專利名稱：流體處理結構、光刻設備和器件制造方法
技術領域：
本發明涉及一種流體處理結構、一種光刻設備以及一種器件制造方法。
背景技術：
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單個的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括所謂的步進機，在步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。已經提出將光刻投影設備中的襯底浸入到具有相對高折射率的液體(例如水) 中，以便充滿投影系統的最終元件和襯底之間的空間。在一實施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本發明的實施例將參考液體進行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣折射率高的折射率的流體，期望是具有比水的折射率高的折射率。除氣體以外的流體是尤其希望的。這樣能夠實現更小特征的成像，因為在液體中曝光輻射將會具有更短的波長。(液體的影響也可以被看成提高系統的有效數值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達IOnm的顆粒)的液體。這種懸浮的顆粒可以具有或不具有與它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底與襯底臺浸入液體浴器(參見例如美國專利No. US4, 509，852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機，而液體中的湍流可能會導致不希望的或不能預期的效果。在浸沒設備中，浸沒液體通過流體處理系統、裝置、結構或設備處理。在一個實施例中，流體處理系統可以供給浸沒流體并且因此是流體供給系統。在一個實施例中，流體處理系統可以至少部分地限制浸沒流體并因此是流體限制系統。在一個實施例中，流體處理系統可以提供阻擋件給浸沒流體，因此是阻擋構件，例如流體限制結構。在一個實施例中， 流體處理系統可以形成或使用氣流，例如以幫助控制浸沒流體的流動和/或位置。氣流可以形成密封以限制浸沒流體，因此流體處理結構可以稱為密封構件；這種密封構件可以是流體限制結構。在一個實施例中，浸沒液體被用作浸沒流體。在這種情況下，流體處理系統可以是液體處理系統。參照前述的說明書，在本段中提到的相對于流體限定的特征可以理解為包括相對于液體限定的特征。
發明內容
期望地，例如提供一種流體處理系統，其將液體保持在投影系統的最終元件和襯底之間的空間內。根據本發明的一方面，提供一種流體處理結構，配置成供給浸沒液體至限定在投影系統和面對流體處理結構的正對表面之間的空間，其中流體處理結構的下表面具有供給開口，配置成朝向正對表面供給流體；多個抽取開口，配置成從流體處理結構和正對表面之間移除流體；和突起，位于供給開口和抽取開口之間。根據本發明的一方面，提供一種流體處理結構，配置成供給浸沒液體至限定在投影系統和面對流體處理系統的正對表面之間的空間，其中流體處理系統的下表面具有供給開口，配置成朝向正對表面供給流體；和突起，位于供給開口的相對于投影系統的光軸的徑向向內的位置處。根據本發明的一方面，提供一種流體處理結構，配置成供給浸沒液體至限定在投影系統和面對流體處理系統的正對表面之間的空間，其中形成在流體處理結構的下表面中的是用以朝向正對表面供給浸沒液體的一個或多個供給開口 ；和位于所述下表面的表面上的臺階，其相對于所述下表面的幾何中心位于所述一個或多個供給開口的徑向向外的位置處，所述臺階配置成減小浸沒液體離開所述空間的徑向向外的流動。根據本發明的一方面，提供一種浸沒光刻設備，包括投影系統，用以將輻射束投影到由襯底臺支撐的襯底上；和如這里公開的流體處理結構，其中正對表面是襯底的表面和/或襯底臺的表面。根據本發明的一方面，提供一種器件制造方法，包括在投影系統的最終元件和襯底之間提供流體；其中在投影系統的最終元件和襯底之間提供流體的步驟包括朝向襯底通過位于流體處理結構的下表面中的供給開口供給液體和通過位于流體處理結構的下表面中的抽取開口從流體處理結構和襯底和/或襯底臺之間移除流體，其中突起設置在供給開口和抽取開口之間的下表面上。
現在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發明的實施例，其中，在附圖中相應的附圖標記表示相應的部件，且其中圖1示出了根據本發明一個實施例的光刻設備；圖2和3示出用于光刻投影設備中的液體供給系統；圖4示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統；圖5示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統；圖6示出流體處理結構的平面示意圖；圖7示出流體處理結構在基本上平行于投影系統光軸的平面內的橫截面；圖8示出y軸上靜態力(左邊曲線)和剛性(右邊曲線)隨在χ軸上的流體處理結構離開正對表面的距離變化的曲線。圖9示出流體處理結構的下表面的平面圖10示出壓力隨流體處理結構下面徑向距離的變化；圖11示出壓力隨流體處理結構下面徑向距離的變化；圖12和13示出對于本發明的一個實施例的各種不同結構的、力和剛性分別隨流體處理結構的下表面離襯底的距離變化；圖14示出根據本發明的一個實施例的流體處理結構的下表面的平面示意圖；圖15示出根據本發明的一個實施例的流體處理結構的下表面的平面示意圖；圖16示出根據本發明的一個實施例的流體處理結構的下表面的平面示意圖；圖17示出根據本發明的一個實施例的流體處理結構的下表面的平面示意圖；圖18示出圖17中的流體處理結構的橫截面示意圖；和圖19示出y軸上的從空間11到液體限制結構12和正對表面之間的間隙的流量隨沿X軸上的從開口 70流出的液體流量的變化。
