專利名稱：保護裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及接近式曝光領域，尤其涉及保護裝置。
背景技術：
在制造TFT-LCD(Thin Film !"ransistor-LCD，薄膜場效應晶體管液晶顯示器) 的過程中，可以采用I^roximity exposure (接近式曝光)方式完成液晶顯示面板中的TFT Array (TFT陣列)和彩色濾光片的生產。在接近式曝光過程中，光罩和玻璃基板之間需要保 持100 μ m-400 μ m的距離，此距離稱之為Gap。通常可以采用光學測距的方法測量所述Gap 值，使所述Gap值停留在100 μ m-400 μ m之間。但是，如果玻璃基板表面光阻狀態不良、或者玻璃基板表面被測量部分有異物或 者光罩表面被測量部分有異物，則都會使光學測距結果不準確，出現所述Gap值已經小于 100 μ m 了，卻沒有被測量出來，玻璃基板仍繼續向光罩運動，進而可能導致光罩與玻璃基板 相撞，損壞光罩。
實用新型內容本實用新型的實施例提供一種保護裝置，能夠在測量Gap值的過程中保護光罩。為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案一種保護裝置，包括探測裝置和信號臺，在所述探測裝置和所述信號臺之間設有 杠桿，所述杠桿的一端與所述探測裝置相連接，所述杠桿的支點和所述探測裝置的距離小 于所述杠桿長度的1/2，所述探測裝置通過所述杠桿觸發所述信號臺發送信號。本實用新型實施例提供的保護裝置，應用在接近式曝光設備中，曝光對象在接近 光罩的過程中，當所述探測裝置探測到所述曝光對象運動到指定位置時，所述探測裝置通 過所述杠桿觸發所述信號臺向所述曝光對象的驅動機構發送停止運動的信號，所述曝光對 象的驅動機構接收到信號后，停止曝光對象繼續向光罩靠近，避免所述曝光對象接觸光罩 時，損壞所述光罩，即在測量Gap值的過程中保護光罩。
為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需 要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實 施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖 獲得其他的附圖。圖1為本實用新型所述保護裝置的一種實施方式的結構圖；圖2為本實用新型所述保護裝置的另一種實施方式的結構圖；圖3為本實用新型所述保護裝置的再一種實施方式的結構圖；圖4為本實用新型所述保護裝置的又一種實施方式的結構圖。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行 清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的 實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下 所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。本實用新型實施例提供了一種保護裝置，應用在接近式曝光設備中，如圖1所示， 所述保護裝置包括向曝光對象的驅動機構發送信號的信號臺1和探測曝光對象位置的探 測裝置2，所述信號能夠指示曝光對象的驅動機構停止繼續向光罩運動，進而避免所述曝光 對象與所述光罩接觸損壞所述光罩，即在測量Gap值的過程中保護光罩。由于所述Gap值的移動距離是以微米為單位的，所述Gap值要求最后確定在100 微米到400微米之間，這段距離也相當的微小。如果直接通過所述探測裝置2的移動距離 觸發所述信號臺1向曝光對象的驅動機構發送停止繼續運動的信號，不易實現。于是，在所述探測裝置2和所述信號臺1之間設有杠桿3，所述杠桿3的支點和所 述探測裝置2的距離小于所述杠桿3長度的1/2，所述杠桿3用于放大所述探測裝置2的位 移量。所述支點離所述探測裝置2越近，則所述杠桿3對所述探測裝置2的位移量的放 大倍數就越大，使整個保護裝置的探測精度就越準確。當所述探測裝置探測到所述曝光對象運動到指定位置時，通過所述杠桿3觸發所 述信號臺1向所述曝光對象的驅動機構發送所述信號。所述指定位置，可以是所述Gap值在30微米到100微米時，曝光對象所處的任意 位置。比如，可以將所述指定位置設置為所述Gap值為30微米時，曝光對象的位置；也可以 將所述指定位置設置為所述Gap值為50微米時，曝光對象的位置；還可以將所述指定位置 設置為所述Gap值為100微米時，曝光對象的位置。所述探測裝置2與所述杠桿3的一端相連接，當曝光對象運動到指定位置時，所述 曝光對象會與所述探測裝置2相接觸，當所述曝光對象繼續運動時，會推動所述探測裝置2 移動，所述探測裝置2帶動所述杠桿3的一端移動，同時，所述杠桿3的另一端也會隨之移 動。