專利名稱：顯示基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明的示例性實施例涉及一種顯示基板。更具體地講，本發(fā)明的示例性實施例 涉及一種用于防止漏光的顯示面板。
背景技術：
液晶顯示(IXD)裝置已被用作應用最廣泛的平板顯示裝置之一。通常，IXD裝置 包括顯示基板，電場產生電極(如像素電極)形成在顯示基板上；基板，設置為與顯示基 板相對。此外，LCD裝置包括置于顯示基板和相對基板之間的液晶(LC)層。傳統(tǒng)的IXD裝置通過將電壓施加于電場產生電極以在LC層中產生電場并控制LC 層中影響穿過LC層的光的偏振方向的LC分子的取向來顯示圖像。LC層的LC分子可以因形成在像素電極之間的電場而以垂直取向(VA)模式取向。 例如，當沒有在像素電極之間施加電場時，LCD面板顯示黑色圖像，當在像素電極之間施加 水平電場時，LCD面板顯示具有各種灰度的圖像。在這種方法中，當將相等的電壓施加于像 素電極時，可實現黑色圖像。然而，當將不同的電壓施加于像素電極時，可在數據線和各個 像素電極之間產生可導致漏光的水平電場。因此，需要一種用于防止漏光的方法。
發(fā)明內容
本發(fā)明的示例性實施例在于提供一種顯示基板，用于當顯示面板顯示黑色圖像時 防止漏光。本發(fā)明的其它特征將在下面的描述中進行闡述，并將通過描述在一定程度上變得 明白，或可通過實施本發(fā)明獲悉。本發(fā)明的示例性實施例公開了一種顯示基板。顯示基板包括第一屏蔽圖案，靠近 第一數據線形成。顯示基板包括第二屏蔽圖案，靠近面向第一數據線的第二數據線形成。顯 示基板還包括透明電極，該透明電極包括第一像素電極，結合到第一數據線和第一屏蔽圖 案；第二像素電極，結合到第一電源線和第二屏蔽圖案。第一像素電極和第二像素電極以交 替的排列方式設置。透明電極與第一數據線和第二數據線中的至少一條數據線部分疊置。應當理解前述的一般性描述和下面的具體描述均為示例性和說明性的并意在為 權利要求所限定的本發(fā)明提供進一步的解釋。
所包括的用于為本發(fā)明提供進一步的理解并被包含于本說明書中且構成本說明 書的一部分的附圖示出本發(fā)明的示例性實施例，并連同描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是示出根據本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的俯視圖。圖2是示出圖1的顯示面板的電路圖。圖3是示出與圖1的第一區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖。
圖4是沿圖3的線1-1’截取的剖視圖。圖5是沿圖3的線11-11’截取的剖視圖。圖6是示出與圖1的第二區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖。圖7是沿圖6的線III-III’截取的剖視圖。圖8是示出與圖1的第三區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖。圖9是沿圖8的線IV-IV’截取的剖視圖。圖IOA是示出圖1的顯示基板的柵極線、第一電源線、第二電源線及第一屏蔽圖案 到第八屏蔽圖案的制造方法的俯視圖，圖IOB是示出圖1的顯示基板的柵極線、第一電源 線、第二電源線及第一屏蔽圖案到第八屏蔽圖案的制造方法的剖視圖。圖IlA是示出圖1的顯示基板的第一數據線和第二數據線的制造方法的俯視圖， 圖IlB是示出圖1的顯示基板的第一數據線和第二數據線的制造方法的剖視圖。圖12A是示出圖1的顯示基板的第一接觸孔到第八接觸孔的制造方法的俯視圖， 圖12B是示出圖1的顯示基板的第一接觸孔到第八接觸孔的制造方法的剖視圖。圖13是示出透射率根據圖4的光阻擋圖案的介電常數的曲線圖。圖14是示出根據本發(fā)明的示例性實施例的顯示面板的第一區(qū)域的俯視圖，圖15 是示出根據本發(fā)明的示例性實施例的顯示面板的第二區(qū)域的俯視圖，圖16是示出根據本 發(fā)明的示例性實施例的顯示面板的第三區(qū)域的俯視圖。圖17是示出根據本發(fā)明的示例性實施例的顯示基板的柵極線、第一電源線、第二 電源線及第一屏蔽圖案到第八屏蔽圖案的制造方法的俯視圖。圖18是示出圖17的顯示基板的第一數據線和第二數據線的形成方法的俯視圖。圖19是示出顯示基板的第一接觸孔到第八接觸孔的形成方法的俯視圖。
具體實施例方式下丈中，參照示出了本發(fā)明實施例的附圖來更充分地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可 以以許多不同的形式來實施，并不應該被解釋為限于這里闡述的實施例。相反，提供這些實 施例使得本公開將是全面的，并將向本領域技術人員充分傳達本發(fā)明的范圍。在附圖中，為 了清晰起見，可夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。圖中，相同的標號指示相同的元件。應該理解的是，當元件或層被稱為“在”另一元件或層“上”、“連接到”另一元件或 層或者“結合到”另一元件或層時，它可以直接在另一元件或層上、直接連接到另一元件或 層或者直接結合到另一元件或層，或者可以存在中間元件或中間層。但是，當元件被稱為 “直接在”另一元件或層“上”、“直接連接到”另一元件或層或者“直接結合到”另一元件或 層時，不存在中間元件或中間層。相同的標號始終指示相同的元件。如這里所使用的，術語 “和/或”包括相關所列項的任意部分、兩個或多個部分的組合、所有部分的組合。應該注意的是，雖然使用編號式術語諸如第一、第二、第三在這里用來描述各種元 件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應該受這些編號 式術語的限制。這些編號式術語語只是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、 組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。還應注意關于空間關系的術語，例如，“在......之下”、“在......下方”、“下面的”、“在......上方”、“上面的”，這些術語可用在這里來描述如圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關系。應該理解的是，空間關系術語意在示出基于圖中所示的方位 標準元件或特征的裝置的不同方位。例如，如果將附圖中所示的裝置翻轉，則根據方位標準 元件或特征的變化方向，被描述為“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件將隨后被定位為“在”其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，通過構造，術語“在......下方”可以包括“在......上方”和“在......下方”兩個方位。根據構造，可將裝置另外定位(例如，旋轉90度或處于其它方位)，并相應地解釋這里使用的與其它元件和/或特征關聯(lián)的空 間關系術語。這里使用的術語只是出于描述示例性實施例的目的，而不意在成為本發(fā)明的限 制。除非上下文另外清楚地指出，否則這里所使用的單數形式也可包括復數形式。還應該理 解的是，當在本說明書中使用術語“包括”和/或“包含”時，表明存在所述特征、整體、步驟、 操作、元件和/或組件，但這些術語不排除存在或添加一個或多個其它特征、整體、步驟、操 作、元件、組件和/或它們的組。在這里參照作為本發(fā)明的示例性實施例(和中間結構)的示意圖的剖視圖來描述 本發(fā)明的示例性實施例。這樣，通過舉例而不是通過限制來說明各種示例性實施例，例如， 將預料到由制造技術和/或公差造成的變化。因此，所示出的本發(fā)明的示例和實施例不應 該被解釋為限于這里示出的區(qū)域的具體形狀，而是應該被解釋為包括由制造技術和選擇造 成的形狀的偏差。例如，示出為矩形的注入區(qū)通常會在其邊緣處具有倒圓的或者彎曲的特 征和/或具有注入濃度梯度，而不是從注入區(qū)到非注入區(qū)的二元變化。同樣，由注入形成的 埋區(qū)可導致在埋區(qū)和發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域 本質上是示意性的，它們的形狀不意在限制裝置的區(qū)域的真實形狀，并不意在限制本發(fā)明 的范圍。除非另有限定，否則這里使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本 發(fā)明所屬領域的普通技術人員所通常理解的意思相似的意思。還將理解的是，例如在通用 字典中定義的術語應該被解釋為具有與在相關領域的上下文中它們的意思一致的意思，并 且除非這里清楚地限定，將不被解釋為理想的或過于正式的意思。下丈中，可參照附圖對本發(fā)明進行詳細說明。圖1是示出根據本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的俯視圖。參照圖1，顯示裝置可包括顯示面板1000 ；柵極線驅動部件1010，設置為用于驅 動顯示面板1000 ；數據線驅動部件1030，設置為用于驅動顯示面板1000。顯示面板1000可包括顯示基板100 ；相對基板(即，濾色器基板)200，與顯示基 板100結合；液晶(LC)層(未示出)，置于顯示基板100和相對基板200之間。例如，顯示 面板1000可包括顯示區(qū)域DA;第一外圍區(qū)域PA1，可圍繞顯示區(qū)域DA;第二外圍區(qū)域PA2， 可圍繞顯示區(qū)域DA。傳送數據信號的數據線及傳送柵極信號的柵極線形成在顯示區(qū)域DA上。柵極線 可在第一方向Dll上延伸，數據線可在第二方向DI2上延伸。例如，第一方向DIl可垂直于 第二方向DI2。在一些示例中，第一外圍區(qū)域PAl可設置在數據線的第一端部處，并且第二外圍 區(qū)域PA2可設置在柵極線的第一端部處。如圖1所示，當在俯視圖上觀看時，第二外圍區(qū)域 PA2可設置在顯示區(qū)域DA的左側。例如，第二外圍區(qū)域PA2可設置在顯示區(qū)域DA的右側。