具體實施例方式圖1示意地示出了根據本發明的一個實施例的光刻設備。所述光刻設備包括-照射系統(照射器)IL，其配置用于調節輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；-支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與用于根據確定的參數精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；_襯底臺(例如晶片臺)WT，其構造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W， 并與配置用于根據確定的參數精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(例如折射式投影透鏡系統)PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統IL可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。所述支撐結構MT保持圖案形成裝置MA。支撐結構MT以依賴于圖案形成裝置MA 的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以是框架或臺，例如，其可以根據需要成為固定的或可移動的。所述支撐結構MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對于投影系統PS)。在這里任何使用的術語“掩模版”或“掩模”都可以認為與更上位的術語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術語“投影系統”應該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統，投影系統的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或對于諸如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術語“投影系統”同義。如這里所示的，所述設備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多臺(其中所述臺的至少一個或全部可以保持襯底)(和/或兩個或更多的圖案形成裝置臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。一個實施例可以具有兩個或更多個臺，其中一個配置成支撐襯底。所述臺的另一個可以支撐一個或多個傳感器，例如以便感測投影束的性質。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發出的輻射束。該源SO和所述光刻設備可以是分立的主體(例如當該源SO為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO 看成形成光刻設備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO 可以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源SO是汞燈時)。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時設置的所述束傳遞系統BD —起稱作輻射系統。所述照射器IL可以包括用于調整所述輻射束的角強度分布的調整器AD。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內部徑向范圍(一般分別稱為σ -外部和σ -內部)進行調整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器IL用于調節所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。與源SO類似，照射器IL可以看作或不被看作形成光刻設備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設備的組成部分或可以是與光刻設備分開的主體。 在后一種情形中，光刻設備可以配置成允許照射器IL安裝其上。可選地，照射器IL是可分離的并且可以單獨地設置(例如，由光刻設備制造商或其他供應商提供)。所述輻射束B入射到保持在支撐結構(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經穿過圖案形成裝置MA 之后，所述輻射束B通過投影系統PS，所述投影系統將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分 C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現支撐結構MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，支撐結構MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的。可以使用圖案形成裝置對準標記M1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記占據了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分C之間的空間(這些公知為劃線對齊標記)中。類似地，在將多于一個的管芯設置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準標記可以位于所述管芯之間。可以將所示的設備用于以下模式中的至少一種中1.在步進模式中，在將支撐結構MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束B的整個圖案一次投影到目標部分C上(S卩，單一的靜態曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態曝光中成像的所述目標部分C的尺等。2.在掃描模式中，在對支撐結構MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標部分C上(即，單一的動態曝光)。襯底臺WT相對于支撐結構MT的速度和方向可以通過所述投影系統PS的(縮小)放大率和圖像反轉特征來確定。 