專利名稱：用于投射曝光系統的具有至少一個磁體的致動器、致動器的制造方法、以及具有磁體的投 ...的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種用于微光刻的投射曝光系統，尤其涉及一種利用極紫外范圍 (EUV)中的波長的光操作的具有至少一個磁體的投射曝光設備，一種用于致動這種投射曝光系統中的光學元件的致動器，以及一種用于操作相應投射曝光系統的方法。此外，還給出了制造用于投射曝光系統的相應致動器的方法。
背景技術：
在用于微光刻的投射曝光系統中，各種組件(尤其是光學元件)必須被一定程度地移動、調節和定位，所述微光刻被用于制造微技術尤其是微電子和/或微機械組件。例如，可以使用微反射鏡陣列(MMA)，其中必須傾斜多個小反射鏡。可以利用致動器基于電磁工作原理進行諸如光學元件(尤其是微反射鏡)的各種組件的致動。為此，由電線圈實現的電磁體產生與永磁體的磁場互相作用的磁場，從而可以獲得對應的用于致動組件的力。然而，通常具有非常小的尺寸的相應致動器的制造很復雜，因為必須進行多個單獨的制造步驟。此外，必須確保致動器的功能不會破壞。例如，在微技術制造的、具有多個稱為接合點(bond point)的連接點的致動器的情況下，所出現的問題不僅是所涉及的制造耗費變得很大，而且接合點不能可靠地吸收對應的機械力，尤其是切變力。此外，當在投射曝光系統中使用某些光波長(例如在極紫外波長范圍)時，可能破壞這樣的接合點。另外，致動器或總體來講磁體否則的話可能不會被對應投射曝光系統中的主流工作條件(諸如13. 5nm波長范圍中的雜散光和/或氫氣環境)破壞。
發明內容
本發明的目的因此，本發明的目的為提供一種投射曝光系統或用于投射曝光系統的致動器，以及說明避免現有技術的缺點的相應制造工藝和操作工藝，尤其是確保用于移動各種部件的具有長服務壽命的致動器的安全和可靠的操作。特別地，用于制造相應致動器的方法應切實可行，并且制造合適的相應致動器，其容忍操作期間發生的應力，諸如切變力。此外，致動器必須適于在投射曝光系統中使用，尤其是在以極紫外光的波長范圍工作的投射曝光系統中使用。技術方案通過具有權利要求1的特征的投射曝光系統、具有權利要求21的特征的致動器、 具有權利要求觀的特征的操作投射曝光系統的方法、以及具有權利要求33或35的特征的制造用于投射曝光系統的致動器的方法來實現此目的。優選實施例是從屬權利要求的對象。
本發明基于這樣的見識具有至少一個永磁體的電磁驅動的致動器的使用被以下事實破壞基于稀土的永磁體(諸如基于釤鈷或釹-鐵-硼的磁體)在氫氣環境中傾向于形成氫化物，該氫氣環境可能存在于對應的投射曝光系統中，從而，永磁體的磁效應可能降低或丟失。因此，根據本發明的第一方面，提出完全包封致動器的磁體，從而磁體不暴露到氫氣環境中，該氫氣環境也部分由原子氫構成。特別地，提供在投射曝光系統的一個致動器或所有致動器或部分致動器中的所有磁體可被完全包封。可以通過封殼和/或磁體的涂層來實現磁體的包封。可以如此選擇相應的涂層，使得不僅該涂層產生將磁體與周圍的氣體環境隔離的致密殼，而且該涂層對氫氣擴散具有相應的抵抗，從而在長時間上沒有氫能滲透到磁體中。 特別地，該涂層可以形成為多層。該涂層可以由鎳、鋅、銅或它們的合金制成。附加地或替代地，可以提供將磁體容納其中的封殼，該封殼也將磁體與周圍的氣體環境氣密地分離。封殼可以由金屬形成，諸如不銹鋼、鋁、鋁合金等。