專利名稱：一種光刻膠剝離液的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種光刻膠剝離液，特指一種適合于半導體基材上的殘留光刻膠剝 離液。
背景技術：
在集成電路以及超大集成電路制造工藝中，光刻步驟一般是將光刻膠涂抹在 SiO2片或金屬膜上，然后經過烘烤，曝光，顯影后得到所需要的有抗蝕劑保護的圖形。 接著進行刻蝕工藝，將圖形轉移到晶圓表面上，然后將覆蓋在晶圓上的保護膠膜除去。通常，在制造半導體器件的工藝中使用十幾次光刻工藝，它包括去掉光刻掩膜 版沒有掩蓋部分的光刻膠，在半導體襯底的傳導層上形成光刻圖形，然后刻蝕掉傳導層 上光刻膠圖形沒有掩蓋的部分，從而形成傳導層的圖形，在傳導層圖形形成后，光刻膠 圖形必須用光刻膠剝離劑從傳導層去除。而刻蝕工藝分為濕法刻蝕工藝和干法刻蝕工 藝。近來的超大規模集成電路半導體制造業用干法刻蝕工藝來形成傳導層的圖形，不 過，接著的剝離工藝除掉光刻膠就變得困難。濕法刻蝕是利用特定的化學溶液將待刻蝕薄膜未被光刻膠覆蓋的部分分解，并 轉成可溶于此溶液的化合物后加以排除，而達到可是的目的。干法刻蝕是利用輝光放電 方式，產生包含離子、電子等帶點粒子及具有高度化學活性的中性原子與分子及自由基 的等離子來進行圖案的刻蝕技術。在現今的集成電路制造過程中，必須精確的控制各種 材料尺寸至次微米大小且具有極高的再制性，而由于等離子刻蝕是現今技術中唯一能極 有效率地將此工作在高良率下完成，因此等離子刻蝕便成為集成電路制造過程中的主要 技術之一。不過，在干法刻蝕中，等離子體刻蝕氣體的離子和自由基引起與光刻膠膜的 復雜化學反應，迅速使光刻膠硬化，光刻膠變得難以去除。特別對于金屬襯底的干法刻 蝕來說，改性及硬化的光刻膠聚合物在金屬襯底層上產生，它們難以在剝離時除掉，從 而無法滿足市場的需求。
發明內容
本發明所要解決的技術問題就在于克服目上述所存在的不足，提供種適合于半 導體基材上的殘留光刻膠剝離液。為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是該光刻膠剝離液的構成原料 及重量配比為水合胼或有機胺化合物 1 15份；溶劑10 45份；抗蝕劑0.1 5份；純水余份。上述技術方案中，所述光刻膠剝離液的構成原料及重量配比為水合胼或有機胺化合物 11份；
溶劑31份；抗蝕劑0.8份；純水57.2 份。或，上述技術方案中，所述光刻膠剝離液的構成原料及重量配比為水合胼或有機胺化合物 14.3份；溶劑35.4 份；抗蝕劑0.6份；純水49.7 份。上述技術方案中，所述的有機胺化合物為甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二 乙胺、三乙胺、異丙胺、仲丁胺、叔丁胺、乙二胺、己胺、己二胺、二亞乙基三胺、三 亞乙基二胺、羥胺中的一種或幾種。上述技術方案中，所述的溶劑為二甲基亞砜、N-甲基吡啶烷酮、一甲基甲酰 胺、一甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙 二醇二甲醚、N-N-二甲基乙酰胺、環丁砜中的一種或幾種。上述技術方案中，所述的抗蝕劑為鄰苯二酚、苯并三唑、沒食子酸、沒食子 酸甲酯、乳酸、果糖、檸檬酸中的一種或幾種。上述技術方案中，所述的純水是經過離子交換樹脂過濾的水，其電阻至少是 18ΜΩ。本發明的優點在于1、本發明適用于集成電路，超大集成電路中，蝕刻后的光刻膠剝離。2、本發明能夠容易的清除蝕刻后的光刻膠膜，能對金屬布線腐蝕降低到最小 化，并且對環境友好。3、本發明對晶圓上的光刻膠及其殘留物，能快速的清洗并無殘留，而且對基底 材料以及金屬配線腐蝕率低。
具體實施例方式下面結合具體實施例對本發明進一步說明實施例一本實施例一具體原料及重量為水合胼11千克；N-甲基吡啶烷酮31千克；沒食子酸甲酯0.8千克；純水57.2千克。實施例二本實施例二具體原料及重量為二乙胺14.3千克；N-甲基吡啶烷酮35.4千克；
鄰苯二酚0.6千克； 純水49.7千克。
當然，以上所述僅為本發明的幾個實例而已，并非來限制本發明實施范圍，凡 依本發明申請專利范圍所述的構造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均應包括于本 發明申請專利范圍內。
權利要求
1.一種光刻膠剝離液，其特征在于該光刻膠剝離液的構成原料及重量配比為 水合胼或有機胺化合物 1 15份；溶劑10 45份；抗蝕劑0.1 5份；純水余份。
2.根據權利要求1所述的一種光刻膠剝離液，其特征在于所述光刻膠剝離液的構 成原料及重量配比為水合胼或有機胺化合物 11份； 溶劑31份；抗蝕劑0.8份；純水57.2份。
3.根據權利要求1所述的一種光刻膠剝離液，其特征在于所述光刻膠剝離液的構 成原料及重量配比為水合胼或有機胺化合物 14.3份； 溶劑35.4份；抗蝕劑0.6份；純水49.7份。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的一種光刻膠剝離液，其特征在于所述的有機 胺化合物為甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、異丙胺、仲丁胺、叔丁 胺、乙二胺、己胺、己二胺、二亞乙基三胺、三亞乙基二胺、羥胺中的一種或幾種。
5.根據權利要求1-3任意一項所述的一種光刻膠剝離液，其特征在于所述的溶劑 為二甲基亞砜、N-甲基吡啶烷酮、一甲基甲酰胺、一甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二 甲基乙酰胺、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇二甲醚、N-N-二甲基乙酰胺、環丁 砜中的一種或幾種。
6.根據權利要求1-3任意一項所述的一種光刻膠剝離液，其特征在于所述的抗蝕 劑為鄰苯二酚、苯并三唑、沒食子酸、沒食子酸甲酯、乳酸、果糖、檸檬酸中的一種 或幾種。
7.根據權利要求1-3任意一項所述的一種光刻膠剝離液，其特征在于所述的純水 是經過離子交換樹脂過濾的水，其電阻至少是18ΜΩ。
全文摘要
本發明涉及一種光刻膠剝離液，特指一種適合于半導體基材上的殘留光刻膠剝離液。該光刻膠剝離液的構成原料及重量配比為水合肼或有機胺化合物1～15份；溶劑10～45份；抗蝕劑0.1～5份；純水余份。本發明的優點在于1、本發明適用于集成電路，超大集成電路中，蝕刻后的光刻膠剝離。2、本發明能夠容易的清除蝕刻后的光刻膠膜，能對金屬布線腐蝕降低到最小化，并且對環境友好。3、本發明對晶圓上的光刻膠及其殘留物，能快速的清洗并無殘留，而且對基底材料以及金屬配線腐蝕率低。
文檔編號G03F7/42GK102012645SQ20101060415
公開日2011年4月13日 申請日期2010年12月24日 優先權日2010年12月24日
發明者何國銳, 殷健成 申請人:東莞市智高化學原料有限公司