在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態曝光中所述目標部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結構MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續輻射脈沖之間，根據需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列) 的無掩模光刻術中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用模式。用于在投影系統PS的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成兩種一般類型。它們是浴器類型布置和所謂的局部浸沒系統。在浴器類型布置中，基本上整個襯底W 和可選地襯底臺WT的一部分浸入到液體浴器中。所謂的局部浸沒系統使用液體供給系統， 其將液體僅提供到襯底的局部區域。在后一種類型中，由液體填滿的空間在平面圖中小于襯底的頂部表面，并且由液體充滿的區域相對于投影系統PS基本上保持靜止的同時，襯底在該區域下面移動。本發明的一個實施例涉及的另一種布置是全浸濕方案，其中液體是非限制的。在這種布置中，基本上襯底的整個頂表面和襯底臺的全部或部分被浸沒液體覆蓋。 至少覆蓋襯底的液體的深度是小的。液體可以是膜，例如在襯底上的液體薄膜。圖2-5中的液體供給裝置的任一種可以用于這種系統中；然而，密封特征可以不存在、沒有起作用、 不如正常狀態有效，或者以其它方式不能有效地僅將液體密封在局部區域。圖2-5中示出了四種不同類型的液體局部供給系統。提出來的一種布置是液體供給系統，用以通過使用液體限制系統將液體僅提供到襯底的局部區域并且在投影系統的最終元件和襯底之間(通常襯底具有比投影系統的最終元件更大的表面積)。提出來的一種用于設置上述解決方案的方法在公開號為 W099/49504的PCT專利申請出版物中公開了。如圖2和3所示，液體通過至少一個入口， 優選沿著襯底相對于最終元件的移動方向，供給到襯底上，并且在已經通過投影系統下面之后通過至少一個出口去除。也就是說，當襯底在所述元件下沿著-χ方向掃描時，液體在元件的+X —側供給并且在-X —側去除。圖2示意地示出所述布置，其中液體通過入口供給，并在元件的另一側通過與低壓源相連的出口去除。襯底W上面的箭頭表示液體流動的方向，襯底W下面的箭頭表示襯底臺的移動方向。在圖2中，雖然液體沿著襯底W相對于最終元件的移動方向供給，但這并不是必須的。可以在最終元件周圍設置各種方向和數目的入口和出口，圖3示出一個示例，其中在最終元件的周圍在每側上以規則的方式設置了四組入口和出口。液體供給和液體回收裝置中的箭頭表示液體的流動方向。在圖4中示出了另一個具有液體局部供給系統的浸沒光刻方案。液體由位于投影系統PS每一側上的兩個槽狀入口供給，并由布置在入口的徑向向外位置處的多個離散的出口去除。所述入口和出口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，輻射束通過該孔投影。 液體由位于投影系統PS的一側上的一個槽狀入口提供，而由位于投影系統PS的另一側上的多個離散的出口去除，由此造成投影系統PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可以依賴于襯底W的移動方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。 在圖4中的橫截面中，箭頭表示液體流入入口和流出出口的方向。在歐洲專利申請公開出版物EP1420300和美國專利申請公開出版物 US2004-0136494中(通過引用將兩個文件全文并入本文中)，公開了一種成對的或雙臺浸沒式光刻設備的方案。這種設備設置有兩個臺用以支撐襯底。調平(levelling)測量在沒有浸沒液體的工作臺的第一位置處進行，曝光在存在浸沒液體的工作臺的第二位置處進行。在一種布置中，設備僅具有一個臺，或具有兩個臺，其中僅一個臺支撐襯底。在一個實施例中，設備具有多于兩個臺，一個臺配置成不支撐襯底。PCT專利申請公開出版物WO 2005/064405公開了一種全浸濕布置，其中浸沒液體是不受限制的。在這種系統中，襯底的整個頂部表面覆蓋在液體中。這可以是有利的，因為襯底的整個頂部表面在基本上相同的條件下進行曝光。這對于襯底的溫度控制和處理是有利的。在W02005/064405中，液體供給系統提供液體到投影系統的最終元件和襯底之間的間隙。液體被允許泄露(或流)到襯底的其他部分。襯底臺的邊緣處的阻擋件防止液體溢出，使得液體可以從襯底臺的頂部表面上以受控制的方式去除。雖然這樣的系統改善了襯底的溫度控制和處理，但仍然可能發生浸沒液體的蒸發。幫助緩解這個問題的一種方法在美國專利申請公開出版物No. US 2006/0119809中有記載。設置一種構件覆蓋襯底W的所有位置，并且布置成使浸沒液體在所述構件和襯底和/或保持襯底的襯底臺的頂部表面之間延伸。已經提出的其他布置是提供具有流體處理結構的液體供給系統。流體處理結構可以沿投影系統的最終元件和襯底臺之間的空間的邊界的至少一部分延伸。這種布置在圖5 中示出。雖然在Z方向上(光軸的方向)可以存在一定的相對移動，但是流體處理結構相對于投影系統在XY平面內是基本上靜止的。在流體處理結構和襯底的表面之間形成密封。 在一個實施例中，在流體處理結構和襯底表面之間形成密封，并且密封可以是非接觸密封， 例如氣體密封。在美國專利申請出版物第US 2004-0207824號中公開了這種系統。在另一實施例中，流體處理結構具有是非氣體密封的密封，并且可以稱為液體限制結構。圖5示意地示出了具有形成阻擋構件或液體限制結構的主體12的液體局部供給系統或流體處理結構或裝置，所述主體12沿投影系統PS的最終元件和襯底臺WT或襯底W 之間的空間11的邊界的至少一部分延伸。(要說明的是，在下文中提到的襯底W的表面如果沒有特別地規定，也附加地或可選地表示襯底臺WT的表面。)襯底(和襯底臺的共面的表面)可以本身作為面對流體處理結構的下側的正對表面。雖然在Z方向上(例如在光軸的方向上)可以存在一定的相對移動，但是液體處理結構相對于投影系統PS在XY平面內是基本上靜止的。在一實施例中，密封被形成在主體12和襯底W的表面之間，并且可以是非接觸密封，例如氣體密封或者流體密封。流體處理結構至少部分地將液體限制在投影系統PS的最終元件和襯底W之間的空間11中。