特別地，封殼可以由相應的金屬片焊接，焊縫或要被焊接的部件的鄰接表面被設計為使得在外部氣體環境與殼體內部之間不存在直的或平的連接區域。這一方面使得密封更容易，另一方面容易保護磁體不受焊接損壞，該磁體在將殼體焊接在一起時被布置在殼體中。殼體或金屬片的厚度可以選擇在0. 1至4mm的范圍，其中最小厚度0. Imm確保可以在預期壽命上避免或者消除氫擴散造成的破壞，而且殼體厚度或金屬片厚度的上限確保有足夠的磁力可以使用。除了金屬殼體之外，在通過微技術制造工藝形成致動器期間，也可以由相應的可微圖案化的材料形成封殼，諸如半導體材料，尤其是硅、硅合金、鍺、鍺合金以及它們相應的化合物，諸如氧化硅和氧化鍺。這種封殼的壁的厚度可以大大地降低，在從幾個納米或微米到幾個毫米的范圍，例如直到3mm。作為磁體，使用所有的永磁體，特別是基于稀土的磁體，諸如釹、鐠、鑭、鈰、這些稀土與鐵和硼的化合物，尤其是釹-鐵-硼、鐠-鐵-硼、鑭-鐵-硼、鈰-鐵-硼和釤-鈷。在使用釤-鈷磁體的情況下，也可以省略包封，只要投射曝光系統的工作參數被保持在一定范圍內。在釤-鈷磁體的情況下，已經注意到，僅當氫偏壓超過某一閾值時，才出現伴隨損害的不可逆轉的氫化物，從而通過在此閾值限制之下操作投射曝光系統可以避免損害。只要相應的釤-鈷磁體存在于投射曝光系統中，氫偏壓就因此應該被保持為小于或等于4. S3ar，優選小于或等于!3bar，特別是< lbar。同時，可以將溫度保持在彡15°C的溫度，特別是彡20°C。根據本發明的另一方面(獨立地以及與本發明的其它發明方面結合尋求對其的保護)，建議了一種致動器，特別地由微技術制造工藝制造該致動器，從而獲得了移動操作器表面的特別方便的安裝。在用于投射曝光系統的相應致動器中，該致動器具有至少一個操縱器表面，在所述表面上可以布置要被致動的組件，諸如光學元件，尤其是反射鏡，從而通過操縱器表面的移動或調節，可以實現要被致動的組件的移動或調節或總體致動。基于電磁效應的原理的相應致動器具有至少一個磁體和電線圈，它們被布置為使得當電流流過線圈時，所產生的磁場與永磁體的磁場相互作用，以產生致動力，利用該致動力移動操縱器表面。相應致動器具有安裝磁體的磁體安裝板和支撐和安裝電線圈的線圈板，它們被以合適地方式彼此連接。根據本發明，為了安全安裝以承擔及所出現的力(特別是切變力)的目的， 在排除附加連接材料(諸如粘接劑或接合材料)的情況下，將操縱器表面單體地 (monolithically)支撐在磁安裝板中或者以材料連續性將操縱器表面接合在磁安裝板中。 單體是指從單個材料塊中加工出相應的操縱器表面，從而不使用不同材料，并且不存在有意的相邊界，諸如模板的表面等。替代地，也可以提供接合連接，但不使用相應的粘接劑化合物或涉及使用附加連接物質或連接材料的化合物，諸如接合材料等。然而，就此而言，可以存在例如通過諸如氣相沉積等涂布方法施加的不同材料。有利地，在這樣的配置中，可以對磁體提供殼體或封殼，該磁體可以與操縱器表面相對安裝，對應封殼的制造被集成在微技術制造工藝中。特別地，操縱器表面可以至少部分由用于磁體的殼體或包封體形成，從而，特別地，封殼也與磁體支撐板的其余部分連接， 尤其是與磁體支撐板的安裝區域連接，單體地或通過在沒有附加連接材料情況下的接合連接。可以通過彈簧條形成單體連接或具有材料連續性的接合連接，彈簧條也提供操縱器表面的移動性。總體上，這種操縱器的結構可以來源于提供了多層結構或為幾個平面的結構的事實，其中，在第一、較低平面中，提供了線圈板，線圈安裝在半導體材料(諸如硅)的晶片或板上。因此可以通過光刻工藝等以微技術制造線圈。