專利名稱：光調制器的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種光調制器，更詳細地說，涉及一種嵌套MZI (Mach-Zehnder inter-ferometer 馬赫-曾德干涉儀)調制器。
背景技術：
在光纖通信系統中，為了將每個波長的傳輸速率從10(ibpS提升到40(ibpS或 100(ibpS，對應用多值調制技術、偏振復用技術進行了研究。多值調制技術是通過在利用光信號的振幅的同時還利用相位信息來以一個碼元傳輸大量信息的技術，在40(ibpS的傳輸中，已經應用了 4值，即應用了一個碼元能夠傳輸2比特信息的差分四相相位調制 (Differential Quadrature Phase-Shift Keying :DQPSK (差分正交相移鍵控)調制)方式。偏振復用技術是通過利用偏振波對兩個系統的信號進行多路復用來得到兩倍的傳輸速率的技術，在期望今后實際應用的100(ibpS級傳輸中，除了上述多值調制技術以外還兼用該偏振復用方式的偏振復用QPSK(正交相移鍵控)調制方式作為有力候補之一而正在被研在用于生成在這些調制方式中成為基本的QPSK調制信號的調制器中，與此前的在10(ibpS傳輸等中所使用的由單一的Mach-Zehnder干涉儀(MZI)構成的調制器不同，如圖IA所示，使用在大的MZI (以下稱為“母MZI，，)的各臂波導部上配置MZI調制器(以下稱為“子MZI”)而使MZI成為嵌套結構的結構略復雜的調制器(以下稱為“嵌套MZI調制器”)(參照非專利文獻1的圖10等)。通常，使用具有大的電光效應(E0效應)的鈮酸鋰光波導(以下稱為“LN波導”)技術來制作這些調制器。在各個子MZI中具備用于將電信號轉換為光調制信號的高頻電極(此外，上述高頻電極一般采用行波電極結構，用保持為固定阻抗的傳輸線路結構將電極圍起，但是在本圖中為了易于觀看附圖而并未對信號輸入部、信號輸出部進行圖示。在下面的附圖也基本相同)。并且，各個子MZI中分別設置有調制動作點調整部，該調制動作點調整部具有用于對調制動作點進行調整的偏置電極(它們與偏置端子BiasI、BiasQ相連接。以后，如果說明上沒有妨礙，則將偏置端子的稱呼也用于偏置電極)，母MZI中具備相對相位調整部，該相對相位調整部具有用于對來自子MZI的光信號的相對相位進行調整(90°相位調整)的偏置電極Bias90°。此外，在本圖中，示出使用了能夠削減高頻電極數的X切(X-cut)基板的例子。另外，利用了這種LN波導的嵌套 MZI調制器(單塊式嵌套MZI調制器)已經上市，能夠普遍得到。為了理解由嵌套MZI調制器進行的QPSK調制動作，首先，說明子MZI即單體的MZI 調制器的動作。在X切基板中，LN的極化方向為圖IA的上下方向。關于來自處于MZI調制器的中央的高頻電極的電場，對于上臂來說施加上方向的電場，對于下臂來說施加下方向的電場，對于極化方向來說在上下臂波導中施加相反方向的電場(參照圖IB和圖1C)。因而，EO效應所帶來的折射率變化在上下臂波導中是相反的，在波導中傳送的光的相位變化也是，在上下臂波導中是方向相反的。此外，為了易于觀看附圖，圖中的電場顯示只簡便地記載了與波導有關的電場分布，而省略了其它區域的電場分布顯示。以后的附圖中也是同
3樣的。輸入到MZI調制器的連續(CW)光在光耦合器中被分為兩路后，由于施加到高頻電極的電信號而在上下臂波導中分別接受方向相反且量相同的相位改變，在光耦合器中再次合流。此時，輸出信號光的電場相位如圖2A所示那樣變化。經由上臂的光接受正方向的相位變化，因此其電場矢量Emzi0i)描繪出逆時針(叉一白圓一黑圓)的軌跡，經由下臂的光接受負方向的相位變化，因此電場矢量ΕΜΖ ω描繪出順時針的軌跡。兩個電場的矢量合成為輸出信號光的電場矢量Emzi，因此其軌跡描繪出實軸上的直線軌跡。當以數式進行描述時，為[數1]EMZI{H) = ^ejiE譯=1-β1ξEmzi = Emziw +Emzi(l) = ~(eJ4 + e- cos(|)