到襯底W的非接觸密封，例如氣體密封16，可以形成在投影系統PS的像場周圍，使得液體被限制在襯底W表面和投影系統PS的最終元件之間的空間11內部。該空間 11至少部分地由位于投影系統PS的最終元件的下面和周圍的主體12形成。液體通過液體入口 13被引入到投影系統PS下面和主體12內的所述空間11中。液體可以通過液體出口 13被去除。所述主體12可以在投影系統PS的最終元件上面一點延伸。液面高于最終元件，使得能提供液體的緩沖器。在一個實施例中，所述主體12的內周的上端處的形狀與投影系統PS的形狀或投影系統的最終元件的形狀一致，例如可以是圓形。在底部，內周與像場的形狀比較一致，例如矩形，雖然并不是必須的。內周可以是任何形狀，例如內周可以與投影系統的最終元件的形狀一致。內周可以是圓形的。在使用時形成在主體12的底部和襯底W的表面之間的氣體密封16將液體限制在空間11中。氣體密封16由氣體，例如空氣或合成空氣形成，但是在一個實施例中，由N2或其他惰性氣體形成。該氣體密封16中的氣體在壓力下通過入口 15提供到主體12和襯底 W之間的間隙。該氣體通過出口 14抽取。氣體入口 15處的過壓、出口 14處的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得形成向內的限制液體的高速氣流。氣體作用在主體12和襯底W 之間的液體上的力將液體限制在空間11內。入口 /出口可以是圍繞空間11的環形槽。環形槽可以是連續的或非連續的。氣流有效地將液體限制在空間11中。這種系統在美國專利申請出版物第US2004-0207824中公開。圖5中的示例是所謂的局部區域布置，其中在任何一次液體僅被提供至襯底W的頂面的局部區域。其他的布置也是可以的，包括使用單相抽取器或兩相抽取器(例如如上所述的在美國專利申請出版物第US2006-0038968號中公開)的流體處理結構。在一個實施例中，單相或兩相抽取器可以包括被多孔材料覆蓋的入口。在單相抽取器的實施例中，使用多孔材料以將液體和氣體分開以允許單液相液體抽取。多孔材料下游的腔保持輕微的負壓，并充滿液體。腔內的負壓使得形成在多孔材料的孔內的彎液面阻止周圍氣體被抽入腔中。然而，當多孔表面與液體接觸時，不存在彎液面限制流動并且液體可以自由地流入所述腔中。多孔材料具有大量的小孔，例如直徑在5到300μπι，期望5到50μπι的范圍。在一個實施例中，多孔材料是至少輕微親液(例如親水)，即具有到浸沒液體(例如水)的至少 90°的接觸角。圖6示出本發明的一個實施例的彎液面釘扎裝置，其可以例如替換圖5中的密封裝置14、15、16。圖6中的彎液面釘扎裝置包括多個離散的(抽取)開口 50。每個開口 50 被示出為圓形，但是這不是必須的。實際上，一個或多個開口 50的形狀可以是選自正方形、 圓形、直線形、長方形、橢圓形、三角形、例如狹縫等細長形狀等中的一個或多個。每個開口 50在平面上具有大的最大橫截面尺寸，例如直徑，可能具有大約0. 35mm(例如0. 25mm見方)的最大尺寸或大于0.5mm的最大尺寸，期望大于1mm。因此，開口 50不容易受到污染的影響。圖6中的彎液面釘扎裝置的開口 50中的每一個開口可以連接至分立的負壓源。 替換地或附加地，每個或多個開口 50可以連接至本身保持為負壓的公共腔(其可以是環形的)。以此方式，可以實現在每個或多個開口 50處均勻的負壓。開口 50可以連接至真空源和/或圍繞液體供給系統的大氣的壓力可以增大以產生想要的負壓。每個開口 50設計成抽取例如兩相流動中的液體和氣體的混合物。從空間11抽取液體，而從開口 50的另一側上的大氣抽取氣體到液體。這形成如箭頭100所示的氣流。該氣流有效地將開口 50之間的彎液面90釘扎在大致適當的位置上，如圖6所示，例如在相鄰開口 50之間。通過氣流誘發的壓力梯度和/或通過氣流作用在液體上的拖曳(剪切)，氣流有助于保持由動量阻塞限制的液體。如圖6所示，開口 50定位成以便形成在平面上看時為多邊形的形狀。在圖6的情形中，是主軸110、120與投影系統PS下面的襯底W的主行進方向對齊的菱形形狀。這有助于確保最大掃描速度比開口 50布置成圓形形狀的情形快。這是因為作用在兩個開口 50之間的彎液面上的力被減小cos θ倍，其中θ是連接兩個開口 50的線相對于襯底W移動的方向的角度。因此，可以通過使得開口的形狀的主軸線110與襯底W的主行進方向(通常是掃描方向)對齊并使得第二軸線120與襯底的另一主行進方向對齊(通常是步進方向) 而優化生產量。應該認識到，θ不等于90°的任何布置是有利的。因此，主軸線與主行進方向精確對齊不重要。還應該認識到，如果形狀是環形，則總是存在兩個開口 50，其與行進方向垂直對齊使得這兩個出口之間的彎液面接收由于襯底W的移動帶來的最大可用的力。 通過上文，可以看到，即使使用邊與襯底的主行進方向以大約45°對齊的正方形形狀也是極為有利的。然而，本發明的實施例可以應用至通過開口 50在平面上形成的任何形狀，例如圓形。開口的徑向向外處可以是氣刀開口，通過氣刀開口可以在操作期間供應氣流。這種布置在圖15中示出，并在2009年5月25日遞交的美國專利申請出版物第US 61/181，158 號中描述，這里通過參考全文并入。圖7是沿圖6中示出的線VII-VII的通過流體處理結構的橫截面。在圖7中，箭頭100表示氣體從流體處理結構12外側流入與開口 50相關的通路55中。箭頭150示出液體從流體處理結構12的下面進入開口 50，流體處理結構12可以來自空間11或下文中描述的開口 70。通路55和開口 50設計成使得期望地以環形流動模式發生兩相抽取(即氣相和液相)。在環形流動模式中，氣體基本上流動通過通路55的中心，液體基本上沿通路55 的壁流動。這導致具有低脈沖產生的平滑流動，由此最小化或減小可能發生的振動。彎液面90被開口 50 (例如開口 50的邊緣的一部分)、用進入開口 50的氣流誘發的拖曳力釘扎。在一個實施例中，大于大約15m/s、期望大于20m/s的氣體拖曳速度是足夠的。在一個實施例中，沒有氣刀。通過避免使用氣刀，可以減少從襯底W的液體蒸發量，由此減少液體噴濺以及熱膨脹/收縮效應。多個離散的可以是針形的通道55 (例如，大約40個，例如36個)，每一個具有Imm 的直徑并分開2到5mm范圍內(例如3. 9mm)的距離，這些通道可以有效地釘扎彎液面。在這種系統中的總的氣流是100升/分鐘的量級。