顯示區(qū)域DA可包括K個區(qū)塊B(其中，K可以是奇數)。在一些示例中，K可以是 13。因此，區(qū)塊B可被分成13個。每個區(qū)塊B可包括多個柵極線。可作為顯示面板1000 的最上面的區(qū)塊B的第一區(qū)塊Bl可包括第一柵極線，可作為顯示面板1000的最下面的區(qū) 塊B的第十三區(qū)塊B13可包括第η柵極線(其中，η可以是自然數)。例如，第一柵極線可 代表柵極線中的第一條柵極線，第η柵極線可代表柵極線中的最后一條柵極線。因此，可作為中間柵極線的第(η/2)柵極線可包括在可作為中間區(qū)塊的第七區(qū)塊 Β7中?？蓪⒅虚g區(qū)塊B表示為第(K+l)/2區(qū)塊。在一些示例中，假設柵極線數為奇數。例如，當柵極線數為偶數時，第七區(qū)塊Β7可 包括第(η_1)/2柵極線或第(η+1)/2柵極線。每個區(qū)塊B的像素結構可彼此不同。下文中，第七區(qū)塊Β7可被描述為第一區(qū)域 Al，第一區(qū)塊Bl可被描述為第二區(qū)域Α2，第十三區(qū)塊Β13可被描述為第三區(qū)域A3。柵極線驅動部件1010可包括移位寄存器，移位寄存器中的多個級可依次互連，并 可將柵極信號順序地輸出到柵極線G。柵極線驅動部件1010可包括至少一個柵極線驅動 芯片1011。柵極線驅動部件1010可形成在第二外圍區(qū)域ΡΑ2上。例如，柵極線驅動部件 1010可集成在顯示面板1000的第二外圍區(qū)域ΡΑ2上而無需柵極線驅動芯片1011。這種布 置允許不需要組件的安裝空間，從而可實現纖薄型的顯示裝置。例如，柵極線驅動芯片1011可附著到位于印刷電路板(未示出)和顯示面板之間 的載帶封裝件(TCP)上。數據線驅動部件1030可與柵極信號同步地將模擬式數據信號輸出到數據線D。數 據線驅動部件1030可包括至少一個數據線驅動芯片1031。數據線驅動芯片1031可以以玻璃上芯片(COG)形式直接附著到顯示面板的第一 外圍區(qū)域PA1。數據線驅動芯片1031可通過柔性膜1070將電源線1050提供到數據線驅動 芯片1031。電源線1050可延伸到柵極線驅動芯片1011。盡管在圖1中未示出，但是從數據線 驅動芯片1031延伸的電源線1050可被設置成電連接到柵極線驅動芯片1011。圖2是示出圖1的顯示面板的電路圖。參照圖1和圖2，顯示面板可包括多個信號線Dj、Dj+l、Dj+2、Gi、地線GND和電源 線AVDD，其中，j和i可以是自然數。顯示面板可包括以矩陣形狀布置的多個像素。每個像素可連接到信號線Dj、Dj+l、 Dj+2、Gi、地線GND和電源線AVDD。顯示面板可包括顯示基板100 ；相對基板200 ；液晶層(未示出)，置于顯示基板 100和相對基板200之間。在信號線Dj、Dj+l、Dj+2、Gi中，第一柵極線Gi可設置為用于傳送柵極信號(即， 掃描信號)，第一數據線D j、第二數據線D j+Ι和第三數據線D j+2可設置為用于傳送數據電壓。在一些示例中，第一柵極線Gi、地線GND和電源線AVDD可在行方向上延伸并可布 置為相互平行。第一數據線Dj和第二數據線Dj+Ι可在列方向上延伸并可布置為相互平行。第一數據線Dj和第二數據線Dj+Ι可接收具有彼此極性相反的電壓。第三數據線 Dj+2可接收具有與施加于靠近第三數據線Dj+2的第四數據線(未示出)的電壓的極性相反的極性的電壓。第一數據線Dj可電連接到第一開關元件Qa，第二數據線D j+Ι可電連接到第三開 關元件Qc。此外，地線GND可電連接到第二開關元件Qb，電源線AVDD可電連接到第四開關 元件Qd。連接到第一開關元件Qa和第二開關元件Qb的透明電極可與電源線AVDD和地線 GND疊置以形成多個存儲電容器Csa和Csg。類似地，連接到第三開關元件Qc和第四開關 元件Qd的透明電極可與電源線AVDD和地線GND疊置以形成多個存儲電容器Csa和Csg。LC層可在透明電極之間用作電介質。因此，透明電極和LC層可形成液晶電容器 Clc0LC層可具有介電各向異性。當沒有將電場施加于LC層的LC分子時，LC分子的長 軸可垂直于兩個顯示基板的表面取向。圖3是示出與圖1的第一區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖。圖4是沿圖3的線1-1’ 截取的剖視圖。圖5是沿圖3的線11-11’截取的剖視圖。參照圖2、圖3、圖4和圖5，顯示面板可包括顯示基板100、相對基板200及LC層 300。圖3中示出的第一像素區(qū)域PX (η，η)和第二像素區(qū)域PX (η，η+l)可作為示例來描 述。圖2中示出的第一數據線Dj可代表圖3中示例性示出的第一數據線171a，圖2中示出 的第二數據線Dj+Ι可代表圖3中示例性示出的第二數據線171b，圖2中示出的第三數據線 Dj+2可代表圖3中示例性示出的第三數據線171c。圖2的第一柵極線Gi可代表圖3的柵極線121。圖2的地線GND可代表圖3的第 一電源線131a，圖2的電源線AVDD可代表圖3的第二電源線131b。此外，第一開關元件Qa可電連接到第一數據線171a，第三開關元件Qc可電連接到 第二數據線171b，第二開關元件Qb可電連接到第一電源線131a，第四開關元件Qd可電連 接到第二電源線131b。顯示基板100可包括下基礎基板110，在下基礎基板110上可限定多個像素區(qū)域 P。在圖3中，可形成第一像素區(qū)域PX(η，η)和第二像素區(qū)域ΡΧ(η，η+1)。多個柵極金屬層可形成在下基礎基板110上，多個柵極金屬層可包括柵極線121、 第一電源線131a、第二電源線131b、第一屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖案12 、第三屏蔽圖案 125c、第四屏蔽圖案125d、第五屏蔽圖案12 、第六屏蔽圖案125f、第七屏蔽圖案125g和第 八屏蔽圖案12證。當在俯視圖上觀看時，柵極線121可傳送將在水平方向上延伸的柵極信號。當 在俯視圖上觀看時，每個柵極線121可包括可向上部延伸的第一柵電極12 、第二柵電極 124b、第三柵電極12 和第四柵電極124d。在一些示例中，第一柵電極IMa、第二柵電極124b、第三柵電極12 和第四柵電 極124d可具有矩形的形狀。應該理解的是，可改變第一柵電極IMa、第二柵電極124b、第 三柵電極12 和第四柵電極124d的形狀和布置。第一電源線131a和第二電源線131b可接收預定電壓，例如第一電壓和第二電壓。 當在俯視圖上觀看時，第一電源線131a和第二電源線131b可在水平方向上延伸。例如，第 一電源線131a和第二電源線131b可接收不同的電壓。
當在俯視圖上觀看時，第一屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖案125b、第三屏蔽圖案 125c、第四屏蔽圖案125d、第五屏蔽圖案12 、第六屏蔽圖案125f、第七屏蔽圖案125g和第 八屏蔽圖案12 可在垂直方向上延伸。第一屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖案12 、第三屏蔽 圖案125c、第四屏蔽圖案125d、第五屏蔽圖案12 、第六屏蔽圖案125f、第七屏蔽圖案125g 和第八屏蔽圖案12 可沿垂直方向形成在像素區(qū)域的邊緣部分。柵極絕緣層140可形成在下基礎基板110上以覆蓋柵極線121、第一電源線131a、 第二電源線131b、第一屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖案12 、第三屏蔽圖案125c、第四屏蔽圖 案125d、第五屏蔽圖案125e、第六屏蔽圖案125f、第七屏蔽圖案125g、第八屏蔽圖案125h、 第一柵電極IMa、第二柵電極124b、第三柵電極12 和第四柵電極124d。半導體層巧4可形成在柵極絕緣層140上。例如，半導體層巧4可包括氫化非晶 硅(a-Si)或多硅晶(poly-Si)。每個半導體層巧4可設置在第一柵電極12 、第二柵電極 124b、第三柵電極12 和第四柵電極124d上。歐姆接觸層163可形成在半導體層巧4上。在一些示例中，歐姆接觸層163可包括 高濃度摻雜η型摻雜劑如磷(P)的η+氫化非晶硅。例如，歐姆接觸層163可包括硅化物。 與第一開關元件Qa、第二開關元件Qb、第三開關元件Qc和第四開關元件Qd對應地，歐姆接 觸層163可彼此隔開。數據金屬層可形成在形成有歐姆接觸層163的下基礎基板110上。數據金屬層可 包括例如第一數據線171a、第二數據線171b、第三數據線171c、第一源電極173a、第二源電 極17 、第三源電極173c、第四源電極173d、第一漏電極175a、第二漏電極17 、第三漏電 極175c和第四漏電極175d。第一數據線171a、第二數據線171b和第三數據線171c可傳送數據信號。第一數 據線171a、第二數據線171b和第三數據線171c可在垂直方向上延伸以橫過柵極線121。第 一屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖案125b、第三屏蔽圖案125c、第四屏蔽圖案125d、第五屏蔽圖 案125e、第六屏蔽圖案125f、第七屏蔽圖案125g和第八屏蔽圖案12 可平行于第一數據 線171a、第二數據線171b和第三數據線171c形成。在一些示例中，第一數據線171a和第二數據線171b可接收不同的電壓。類似地， 第二數據線171b和第三數據線171c可接收不同的電壓。當在俯視圖上觀看時，第一源電極173a可從第一數據線171a突出，具有朝向第 一柵電極12 的U形，第三源電極173c可從第二數據線171b突出，具有朝向第三柵電極 124c的U形。類似地，當在俯視圖上觀看時，第二源電極17 可從第一數據線171a突出， 具有朝向第二柵電極124b的U形，第四源電極173d可從第二數據線171b突出，具有朝向 第四柵電極124d的U形。第一漏電極17 的第一端部可被第一源電極173a圍繞，第一源電極173a可朝第 一柵電極12 的中心部分彎曲。第二漏電極17 的第一端部可被第二源電極17 圍繞， 第二源電極17 可朝第二柵電極124b的中心部分彎曲。第三漏電極175c的第一端部可 被第三源電極173c圍繞，第三源電極173c可朝第三柵電極12如的中心部分彎曲。第四漏 電極175d的第一端部可被第四源電極173d圍繞，第四源電極173d可朝第四柵電極124d 的中心部分彎曲。第一柵電極IMa、第一源電極173a、第一漏電極17 和半導體層IM可限定第一開關元件Qa。