由于所述杠桿3的另一端的移動，會使所述信號臺1與所述杠桿3的連接狀態發生變 化，由接觸變狀態為斷開狀態。由于所述信號臺1與所述杠桿3的連接狀態發生變化，引起 所述杠桿3與所述信號臺1之間的信號傳遞發生變化，所述信號臺1在檢測到信號變化后， 向所述曝光對象的驅動機構發送停止信號。本實施例提供的保護裝置，應用在接近式曝光設備中，曝光對象在接近光罩的過 程中，當所述探測裝置探測到所述曝光對象運動到指定位置時，所述探測裝置通過所述杠 桿觸發所述信號臺向所述曝光對象的驅動機構發送停止運動的信號，所述曝光對象的驅動 機構接收到信號后，停止曝光對象繼續向光罩靠近，避免所述曝光對象接觸光罩時損壞所 述光罩，即在測量Gap值的過程中保護光罩。作為本實施例的一種實施方式，所述杠桿3的另一端通過磁吸的方式與所述信號 臺相接觸，或者通過插銷與所述信號臺相接。當所述探測裝置探測到曝光對象運動到指定位置時，如果所述曝光對象繼續運 動，將會推動杠桿繞支點旋轉，所述杠桿與所述信號臺接觸的一端向遠離所述信號臺的方向移動，使所述杠桿和所述信號臺之間的連接關系，由接觸狀態變為斷開狀態，使所述信號 臺接收信號的狀態發生變化，觸發所述信號臺向曝光對象的驅動機構發送使所述驅動機構 停止運動的信號。本實用新型實施例提供另一種保護裝置，如圖2所示，所述保護裝置包括向曝光 對象的驅動機構發送信號的信號臺4和探測曝光對象位置的探測裝置5，所述信號能夠指 示曝光對象的驅動機構停止繼續向光罩運動，進而避免所述曝光對象與所述光罩接觸損壞 所述光罩，即在測量Gap值的過程中保護光罩。由于所述Gap值的移動距離是以微米為單位的，所述Gap值要求最后確定在100 微米到400微米之間，這段距離也相當的微小。如果直接通過所述探測裝置2的移動距離 觸發所述信號臺1向曝光對象的驅動機構發送停止繼續運動的信號，不易實現。于是，在所述探測裝置5和所述信號臺4之間設有杠桿6，所述杠桿6的支點和所 述探測裝置5的距離小于所述杠桿6長度的1/2，所述杠桿6用于放大所述探測裝置5的位 移量。所述支點離所述探測裝置2越近，則所述杠桿3對所述探測裝置2的位移量的放 大倍數就越大，使整個保護的探測精度就越準確。當所述探測裝置探測到所述曝光對象運動到指定位置時，通過所述杠桿6觸發所 述信號臺4向所述曝光對象的驅動機構發送所述信號。所述指定位置，可以是所述Gap值在30微米到100微米時，曝光對象所處的任意 位置。比如，可以將所述指定位置設置為所述Gap值為30微米時，曝光對象的位置；也可以 將所述指定位置設置為所述Gap值為50微米時，曝光對象的位置；還可以將所述指定位置 設置為所述Gap值為100微米時，曝光對象的位置。所述探測裝置5與所述杠桿6的一端相連接，當曝光對象運動到指定位置時，所述 曝光對象會與所述探測裝置5相接觸，當所述曝光對象繼續運動時，會推動所述探測裝置5 移動，所述探測裝置5帶動所述杠桿6的一端移動，同時，所述杠桿6的另一端也會隨之移 動。由于所述杠桿6的另一端的移動，會使所述信號臺4與所述杠桿6的連接狀態發生變 化，使所述信號臺3與所述杠桿3由斷開狀態變為接觸狀態。由于所述信號臺4與所述杠 桿6的連接狀態發生變化，引起所述杠桿6與所述信號臺4之間的信號傳遞發生變化，所述 信號臺4在檢測到信號變化后，向所述曝光對象的驅動機構發送所述信號。本實施例提供的保護裝置，應用在接近式曝光設備中，曝光對象在接近光罩的過 程中，當所述探測裝置探測到所述曝光對象運動到指定位置時，所述探測裝置通過所述杠 桿觸發所述信號臺向所述曝光對象的驅動機構發送停止運動的信號，所述曝光對象的驅動 機構接收到信號后，停止曝光對象繼續向光罩靠近，避免所述曝光對象接觸光罩時損壞所 述光罩，即在測量Gap值的過程中保護光罩。作為本實用新型上述實施例的一種優選的實施方式，如圖3、圖4所示，所述探測 裝置可以為所述杠桿的端部；或者，如圖1、圖2所示，所述探測裝置為一個探針。當所述探測裝置為一個探針時，所述杠桿上可以設有安裝孔，所述探針可以在所 述安裝孔內自由移動，將所述探針插入所述安裝孔，根據所述探針在所述安裝孔內的位置 確定所述探針伸出所述安裝孔的長度，通過螺桿將所述探針固定在所述安裝孔內；或者所 述杠桿上設有螺紋安裝孔，所述探針上設有與所述螺紋安裝孔相適應的安裝螺紋。[0034]通過螺桿將所述探針固定在所述安裝孔內，由于所述探針可以在所述安裝孔內自 由移動，因此在安裝的過程中，可以根據所述探針在所述安裝孔內的位置確定所述探針伸 出所述安裝孔的長度，進而確定所述曝光對象運動的指定位置，即所述曝光對象需要停止 運動的位置。將探針設有安裝螺紋的一端插入杠桿上的螺紋安裝孔內，可以通過控制所述 探針插入所述螺紋安裝孔的長度調節所述探針伸出所述安裝孔的長度，進而確定所述曝光 對象運動的指定位置，即所述曝光對象需要停止運動的位置。