開口 50和流體處理結構12的更多的細節可以在美國專利申請出版物第US2008/0212046號中找到，這里通過參考全文并入。下表面40中形成的是用以流出來自流體處理結構12的流體(例如，液體，例如浸沒液體)的一個或多個供給開口 70。供給開口 70可以被考慮用作流入(或用于供給)液體到空間11中。供給開口 70相對于投影系統PS的光軸在抽取開口 50的徑向向內位置處。 供給和抽取開口 50、70可以通過表面51分開。通過通道75并流出流體處理結構12的開口 70的液體被引導朝向襯底W。提供供給開口 70以便減小在浸沒液體中生成氣泡(例如包含在浸沒液體中)的機會。氣體會被捕獲或包含在襯底W的邊緣和襯底臺WT之間的間隙內。在流體處理結構12的下表面的前部，流體處理結構可以相對于襯底W的正對表面足夠快地移動，使得液體不能夠從空間11流到開口 50。下表面形成在其徑向最外側邊緣處的外邊緣或凸緣45和其徑向最內側邊緣處的內邊緣之間。流體處理結構12的下表面的、 在下表面40的內邊緣20和開口 50之間的部分可以變得不浸濕。下表面40的在開口 50 的徑向向內位置處的不浸濕部分影響開口 50的彎液面釘扎的有效性。由此供給液體通過 (期望在開口 50的附近的)供給開口 70減小了氣泡包含和不浸濕的風險。供給開口 70的幾何形狀對流體處理結構12在限制液體方面的有效性具有影響。具體地，期望多個供給開口 70沿下表面具有在平面上，例如圍繞空間，是有角的形狀，類似開口 50在平面上的形狀(要注意的是，在一個實施例中僅存在一個供給開口 70)。實際上，供給開口 70和開口 50的有角的形狀期望是基本上類似的。在一個實施例中，每個形狀在每個角部52的頂點具有供給開口 70或開口 50。期望地，供給開口 70在開口 50的IOmm范圍內，期望開口 50的5mm范圍內。開口 50形成的形狀的所有部分可以在供給開口 70形成的形狀的一部分的IOmm內。有關抽取開口 50和供給開口 70的更多的內容可以在美國專利申請出版物第US 2009/0279060號中找到，這里通過參考全文并入。在抽取開口 50和襯底W、襯底臺WT或兩者的一部分的正對表面之間產生負壓。下表面40越靠近正對表面，氣流100越強，由此能越好地將彎液面90釘扎在位置上。抽取開口 50和襯底W或襯底臺WT之間的負壓越大，氣流100越強，由此彎液面90的位置越穩定。 開口 50和正對表面W、WT之間的負壓導致流體處理結構12朝向正對表面W、WT的吸引力。液體從供給開口 70流出導致正對表面W、WT和流體處理結構12之間的排斥力。對于流體處理結構12和襯底W和/或襯底臺WT之間的正常間距，總的力(來自抽取開口 50的吸引力、來自供給開口 70的排斥力以及重力之和)是吸引力。流體處理結構12 (例如沿可以是投影系統PS的光軸方向的Z方向或Z軸線和/或基本上垂直于襯底表面的方向)的剛性表示力水平如何隨著流體處理結構12和襯底W和/或襯底臺WT之間的距離改變而改變。在一個實施例中，剛性是作用在y軸線上的總的力對于流體處理結構 12的下表面40和襯底W和/或襯底臺WT之間沿χ軸線的距離的導數。在一個實施例中， χ和y軸線可以在平行于流體處理結構的下表面的平面內。X和y軸線可以位于平行于襯底表面的平面內。如果流體處理結構12的剛性在通常的離開襯底W和/或襯底臺WT的操作間距的條件下太高，會導致聚焦誤差。會導致聚焦誤差，因為流體處理結構12在襯底W和/或襯底臺WT之上的高度通常存在位置誤差。任何偏離想要的高度的變化導致力相對于名義值(以及校準值)的差值或差異。力的差異導致襯底W離開預期位置的位移，并由此導致聚焦誤差。本發明不限于任何具體類型的液體供給系統。本發明對于使用液體被限制在投影系統的最終元件和襯底之間的限制浸沒系統是有利的，例如在優化使用方面。然而，本發明可以與在這里提到的任何其他類型的液體供給系統一起使用。如圖7看到的，抽取開口 50和供給開口 70形成在下表面40的第一部分210中。 第一部分210的平的區域可以對流體處理結構12的剛性產生極大的影響。通過在流體處理結構12的下表面40上形成第二部分220可以減小第一部分210 的平的區域。與第一部分210對比，在使用時第二部分220離開襯底W和/或襯底臺WT不同距離。第二部分220位于與第一部分210不同的平面內。為了獲得離開在第一和第二部分210、220之間的正對表面W、WT的不同距離，流體處理結構12的下表面40不是平面并且可能不是平的。在一個實施例中，流體處理結構12的下表面40的至少一部分與襯底W和 /或襯底臺WT的頂表面形成角度。在一個實施例中，第二部分220在第一部分210的徑向向內位置處。第二部分220 可以在下表面40的內邊緣20和第一部分210之間延伸。在圖7中，第一部分210沿Z軸線離開第二部分220的距離用DO表示。第一部分 210離開襯底W和/或襯底臺WT的距離用尺寸Dl表示。第二部分220離開襯底W和/或襯底臺WT的距離如圖所示用D2表示。Dl和D2之間的差值為DO。在一個實施例中，尺寸 D2大于D1。期望地，尺寸D2是尺寸Dl的至少兩倍、更期望為至少三倍或四倍。因而尺寸 D0至少與Dl相等，期望是Dl的兩倍大或更期望是Dl的三倍大。在使用時，尺寸Dl可以在100-300微米的范圍內，期望在130-230微米范圍內。在圖7的實施例中，高度80的階梯變化存在于第一部分210和第二部分220之間。階梯變化在下表面40內形成臺階邊緣 81，如圖6所示。臺階可以描述成下表面內的不連續的改變。在一個實施例中，第一和第二部分 210、220之間的臺階的表面可以相對于第一和第二部分中的一個或兩個成一角度。臺階邊緣81的表面可以是平的。在一個實施例中，第一和第二部分210、220之間的臺階邊緣81 的表面可以垂直于第一和第二部分的表面中的一個或兩個。在下表面40內可以存在相對于第一和第二部分210、220之間的Z軸線的兩個不連續的角度改變例如在第一部分210 和臺階邊緣81的表面之間；以及在臺階邊緣81的表面和第二部分220之間。然而，這并不是必須的。在一個實施例中，臺階邊緣81可以采取在臺階邊緣81和第一與第二部分210、220 中的至少一個之間不具有不連續角度改變的平滑表面的形式。在一個實施例中，臺階邊緣 81可以在第一與第二部分210、220之間形成平滑的連續表面。流體處理結構12可以根據氣體拖曳原理操作。在流體處理結構12的開口 50下面具有負壓，這可以帶來朝向襯底W的吸引力。