ο在此，ξ為利用來自高頻電極的電場而施加的相位變化。因而，使該X切基板的 MZI調制器作為二值相位的相位調制器(PSK調制器)而發揮功能，當進行驅動(2VJI驅動) 以使臂波導之間的相位差如圖2Β所示那樣改變2 π時，輸出光的相位被調制成零和π且信號光強度在信號定時的時刻不變。此外，Z切基板的LN也是，如果進行在上臂與下臂中同時賦予相反方向且量相同的相位變化的推挽驅動，則同樣作為二值相位的相位調制器而發揮功能。在嵌套MZI調制器中，通過使Ich側和Qch側的光程差為四分之一波長來以90° 的相位差對從Ich用子MZI和Qch用子MZI輸出的二值相位的調制信號光進行合成，由此能夠得到如圖2C所示那樣被調制成四值相位的QPSK信號光。這樣，嵌套MZI調制器能夠作為QPSK調制器而發揮功能。并且，通過將電信號的振幅設定為多值的值而不僅僅設定為二值，能夠使Ich/Qch取任意的振幅，能夠在電場相位平面上任意的位置處對信號點進行矢量合成，因此本調制器也被稱為矢量調制器。在LN波導中，存在被稱為DC漂移(直流漂移)的現象，該現象如下若長時間施加電壓，則波導的折射率會由于充電(charge-up)等而發生變化，干涉條件會產生偏差。還存在被稱為溫度漂移的現象，該現象如下根據環境溫度不同，折射率也會發生變化。這種干涉條件的偏差在子MZI中表現為調制動作點的偏差，在母MZI中表現為Ich/Qch光信號的相對相位的正交度的偏差，即偏離于相位差90°。這些偏差都會導致光信號質量的劣化， 是不合乎需要的，因此需要利用適當的監視單元來感測偏差量，進行補償/調整。關于對子MZI的調制動作點偏差的補償，在初期的調制器中，將對高頻信號成分和直流偏置成分進行合成的被稱為偏置器(Bias Tee)的電路插入到高頻輸入的前級，對調制信號施加偏置電壓來進行補償，但是若使用偏置器則存在針對電信號的低頻特性本質上劣化的問題，因此近年來大多不再使用偏置器而如圖IA所示那樣獨立于高頻電極地另外設置對調制動作點進行補償/調整的專用的偏置電極BiasI、BiasQ來施加偏置電壓。偏置電極不像高頻電極那樣對高頻率進行處理，因此形成為集中常數型的簡易的設計形狀而不采取行波電極這樣的分布常數型的設計形狀，但是從偏置電極施加于波導的電場的方向基本與高頻電極相同，就直流來說高頻電極與偏置電極的作用是相同的。
使用如圖IA所示那樣配置在母MZI上的偏置電極Bias90°對Ich/Qch光信號的相對相位進行調整，由此來進行母MZI中的90°相位調整。接著，對將石英系平面光波回路(PLC)與LN調制陣列進行組合而得到的復合集成型嵌套MZI調制器進行說明(參照非專利文獻2的圖1等)。如圖3A所示，該復合集成型嵌套MZI調制器由PLC波導和LN波導這樣的不同種類波導連接而成。位于輸入側的三個分支回路以及位于輸出側的三個合流回路由PLC波導構成，具備將電信號轉換為光調制信號的高頻電極的調制陣列部由LN波導構成。PLC波導由于EO效應非常小而無法單獨構成調制器，但是它是傳送損耗小于等于 LN波導的十分之一的損耗非常低的波導介質，并且具有彎曲波導的允許彎曲半徑高至2mm 左右的設計自由度，因此如果是無源回路則能夠實現損耗低且多樣的光回路。另一方面，LN 波導與PLC波導相比傳送損耗、允許彎曲半徑大，因此不適合構成復雜的光回路，但是由于如前所述那樣具有高EO效應，因此作為高速調制回路非常優異。因而，特別是在如嵌套MZI調制器那樣復雜的調制器的情況下，如圖3A所示，通過在分支/合流回路等無源回路部分使用PLC波導、僅調制陣列部使用LN波導來將兩者復合集成，能夠得到PLC波導和LN波導雙方的長處，能夠實現與利用了 LN波導的單塊式嵌套 MZI調制器相比損耗低且特性良好的調制器。