第二柵電極1Mb、第二源電極173b、第二漏電極17 和半導體層巧4可限 定第二開關元件Qb。第三柵電極12 、第三源電極173c、第三漏電極175c和半導體層巧4 可限定第三開關元件Qc。第四柵電極lMd、第四源電極173d、第四漏電極175d和半導體層 IM可限定第四開關元件Qd。在一些示例中，第一開關元件Qa的溝道可形成在第一源電極173a和第一漏電極 17 之間的半導體層巧4上。第二開關元件Qb的溝道可形成在第二源電極17 和第二 漏電極17 之間的半導體層巧4上。第三開關元件Qc的溝道可形成在第三源電極173c 和第三漏電極175c之間的半導體層巧4上。第四開關元件Qd的溝道可形成在第四源電極 173d和第四漏電極175d之間的半導體層巧4上。歐姆接觸層163可設置在半導體層154與第一源電極173a、第二源電極17 、第 三源電極173c和第四源電極173d之間以減小其間的接觸電阻。類似地，歐姆接觸層163 可設置在半導體層巧4與第一漏電極17 、第二漏電極17 、第三漏電極175c和第四漏電 極175d之間以減小其間的接觸電阻。從第一漏電極17 擴展的第一漏極接觸電極177a可通過第一接觸孔CHl連接到 第一像素電極191a，從第一屏蔽圖案12 擴展的第一屏蔽接觸電極127a可通過第一接觸 孔CHl連接到第一像素電極191a。在一些示例中，第一漏極接觸電極177a和第一屏蔽接觸電極127a可彼此隔開，以 使第一像素電極191a可電連接第一漏極接觸電極177a和第一屏蔽接觸電極127a。例如， 第一漏極接觸電極177a可與第一屏蔽接觸電極127a接觸。第一屏蔽圖案12 可沿著第一像素區(qū)域PX(η，η)的向上的方向從第一屏蔽接觸 電極127a與第一數據線171a對應地延伸到第一像素區(qū)域PX(η，η)的水平中心線，以使第 一屏蔽圖案12 可位于靠近第一數據線171a的位置。還可形成連接圖案U6a，連接圖案126a可沿著第一像素區(qū)域PX(η，η)的水平中 心線連接在第一屏蔽圖案12 和第三屏蔽圖案125c之間。例如，連接圖案126a可橫過第 一像素區(qū)域PX(η，η)以連接第一屏蔽圖案125a和第三屏蔽圖案125c。在第一像素區(qū)域PX (η, η)的上部中，第三屏蔽接觸電極127c可通過靠近第二數據 線171b的區(qū)域處的第三接觸孔CH3電連接到第一像素電極191a。因此，彼此隔開的第一像 素電極191a可通過第三屏蔽圖案125c及第三接觸孔CH3電互連。第三屏蔽圖案125c可 沿著第一像素區(qū)域PX(η，η)的向上的方向靠近第二數據線171b從水平中心線延伸，以使第 三屏蔽圖案125c可靠近第二數據線171b設置。從第二漏電極17 擴展的第二漏極接觸電極177b可通過第二接觸孔CH2連接到 第二像素電極191b，從第二屏蔽圖案12 擴展的第二屏蔽接觸電極127b可通過第二接觸 孔CH2連接到第二像素電極191b。在一些示例中，第二漏極接觸電極177b和第二屏蔽接觸電極127b可彼此隔開，以 使第二像素電極191b可電連接第二漏極接觸電極177b和第二屏蔽接觸電極127b。例如， 第二漏極接觸電極177b可與第二屏蔽接觸電極127b接觸。第二屏蔽圖案12 可沿著第一像素區(qū)域PX(η，η)的向上的方向從第二屏蔽接觸 電極127b延伸到第一像素區(qū)域PX(η，η)的水平中心線，以使第二屏蔽圖案12 可靠近第 二數據線171b設置。
在一些示例中，在第一像素區(qū)域ΡΧ(η，η)的上部中，第四屏蔽圖案125d可沿著第 一像素區(qū)域PX(n，n)的垂直方向延伸，從而第四屏蔽圖案125d可位于靠近第一數據線171a 的位置。例如，第四屏蔽圖案125d可通過靠近第一像素區(qū)域PX(n，n)的水平中心線設置的 第四接觸孔CH4電連接到第二像素電極191b。從第三漏電極175c擴展的第三漏極接觸電極177c可通過第五接觸孔CH5連接到 第三像素電極191c，從第五屏蔽圖案12 擴展的第五屏蔽接觸電極127e可通過第五接觸 孔CH5連接到第三像素電極191c。在一些示例中，第三漏極接觸電極177c和第五屏蔽接觸 電極127e可彼此隔開，以使第三像素電極191c可電連接第三漏極接觸電極177c和第五屏 蔽接觸電極127e。例如，第三漏極接觸電極177c可與第五屏蔽接觸電極127e接觸。第五屏蔽圖案12 可沿著第二像素區(qū)域PX(n，n+1)的向上的方向從第五屏蔽接 觸電極127e與第二數據線171b對應地延伸到第二像素區(qū)域PX(n，n+1)的水平中心線，以 使第五屏蔽圖案12 可靠近第二數據線171b設置。還可形成連接圖案12 以沿著第二像素區(qū)域PX(n，n+1)的水平中心線連接形成 在第五屏蔽圖案12 和第七屏蔽圖案125g之間的區(qū)域。例如，連接圖案126b可橫過第二 像素區(qū)域PX(n，n+1)以連接第五屏蔽圖案12 和第七屏蔽圖案125g。在第二像素區(qū)域PX (n，n+1)的上部中，第三數據線171c可通過第七接觸孔CH7電 連接到第三像素電極191c。因此，彼此隔開的第三像素電極191c可通過第七屏蔽圖案125g 及第七接觸孔CH7電互連。第七屏蔽圖案125g可沿著第二像素區(qū)域PX(n，n+1)的向上的 方向靠近第三數據線171c從水平中心線延伸，以使第七屏蔽圖案125g可靠近第三數據線 171c設置。從第四漏電極175d擴展的第四漏極接觸電極177d可通過第六接觸孔CH6連接到 第四像素電極191d，從第六屏蔽圖案125f擴展的第六屏蔽接觸電極127f可通過第六接觸 孔CH6連接到第四像素電極191d。在一些示例中，第四漏極接觸電極177d和第六屏蔽接觸電極127f可彼此隔開，以 使第四像素電極191d可電連接第六漏極接觸電極177f和第六屏蔽接觸電極127f。例如， 第四漏極接觸電極177d可與第六屏蔽接觸電極127f接觸。第六屏蔽圖案125f可沿著第二像素區(qū)域PX(n，n+1)的向上的方向從第六屏蔽接 觸電極127f與第三數據線171c對應地延伸到第二像素區(qū)域PX(n，n+1)的水平中心線，以 使第六屏蔽圖案125f可靠近第三數據線171c設置。在一些示例中，在第二像素區(qū)域PX(n，n+1)的上部中，第八屏蔽圖案125h可沿著 第二像素區(qū)域PX(n，n+l)的垂直方向延伸，以使第八屏蔽圖案12 可靠近第二數據線171b 設置。例如，第八屏蔽圖案12 可通過靠近第二像素區(qū)域PX (n，n+l)的水平中心線設置的 第八接觸孔CH8電連接到第四像素電極191d。數據絕緣層180可形成在柵極絕緣層140上以覆蓋第一數據線171a、第二數據線 171b、第三數據線171c、第一源電極173a、第二源電極17 、第三源電極173c、第四源電極 173d、第一漏電極175a、第二漏電極17 、第三漏電極175c和第四漏電極175d。數據絕緣層180可包括無機絕緣層181和有機絕緣層182。可形成無機絕緣層181 以覆蓋第一數據線171a、第二數據線171b、第三數據線171c、第一源電極173a、第二源電極 17 、第三源電極173c、第四源電極173d、第一漏電極175a、第二漏電極17 、第三漏電極175c和第四漏電極175d。例如，可形成有機絕緣層182以覆蓋無機絕緣層181。第一接觸孔CHl可穿過柵極絕緣層140和數據絕緣層180形成以暴露第一漏極接 觸電極177a和第一屏蔽接觸電極127a。例如，柵極絕緣層140可通過第一暴露區(qū)域EAl蝕 刻以便暴露第一屏蔽接觸電極127a，數據絕緣層180可通過第二暴露區(qū)域EA2蝕刻以便暴 露第一漏極接觸電極177a?？赏瑫r蝕刻柵極絕緣層140和數據絕緣層180。因此，穿過第 一接觸孔CHl相互沒有疊置的第一漏極接觸電極177a和第一屏蔽接觸電極127a可連接到 第一像素電極191a。類似地，第二接觸孔CH2可形成在柵極絕緣層140和數據絕緣層180上以暴露第 二漏極接觸電極177b和第二屏蔽接觸電極127b。并且，第五接觸孔CH5可形成在柵極絕緣 層140和數據絕緣層180上以暴露第三漏極接觸電極177c和第五屏蔽接觸電極127e。此 外，第六接觸孔CH6可形成在柵極絕緣層140和數據絕緣層180上以暴露第四漏極接觸電 極177d和第六屏蔽接觸電極127f。第三接觸孔CH3可形成在數據絕緣層180上以暴露第三屏蔽接觸電極127c，第四 接觸孔CH4可形成在數據絕緣層180上以暴露第四屏蔽接觸電極127d，第七接觸孔CH7可 形成在數據絕緣層180上以暴露第七屏蔽接觸電極127g，第八接觸孔CH8可形成在數據絕 緣層180上以暴露第八屏蔽接觸電極12幾。由光學透明和導電材料如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)形成的第一透明電極 191可形成在數據絕緣層180上。第一透明電極191可包括第一像素電極191a、第二像素 電極191b、第三像素電極191c和第四像素電極191d。第一像素電極191a可接收與第一數據線171a不同的電壓，第三像素電極191c可 接收與第二數據線171b不同的電壓。第二像素電極191b可接收與第一電源線131a不同的電壓，第四像素電極191d可 接收與第二電源線131b不同的電壓。當水平的電場形成在第一像素電極191a和第二像素電極191b之間時，可實現各 種灰度。例如，為了表現各種灰度，可根據灰度來調整第一數據線171a的施加電壓。在一些示例中，當水平的電場形成在第三像素電極191c和第四像素電極191d之 間時，可實現各種灰度。例如，為了表現各種灰度，可根據灰度來調整第二數據線171b的施 加電壓。第一像素電極191a和第二像素電極191b可以以交替的排列方式設置，并且，第三 像素電極191c和第四像素電極191d可以以交替的排列方式設置。例如，第一像素電極191a可通過第一接觸孔CHl連接到第一漏極接觸電極177a 和第一屏蔽接觸電極127a，并且，第一像素電極191a可延伸到第一像素區(qū)域PX(n，n)的水 平中心線以與第一屏蔽圖案12 和第一數據線171a均部分疊置。第一像素電極191a可 在水平中心線的下部以關于柵極線121的延伸方向成約45度的傾斜角延伸并可在水平中 心線的上部以關于柵極線121的延伸方向成約135度的傾斜角延伸。