在上方的第二平面中，可以對線圈板提供磁體支撐板，磁體支撐板以材料連續性接合到線圈板以及/或者經由連接材料連接。磁體支撐板可以用于相對于電線圈布置永磁體，以及用于提供移動操縱器表面。特別地就此而言，可以將操縱器表面提供在永磁體的一側上。有或沒有封殼的操縱器表面和磁體可以被可移動地安裝在磁體支撐板中，其中例如通過一方面通過至少一個彈簧條接合或單體地連接到磁體支撐板的安裝區域，以及另一方面將至少一個彈簧條連接到操縱器表面和/或磁體殼體，從而實現所述安裝。在操縱器表面上，然后可以直接或經由間隔體等布置諸如反射鏡或微反射鏡的適當組件。可以通過根據微系統技術的材料圖案化技術從磁體安裝板的固態材料(諸如硅晶片)加工操縱器表面和/或磁體殼體、磁體支撐板的彈簧條和/或安裝區域。相應地，在一個變型中，初始可以提供一個可圖案化的板，諸如硅晶片，在該板上可以在以后的安裝區域與操縱器表面的至少一個區域之間形成至少一個彈簧條結構，例如通過光刻沉積方法。此后，可以通過暴露彈簧條結構來實現操縱器表面的相應移動性，其中，接著在排除附加連接材料(諸如粘接劑等)的情況下將操縱器表面單體地支撐在可圖案化板上或以材料連續性接合在可圖案化板上。接著在操縱器的相對側上可以布置磁體， 從而為上述致動器結構創建相應的磁體支撐板。這接著可以被合適地連接到對應的線圈板以及要被致動的組件，例如使用粘接劑或其它連接材料。在替代的方法中，同時形成用于磁體的氣密分隔的封殼，在已提供可圖案化板之后并且在彈簧條結構形成之后，在操縱器表面的區域中形成腔體，可以將磁體或相應的磁粉插入該腔體中。值得指出，在本說明書中，術語磁體和磁粉可以被同義地使用，從而，在提到磁體的地方，也指利用對應的磁粉或壓縮磁粉實現。在利用磁粉(其可以是懸浮體的形式)填充了該腔體之后，腔體被蓋元件氣密地密封，使得可形成封殼。在彈簧條結構的暴露期間，通過留下圍繞腔體中的磁粉或磁體的相應壁區域而制造封殼。這提供了非常簡單而有效的方法來制造具有包封的磁體的操縱器表面，該包封的磁體最優地附接在磁體支撐板的安裝區域。
從下面對實施例的詳細描述中，本發明的其他優點、特性和特征將變得明顯。附圖是純粹以示意形式顯示，其中圖1是穿過根據本發明的包封的環形磁體的截面圖；圖2至圖4是示出本發明的致動器的制造的截面圖。
具體實施例方式圖1示出了環形磁體1的截面圖，考慮到截面和環形結構而示出了該環形磁體1 的兩個部分。環形磁體1意在使用在用于微光刻的投射曝光系統的致動器中，尤其是在以極紫外光的波長范圍操作的投射曝光系統中。由于本發明適用于所有已知投射曝光系統， 所以，為了簡化，已經省略了投射曝光系統的圖。磁體1可以是例如釹-鐵-硼或釤-鈷磁體。因為EUV投射曝光系統在氫氣環境中工作，所以對磁體(尤其是基于稀土的磁體) 的破壞可以通過氫化形成物而發生。為了避免與氫的接觸，由相應的環形封殼2保護環形磁體1免受氣體環境的影響。環形封殼2由兩個部件3和4構成，所述部件3和4通過周向的焊接連接部7和 8焊接在一起。部件3和4可以由具有0. Imm至4mm厚度的薄金屬片形成，其中，金屬片優選是不銹鋼、鋁或鋁合金。由于不銹鋼的相應奧氏體微結構，封殼2至少是部分非磁性是有利的。在焊接連接部7和8形成殼體部件3和4的鄰接表面，使得在封殼2的內部和外部之間部不形成直接的直或平鄰接表面。而是，圖1所示實施例中的鄰接區域是有角度的。 這不僅提高密封功能，而且還具有在焊接縫合執行期間布置在封殼2內的磁環1不會被焊接破壞的優點。