調制器的結構越為復雜，這個優點越顯著，例如，在除了分支/合流回路以外還需要偏振波合成器的偏振復用QPSK調制器中，優點會變得更大(參照非專利文獻3的圖1)。復合集成型嵌套MZI調制器的動作基本與上述的LN波導單塊式調制器的動作相同。但是，相對相位調整部被配置于PLC側，因此90°相位調整是在熱光(TO)移相器中進行的。TO移相器通過形成在波導上的包層表面的薄膜加熱器來局部地控制波導的溫度，由此通過TO效應來控制波導的折射率，即波導的相位。由于利用了熱量，因此響應速度為毫秒級，但是由于上述各種漂移是非常緩慢地產生的，因此該響應速度是足以進行90°相位調整等偏置調整的速度。子MZI的調制動作點調整也可以同樣地通過在PLC上設置TO移相器來進行，但是在圖3A的結構中，如前所述，構成為使用偏置器來使高頻電極兼用作偏置電極。非專禾丨J 文獻 1 :P. J. Winzer et al. , “ Advanced modulation formats for high-capacity optical transport networks, " Journal of Lightwave Technology, vol. 24，no. 12，pp.4711-4728,2006 非專利文獻2 :山田貴等「PLC-LN >、λ ·； , F集積技術f用0 t DQPSK変調 夕二一>」，信學會2007年春季総合大會，C-3-66非專利文獻3 山崎裕史等「石英系PLC-LN ’、i ·； , F集積技術&用0 t IOOGbps偏波多重QPSK変調器」，信學會2009年春季総合大會，C-3-6
發明內容
然而，在復合集成型嵌套MZI調制器中，由于使用TO移相器而具有以下的問題。在利用了 LN波導的單塊式嵌套MZI調制器中，如上所述，由使用了 EO效應的移相器(E0移相器)來進行偏置調整。因而，導波光的相位變化與電壓成比例地進行變化，能夠進行向正負雙方的相位控制。另外，幾乎不流動電流而不存在電力消耗，因此，能夠使用輸出功率小的驅動電路，通常使用電壓輸出驅動電路，而驅動電路中的消耗電力也小。另一方面，在利用TO移相器進行的偏置調整中，導波光的相位變化與發熱量即TO 移相器中的電力成比例地變化，只能夠進行向正側的相位控制。在要進行向負側的相位控制的情況下，通過對相反側的臂波導的TO移相器進行驅動來進行相對控制。因此，需要進行切換以正負進行驅動的移相器的動作。另外，由于利用電力來進行相位控制，因此需要能夠輸出比較大的輸出功率的驅動電路，通常使用電流輸出驅動電路，因此驅動電路中的消耗電力也變大。這樣，在復合集成型嵌套MZI調制器中，在以下方面存在問題在作為相對相位調整部的TO移相器本身和相對相位調整部的驅動電路這兩方中，進行偏置調整所需的消耗電力變大。另外，由于在EO移相器和TO移相器中對驅動電路的要求大為不同，因此多數情況下無法將利用了 LN波導的單塊式嵌套MZI調制器用的通常的偏置驅動電路和控制電路直接使用于復合集成型嵌套MZI調制器中。因而，之前使用一般的利用了 LN波導的單塊式嵌套MZI調制器的用戶要新使用復合集成型嵌套MZI調制器的情況下，大多必須重新準備專用的偏置控制回路。即，針對偏置控制/驅動電路，在提高與現有的單塊式嵌套MZI調制器之間的兼容性方面也希望得到改善。本發明是鑒于上述問題而完成的，其第一目的在于，在各臂上具備子MZI的嵌套 MZI調制器中，降低對來自子MZI的光信號的相對相位進行調整的相對相位調整部本身和相對相位調整部的驅動電路這兩方的消耗電力。另外，本發明的第二目的在于提供一種單體MZI調制器，該單體MZI調制器用于構成嵌套MZI調制器的子MZI，在構成嵌套MZI調制器時，能夠降低嵌套MZI調制器所具備的相對相位調整部本身和相對相位調整部的驅動電路這兩方的消耗電力。