雖然供給開口 70帶來排斥力，但是對于操作(例如正常)程高(flight height)(例如下表面40在襯底W之上的距離)朝向襯底W 的總的力是吸引力。剛性表示對于程高差值，力的大小如何改變。這在圖8中解釋。太高的力水平或太高的剛性會導致聚焦誤差。為了改變下表面40和正對表面WT、 W之間的最大相對速度(例如掃描速度)，可以改變不同的參數。這種參數可以包括通過開口 50的抽取流量、下表面40和正對表面之間的距離(即，程高)、氣體阻尼長度Ll (抽取開口 50的徑向向外位置處的下表面40到外邊緣45的長度)，如圖9所示。(液體阻尼長度L2也在圖9中示出)。為了增大最大掃描速度，可以優化這些參數中的一個或多個。例如，通過開口 50的抽取流量應該盡可能高。程高應該盡可能低。氣體阻尼長度Ll應該盡可能得大。不幸的是，上面提起的三個因素中的每一個均可能提高力水平和剛性。對于流體處理結構12的一個實施例，力和剛性水平僅在特定規格范圍內。因此，最大掃描速度受到最大允許力水平和剛性的限制。靜態力可以使用增大的供給開口 70流量來減小。增大通過供給開口 70的流量是不想要的，因為這帶來昂貴的供給和抽取系統。增大的液體流量會引起額外的作用到襯底 W上的干擾力。增大的通過供給開口 70的液體流量會引起浸沒流體泄露進入空間11，因此影響空間內液體的熱穩定性和調節。本發明的一個實施例解決一個實質性問題，用于大體上進一步發展和推進光刻技術與液體限制結構12相關的靜態力和液體限制結構12的剛性。突起(或凸緣)500設置在下表面40上，例如在供給開口 70和抽取開口 50之間。 突起可以減小氣體拖曳流體處理結構12的剛性和靜態力，以允許增大掃描速度，如圖10所示。在一個實施例中，箭頭78表示例如沿平行于掃描方向的方向的跨經空間11的浸沒液體的體積流。圖10是這種布置與沿y軸線的壓力曲線的非常示意的概念圖。曲線上的點示出具有突起500的流體處理結構12的使用期間的壓力。曲線上的實線表示在供給開口 70和抽取開口 50之間沒有額外突起500的情況下的流體處理結構12的使用期間的壓力。力是相同的，但是供給開口 70的流量在具有突起500的情況下要低得多。圖10中示出的實施例在抽取開口 50和襯底W之間使用180 μ m的間隙。這里突起500高40 μ m，寬2. 5mm,但是這僅是一個示例。在一個實施例中，突起距離正對表面小于250 μ m。在一個實施例中，突起距離正對表面在50到200 μ m之間，更期望地距離正對表面在100到150 μ m之間。在一個實施例中，供給開口 70和/或抽取開口 50距離所述表面(即距離Dl)是大于100 μ m,期望距離所述表面在100到250 μ m之間，例如大于200 μ m。在一個實施例中， 供給開口 70和/或抽取開口 50距離所述表面在150到200 μ m之間。在一個實施例中，突起從下表面突起至少10 μ m。在一個實施例中，突起從下表面突起10到75 μ m之間，更期望在25到50 μ m之間。圖11示出與圖10相同的示意圖，除了此處正對表面W、WT和抽取開口 50之間間隙為120μπι。這里，力的大小的差異更加明確，例如顯著。然而，這種操作布置的主要優點在于，在流出供給開口 70的液體流量小于一半的條件下達到相同的(或稍微更好的)性能。對于具有突起500的情形不存在力的改變或力的改變非常小(供給開口 70徑向向內的位置處)說明不存在沿徑向從下表面下面的空間11流出的液體流或其流量非常低。從下表面40下面的空間11流出的徑向流動是期望的，因為體積流78和下表面40下面的液體流動(間隙流動)是分開的。力和剛性隨離開襯底W的距離Dl變化的值分別在圖12和13中示出。點線[· · ·] 表示對于流體處理結構12 (或液體限制結構)的平面(例如平的)下表面的力和剛性(力的導數)值。實線[_]表示僅增加小的突起(例如高30 μ m，寬2mm)的影響。力小很多。 剛性低很多。兩組值都是在2. 0[lpm]供給開口流量的情況下。每組值都是測量值。虛線 [―]是較低的供給開口 70流量(1.5[lpm])情況，具有交替的點和虛線的線[_._._.]是非常低的供給開口 70流量(1.0[lpm])的情況。突起500甚至在低的供給開口 70流量的條件下有助于減小力和剛性。突起500有助于控制浸沒液體從空間11朝向抽取開口 50泄露。這可以是靜態力和剛性會減小之外的附加效果。尤其地，與2009年6月9日遞交的美國專利申請第US 61/185，361號的短的液體阻尼結合，對于用于控制從空間11泄露的突起500，這是尤其有用的，該專利這里通過參考并入。在沒有突起500的情況下，太多的浸沒液體將從空間11 朝向抽取開口 50泄露。如果太多的液體朝向抽取開口 50泄露，會導致在流體處理結構12 的頂表面和投影系統PS之間產生不穩定的彎液面(漂浮的氣泡)。會引起由于抽取開口 50中的浸沒液體體積增大帶來的較高的擾動力。在圖14和15中可以看到兩個凸緣或突起500的實施例。在圖14的實施例中，凸緣500圍繞下表面的外周是連續的，例如凸緣是圍繞供給開口 70的閉合結構。在圖15的實施例中，在流體處理結構12在平面上的形狀的至少一個角部處不存在凸緣500。凸緣可以具有兩種或多種構成，例如，其可以在流體處理結構的形狀的角部處中斷。中斷的凸緣500 有助于允許更多的液體到達角部狹縫50 (改善穩定性)。例如，中斷的凸緣500有助于在不顯著地削弱凸緣的其他優點的情況下阻止角部狹縫的未浸濕。圖16是本發明的一個實施例的流體處理結構12的下側的平面示意圖。圖16的流體處理結構12與上面描述的相同，除了下面描述的。在圖16的實施例中，氣刀60設置在抽取開口 50的徑向向外的位置處。氣刀60可以設置為一個或多個狹縫，其可以基本上平行于連接開口 50的線。為了減小或最小化由液體限制結構12產生的擾動力，設置具有開放的凸緣的短液體阻尼L2(見圖9)。因此，造成擾動力傳遞的液體限制結構的總的面積被期望地減小或最小化。在一個實施例中，可以設置一系列的離散的孔代替沿所述形狀的邊的狹縫。在使用時，一個或多個狹縫連接至過壓并形成圍繞由開口 50形成的彎液面釘扎系統的氣刀60。 在2009年9月3日遞交的美國專利申請第US61/239，555號中描述了這種氣刀的功能。氣刀60期望足夠靠近開口 50，以跨經氣刀與開口之間的容積形成壓力梯度。期望在其之間不存在靜止或滯留區域。