封殼2被配置為使得封殼2的內部不被環形磁體1完全充滿，而是剩余體積5保留。剩余體積5可以填充空氣或其它氣體，從而，通過將包封的環形磁體1放置在真空中， 可以驗證封殼2的密封性。圖2至4示出了用于投射曝光系統尤其是EUV投射曝光系統中的致動器的制造的截面圖，作為另一個實施例。圖2至4中示出了致動器的制造工藝，該致動器由微圖案化工藝制造，特別是由光刻方法制造，其中致動器的尺寸不限于微技術量級，而當然可以更大的尺寸實現。例如，由致動器10(見圖4)致動的反射鏡13在直徑或邊長方面的尺寸在高達 4mm的量級上。
8
如圖4所清楚表示的，致動器10可以被劃分為四個平面，其中第一平面由線圈板 11形成。所示實施例中的線圈板11由硅半導體材料形成，并被用于安裝微電子線圈15。微電子線圈15可以通過光刻沉積方法而沉積在線圈板11的表面上。在線圈板11上布置所謂的磁體支撐板12，其包括磁體22，磁體22與線圈15合作， 使得反射鏡13可以被移動并特別地可以被傾斜。下面參照圖2和3詳細描述磁體支撐板 12的設計和制造。在形成致動器10的第二平面的磁體支撐板12上，在操縱器表面23上提供間隔體 14，與磁體22相對，作為第三平面，在間隔體14上繼而布置了要被傾斜的移動反射鏡13。如上面已經提及的，流過線圈15的電流可以產生磁場，其與磁體22的磁場相互作用，使得反射鏡13傾斜。為了促進操作器表面23以及布置在其上的間隔體14的移動性，操縱器表面23和磁體22經由彈簧條19連接到磁體支撐板12的安裝區域25，從而彈簧條19的變形使得操縱器表面23和布置在其上的間隔體14以及所連接的反射鏡13能夠傾斜。所示實施例中的彈簧條19作為圍繞操縱器表面的區域的螺旋彈簧。致動器10的微技術制造被部分顯示在圖2和3中。圖2是在制造早期階段穿過磁體支撐板12的截面圖。在此制造階段，磁體支撐板 12已經具有用于彈簧條19的相應微結構。其也可以例如通過光刻沉積方法制造，通過氣相沉積進行相應的材料沉積。所示實施例中的磁體支持板12由硅制成，從而彈簧條19的微結構也可以由硅形成。在沉積用于彈簧條19的圖案化層之前，鈍化氧化物(例如氧化硅)可以被形成在形成磁體支撐板12的硅晶片的表面上，以用作后續圖案化工藝的保護層。因此，氧化硅保護層17也可以被設置在下側的某些區域中，用于后續材料去除區域的凹形已被提供在氧化硅區域中。同樣地，在氧化硅層18的中心提供凹形，從而在硅晶片中可以形成腔體沈，其用于容納磁體或磁粉22。可以以純粉末或液體形式的懸浮體填充磁粉，并在后續步驟中干燥和固化，并且如果必要，進行磁化。圖3示出了來自圖2的、具有填充的磁粉和磁體22的磁體支撐板12。接著，通過干刻蝕方法從后側處理磁體支撐板12，在該后側處提供保護層17，通過干刻蝕方法移除彈簧條結構19區域中的材料。為此目的，例如，深反應離子刻蝕(DRIE) 可以被用于移除硅，直到彈簧條結構19下方的Si02保護層18。這創建了自由空間27。在這里，二氧化硅保護層18用作干刻蝕工藝的阻止層，并可以接著被合適的方法分解，從而暴露彈簧條19。在環形自由空間27通過DRIE干刻蝕的形成期間，在磁體或磁粉22周圍留下了罐形殼體結構21，創建了包封的磁體單元20。包封的磁體單元20的封殼21以材料連續性接合到彈簧條19，彈簧條19繼而以材料連續性接合到磁體支撐板12的安裝區域25。在上側上，可以利用蓋元件23密封磁體殼體21，蓋元件23以涂層的形式沉積，或類似地以材料連續性接合到其它殼體部分。作為蓋元件23的替代，可以使用間隔體14通過連接層M直接密封封殼21，例如經由所謂的接合位置，其由共熔金屬接合提供。在間隔體14上可以布置反射鏡13，仍然通過對應的連接層，同時，在磁體支撐板 12的下側，可以經由連接層16布置線圈板11，例如利用共熔金屬接合。