在一些示例中，當在俯視圖上觀看時，第一像素電極191a可通過處于水平中心線 的上部的第三接觸孔CH3電連接到第三屏蔽圖案125c，并可沿向上的方向延伸以與第二數 據線171b和靠近第二數據線171b的第三屏蔽圖案125c均部分疊置。例如，當在俯視圖上 觀看時，在水平中心線的上部延伸的第一像素電極191a可以以關于柵極線121成約135度的傾斜角延伸。第二像素電極191b可通過第二接觸孔CH2連接到第二漏極接觸電極177b和第二 屏蔽接觸電極127b。并且，第二像素電極191b可延伸到第一像素區(qū)域PX(η，η)的水平中 心線以與第二屏蔽圖案12 和第二數據線171b均部分疊置。第二像素電極191b可在水 平中心線的下部以關于柵極線121的延伸方向成約225度的傾斜角延伸，并且，在水平中心 線的下部延伸的一部分第二像素電極191b可在水平中心線的上部以關于柵極線121的延 伸方向成約135度的傾斜角延伸。類似地，當在俯視圖上觀看時，可通過處于水平中心線的上部的第四接觸孔CH4 電連接到第四屏蔽圖案125d的第二像素電極191b可沿水平中心線的向上的方向延伸以與 第一數據線171a和靠近第一數據線171a的第四屏蔽圖案125d均部分疊置。此外，當在俯 視圖上觀看時，第二像素電極191b可在水平中心線的上部延伸，然后可以以關于形成在水 平中心線的下部的柵極線121成約135度的傾斜角延伸。第三像素電極191c可通過第五接觸孔CH5連接到第三漏極接觸電極177c和第五 屏蔽接觸電極127e，并且，第三像素電極191c可延伸到第二像素區(qū)域PX(n，n+l)的水平中 心線以與第五屏蔽圖案12 和第二數據線171b均部分疊置。第三像素電極191c可在水 平中心線的下部以關于柵極線121的延伸方向成約45度的傾斜角延伸，然后可在水平中心 線的上部以關于柵極線121的延伸方向成約135度的傾斜角延伸。類似地，當在俯視圖上觀看時，第三像素電極191c可通過處于水平中心線的上部 的第七接觸孔CH7電連接到第七屏蔽圖案125g，并可沿向上的方向延伸以與第三數據線 171c和靠近第三數據線171c的第七屏蔽圖案125g均部分疊置。此外，當在俯視圖上觀看 時，可在水平中心線的上部延伸的第三像素電極191c可以以關于柵極線121的延伸方向成 約135度的傾斜角延伸。第四像素電極191d可通過第六接觸孔CH6連接到第四漏極接觸電極177d和第六 屏蔽接觸電極127f，并且，第四像素電極191d可延伸到第二像素區(qū)域PX(n，n+l)的水平中 心線以與第六屏蔽圖案125f和第三數據線171c均部分疊置。第四像素電極191d可在水 平中心線的下部以關于柵極線121的延伸方向成約225度的傾斜角延伸，并且，在水平中心 線的下部延伸的一部分第四像素電極191d可在水平中心線的上部以關于柵極線121的延 伸方向成約135度的傾斜角延伸。類似地，當在俯視圖上觀看時，可通過處于水平中心線的上部的第八接觸孔CH8 電連接到第八屏蔽圖案12 的第四像素電極191d可沿水平中心線的向上的方向延伸以與 第二數據線171b和靠近第二數據線171b的第八屏蔽圖案12 均部分疊置。當在俯視圖上 觀看時，第四像素電極191d可在水平中心線的上部以關于柵極線121的延伸方向成約315 度的傾斜角延伸，并可在水平中心線的下部以關于柵極線121的延伸方向成約225度的傾 斜角延伸。圖5是沿圖3的線11-11，截取的剖視圖。參照圖5，第二像素電極191b和第三像 素電極191c之間的間隔距離D可為約6 μ m。例如，因為第一疊置寬度OWll可覆蓋第二像 素電極191b的可與第二數據線171b疊置的一部分，所以第一疊置寬度OWll可基本上等于 可形成有第三像素電極191c和第二數據線171b的第二疊置寬度0W21。在這個示例中，第 二像素電極191b的寬度TWll和第三像素電極191c的寬度TW21可為約6 μ m。第二疊置寬度0W21可覆蓋第三像素電極191c的可與第二數據線171b疊置的一部分。在一些示例中，第一像素區(qū)域PX(η，η)和第二像素區(qū)域PX(η，η+l)可具有矩形的 形狀。例如，第一像素區(qū)域PX (η，η)和第二像素區(qū)域ΡΧ(η，η+1)可具有各種類型的形狀，如 鋸齒狀。下取向層11可形成在下基礎基板110上，其中可形成第一像素電極191a和第三 像素電極191c及第二像素電極191b和第四像素電極191d，以使下取向層11可與LC層300 的LC分子垂直對齊，即，可以為沿從顯示基板100朝向相對基板200的方向。相對基板200可面向顯示基板100設置。相對基板200可包括上基礎基板210、光阻擋圖案220、濾色器圖案230、保護層 (overcoating layer) 250 及上取向層 21。光阻擋圖案220可阻擋第一像素電極191a和第三像素電極191c與第二像素電 極191b和第四像素電極191d之間的漏光以限定開口區(qū)域，在該開口區(qū)域中，第一像素電極 191a和第三像素電極191c可面向第二像素電極191b和第四像素電極191d。因此，濾色器 圖案230可形成在可不阻擋光的開口區(qū)域上。例如，光阻擋圖案220的介電常數可不小于 約15。濾色器圖案230可包括例如紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器。保護層250 可覆蓋濾色器圖案230和光阻擋圖案220。保護層250可形成在光阻擋圖案220和濾色器圖案230上。保護層250可包括絕 緣材料。保護層250可防止濾色器圖案230暴露并可形成用于提供平坦的表面。通過制造 工藝的構造，可省略保護層250。上取向層21可形成在保護層250上以使LC層300垂直取向。LC層300可置于顯示基板100和相對基板200之間。LC層300可包括具有介電 各向異性的LC分子。當沒有將電場施加于LC層的LC分子時，LC分子的長軸可與兩個顯 示基板100和200的表面垂直地取向。可通過形成在第一像素電極191a和第二像素電極191b之間的電場改變LC層300 的LC的取向，并可通過形成在第三像素電極191c和第四像素電極191d之間的電場改變LC 層300的LC的取向。因此，LC層300的透射率可根據電場的強度而改變。例如，當將不同的電壓施加于第一像素電極191a和第二像素電極191b時，可形 成與顯示基板100的表面和相對基板200的表面基本平行的電場，從而實現白模式(white mode)。當將相等的電壓施加于第一像素電極191a和第二像素電極191b時，可形成與顯示 基板100的表面和相對基板200的表面基本垂直的電場，從而實現黑模式(black mode)。類似地，當將不同的電壓施加于第三像素電極191c和第四像素電極191d時，可形 成與顯示基板100的表面和相對基板200的表面基本平行的電場，從而實現白模式。當將 相等的電壓施加于第三像素電極191c和第四像素電極191d時，可形成與顯示基板100的 表面和相對基板200的表面基本垂直的電場，從而實現黑模式。S卩，關于顯示基板100的表面和相對基板200的表面垂直取向的LC層300的LC 分子的長軸可在電場的水平方向上傾斜，入射到液晶層300中的入射光的不同量的偏振可 根據LC分子的入射量而變化。不同的偏振可引起通過偏振器的透射率的不同，從而顯示面 板可顯示圖像。因此，當使用垂直取向的液晶分子時，可增加顯示裝置的對比度并可實現寬視角。此外，如果將兩個具有不同極性的電壓施加于一個像素，則可提高液晶分子的響應速度。在一些示例中，當顯示面板顯示黑色圖像時，在第一數據線171a、第二數據線 171b、第三數據線171c與第一透明電極191之間產生的漏光可由第一屏蔽圖案125a、第二 屏蔽圖案125b、第三屏蔽圖案125c、第四屏蔽圖案125d、第五屏蔽圖案125e、第六屏蔽圖 案125f、第七屏蔽圖案125g和第八屏蔽圖案12 以及與第一屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖 案125b、第三屏蔽圖案125c、第四屏蔽圖案125d、第五屏蔽圖案12 、第六屏蔽圖案125f、 第七屏蔽圖案125g、第八屏蔽圖案125h、第一數據線171a、第二數據線171b和第三數據線 171c部分疊置的第一透明電極191阻止。圖6是示出與圖1的第二區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖。圖7是沿圖6的線 III-Iir截取的剖視圖。除了第一像素電極191a不覆蓋第一數據線171a之外，沿圖6的 線1-1’截取的剖視圖可基本上與圖4相同，從而可省略沿圖6的線1-1’截取的剖視圖以 避免不必要地模糊本發(fā)明。除了第二透明電極491的形狀之外，與圖1的第二區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖 可基本上與可作為與圖1的第一區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖的圖3相同。因此，用于圖 6和圖7中的相同的標號指示的元件可與其在圖3和圖5中示出的元件相同或相似，因此， 將省略對它們的詳細描述以避免不必要地模糊本發(fā)明。參照圖1、圖3、圖4、圖6和圖7，第二透明電極491可包括第一像素電極49la、第 二像素電極49lb、第三像素電極491c和第四像素電極49Id。除了第一像素電極491a可不與第一數據線171a疊置而可與第二數據線171b疊 置之外，第一像素電極491a可基本上與圖3的第一像素電極191a相同。除了第二像素電極491b可不與第一數據線171a疊置而可與第二數據線171b疊 置之外，第二像素電極491b可基本上與圖3的第二像素電極191b相同。除了第三像素電極491c可不與第二數據線171b疊置而可僅與第三數據線171c 疊置之外，第三像素電極491c可基本上與圖3的第三像素電極191c相同。除了第四像素電極491d可不與第二數據線171b疊置而可與第三數據線171c疊 置之外，第四像素電極491d可基本上與圖3的第四像素電極191d相同。