液體的層或液滴期望不積聚在其之間。在一個實施例中，流體處理結構12的連續的下表面40形成幫助形成壓力梯度的阻尼。下表面期望基本上平行于襯底或襯底臺的相對的表面。在一個實施例中，阻尼的存在允許開口 50以與可以是例如正方形的氣刀不同的形狀布置，例如星形。由于具有開放的凸緣的短的液體阻尼L2，從空間11泄露至液體限制結構12的底側的浸沒液體增多。這可能引起兩個問題(1)在投影系統PS下面較少浸沒液體流動跨經空間11。這導致空間11的浸沒液體更新速率減小，從而會降低成像性能；和/或(2)流體處理結構12和投影系統PS之間的浸沒液體的彎液面變得不穩定。這導致空間11內包含氣泡。這些氣泡然后與浸沒液體一起在投影系統PS下面輸運并成像到襯底上，這會在襯底 W上帶來缺陷。為了減小浸沒液體從空間11泄露至流體處理結構12的下表面和正對表面W、WT之間，可以增加小的限制裝置1000。這種限制裝置可以在空間11和流體處理結構12下面的液體之間限制液體流動，如圖17所示。圖17與上面的實施方式相同，除了下面介紹的。期望地，限制裝置1000在徑向方向上被保持足夠短，例如0. 5_2mm。然而，由于制造和強度約束，限制裝置1000適于為至少0.4mm長。如圖18所示，在限制裝置1000的底部和正對表面W、WT之間的距離可以基本上等于液體限制結構12的限定開口 50、70的下表面(例如第一部分210的表面)和正對表面W、WT之間的距離(即，距離D1)。例如，限制裝置1000和正對表面W、WT之間的距離可以大于100 μ m,期望在100到250 μ m之間，更期望在150到200 μ m之間。這種限制裝置1000的總的面積期望小。不預期限制裝置1000的面積明顯地增大液體限制結構12的擾動力。限制裝置1000可以全部圍繞空間11和/或如果需要，可以是分段的。圖17示出具有短液體阻尼L2和凸緣1000的流體處理結構12的底側。圖18是具有短液體阻尼L2和限制裝置1000的流體處理結構12的橫截面。限制裝置1000可以形成在第二部分220上。在沿徑向較內側的第二部分220處的布置可以看作在流體限制結構 12的下表面(在其他情況下可以是平面)內限制凹陷1050。在一個實施例中，流體處理結構12的形成有限制裝置1000、開口 50、開口 70以及突起500的下表面處于一個平面內。在上述實施例的任一個中，在流體處理結構12上可以有限制裝置1000，但是沒有突起500。圖19是示出圖16和17中具有和不具有限制裝置1000的流體處理結構12的實驗結果的曲線。Y軸上描述的是流入空間11的流動78和從空間11流入開口 50的流動之間的流量差值，即通過開口 50的總的流量小于離開空間11的流量。Y軸表示的值是從空間11 流到開口 50的液體的量的測量值。X軸描述的是從開口 70流出的流量。這些結果是在正對表面和開口 50、70之間的距離Dl為180μπι的條件下測定的。具有圓圈的結果表示沒有限制裝置1000時的結果。具有三角形的結果表示在相同設置的情況下具有限制裝置1000 時的結果。使用lOOL/min的從開口 50流出的流出流量。在液體限制結構12和投影系統之間確定穩定的彎液面處的結果填充用以表示可以探測或確定存在穩定彎液面的形狀。如圖所示，彎液面在低的泄露流量條件下是穩定的。如果使用限制裝置1000，甚至在更低的流出開口 70的流體流速的條件下實現穩定的彎液面。流出開口 70的較低的流量是期望的， 因為需要提供較低的流量。正如上面認識到的，上述特征中的任一個可以與其他任意特征一起使用，并且不僅是那些被本申請覆蓋的明確地被描述的組合。雖然在本文中詳述了光刻設備用在制造ICs (集成電路)，但是應該理解到這里所述的光刻設備可以在制造微觀尺度或甚至納米特征上有其他的應用，例如制造集成光學系統、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領域技術人員應該認識到，在這種替代應用的情況中，可以將這里使用的任何術語“晶片”或“管芯”分別認為是與更上位的術語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將所述公開內容應用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產生多層IC，使得這里使用的所述術語“襯底”也可以表示已經包含多個已處理層的襯底。這里使用的術語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、248、193、157或126nm的波長)。在允許的情況下，術語“透鏡”可以表示不同類型的光學構件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的光學構件。盡管以上已經描述了本發明的具體實施例，但應該認識到，本發明可以以與上述不同的方式來實現。例如，本發明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或具有存儲其中的所述計算機程序的數據存儲介質(例如半導體存儲器、磁盤或光盤)的形式。此外，機器可讀指令可以嵌入在兩個或多個計算機程序中。所述兩個或多個計算機程序可以存儲在一個或多個不同的存儲器和 /或數據存儲介質中。這里描述的控制器在一個或多個計算機程序被位于光刻設備的至少一個構件內部的一個或多個計算機處理器讀取時，每一個或組合地是可操作的。所述的控制器可以每一個或組合地具有合適的結構用于接收、處理以及發送信號。一個或多個處理器配置成與所述控制器中的至少一個通信。例如，每個控制器可以包括一個或更多個用于執行計算機程序的處理器，計算機程序包括用于上述方法的機器可讀指令。控制器還可以包括用于存儲這種計算機程序的數據存儲介質，和/或用以接收這種介質的硬件。因此控制器可以根據一個或多個計算機程序的機器可讀指令操作。本發明的一個或更多個實施例可以應用于任何浸沒式光刻設備，具體地但不排他地，應用于上述的那些類型、浸沒液體是否以浴器的形式提供的類型、僅襯底的局部表面區域上提供浸沒液體的類型或浸沒液體是非限制的類型。在非限制布置中，浸沒液體可以流過襯底和/或襯底臺的表面，使得基本上襯底和/或襯底臺的整個未覆蓋表面被浸濕。在這種非限制的浸沒系統中，液體供給系統可以不限制浸沒流體或其可以提供一定比例的浸沒液體限制，但是基本上不是完全的浸沒液體限制。