通過微技術制造，包封的磁體20可以直接以材料連續性接合并可移動地安裝在磁體支撐板12中，而不需要相應的連接層來支撐該磁體以及與其連接的操縱器表面，諸如粘接劑層等，粘接劑層在服務壽命方面可能存在問題，尤其是在以極紫外光波長范圍操作的投射曝光系統中。此外，這樣的連接層在切變力的容忍方面可能存在問題。在當前的制造技術中避免了這一點，這是因為彈簧條和磁體22的殼體21以材料連續性接合到安裝區域25，而不插入任何連接部件。特別的，安裝區域25中的氧化層18可以被省略，因此，通過氣相沉積而沉積在硅上的彈簧條結構19的硅被直接沉積在硅晶片的硅上，這里其擁有最佳的粘附力。雖然具有包封的磁體20的磁體殼體21的構造是有利的，但也可以構思致動器的如下構造替代彈簧條區域19之間的磁體殼體21，設置用于形成操作器表面23的連續板， 并且利用相應的連接技術(諸如粘接等)將所需要的磁體附接到操縱器表面23的下側。 此情況也提供了致動器的有利配置，其具有至支撐區域的有利單體連接或以彈簧條的材料連續性的接合連接，而不插入任何連接層，諸如接合層或粘接劑層。特別地，可以為釤-鈷磁體選擇這樣的設計，對于釤-鈷磁體，在氫氣壓力小于4. 5bar,尤其是小于:3bar，優選 ^ lbar，并且工作溫度> 15°C尤其是> 20°C的對應的工作條件情況下，包封不是絕對必要的。還可以構思，通過諸如鎳等的合適涂層保護安裝到操縱器23的后側的磁體不受
氫的影響。雖然已經參照所附實施例詳細說明的本發明，但本領域的技術人員很清楚本發明不限于這些實施例，而是可以在不背離所附權利要求的范圍的情況下進行改變和修改。特別地，修改可以涉及單獨特征的省略或者所述特征的不同類型的組合。特別地，本發明包括陳述的所有特征的所有組合。
10
權利要求
1.用于微光刻的投射曝光系統，具有至少一個磁體或至少一個致動器，所述致動器包括至少一個磁體(1、22)，其特征在于所述至少一個磁體被完全包封。
2.如權利要求1所述的投射曝光系統，其特征在于 提供多個磁體，所有磁體都被完全包封。
3.如前述權利要求中的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于 所述磁體被封殼0、21)殼體和/或涂層包封。
4.如權利要求3所述的投射曝光系統，其特征在于 所述涂層對氫擴散具有抵抗。
5.如權利要求3或權利要求4所述的投射曝光系統，其特征在于 所述涂層被形成為多層。
6.如權利要求3至5中的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于 所述涂層包括來自包括鎳、鋅和銅的組中的至少一個元素。
7.如權利要求3所述的投射曝光系統，其特征在于由來自包括金屬、不銹鋼、鋁和鋁合金的組的至少一個組分形成所述封殼(2)。
8.如權利要求3所述的投射曝光系統，其特征在于由來自包括半導體材料、硅、硅合金、氧化硅、鍺、鍺合金和氧化鍺的組的至少一個組分形成所述封殼(2)。
9.如權利要求3或權利要求7至8中的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于 所述封殼的壁具有若干nm至3mm之間的厚度。