再次參照圖5和圖7，第二像素電極491b和第三像素電極491c之間的間隔距離D 可為約6μπι。例如，第二像素電極491b可僅與第二數據線171b疊置。第二像素電極491b 的寬度TW12可為約7. 5 μ m，第三像素電極491c的寬度TW22可為約4. 5 μ m。第二像素電 極491b與第二數據線171b疊置的第一寬度0W12可基本上等于圖5的第一寬度OWll和第 二寬度0W21之和。圖8是示出與圖1的第三區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖。圖9是沿圖8的線IV-IV’ 截取的剖視圖。沿圖8的線1-1’截取的剖視圖可基本上與圖4相同，從而可省略沿圖8的 線1-1’截取的剖視圖以避免不必要地模糊本發(fā)明。除了第三透明電極591的形狀之外，根據圖1的第三區(qū)域的顯示面板的俯視圖可 基本上與作為與圖1的第一區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖的圖3相同。因此，用于圖8和 圖9中的相同的標號指示的元件可與其在圖3中示出的元件相同或相似，因此，將省略對它 們的詳細描述以避免不必要地模糊本發(fā)明。
參照圖1、圖3、圖4、圖8和圖9，第三透明電極591可包括第一像素電極59la、第 二像素電極591b、第三像素電極591c和第四像素電極591d。例如，第一像素電極591a和 第三像素電極591c的第二端部以及第二像素電極591b和第四像素電極591d的第一端部 可被描述為透明電極591的第一端部，并且第一像素電極591a和第三像素電極591c的第 一端部以及第二像素電極591b和第四像素電極591d的第二端部可被描述為透明電極591 的第二端部。除了第一像素電極591a可不與第二數據線171b疊置而可與第一數據線171a疊 置之外，第一像素電極591a可基本上與圖3的第一像素電極191a相同。除了第二像素電極591b可不與第二數據線171b疊置而可與第一數據線171a疊 置之外，第二像素電極591b可基本上與圖3的第二像素電極191b相同。除了第三像素電極591c可不與第三數據線171c疊置而可與第二數據線171b疊 置之外，第三像素電極591c可基本上與圖3的第三像素電極191c相同。除了第四像素電極591d可不與第三數據線171c疊置而可與第二數據線171b疊 置之外，第四像素電極591d可基本上與圖3的第四像素電極191d相同。第二像素電極591b和第三像素電極591c之間的間隔距離D可為約6 μ m。例如， 第三像素電極591c可與第二數據線171b疊置。第二像素電極591b的寬度TW13可為約 4. 5 μ m，第三像素電極591c的寬度TW23可為約7. 5 μ m。第三像素電極591c與第二數據線 171b疊置的第二寬度0W23可等于圖5的第一寬度OWll和第二寬度0W21之和。即，與第一區(qū)域Al對應的第二像素電極591b的寬度、與第二區(qū)域A2對應的第二 像素電極591b和第一像素電極591a之間的間隔距離和與第三區(qū)域A3對應的第一像素電 極591a的寬度之和可為約18 μ m。例如，形成在第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2之間的第二像素電極591b的寬度可逐漸 減小，第三像素電極591c的寬度可逐漸增加。圖IOA是示出圖1的顯示基板的柵極線、第一電源線、第二電源線及第一屏蔽圖案 到第八屏蔽圖案的制造方法的俯視圖，圖IOB是示出圖1的顯示基板的柵極線、第一電源 線、第二電源線及第一屏蔽圖案到第八屏蔽圖案的制造方法的剖視圖。參照圖3、圖4、圖IOA和圖10B，柵極線121、第一柵電極12 、第二柵電極124b、第 三柵電極lMc、第四柵電極lMd、第一電源線131a、第二電源線131b、第一屏蔽圖案125a、 第二屏蔽圖案12 、第三屏蔽圖案125c、第四屏蔽圖案125d、第五屏蔽圖案12 、第六屏蔽 圖案125f、第七屏蔽圖案125g、第八屏蔽圖案125h、連接圖案126a和U6b、可分別從第一 屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖案12 、第三屏蔽圖案125c、第四屏蔽圖案125d、第五屏蔽圖案 125e、第六屏蔽圖案125f、第七屏蔽圖案125g和第八屏蔽圖案12 延伸的第一屏蔽接觸 電極127a、第二屏蔽接觸電極127b、第三屏蔽接觸電極127c、第四屏蔽接觸電極127d、第五 屏蔽接觸電極127e、第六屏蔽接觸電極127f、第七屏蔽接觸電極127g和第八屏蔽接觸電極 127h可形成在下基礎基板110上。例如，柵極線121、第一電源線131a和第二電源線131b可沿第一方向DIl延伸。 第一屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖案12 、第三屏蔽圖案125c、第四屏蔽圖案125d、第五屏蔽 圖案12 、第六屏蔽圖案125f、第七屏蔽圖案125g和第八屏蔽圖案12 可沿第二方向DI2 延伸。
例如，第一屏蔽圖案12 和第二屏蔽圖案12 可彼此相對，第三屏蔽圖案125c 和第四屏蔽圖案125d可彼此相對。類似地，第五屏蔽圖案12 和第六屏蔽圖案125f可彼 此相對，第七屏蔽圖案125g和第八屏蔽圖案12 可彼此相對?？尚纬蓶艠O絕緣層140。圖IlA是示出圖1的顯示基板的第一數據線和第二數據線的制造方法的俯視圖， 圖IlB是示出圖1的顯示基板的第一數據線和第二數據線的制造方法的剖視圖。參照圖3、圖10A、圖10B、圖IlA和圖11B，可形成半導體層巧4和歐姆接觸層163， 并可形成第一數據線171a、第二數據線171b和第三數據線171c。第一數據線171a可沿第 二方向DI2靠近第一屏蔽圖案12 和第四屏蔽圖案125d延伸。第二數據線171b可沿第 二方向DI2靠近處于第一像素區(qū)域PX(n，n)的第二屏蔽圖案12 和第三屏蔽圖案125c以 及處于第二像素區(qū)域PX(n，n+l)的第五屏蔽圖案12 和第八屏蔽圖案12 延伸。第三數 據線171c可沿第二方向DI2靠近第六屏蔽圖案125f和第七屏蔽圖案125g延伸。在一些示例中，可形成第一開關元件Qa、第二開關元件Qb、第三開關元件Qc和第 四開關元件Qd的第一源電極173a、第二源電極173b、第三源電極173c、第四源電極173d、 第一漏電極175a、第二漏電極17 、第三漏電極175c和第四漏電極175d。例如，可形成第 一漏極接觸電極177a、第二漏極接觸電極177b、第三漏極接觸電極177c和第四漏極接觸電 極177d，第一漏極接觸電極177a可從第一漏電極17 延伸，第二漏極接觸電極177b可從 第二漏電極17 延伸，第三漏極接觸電極177c可從第三漏電極175c延伸，第四漏極接觸 電極177d可從第四漏電極175d延伸。例如，可同時蝕刻半導體層154、歐姆接觸層163和數據金屬層。圖12A是示出圖1的顯示基板的第一接觸孔到第八接觸孔的制造方法的俯視圖， 圖12B是示出圖1的顯示基板的第一接觸孔到第八接觸孔的制造方法的剖視圖。參照圖1、圖3、圖10A、圖10B、圖11A、圖11B、圖12A和圖12B，可形成數據絕緣層 180 (可包括無機絕緣層181和有機絕緣層18 ，并可穿過數據絕緣層180形成第一接觸孔 CHl、第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3、第四接觸孔CH4、第五接觸孔CH5、第六接觸孔CH6、第 七接觸孔CH7和第八接觸孔CH8。第一接觸孔CHl可與第一像素電極191a和第一屏蔽圖案 125a接觸，第二接觸孔CH2可與第二像素電極191b和第二屏蔽圖案12 接觸。第三接觸 孔CH3可與第二像素電極191b和第三屏蔽圖案125c接觸，第四接觸孔CH4可與第一像素 電極191a和第四屏蔽圖案125d接觸。第五接觸孔CH5可與第三像素電極191c和第五屏 蔽圖案12 接觸，第六接觸孔CH6可與第四像素電極191d和第六屏蔽圖案125f接觸。第 七接觸孔CH7可與第四像素電極191d和第七屏蔽圖案125g接觸，第八接觸孔CH8可與第 三像素電極191c和第八屏蔽圖案12 接觸。例如，可同時蝕刻形成在柵極金屬層上的柵極絕緣層140以及形成在數據金屬層 上的數據絕緣層180。參照圖3和圖4，描述了第一透明電極191的形成方法。除了第二透明電極491可 與第二數據線171b和第三數據線171c疊置以及第三透明電極591可與第一數據線171a 和第二數據線171b疊置之外，第二透明電極491和第三透明電極591可基本上與第一透明 電極191相同，因此，下文中可省略第二透明電極491和第三透明電極591的形成方法以避 免不必要地模糊本發(fā)明。
第一像素電極191a和第三像素電極191c以及第二像素電極191b和第四像素電 極191d可形成在下基礎基板110上，在下基礎基板110上可形成第一接觸孔CH1、第二接觸 孔CH2、第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4。第一像素電極191a可在下基礎基板110 (其上形成有第一接觸孔CHl)上與第一 屏蔽接觸電極127a和第一漏極接觸電極177a接觸，并可在下基礎基板110(其上形成有 第三接觸孔OK)上與第三屏蔽接觸電極127c接觸。第二像素電極191b可在下基礎基板 110 (其上形成有第二接觸孔Cffi)上與第二屏蔽接觸電極127b和第二漏極接觸電極177b 接觸，并可在下基礎基板110(其上形成有第四接觸孔CH4)上與第四屏蔽接觸電極127d接 觸。第三像素電極191c可在下基礎基板110 (其上形成有第五接觸孔Cffi)上與第五 屏蔽接觸電極127e和第三漏極接觸電極177c接觸，并可在下基礎基板110(其上形成有 第七接觸孔CH7)上與第七屏蔽接觸電極127g接觸。第四像素電極191d可在下基礎基板 110(其上形成有第六接觸孔CH6)上與第六屏蔽接觸電極127f和第四漏極接觸電極177d 接觸，并可在下基礎基板110 (其上形成有第八接觸孔CH8)上與第八屏蔽接觸電極12 接 觸。例如，第一屏蔽圖案12 可覆蓋第一像素電極191a的第一端部，第三屏蔽圖案 125c可覆蓋第一像素電極191a的第二端部，第二屏蔽圖案12 可覆蓋第二像素電極191b 的第一端部，第四屏蔽圖案125d可覆蓋第二像素電極191b的第二端部。第五屏蔽圖案12 可覆蓋第三像素電極191c的第一端部，第七屏蔽圖案125g可 覆蓋第三像素電極191c的第二端部，第六屏蔽圖案125f可覆蓋第四像素電極191d的第一 端部，第八屏蔽圖案12 可覆蓋第四像素電極191d的第二端部。在一些示例中，可不存在存儲線，并且第一電源線131a和第二電源線131b可相互 疊置以形成多個存儲電容器。因此，可提高顯示基板的開口率。