此外，在上述說明中，作為“嵌套MZI調制器”，假設了圖1所示那樣的在母MZI的各臂上配置有子MZI的光調制器，但是與相對相位調整部有關的問題點在僅在母MZI的一個臂上嵌套了子MZI的光調制器中也存在，希望注意到本說明書中所使用的技術用語“嵌套MZI調制器”也包括僅在母MZI的一個臂上嵌套了子MZI的光調制器。為了達到這種目的，本發明的第一方式是一種光調制器，是利用了由具有電光效應的材料構成的移相器的MZI型光調制器，其特征在于，具備能夠使上述光調制器的兩臂產生相同方向的相位變化的移相器。另外，本發明的第二方式是一種光調制器，是具有第一臂波導和第二臂波導的MZI 型光調制器，該第一臂波導和第二臂波導形成在由具有電光效應的材料構成的基板上，該光調制器的特征在于，具備配置在上述第一臂波導和上述第二臂波導附近的第一組電極和第二組電極，上述第一組電極與上述第二組電極之間的電場使在上述第一臂波導和上述第二臂波導中傳輸的光信號均產生相同方向的相位變化。另外，本發明的第三方式的特征在于，在第一或第二方式中，上述具有電光效應的材料是多元系氧化物材料。另外，本發明的第四方式的特征在于，在第二方式中，產生上述電光效應的極化方向與上述光信號的傳輸方向垂直，并且為上述基板的面內方向。另外，本發明的第五方式的特征在于，在第一或第二方式中，上述光調制器的無源回路部分形成在由電介質材料構成的基板上。另外，本發明的第六方式的特征在于，在第五方式中，上述電介質材料是石英系玻
^^ ο另外，本發明的第七方式的特征在于，在第二方式中，上述第一臂波導和上述第二臂波導具有間距變換部，該間距變換部用于在配置上述第一組電極和上述第二組電極的部分擴大上述第一臂波導與上述第二臂波導之間的間距。另外，本發明的第八方式是一種光調制器，具備至少兩個以上并聯連接的MZI型光調制器，該光調制器的特征在于，并聯連接的上述MZI型光調制器的至少一個是第一方式的光調制器。另外，本發明的第九方式是一種光調制器，在母MZI的各臂波導部配置有第一子 MZI和第二子MZI，該光調制器的特征在于，上述第一子MZI和上述第二子MZI中的至少一個是第二方式的光調制器。根據本發明，將能夠對子MZI的上下臂的光信號分別賦予同方向的相位變化的移相器配置在子MZI中，因此即使不在母MZI上設置作為相位調整部的移相器，也能夠通過使用該偏置電極對來自子MZI的輸出光的相對相位進行調整。因而，在復合集成型調制器中也是，能夠只利用設置于調制陣列部的偏置電極，即不使用TO移相器而只利用EO移相器來進行全部的偏置調整，因此能夠提供降低了移相器本身和移相器的驅動電路的消耗電力的復合集成型調制器。在偏置控制中，作為控制方法之一，有時會使用使微小的高頻信號重疊于偏置信號的抖動(dithering)。在這種情況下，控制速度受限于抖動頻率，在進行了優化的情況下也是，抖動頻率的倒數左右是上限。TO移相器的響應速度一般為毫秒級，而在EO移相器中即使是集中常數型電極也可以達到毫微秒程度。因而，在本發明的偏置電極中能夠處理數百MHz的抖動信號，因此還能夠高速地進行偏置控制。另外，由于只利用EO移相器就能夠進行偏置調整，因此能夠借用電壓控制的驅動電路的設計方式，通過進一步如后所述那樣進行電極的組合等，能夠直接使用在現有LN波導單塊式調制器中使用的偏置控制回路。并且，由于不使用TO移相器，因此無需在PLC上形成薄膜加熱器等，因此還可以得到PLC的芯片成本降低這樣的次要效果。除此以外，由于在PLC中不存在發熱部，因此還可以得到不需要以前所需的散熱設計/散熱機構的效果。
圖IA是現有的單塊式嵌套MZI調制器的俯視圖。圖IB是沿圖IA的IB-IB線的截面圖。圖IC是沿圖IA的IC-IC線的截面圖。圖2A是單體MZI調制器輸出的電場相位俯視圖。圖2B是用于說明單體MZI調制器的PSK調制動作的圖。圖2C是嵌套MZI調制器的QPSK調制動作時輸出的電場相位俯視圖。圖3A是現有的復合集成型嵌套MZI調制器的俯視圖。圖;3B是沿圖3A的IIIB-IIIB線的截面圖。