這里所述的液體供給系統應該廣義地解釋。在特定的實施例中，其可以是將液體供給至投影系統和襯底和/或襯底臺之間的空間的機構或結構的組合。其可以包括一個或更多個結構的組合、一個或更多個包括一個或更多個液體開口的流體開口、一個或更多個氣體開口或一個或更多個用于兩相流動的開口。所述開口可以每一個具有到浸沒空間中的入口(或離開流體處理結構的出口)或離開浸沒空間的出口(或進入流體處理結構的入口)。在一個實施例中，所述空間的表面是襯底和/或襯底臺的一部分，或者所述空間的表面完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或者所述空間包圍襯底和/或襯底臺。液體供給系統可以任意地進一步包括一個或更多個元件，用以控制液體的位置、數量、品質、形狀、流量或其他任何特征。上面描述的內容是例證性的，而不是限定的。因而，應該認識到，本領域的技術人員在不脫離以下所述權利要求的范圍的情況下，可以對上述本發明進行更改。
權利要求
1.一種流體處理結構，配置成供給浸沒液體至限定在投影系統和面對流體處理結構的正對表面之間的空間，其中流體處理結構的下表面具有供給開口，配置成朝向正對表面供給流體；多個抽取開口，配置成移除流體處理結構和正對表面之間的流體；和在供給開口和抽取開口之間的突起。
2.如權利要求1所述的流體處理結構，其中，在使用時供給開口和抽取開口離開正對表面的距離基本上相同。
3.如權利要求1或2所述的流體處理結構，其中，在使用時突起和正對表面之間的間隙小于供給開口和正對表面之間的間隙或抽取開口和正對表面之間的間隙。
4.如權利要求1-3中任一項所述的流體處理結構，其中，在使用時突起離正對表面的距離小于250 μ m,期望在50到200 μ m之間，更期望離正對表面的距離在100到150 μ m之間。
5.如權利要求1-4中任一項所述的流體處理結構，其中，在使用時供給開口和/或抽取開口離所述表面的距離大于100 μ m，期望離所述表面的距離在100到250 μ m之間，更期望離所述表面的距離在150到200 μ m之間。
6.如權利要求1-5中任一項所述的流體處理結構，其中，所述突起突起離開所述下表面至少10 μ m,期望在10到75 μ m之間，更期望在25到50 μ m之間。
7.如權利要求1-6中任一項所述的流體處理結構，其中，供給開口的至少一部分和/或抽取開口的至少一個布置成在平面上看為有角的形狀。
8.如權利要求1-7中任一項所述的流體處理結構，其中，抽取開口基本上圍繞供給開
9.如權利要求1-8中任一項所述的流體處理結構，還包括氣刀裝置，其具有限定在下表面內的伸長的孔。
10.如權利要求9所述的流體處理結構，其中，所述伸長的孔基本上圍繞抽取開口。
11.如權利要求1-10中任一項所述的流體處理結構，其中，所述突起圍繞供給開口形成閉合的回路。
12.如權利要求1-10中任一項所述的流體處理結構，還包括至少一個附加的突起，所述突起和所述附加的突起布置成除了在平面上的供給開口布置形成的形狀的角部處之外包圍供給開口。
13.如權利要求1-12中任一項所述的流體處理結構，其中，所述供給開口包括多個供給開口。
14.如權利要求1-13中任一項所述的流體處理結構，其中，所述突起具有連續的表面。
15.如權利要求1-14中任一項所述的流體處理結構，其中，所述突起的表面是平的表
16.如權利要求1-15中任一項所述的流體處理結構，其中，在使用時突起的表面平行于正對表面。
17.如權利要求1-16中任一項所述的流體處理結構，其中，在流體處理結構的下表面中存在臺階，所述臺階在突起和形成有供給開口的下表面的一部分或形成有多個抽取開口的下表面的一部分或兩者之間。
18.一種流體處理結構，配置成供給浸沒液體至限定在投影系統和面對流體處理系統的正對表面之間的空間，其中流體處理結構的下表面具有供給開口，配置成朝向正對表面供給流體；和突起，處于供給開口的相對于投影系統的光軸的徑向向內的位置處。
19.如權利要求18所述的流體處理結構，其中，用以抽取流體的一個或多個開口形成在下表面中。
20.如權利要求19所述的流體處理結構，其中，所述一個或多個開口在供給開口的徑向向外的位置處。
21.如權利要求18-20中任一項所述的流體處理結構，其中，所述突起形成在下表面的第二部分中，所述下表面的第二部分位于與其中形成供給開口的下表面的第一部分的平面不同的平面內。
22.如權利要求21所述的流體處理結構，其中，所述第二部分在使用時比第一部分遠離正對表面。
23.一種流體處理結構，配置成供給浸沒液體至限定在投影系統和面對流體處理系統的正對表面之間的空間，其中形成在流體處理結構的下表面中的是用以朝向正對表面供給浸沒液體的一個或多個供給開口 ；和位于所述下表面的表面中的臺階，其相對于所述下表面的幾何中心位于所述一個或多個供給開口的徑向向外的位置處，所述臺階配置成減小浸沒液體離開所述空間的徑向向外的流量。
24.如權利要求1-23中任一項所述的流體處理結構，其中，所述流體處理結構配置成僅供給浸沒液體至襯底和/或襯底臺的局部區域。
25.一種浸沒光刻設備，包括投影系統，用以將輻射束投影到由襯底臺支撐的襯底上；和如權利要求1-24中任一項所述的流體處理結構，其中正對表面是襯底的表面和/或襯底臺的表面。
26.一種器件制造方法，包括在投影系統的最終元件和襯底之間提供流體；其中在投影系統的最終元件和襯底之間提供流體的步驟包括朝向襯底通過位于流體處理結構的下表面中的供給開口供給液體；和通過位于流體處理結構的下表面中的抽取開口從流體處理結構和襯底和/或襯底臺之間移除流體，其中突起設置在供給開口和抽取開口之間的下表面上。
全文摘要
本發明公開了一種流體處理結構、一種光刻設備和一種器件制造方法。所述流體處理結構配置成供給浸沒液體至限定在投影系統和面對流體處理結構的正對表面之間的空間。流體處理結構的下表面具有供給開口，配置成朝向正對表面供給流體；多個抽取開口，配置成移除流體處理結構和正對表面之間的流體；和在供給開口和抽取開口之間的突起。
文檔編號G03F7/20GK102221788SQ20111009431
公開日2011年10月19日 申請日期2011年4月12日 優先權日2010年4月15日
發明者C·J·G·范德頓根, D·J·M·迪萊克斯, D·M·H·菲利浦斯, M·A·C·斯凱皮斯, M·J·范德贊登, P·P·J·伯克文斯, P·馬爾德 申請人:Asml荷蘭有限公司