在一些示例中，在第一像素區(qū)域ΡΧ(η，η)中，當施加于第二像素電極191b的電壓 與施加于第一像素電極191a的電壓相等時，可去除由于施加于第二數據線171b的不同極 性的電壓而產生于第二數據線171b和第一像素電極191a之間的水平電場。例如，在第一 像素區(qū)域PX(η，η)中，當施加于第二像素電極191b的電壓與施加于第一像素電極191a的 電壓相等且?guī)l(fā)生變化時，可去除由于施加于第一數據線171a的不同極性的電壓而瞬間 產生于第一數據線171a和第一像素電極191a之間的電場。因此，可防止與黑色圖像相關 的可由水平電場產生的漏光。在一些示例中，在第二像素區(qū)域PX(n，n+1)中，當施加于第四像素電極191d的電 壓與施加于第三像素電極191c的電壓相等時，可去除由于施加于第三數據線171c的不同 極性的電壓而產生于第三數據線171c和第三像素電極191c之間的水平電場。例如，在第 二像素區(qū)域PX(n，n+l)中，當施加于第四像素電極191d的電壓與施加于第三像素電極191c 的電壓相等且?guī)l(fā)生變化時，可去除由于施加于第二數據線171b的不同極性的電壓而瞬 間產生于第二數據線171b和第三像素電極191c之間的電場。因此，可防止與黑色圖像相 關的可由水平電場產生的漏光。在一些示例中，可形成接收與施加于第一像素電極191a和第二像素電極191b的 電壓相同的電壓的第一屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖案12 、第三屏蔽圖案125c和第四屏蔽圖案125d以與第一像素電極191a和第二像素電極191b疊置，從而，第一屏蔽圖案125a、第 二屏蔽圖案12 、第三屏蔽圖案125c和第四屏蔽圖案125d可靠近第一數據線171a和第二 數據線171b。此外，接收與施加于第三像素電極191c和第四像素電極191d的電壓相同的 電壓的第五屏蔽圖案125e、第六屏蔽圖案125f、第七屏蔽圖案125g和第八屏蔽圖案12 可與第三像素電極191c和第四像素電極191d部分疊置。因此，可防止產生于第一數據線 171a、第二數據線171b、第三數據線171c和第一像素電極191a、第二像素電極191b、第三 像素電極191c、第四像素電極191d之間的水平電場。因此，當顯示面板處于黑狀態(tài)時，可 防止漏光。例如，因為第一透明電極191、第二透明電極491和第三透明電極591可與第一 屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖案125b、第三屏蔽圖案125c、第四屏蔽圖案125d、第五屏蔽圖案 12 、第六屏蔽圖案125f、第七屏蔽圖案125g和第八屏蔽圖案12 部分疊置，所以當顯示 面板處于黑狀態(tài)時，可更加有效地防止漏光。此外，可有效地減少在顯示面板1000的區(qū)域處出現的漏光。因為可自顯示面板1000的上部每一幀均施加與像素區(qū)域P的電壓的極性不同的 電壓，所以在第二區(qū)域A2的第一像素區(qū)域PX(η，η)處可產生很嚴重的漏光，在第三區(qū)域A3 的第二像素區(qū)域PX(η，η+1)處可產生很嚴重的漏光。因此，透明電極的寬度可隨著其從顯 示面板1000的上部到達顯示面板1000的下部而逐漸減小或逐漸增加，從而可有效地減少 在顯示面板1000的區(qū)域處出現的漏光。圖13是示出透射率根據圖4的光阻擋圖案的介電常數的曲線圖。例如，X軸可表 示光阻擋圖案沿顯示面板的柵極線的延伸方向的位置(μπι)，Y軸可表示光阻擋圖案的透 射率(a. u.)。參照圖4和圖13，當光阻擋圖案220的介電常數為約200時，可識別出當光阻擋 圖案沿柵極線的延伸方向的位置分別為約20 μ m和約175 μ m時，可產生很嚴重的漏光。例 如，當光阻擋圖案沿柵極線的延伸方向的位置為約20 μ m時，光阻擋圖案220的透射率可為 約0. 0006 [a. u.]。當光阻擋圖案沿柵極線的延伸方向的位置為約175 μ m時，光阻擋圖案 220的透射率可為約0. 0019 [a. u.]。在光阻擋圖案220的介電常數為約15的情況下，可識別出當光阻擋圖案沿柵極 線的延伸方向的位置分別為約20 μ m和約175 μ m時，可產生很嚴重的漏光。例如，當光阻擋 圖案沿柵極線的延伸方向的位置為約20 μ m時，光阻擋圖案220的透射率可為約0. 0003 [a. u.]。當光阻擋圖案沿柵極線的延伸方向的位置為約175 μπι時，光阻擋圖案220的透射率 可為約 0. 0005 [a. u.]。在光阻擋圖案220的介電常數為約5的情況下，可識別出當光阻擋圖案沿柵極線 的延伸方向的位置分別為約20μπι和約175μπι時，可產生很嚴重的漏光。例如，當光阻擋 圖案沿柵極線的延伸方向的位置為約20 μ m時，光阻擋圖案220的透射率可為約0. 0002 [a. u.]。當光阻擋圖案沿柵極線的延伸方向的位置為約175 μπι時，光阻擋圖案220的透射率 可為約 0. 0004 [a. u.]。S卩，在光阻擋圖案沿柵極線的延伸方向的位置為約175 μπι的情況下，可識別出漏 光，當光阻擋圖案220的介電常數為約200時所發(fā)生的漏光可以是當光阻擋圖案220的介 電常數為約15時所發(fā)生的漏光的3. 8倍大。例如，可作為沿柵極線的延伸方向的位置，約20 μπι的位置和約175 μπι的位置可靠近數據線。因此，當光阻擋圖案220的介電常數不超過約15時，可使產生于靠近數據線的區(qū) 域處的漏光最小化。圖14是示出根據本發(fā)明的示例性實施例的顯示面板的第一區(qū)域的俯視圖，圖15 是示出根據本發(fā)明的示例性實施例的顯示面板的第二區(qū)域的俯視圖，圖16是示出根據本 發(fā)明的示例性實施例的顯示面板的第三區(qū)域的俯視圖。除了顯示裝置可包括取代之前圖1的示例性實施例的顯示基板100的顯示基板 600之外，顯示裝置的俯視圖可基本上與圖1的俯視圖相同，因此，可在下文中省略任何重 復的詳細說明以避免不必要地模糊本發(fā)明。沿圖14的線1-1’截取的剖視圖可基本上與參照圖4所示的剖視圖相同，沿圖14 的線11-11’截取的剖視圖可基本上與參照圖5所示的剖視圖相同。沿圖15的線1-1’截 取的剖視圖可基本上與參照圖4所示的剖視圖相同，沿圖15的線III-III’截取的剖視圖 可基本上與參照圖7所示的剖視圖相同。沿圖16的線1-1’截取的剖視圖可基本上與參照 圖4所示的剖視圖相同，沿圖16的線IV-IV’截取的剖視圖可基本上與參照圖9所示的剖 視圖相同。因此，可使用相同的標號指示如圖4、圖5、圖7和圖9中所示的相同的或相似的 部件，并且可省略關于上述元件的任何重復的詳細說明以避免不必要地模糊本發(fā)明。參照圖1、圖4、圖5和圖14，顯示基板600可包括具有V形的第四數據線671a、 第五數據線671b和第六數據線671c，而不是具有條形的第一數據線171a、第二數據線171b 和第三數據線171c ；第一屏蔽圖案62 、第二屏蔽圖案62 、第三屏蔽圖案625c、第四屏 蔽圖案625d、第五屏蔽圖案62 、第六屏蔽圖案625f、第七屏蔽圖案625g和第八屏蔽圖案 62 ，而不是第一屏蔽圖案125a、第二屏蔽圖案125b、第三屏蔽圖案125c、第四屏蔽圖案 125d、第五屏蔽圖案125e、第六屏蔽圖案125f、第七屏蔽圖案125g和第八屏蔽圖案12 ！。在一些示例中，顯示基板600可包括第四透明電極691，第四透明電極691包括與 第四數據線671a、第五數據線671b和第六數據線671c平行的第一像素電極691a和第三像 素電極691c以及第二像素電極691b和第三像素電極691d，而不是包括第一像素電極191a 和第三像素電極191c以及第二像素電極191b和第四像素電極191d的第一透明電極191。例如，第一像素電極691a可連接到第一開關元件Qa以在與第四數據線671a、第 五數據線671b和第六數據線671c平行的對角線方向上向第三像素區(qū)域ΡΧ’ (η,η)的上部 延伸，第三像素電極691c可連接到第三開關元件Qc以在與第四數據線671a、第五數據線 671b和第六數據線671c平行的對角線方向上向第四像素區(qū)域ΡΧ’ (η, η+1)的上部延伸。 在這個示例中，第一像素電極691a可在第三像素區(qū)域ΡΧ’ (η,η)的下部沿水平方向延伸，第 三像素電極691c可在第四像素區(qū)域ΡΧ’ (η,η+1)的下部沿水平方向延伸，可在水平方向上 延伸的第一像素電極691a可在對角線方向上向第三像素區(qū)域ΡΧ’ (η,η)的上部延伸，可在 水平方向上延伸的第三像素電極691c可在對角線方向上向第四像素區(qū)域ΡΧ’ (η, η+1)的 上部延伸。第二像素電極691b可連接到第二開關元件Qb以在與第四數據線671a、第五數據 線671b和第六數據線671c平行的對角線方向上向第三像素區(qū)域ΡΧ’ (η, η)的下部延伸， 第四像素電極691d可連接到第四開關元件Qd以在與第四數據線671a、第五數據線671b和 第六數據線671c平行的對角線方向上向第四像素區(qū)域ΡΧ’ (η, η+1)的下部延伸。在這個示例中，第二像素電極691b可在第三像素區(qū)域ΡΧ’ (η, η)的上部沿水平方向延伸，第四像 素電極691d可在第四像素區(qū)域ΡΧ’ (η,η+1)的上部沿水平方向延伸，可在水平方向上延伸 的第二像素電極691b可在對角線方向上向第三像素區(qū)域ΡΧ’ (η,η)的下部延伸，可在水平 方向上延伸的第四像素電極691d可在對角線方向上向第四像素區(qū)域ΡΧ’ (η, η+1)的下部 延伸。在這個示例中，第一像素電極691a可靠近第四數據線671a形成在第三像素區(qū) 域ΡΧ’ (η, η)的下部上，第二像素電極691b可靠近第五數據線671b形成在第三像素區(qū)域 PX，(n，n)的下部上。例如，第二像素電極691b可靠近第四數據線671a形成在第三像素區(qū) 域ΡΧ’ (η, η)的上部上，第一像素電極691a可靠近第五數據線671b形成在第三像素區(qū)域 PX，(η, η)的上部上。類似地，第三像素電極691c可靠近第五數據線671b形成在第四像素區(qū)域ΡΧ，(η, η+1)的下部上，第四像素電極691d可靠近第六數據線671c形成在第四像素區(qū)域ΡΧ’ (η, η+1)的下部上。