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圖3C是沿圖3A的IIIC-IIIC線的截面圖。圖4A是表示作為本申請發明的第一實施方式(方式la)的復合集成型嵌套MZI 調制器的結構的俯視圖。圖4B是沿圖4A的IVB-IVB線的截面圖。圖5A是表示90°相位調整用偏置電極Bias90°的配置例的圖。圖5B是表示90°相位調整用偏置電極Bias90°的配置例的圖。圖6A是表示作為本申請發明的第一實施方式的變形(方式lb)的復合集成型嵌套MZI調制器的結構的俯視圖。圖6B是沿圖6A的VIB-VIB線的截面圖。圖7A是表示作為本申請發明的第二實施方式(方式加)的復合集成型嵌套MZI 調制器的結構的俯視圖。圖7B是沿圖7A的VIIB-VIIB線的截面圖。圖8是表示作為本申請發明的第二實施方式的變形(方式2b)的復合集成型嵌套 MZI調制器的結構的圖。圖9A是表示作為本申請發明的第二實施方式的其它變形(方式2c)的復合集成型嵌套MZI調制器的結構的圖。圖9B是沿圖9A的IXB-IXB線的截面圖。圖IOA是表示作為本申請發明的第三實施方式的復合集成型嵌套MZI調制器的結構的圖。圖IOB是表示能夠應用于第三實施方式的具體的分壓電阻電路例的圖。圖IOC是表示對偏置電極的一方進行接地連接(例如使η側的電極接地)的情況下的分壓電阻電路例的圖。圖11是表示將本申請發明應用于并聯合成型16值QAM(Quadrature Amplitude Modulation 正交振幅調制)調制器的結構(QAM方式1)的圖。圖12A是表示針對圖11的QAM調制器的光信號的電場相位俯視圖的圖。圖12B是表示針對圖11的QAM調制器的光信號的電場相位俯視圖的圖。圖12C是表示針對圖11的QAM調制器的光信號的電場相位俯視圖的圖。圖13是表示對圖11的并聯合成型QAM調制器的偏置電極結構進行變形后得到的結構(QAM方式2)的圖。圖14是表示將本申請發明應用于APSK(振幅相移鍵控)調制器的結構的圖。圖15A是表示針對圖14的APSK調制器的光信號的電場相位俯視圖的圖。圖15B是表示針對圖14的APSK調制器的光信號的電場相位俯視圖的圖。圖15C是表示針對圖14的APSK調制器的光信號的電場相位俯視圖的圖。圖16A是用于說明將本申請發明應用于Z切基板時的一般規則的圖，是表示應用于X切基板的情況的圖。圖16B是用于說明將本申請發明應用于Z切基板時的一般規則的圖，是表示應用于Z切基板的情況的圖。圖17A是表示利用了 Z切基板的QPI調制器的方式Ia的結構的圖。圖17B是沿圖17A的XVIIB-XVIIB線的截面圖。
圖18A是表示在圖6A所示的方式Ib的嵌套MZI調制器中使用Z切基板的例的圖。圖18B是沿圖18A的XVIIIB-XVIIIB線的截面圖。圖18C是表示圖18A所示的結構的派生結構的圖。圖18D是沿圖18C的XVIIID-XVIIID線的截面圖。圖19A是表示在圖7A所示的方式加的嵌套MZI調制器中使用Z切基板的例的圖。圖19B是沿圖19A的XIXB-XIXB線的截面圖。圖20是表示在圖10所示的第三實施方式的嵌套MZI調制器中使用Z切基板的例的圖。圖21A是表示利用了極化反轉基板的QPSK調制器的方式Ia的結構的圖。圖2IB是沿圖2IA的XXIB-XXIB線的截面圖。圖22A是表示利用了 LN單塊基板的QPSK調制器的方式Ia的結構的圖。圖22B是沿圖22k的XXIIB-XXIIB線的截面圖。圖23是表示作為第一實施方式的變形(方式lb)的實施例而制作的嵌套MZI調制器的結構的圖。圖24A是沿圖23的XXIVA-XXIVA線的截面圖。圖24B是沿圖23的XXIVB-XXIVB線的截面圖。圖MC是沿圖23的XXIVC-XXIVC線的截面圖。圖24D是沿圖23的XXIVD-XXIVD線的截面圖。
