件34外)是連接的，尤其是以路徑方式連接。然而，單獨輻射可穿透區22在有限程度上且尤其是至少局部地通過保持構件34彼此分離。因此，反射鏡20a亦具有大量(尤其是至少兩個、尤其是至少三個、尤其是至少四個)輻射可穿透區22。反射鏡20a尤其是照明光學系統4的一部分。反射鏡20a可布置在投射光學系統9的光束路徑中。反射鏡20a尤其是布置在投射光學系統9的光束路徑中，使得投射光學系統9中的EUV輻射14的至少一部分被引導通過至少一個EUV輻射可穿透區22。這里，輻射反射區23在投射光學系統9中可用作遮蔽光闌(obscuration stop)。在此實施例中，輻射反射區23被布置為使得掩模母版7上由輻射反射區23反射的福射14在掩|吳母版7上反射后(換句話說，在投射光學系統9的光束路徑中)精確地落在輻射可穿透區22上。這是指在掩模母版7上反射的輻射14的預定衍射級(尤其是零衍射級)落在輻射可穿透區22上。很明顯地，輻射反射區23在反射鏡20a上也可布置為使得掩模母版7反射的輻射14的+/-第一衍射級(作為零衍射級的補充或替代)落在輻射可穿透區22上。
權利要求
1.一種用于EUV輻射(14)的反射鏡(20 ；20a) -具有反射鏡主體(21)，所述反射鏡主體(21) —具有至少一個EUV輻射反射區(23)及 —至少兩個EUV輻射可穿透區(22)； -其中所述輻射可穿透區(22)具有包絡(35)，其中所述包絡(35)界定一面積，所述面積覆蓋所述至少一個輻射反射區(23)的總體的至少30%。
2.如權利要求1所述的反射鏡(20;20a)，其特征在于:對于每一個所述EUV輻射可穿透區(22)，所述反射鏡(20 ;20a)具有共軛的EUV輻射反射區(23)，其中每一個EUV輻射可穿透區(22)可通過繞著對稱軸(25)旋轉而被轉移至與其相應共軛的EUV輻射反射區(23)中。
3.如前述權利要求中的任一項所述的反射鏡(20;20a)，其特征在于:每一個EUV輻射可穿透區(22)被布置為相對于所述對稱軸(25)對稱于與其共軛的相應EUV輻射反射區(23)。
4.如前述權利要求中的任一項所述的反射鏡(20;20a)，其特征在于:具有大量的輻射可穿透區(22)以及與其共軛的輻射反射區(23)。
5.如權利要求4所述的反射鏡，其特征在于:所述輻射可穿透區(22)的至少一部分被布置在繞著所述對稱軸(25)的圓圈上。
6.如權利要求4或5所述的反射鏡，其特征在于:所述輻射可穿透區(22)被布置為使得它們的共同重心與所述對稱軸(25)重合。
7.一種用于利用EUV輻射(14)照明物場(15)的照明光學系統(4)，其具有如前述權利要求中的任一項所述的反射鏡(20a)。
8.一種用于將物場(5)成像于像場(10)中的投射光學系統(9),其具有如權利要求1至6中的任一項所述的反射鏡(20)。
9.如權利要求8所述的投射光學系統(9)，其特征在于:所述反射鏡(20)被布置為接近光瞳。
10.一種用于EUV投射曝光系統(I)的光學系統(27)，包含: -第一光學系統(4)，用于利用EUV輻射(14)照明物場(5)， 一其中所述第一光學系統(4)具有至少一個瞳分面反射鏡(18)，及 一其中在所述第一光學系統(4)中的EUV輻射具有至少一個特定光束路線以產生特定照明設定；及 -第二光學系統(9)，用于將所述物場(5)成像于像場(10)中； -其中所述光學系統(4、9)中的至少一個包含具有至少一個EUV輻射可穿透區(22)的至少一個反射鏡(20 ;20a)，所述至少一個反射鏡(20 ;20a)布置在相應的另一光學系統(9、4)的光束路徑中，使得在此光學系統(9、4)中的EUV輻射的至少一部分被引導通過所述至少一個EUV輻射可穿透區(22)。
11.如權利要求10所述的光學系統(27)，其特征在于:所述第一光學系統是照明光學系統(4)，所述第二光學系統是投射光學系統(9)，并且所述投射光學系統(9)包含具有至少一個EUV輻射可穿透區(22)的至少一個反射鏡(20)，所述至少一個反射鏡(20)布置在所述照明光學系統(4)的光束路徑中，使得所述照明光學系統(4)中的EUV輻射(14)的至少一部分被弓I導通過所述至少一個EUV輻射可穿透區(22 )。
12.如權利要求10或11所述的光學系統(27)，其特征在于:如權利要求8或9所述的投射光學系統(9)。
13.一種EUV投射曝光系統(I)，包含: -EUV輻射源(3);及 -如權利要求10至12中的任一項所述的光學系統(27)。
14.一種制造微結構化或納米結構化組件的方法，具有以下方法步驟: -提供掩模母版(7); -提供具有感光涂層的晶片(12); -借助如權利要求13所述的投射曝光系統(11)，將所述掩模母版(7)的至少一部分投射于所述晶片(12)上； -顯影所述晶片(12)上被曝光的感光涂層。
15.一種通過如權利要求14所述的方法制造的組件。
全文摘要
一種用于EUV輻射(14)的反射鏡(20)，其包含反射鏡主體，其具有至少一個EUV輻射反射區(23)及至少兩個EUV輻射可穿透區(22)。因此，也可以較小入射角及較大物側數值孔徑形成照明和成像光束路徑的空間分離。
文檔編號G03F7/20GK103140802SQ201180047361
公開日2013年6月5日 申請日期2011年9月26日 優先權日2010年9月29日
發明者J.勞夫, H.費爾德曼 申請人:卡爾蔡司Smt有限責任公司