例如，第四像素電極691d可靠近第五數據線671b形成在第四像素區(qū)域 ΡΧ’ (η, η+1)的上部上，第三像素電極691c可靠近第六數據線671c形成在第四像素區(qū)域 ΡΧ，(η, η+1)的上部上。在這個示例中，第一像素電極691a可與第一屏蔽圖案62 和第四數據線671a均 部分疊置，并可與第三屏蔽圖案625c和第五數據線671b均部分疊置。第二像素電極691b可分別與第二屏蔽圖案62 和第五數據線671b部分疊置，并 可分別與第四屏蔽圖案625d和第四數據線671a部分疊置。第三像素電極691c可分別與第五屏蔽圖案62 和第五數據線671b部分疊置，并 可分別與第七屏蔽圖案625g和第六數據線671c部分疊置。第四像素電極691d可分別與第六屏蔽圖案625f和第六數據線671c部分疊置，并 可分別與第八屏蔽圖案62 和第五數據線671b部分疊置。參照圖1、圖4、圖7和圖15，第五透明電極791可包括第一像素電極791a、第二像 素電極791b、第三像素電極791c和第四像素電極791d。除了第五透明電極791的形狀之 外，與第二區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖可基本上與圖14相同。因此，用于圖15中的相同 的標號指示的元件與圖14中示出的元件相同或相似，因此，可省略對它們的詳細描述以避 免不必要地模糊本發(fā)明。除了第一像素電極791a可不與第四數據線671a疊置而僅與第五數據線671b疊 置之外，第一像素電極79Ia可基本上與圖14的第一像素電極69Ia相同。除了第二像素電極791b可不與第四數據線671a疊置而可與第五數據線671b疊 置之外，第二像素電極791b可基本上與圖14的第二像素電極691b相同。除了第三像素電極791c可不與第五數據線671b疊置而可僅與第六數據線671c 疊置之外，第三像素電極791c可基本上與圖14的第三像素電極691c相同。除了第四像素電極791d可不與第五數據線671b疊置而可僅與第六數據線671c 疊置之外，第四像素電極791d可基本上與圖14的第四像素電極691d相同。參照圖1、圖4、圖9、和圖16，第六透明電極891可包括第一像素電極891a、第二像 素電極891b、第三像素電極891c和第四像素電極891d。除了第六透明電極891的形狀之 外，根據本示例性實施例的與第三區(qū)域對應的顯示面板的俯視圖可基本上與圖14相同。因此，用于圖16中的相同的標號指示的元件與圖14中示出的元件相同或相似，因此，可省略 對它們的詳細描述以避免不必要地模糊本發(fā)明。除了第一像素電極891a可不與第五數據線671b疊置而可與第四數據線671a疊 置之外，第一像素電極891a可基本上與圖14的第一像素電極691a相同。除了第二像素電極891b可不與第五數據線671b疊置而可與第四數據線671a疊 置之外，第二像素電極891b可基本上與圖14的第二像素電極691b相同。除了第三像素電極891c可不與第六數據線671c疊置而可與第五數據線671b疊 置之外，第三像素電極891c可基本上與圖14的第三像素電極691c相同。除了第四像素電極891d可不與第六數據線671c疊置而可與第五數據線671b疊 置之外，第四像素電極891d可基本上與圖14的第四像素電極691d相同。圖17是示出根據本發(fā)明的示例性實施例的顯示基板的柵極線、第一電源線、第二 電源線及第一屏蔽圖案到第八屏蔽圖案的制造方法的俯視圖。用于說明柵極線、第一電源線、第二電源線及第一屏蔽圖案到第八屏蔽圖案的形 成方法的沿圖14、圖15和圖16的線1-1’截取的剖視圖可基本上與圖IOB的剖視圖相同， 因此，將省略對它們的描述以避免不必要地模糊本發(fā)明。參照圖IOB和圖17，第一屏蔽圖案62 、第二屏蔽圖案62 、第三屏蔽圖案625c、 第四屏蔽圖案625d、第五屏蔽圖案62 、第六屏蔽圖案625f、第七屏蔽圖案625g、第八屏蔽 圖案62 、連接圖案626a、第一屏蔽接觸電極627a、第二屏蔽接觸電極627b、第三屏蔽接觸 電極627c、第四屏蔽接觸電極627d、第五屏蔽接觸電極627e、第六屏蔽接觸電極627f、第 七屏蔽接觸電極627g和第八屏蔽接觸電極62 可被形成并從第一屏蔽圖案62 、第二屏 蔽圖案62 、第三屏蔽圖案625c、第四屏蔽圖案625d、第五屏蔽圖案62 、第六屏蔽圖案 625f、第七屏蔽圖案625g和第八屏蔽圖案62 延伸。在這個示例中，第一屏蔽圖案62 、第二屏蔽圖案62 、第五屏蔽圖案62 和第 六屏蔽圖案625f可以以關于柵極線121的延伸方向成約45度的傾斜角形成。例如，第三 屏蔽圖案625c、第四屏蔽圖案625d、第七屏蔽圖案625g和第八屏蔽圖案62 可以以關于 柵極線121的延伸方向成約135度的傾斜角形成。第一屏蔽圖案62 和第二屏蔽圖案62 可彼此相對，第三屏蔽圖案625c和第四 屏蔽圖案625d可彼此相對。類似地，第五屏蔽圖案62 和第六屏蔽圖案625f可彼此相對， 第七屏蔽圖案625g和第八屏蔽圖案62 可彼此相對。圖18是示出圖17的顯示基板的第一數據線和第二數據線的形成方法的俯視圖。用于說明第一數據線和第二數據線的形成方法的沿圖14、圖15和圖16的線1_1’ 截取的剖視圖可基本上與圖IlB的剖視圖相同，因此，將省略對它們的描述以避免不必要 地模糊本發(fā)明。參照圖IlB和圖18，可形成半導體層IM和歐姆接觸層163，并可形成第四數據線 671a、第五數據線671b和第六數據線671c。第四數據線671a可靠近第一屏蔽圖案62 和第四屏蔽圖案625d延伸。第五數據線671b可靠近處于第三像素區(qū)域ΡΧ’ (η,η)的第二 屏蔽圖案62 和第三屏蔽圖案625c以及處于第四像素區(qū)域ΡΧ’ (η,η+1)的第五屏蔽圖案 625e和第八屏蔽圖案62 延伸。第六數據線671c可靠近第六屏蔽圖案625f和第七屏蔽 圖案625g延伸。
圖19是示出顯示基板的第一接觸孔到第八接觸孔的形成方法的俯視圖。用于說明第一接觸孔到第八接觸孔的形成方法的沿圖14、圖15和圖16的線1_1’ 截取的剖視圖可基本上與圖12B的剖視圖相同，因此，將省略對它們的描述以避免不必要 地模糊本發(fā)明。參照圖12B和圖19，可形成數據絕緣層180(可包括無機絕緣層181和有機絕緣層 182)，并可穿過數據絕緣層180形成第一接觸孔CH1、第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3、第四 接觸孔CH4、第五接觸孔CH5、第六接觸孔CH6、第七接觸孔CH7和第八接觸孔CH8。第一接 觸孔CHl可與第一像素電極691a和第一屏蔽圖案62 接觸，第二接觸孔CH2可與第二像 素電極691b和第二屏蔽圖案62 接觸。第三接觸孔CH3可與第二像素電極691b和第三 屏蔽圖案625c接觸，第四接觸孔CH4可與第一像素電極691a和第四屏蔽圖案625d接觸。 第五接觸孔CH5可與第三像素電極691c和第五屏蔽圖案62 接觸，第六接觸孔CH6可與 第四像素電極691d和第六屏蔽圖案625f接觸。第七接觸孔CH7可與第四像素電極691d 和第七屏蔽圖案625g接觸，第八接觸孔CH8可與第三像素電極691c和第八屏蔽圖案62 接觸。參照圖4和圖14，描述了第四透明電極691的形成方法。除了第五透明電極791 可與第五數據線671b和第六數據線671c疊置以及第六透明電極891可與第四數據線671a 和第五數據線671b疊置之外，第五透明電極791和第六透明電極891可基本上與第四透明 電極691相同。因此，下文中可省略第五透明電極791和第六透明電極891的形成方法以 避免不必要地模糊本發(fā)明。例如，除了第四透明電極691具有多個V形電極條之外，第四透明電極691的形成 方法可基本上與參照圖3和圖4示出的第一透明電極191的形成方法相同。因此，下文中 可省略第四透明電極691的形成方法以避免不必要地模糊本發(fā)明。例如，除了顯示基板600的第四透明電極691具有多個V形電極條之外，與光阻擋 圖案的介電常數相關的透射率可基本上與圖13的透射率相同，因此，下文中可省略對它們 的描述以避免不必要地模糊本發(fā)明。根據本示例性實施例的示例性實施例，包括第三像素區(qū)域ΡΧ’ (η, η)和第四像素 區(qū)域ΡΧ’ (η, η+1)的像素區(qū)域P的形狀可布置為鋸齒狀以限定矩陣形狀，從而可增大顯示 面板的視角。根據本發(fā)明的示例性實施例，可形成接收施加于顯示基板的第一像素電極和第二 像素電極相同電壓的屏蔽圖案以與第一像素電極和第二像素電極疊置，并且屏蔽圖案可靠 近數據線形成。因為第一像素電極和第二像素電極可與數據線部分疊置，從而可防止當顯 示黑色圖像時出現在第一像素電極和數據線之間以及第二像素電極和數據線之間的水平 電場。在這點上，可防止漏光。根據本發(fā)明的示例性實施例，顯示基板可包括第一屏蔽圖案、第二屏蔽圖案和透 明電極。第一屏蔽圖案可靠近第一數據線。第二屏蔽圖案可靠近面向第一數據線的第二數 據線。透明電極可包括第一像素電極，電連接到第一數據線和第一屏蔽圖案；第二像素電 極，電連接到第一電源線和第二屏蔽圖案。第一像素電極和第二像素電極可以以交替的排 列方式設置。透明電極可與第一數據線和第二數據線中的至少一條數據線部分疊置。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，所述顯示面板還可包括被分成第一區(qū)塊到第K區(qū)塊(其中，K為奇數)的多個柵極線。例如，不同區(qū)塊的透明電極可與第二數據線疊置的 第一寬度可彼此不同，并且，不同區(qū)塊的透明電極可與第一數據線疊置的第二寬度可彼此 不同。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，第一區(qū)塊的透明電極可與第二數據線部分疊 置，第(K+1) /2區(qū)塊的透明電極可與第一數據線和第二數據線部分疊置，并且，第K區(qū)塊的 透明電極可與第一數據線部分疊置。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，透明電極可與第二數據線疊置的第一寬度可隨 其從第一區(qū)塊至第K區(qū)塊而逐漸減小。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，透明電極可與第一數據線疊置的第二寬度可隨 其從第一區(qū)塊至第K區(qū)塊而逐漸增加。