具體實施例方式下面，參照附圖來詳細說明本發明的實施方式。(第一實施方式)圖4A中示出了作為本申請發明的第一實施方式(方式la)的復合集成型嵌套MZI 調制器的結構。本方式的調制器結構與現有結構大致相同，但是對來自子MZI的光信號的相對相位進行調整的相對相位調整部是不同的。取代在母MZI中配置相對相位調整部，在各個子MZI內針對上下兩臂均設置向與極化方向相同的方向(或相反的方向)施加電場的偏置電極Bias90° (與“第一電極”對應)和GND電極(與“第二電極”對應)(參照圖 4B)，設置于各個子MZI的偏置電極Bias90°和GND電極全體構成相對相位調整部。這種相對相位調整部能夠對子MZI的上下臂波導的光信號分別賦予同方向的相位變化，因此從光信號的角度來看與在子MZI輸出之后接受相位變化(參照圖1A)是等價的。對此，以Ich側為例來詳細進行說明。當將子MZI的輸入設為1時，上臂的輸出電場Eh、下臂的輸出電場&為[數2]Eh = ^Κζ+Φ) Γ π F -丄一(-州)
權利要求
1.一種光調制器，是利用了由具有電光效應的材料構成的移相器的MZI型光調制器， 其特征在于，具備能夠使上述光調制器的兩臂產生相同方向的相位變化的移相器。
2.一種光調制器，是具有第一臂波導和第二臂波導的MZI型光調制器，該第一臂波導和第二臂波導形成在由具有電光效應的材料構成的基板上，該光調制器的特征在于，具備配置在上述第一臂波導和上述第二臂波導附近的第一組電極和第二組電極，上述第一組電極與上述第二組電極之間的電場使在上述第一臂支路波導和上述第二臂波導中傳輸的光信號均產生相同方向的相位變化。
3.根據權利要求1或2所述的光調制器，其特征在于，上述具有電光效應的材料是多元系氧化物材料。
4.根據權利要求2所述的光調制器，其特征在于，產生上述電光效應的極化方向與上述光信號的傳輸方向垂直，并且為上述基板的面內方向。
5.根據權利要求1或2所述的光調制器，其特征在于，上述光調制器的無源回路部分形成在由電介質材料構成的基板上。
6.根據權利要求5所述的光調制器，其特征在于，上述電介質材料是石英系玻璃。
7.根據權利要求2所述的光調制器，其特征在于，上述第一臂波導和上述第二臂波導具有間距變換部，該間距變換部用于在配置上述第一組電極和上述第二組電極的部分擴大上述第一臂波導與上述第二臂波導之間的間距。
8.一種光調制器，具備至少兩個以上并聯連接的MZI型光調制器，該光調制器的特征在于，并聯連接的上述MZI型光調制器的至少一個是根據權利要求1所述的光調制器。
9.一種光調制器，在母MZI的各臂波導部配置有第一子MZI和第二子MZI，該光調制器的特征在于，上述第一子MZI和上述第二子MZI中的至少一個是根據權利要求2所述的光調制器。
全文摘要
在各臂上具備子MZI的嵌套MZI調制器中，降低對來自子MZI的光信號的相對相位進行調整的相對相位調整部本身和相對相位調整部的驅動電路這兩方的消耗電力。方式(1a)的復合集成型嵌套MZI調制器的結構如下代替在母MZI中配置相對相位調整部而在各個子MZI內設置對上下兩臂均施加方向與極化方向相同(或相反方向)的電場的偏置電極Bias90°和接地電極(參照圖4B)，設置于各個子MZI的偏置電極Bias90°和接地電極整體構成相對相位調整部。這種相對相位調整部能夠對子MZI的上下臂波導的光信號分別賦予同方向的相位變化，因此從光信號的角度來看與在子MZI輸出之后接受相位變化(參照圖1A)是等價的。
文檔編號G02F1/035GK102472900SQ20108002987
公開日2012年5月23日 申請日期2010年7月9日 優先權日2009年7月10日
發明者鄉隆司, 土居芳行, 山崎裕史, 山田貴, 美野真司, 都筑健 申請人:日本電信電話株式會社