10.如權利要求3或權利要求7所述的投射曝光系統，其特征在于 所述封殼的壁具有0. Imm至4mm之間的厚度。
11.如權利要求3或權利要求7至10中的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于 所述封殼在所述磁體之外還包括留置的氣體體積。
12.如權利要求3或權利要求7或10至11中的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于所述封殼( 被焊接，其中要被焊接的組件的鄰接表面被布置為使得所述鄰接表面在所述封殼的內部和外部環境之間不構成直接的連接，其中在所述鄰接表面布置焊縫并使要被焊接的組件接觸。
13.如前述權利要求中的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于所述磁體(1、2幻基于來自包括稀土、釹、鐠、鑭、鈰、稀土與鐵和硼的化合物、 釹-鐵-硼(NdFeB)、鐠-鐵-硼(ft^eB)、鑭-鐵-硼(LaFeB)、鈰-鐵-硼(Cei^B)和釤-鈷(SmCo)的組的至少一個組分。
14.如權利要求1至4或8中的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于 所述磁體包含在從固態材料通過材料去除而形成的封殼中。
15.如權利要求1至4、8或14中的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于 所述磁體包含在通過根據微系統技術的材料圖案化技術而制造的封殼中。
16.如權利要求1至4、8或14至15中的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于 所述封殼至少部分是單體組件，或者是與板形致動器部件以材料連續性接合的組件，其中所述封殼被可移動地安裝在所述致動器部件中。
17.如權利要求16所述的投射曝光系統，其特征在于所述致動器部件(12)是用于所述磁體的安裝板，所述安裝板被布置在具有至少一個電線圈的線圈板上，從而流過所述線圈的電流可以改變所述磁體的位置，并且能夠致動所述致動器。
18.如權利要求16至權利要求17所述的投射曝光系統，其特征在于通過至少一個彈簧條將具有封殼的所述磁體保持在板形致動器部件(1 的凹形中， 其中，所述彈簧條在沒有連接材料的情況下被單體地連接到或者以材料連續性接合到所述封殼以及所述板形致動器部件的安裝板。
19.如前述權利要求的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于所述磁體是用于反射鏡或具有多個微反射鏡的微反射鏡陣列的微反射鏡的致動器的一部分。
20.如前述權利要求的任一項所述的投射曝光系統，其特征在于所述投射曝光系統被配置為使得其使用極紫外頻譜中的光(EUVL)。
21.投射曝光系統的致動器，尤其是根據前述權利要求中的任一項的投射曝光系統的致動器，其中所述致動器包括至少一個可移動的操縱器表面、用于致動所述操縱器表面的至少一個磁體和線圈、用于安裝所述磁體的磁體支撐板(12)以及用于容納所述線圈 (15)的線圈板(11)，它們被彼此連接，使得當電流流過所述線圈時，能夠移動所述磁體，并因此能夠移動所述操縱器表面，其特征在于在沒有附加連接材料的情況下，通過單體連接或以材料連續性的接合連接，將操縱器表面至少部分保持在所述磁體支撐板中。