由于所述探針伸出所述安裝孔的長度是可以調節的，則曝光對象運動的指定位置 也是可以調節的，可以根據不同需要確定曝光對象運動的指定位置。通常所述曝光對象的指定位置可以設置在所述曝光對象與光罩距離30微米到 100微米之間。為了更好的保護光罩，可以在所述接近式曝光設備中的不同位置設置兩個或者兩 個以上所述保護裝置。通常光罩的面積比較大，為了能夠全面的保護光罩，可在所述光罩的周圍設置多 個所述保護裝置。設置所述保護裝置的個數可以根據光罩的面積而定。作為上述實施例的優選實施方式，所述探測裝置可以由加工性好，硬度高，不易變 形的聚苯二醚酮(Polyether Ether Ketone)材料制成，或者由鋁合金材料制成，或者由不 銹鋼材料等硬質金屬制成。作為上述實施例的另一種實施方式，所述信號臺向所述曝光對象的驅動機構發送 所述信號由電壓信號的變化觸發。當杠桿與信號臺接觸時，所述信號臺能夠接收到來自杠桿的電壓信號；當杠桿與 信號臺斷開時，所述信號臺不能接收到來自杠桿的電壓信號。在曝光裝置運動到指定位置， 而繼續運動時，帶動杠桿繞支點旋轉，杠桿的一端與信號臺的連接狀態發生變化，由接觸狀 態變為斷開狀態，或者由斷開狀態變為接觸狀態。進而信號臺接收到的電壓信號發生變化， 觸發信號臺向曝光對象的驅動機構發送停止運動的信號。作為本實用新型上述實施例的另一種實施方式，所述杠桿的支點可以為鉸鏈結 構。所述鉸鏈結構的實現可以采用下述方法在所述杠桿設置支點的位置，穿一個洞，在洞內安裝一個軸心，將軸心的兩端通過 繩索固定在保護裝置的其它部分上。既可以構成一個作為杠桿支點的鉸鏈結構。本實用新型適用于接近式曝光工藝，比如，在制造TFT-IXD過程中的接近式曝光 工藝，或者半導體制造過程中的接近式工藝等，或其他設備制造過程中的接近式工藝。通過以上的實施方式的描述，所屬領域的技術人員可以清楚地了解到本實用新型 可借助軟件加必需的通用硬件的方式來實現，當然也可以通過硬件，但很多情況下前者是 更佳的實施方式。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限 于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到變化 或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應所述以權 利要求的保護范圍為準。
權利要求1.一種保護裝置，其特征在于，包括探測裝置和信號臺，在所述探測裝置和所述信號臺 之間設有杠桿，所述杠桿的一端與所述探測裝置相連接，所述杠桿的支點和所述探測裝置 的距離小于所述杠桿長度的1/2，所述探測裝置通過所述杠桿觸發所述信號臺發送信號。
2.根據權利要求1所述的保護裝置，其特征在于，所述杠桿的另一端通過磁吸的方式 與所述信號臺相接觸，或者通過插銷與所述信號臺相接。
3.根據權利要求1所述的保護裝置，其特征在于，所述探測裝置為所述杠桿的端部，或 者所述探測裝置為一個探針。
4.根據權利要求3所述的保護裝置，其特征在于，所述杠桿上設有安裝孔，所述探針通 過螺桿固定在所述安裝孔內，根據所述探針在所述安裝孔內的位置確定所述探針伸出所述 安裝孔的長度；或者所述杠桿上設有螺紋安裝孔，所述探針上設有與所述螺紋安裝孔相適 應的安裝螺紋。
5.根據權利要求1至4任一項所述的保護裝置，其特征在于，所述保護裝置用于在接近 式曝光設備中保護光罩，所述信號臺向曝光對象的驅動機構發送信號，所述探測裝置探測 曝光對象位置。
6.根據權利要求5所述的保護裝置，其特征在于，在所述接近式曝光設備的不同位置 設置兩個或者兩個以上所述保護裝置。
7.根據權利要求1至4任一項所述的保護裝置，其特征在于，所述探測裝置由聚苯二醚 酮制成，或者由鋁合金制成，或者由不銹鋼制成。
8.根據權利要求5所述的保護裝置，其特征在于，所述信號臺向曝光對象的驅動機構 發送信號由電壓變化觸發。
9.根據權利要求1至4任一項所述的保護裝置，其特征在于，所述杠桿的支點為鉸鏈結構。
專利摘要本實用新型公開了一種保護裝置，涉及接近式曝光領域，能夠在測量光罩與曝光對象間的Gap值過程中保護光罩。該保護裝置包括探測裝置和信號臺，在所述探測裝置和所述信號臺之間設有杠桿，所述杠桿的一端與所述探測裝置相連接，所述杠桿的支點和所述探測裝置的距離小于所述杠桿長度的1/2，所述探測裝置通過所述杠桿觸發所述信號臺發送信號。主要應用于接近式曝光工藝。
文檔編號G03F7/20GK201886280SQ201020648398
公開日2011年6月29日 申請日期2010年12月3日 優先權日2010年12月3日
發明者邱永亮 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司