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，透明電極和靠近第二數據線的相鄰的透明電極 之間的間隔距離可在第一區(qū)塊到第K區(qū)塊的每個區(qū)塊處均相同。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，可在第一區(qū)塊到第K區(qū)塊的每個區(qū)塊處均勻地 設置透明電極可與第二數據線疊置的一個寬度和相鄰的透明電極可與第二數據線疊置的 另一寬度之和。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，第一屏蔽圖案可覆蓋第一像素電極的第一端 部，并且，第二屏蔽圖案可覆蓋第二像素電極的第一端部。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，顯示基板還可包括靠近第二數據線設置的第三 屏蔽圖案及靠近第一數據線設置的第四屏蔽圖案。第三屏蔽圖案可覆蓋第一像素電極的第 二端部。第四屏蔽圖案可覆蓋第二像素電極的第二端部。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，顯示面板還可包括被分成第一區(qū)塊到第K區(qū)塊 (其中，K為奇數)的多個柵極線。例如，可形成在第一區(qū)塊中的透明電極的第一端部可與 第二數據線部分疊置，透明電極的第一端部可包括第一像素電極的第二端部和第二像素電 極的第一端部?？尚纬稍诘?K+l)/2區(qū)塊中的透明電極的兩個端部可與第一數據線和第二 數據線部分疊置?？尚纬稍诘贙區(qū)塊中的透明電極的第二端部可與第一數據線部分疊置， 透明電極的第二端部可包括第一像素電極的第一端部和第二像素電極的第二端部。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，透明電極的第一端部可與第二數據線疊置的第 一寬度可隨其從第一區(qū)塊至第K區(qū)塊而逐漸減小。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，透明電極的第二端部可與第一數據線疊置的第 二寬度可隨其從第一區(qū)塊至第K區(qū)塊而逐漸增加。本發(fā)明的示例性實施例公開了一種制造顯示基板的方法。該方法包括可形成在基 礎基板上的在第一方向上延伸的柵極線和第一電源線以及可在第二方向上延伸的第一屏 蔽圖案和可面向第一屏蔽圖案的第二屏蔽圖案。可形成第一數據線和第二數據線。第一數 據線可靠近第一屏蔽圖案在第二方向上延伸?？拷诙帘螆D案的第二數據線可面向第一 數據線?？尚纬膳c第一數據線和第二數據線中的至少一條數據線部分疊置的透明電極。透 明電極可包括第一像素電極，與第一屏蔽圖案的第一端部部分疊置以電連接到第一屏蔽 圖案、柵極線和第一數據線；第二像素電極，與第二屏蔽圖案的第一端部部分疊置并與第一 像素電極交替地設置以電連接到柵極線和第一電源線。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，還可形成靠近第二數據線設置的第三屏蔽圖案，并且還可形成靠近第一數據線設置的第四屏蔽圖案。第三屏蔽圖案可覆蓋第一像素電 極的第二端部，并且第四屏蔽圖案可覆蓋第二像素電極的第二端部。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，透明電極的第一端部可與第二數據線疊置的第 一寬度可隨其從第一區(qū)塊至第K區(qū)塊而逐漸減小，透明電極的第二端部可與第一數據線疊 置的第二寬度可隨其從第一區(qū)塊至第K區(qū)塊而逐漸增加。本發(fā)明的示例性實施例公開了一種顯示面板，該顯示面板可包括顯示基板、相對 基板和液晶層。顯示基板可包括第一屏蔽圖案、第二屏蔽圖案和透明電極。第一屏蔽圖案 靠近第一數據線。第二屏蔽圖案靠近面向第一數據線的第二數據線。透明電極可包括第 一像素電極，電連接到第一數據線和第一屏蔽圖案；第二像素電極，電連接到第一電源線和 第二屏蔽圖案。第一像素電極和第二像素電極可以以交替的排列方式設置。透明電極可與 第一數據線和第二數據線中的至少一條數據線部分疊置。相對基板可包括在顯示基板對面 的光阻擋圖案。液晶層可置于顯示基板和相對基板之間。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，當在顯示基板和相對基板之間沒有形成電場 時，液晶層的液晶分子可垂直取向。通過在第一像素電極和第二像素電極施加不同的電壓， 可形成水平電場。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，光阻擋圖案的介電常數可不小于約15。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，顯示面板還可包括被分成第一區(qū)塊到第K區(qū)塊 (其中，K為奇數)的多個柵極線。不同區(qū)塊的透明電極可與第二數據線疊置的第一寬度可 彼此不同，并且，不同區(qū)塊的透明電極可與第一數據線疊置的第二寬度可彼此不同。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，第一區(qū)塊的透明電極可與第二數據線部分疊 置，第(K+1) /2區(qū)塊的透明電極可與第一數據線和第二數據線部分疊置，并且，第K區(qū)塊的 透明電極可與第一數據線部分疊置。在本發(fā)明的一些示例性實施例中，可形成接收施加于第一像素電極和第二像素電 極相同電壓的屏蔽圖案以與第一像素電極和第二像素電極疊置，并且第一像素電極和第二 像素電極可與數據線部分疊置，從而可防止當顯示黑色圖像時出現在第一像素電極和數據 線之間以及第二像素電極和數據線之間的水平電場。因此，可防止漏光。本領域技術人員應該明白，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對本發(fā) 明進行各種修改和變動。因此，本發(fā)明意在覆蓋在權利要求及其等同物的范圍之內的本發(fā) 明的修改和變動。
權利要求
1.一種顯示基板，包括第一屏蔽圖案，靠近第一數據線設置；第二屏蔽圖案，靠近面向第一數據線的第二數據線設置；透明電極，包括第一像素電極，結合到第一數據線和第一屏蔽圖案；第二像素電極， 結合到第一電源線和第二屏蔽圖案，其中，第一像素電極和第二像素電極以交替的排列方 式設置，其中，透明電極與第一數據線部分疊置，或者透明電極與第二數據線部分疊置，或 者透明電極與第一數據線和第二數據線部分疊置。
2.如權利要求1所述的顯示基板，顯示基板還包括柵極線的第一區(qū)塊到第K區(qū)塊，K為奇數；第一區(qū)域，包括設置在不同區(qū)塊處的多個透明電極，包括在第一區(qū)域中的所述多個透 明電極與第二數據線疊置成第一寬度，并且，包括在第一區(qū)域中的所述多個透明電極與第 二數據線的疊置的部分彼此不同；第二區(qū)域，包括設置在不同區(qū)塊處的多個透明電極，包括在第二區(qū)域中的所述多個透 明電極與第一數據線疊置成第二寬度，并且，包括在第二區(qū)域中的所述多個透明電極與第 一數據線的疊置的部分彼此不同。
3.如權利要求2所述的顯示基板，其中，第一區(qū)塊的透明電極與第二數據線部分疊置， 第(K+1V2區(qū)塊的透明電極與第一數據線和第二數據線部分疊置，在(K+l)/2中，K為大于 或等于3的奇數，并且，第K區(qū)塊的透明電極與第一數據線部分疊置。
4.如權利要求2所述的顯示基板，其中，透明電極與第二數據線疊置的第一寬度從第 一區(qū)塊到第K區(qū)塊逐漸減小。
5.如權利要求2所述的顯示基板，其中，透明電極與第一數據線疊置的第二寬度從第 一區(qū)塊到第K區(qū)塊逐漸增加。
6.如權利要求2所述的顯示基板，其中，在第一區(qū)塊到第K區(qū)塊中的每個區(qū)塊中，在靠 近第二數據線的各個透明電極之間設置的間隔的距離是均勻地形成的。
7.如權利要求6所述的顯示基板，其中，在第一區(qū)塊到第K區(qū)塊的每個區(qū)塊處，透明電 極與第二數據線疊置的寬度及相鄰的透明電極與第二數據線疊置的寬度之和是均勻的。
8.如權利要求1所述的顯示基板，其中，第一屏蔽圖案覆蓋第一像素電極的第一端部， 并且，第二屏蔽圖案覆蓋第二像素電極的第一端部。
9.如權利要求8所述的顯示基板，顯示基板還包括第三屏蔽圖案，靠近第二數據線設置，第三屏蔽圖案覆蓋第一像素電極的第二端部；及第四屏蔽圖案，靠近第一數據線設置，第四屏蔽圖案覆蓋第二像素電極的第二端部。
10.如權利要求9所述的顯示基板，顯示基板還包括柵極線的第一區(qū)塊到第K區(qū)塊，K為奇數；透明電極的第一端部，包括形成在第一區(qū)塊中的第一像素電極的第二端部及第二像素 電極的第一端部，其中，透明電極的第一端部與第二數據線部分疊置；透明電極的兩個端部，形成在第(K+l)/2區(qū)塊中并與第一數據線和第二數據線部分疊置；透明電極的第二端部，包括形成在第K區(qū)塊中的第一像素電極的第一端部及第二像素 電極的第二端部，其中，透明電極的第二端部與第一數據線部分疊置。
11.如權利要求10所述的顯示基板，其中，透明電極的第一端部與第二數據線疊置的 第一寬度從第一區(qū)塊到第K區(qū)塊逐漸減小。
12.如權利要求10所述的顯示基板，其中，透明電極的第二端部與第一數據線疊置的 第二寬度從第一區(qū)塊到第K區(qū)塊逐漸增加。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示基板，該顯示基板包括第一屏蔽圖案、第二屏蔽圖案和透明電極。第一屏蔽圖案靠近第一數據線設置。第二屏蔽圖案靠近面向第一數據線的第二數據線設置。透明電極包括第一像素電極，結合到第一數據線和第一屏蔽圖案；第二像素電極，結合到第一電源線和第二屏蔽圖案。第一像素電極和第二像素電極以交替的排列方式設置。透明電極與第一數據線和第二數據線中的至少一條數據線部分疊置。在這種方法中，當顯示黑色圖像時，可防止漏光。
文檔編號G02F1/1343GK102053426SQ20101022141
公開日2011年5月11日 申請日期2010年6月30日 優(yōu)先權日2009年10月28日
發(fā)明者羅惠錫, 金東奎 申請人:三星電子株式會社