22.如權利要求21所述的致動器，其特征在于所述操縱器表面被配置為與所述磁體相對。
23.如權利要求21或22所述的致動器，其特征在于所述操作器表面至少部分由用于所述磁體的殼體或封殼形成。
24.如權利要求21至23中的任一項所述的致動器，其特征在于操縱器表面和/或磁體殼體與所述磁體支撐板的至少一個安裝區域之間的連接由至少一個彈簧條形成。
25.如權利要求21至M中的任一項所述的致動器，其特征在于通過根據微系統技術的材料圖案化技術從所述磁體支撐板的固態材料加工操縱器表面和/或磁體殼體、彈簧條和/或安裝區域。
26.如權利要求21至25中的任一項所述的致動器，其特征在于間隔體和反射鏡被布置在所述操縱器表面處。
27.如權利要求21至沈中的任一項所述的致動器，其特征在于通過以材料連續性的接合連接和/或連接材料將磁體支撐板與線圈板連接。
28.操作用于微光刻的投射曝光系統的方法，所述投射曝光系統具有至少一個致動器， 所述致動器包括至少一個基于釤-鈷(SmCo)的磁體，其特征在于當存在所述磁體或多個磁體時，氫偏壓總是保持在4. 5bar或更低。
29.如權利要求觀所述的方法，其特征在于當存在所述磁體或多個磁體時，所述氫偏壓總是保持在:3bar或更低。
30.如權利要求觀所述的方法，其特征在于當存在所述磁體或多個磁體時，所述氫偏壓總是保持在Ibar或更低。
31.如權利要求觀至30中任一項所述的方法，其特征在于 當存在所述磁體或多個磁體時，溫度總是保持在15°C或更高。
32.如權利要求觀至31中任一項所述的方法，其特征在于 當存在所述磁體或多個磁體時，溫度總是保持在20°C或更高。
33.制造用于投射曝光系統的致動器的方法，特別是制造根據權利要求21至27中的任一項的致動器的方法，包括以下步驟a)設置可圖案化的板；b)在所述板上，在至少一個安裝區域與操縱器表面的至少一個區域之間形成至少一個彈簧條結構；c)暴露所述彈簧條結構，以便提供所述操縱器表面的移動性。
34.如權利要求33所述的方法，其特征在于 與所述操縱器表面相對地布置至少一個磁體。
35.制造用于投射曝光系統的致動器的方法，特別是制造根據權利要求21至27中的任一項的致動器的方法，包括以下步驟a)設置可圖案化的板；b)在所述板上，在至少一個安裝區域與操縱器表面的至少一個區域之間形成至少一個彈簧條結構；c)在所述操縱器表面的所述區域中形成腔體；d)利用磁粉或磁體填充所述腔體；e)利用蓋元件密封所述腔體；f)暴露所述彈簧條結構，以便提供所述操縱器表面的移動性。
36.如權利要求33至35中的任一項所述的方法，其特征在于提供了所述操縱器表面和/或所述磁體的可圖案化的板是磁體支撐板，并連接到具有至少一個電線圈的線圈板。
37.如權利要求33至36中的任一項所述的方法，其特征在于 在所述操縱器表面處布置反射鏡。
全文摘要
本發明涉及包括至少一個磁體(22)的用于投射曝光系統的致動器，其中所述磁體被包封并且/或者被支撐在磁體支撐板(12)中，所述磁體支撐板(12)通過微技術制造方法制造，從而在沒有附加連接材料的情況下，利用單體或接合連接將移動操縱器表面(23)保持在磁體支撐板中，使得具有安全的連接。
文檔編號G03F7/20GK102388343SQ201080015703
公開日2012年3月21日 申請日期2010年2月2日 優先權日2009年2月10日
發明者于爾根.費希爾, 諾伯特.穆埃爾伯格, 阿爾穆特.恰普, 阿明.沃伯 申請人:卡爾蔡司Smt有限責任公司