專利名稱：光刻裝置和用于光刻裝置的物品支撐結構的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種光刻裝置和器件制造方法。更加具體地，本發明涉及一種光刻裝 置，其包括照射系統，用于提供輻射投影光束；物品支撐件，用于在所述物品支撐件上支 撐要放置在所述輻射投影光束的光路中的平坦物品，該物品支撐件包括多個支撐凸起，所 述多個支撐凸起限定了一個支撐區域，用于提供平坦的支撐表面；和布置在所述支撐區域 中的回填氣體供給裝置，用于當鎖住物品由所述物品支撐件支持時，提供回填氣流到所述 物品的背部，以及用于在所述物品和所述物品支撐件之間提供改進的熱傳導。
背景技術：
光刻裝置是一種將期望的圖案投射到基底的靶部的裝置。光刻裝置可以用于例如 集成電路(IC)的制造。在這種情況下，可以使用構圖部件例如掩模產生對應于IC的一個單 獨層的電路圖案，該圖案可以成像在具有輻射敏感材料(杭性劑)層的基底(例如硅晶片) 的靶部上(例如包括一個或者多個管芯)。一般地，單一的基底將包含相鄰靶部的網格，該 相鄰靶部可逐個相繼曝光。已知的光刻裝置包括所謂的步進器，其中通過將整個圖案一次 曝光于靶部上來輻射每一靶部，和所謂的掃描器，其中通過在投影光束下沿給定方向(“掃 描”方向)掃描圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一靶 部。在常規的光刻投影裝置中，在光刻過程中用夾緊力將物品例如晶片或中間掩模版 夾在物品支撐件上，該夾緊力可從真空壓力、靜電力、分子間約束力或自然重力中選擇。該 物品支撐件以限定均勻平坦表面的多個凸起的形式限定了一個平面，在該平坦表面上保持 有晶片或中間掩模版。由于物品與理想表面方向的微小偏差可能導致晶片旋轉，并且由于 該旋轉而產生重疊誤差，因此這些凸起高度的微小變化對圖像分辮率有害。此外，這種物品 支撐件的高度變化可能導致由其支撐的物品的高度變化。在光刻處理中，由于有限的投影 系統的焦距，這種高度變化可能影響圖像分辮率。因此具有理想平坦物品支撐件非常重要。歐洲專利申請EP0947884描述了一種具有基底保持器的光刻裝置，其中多個凸起 布置成改進基底的平坦度。這些凸起直徑一般為0. 5mm，一般彼此間隔3mm布置，由此形成 支撐基底的支撐元件臺。通常，對于靜電夾具，凸起的高度范圍是1 μ m-15 μ m。由于在凸起 之間相對較大的間距，通常可能存在的雜質不會對基底的平坦度形成妨礙，因為這些雜質 將處于凸起之間并不會局部地升高基底。在本申請的范圍中，所述“物品”可以是上述術語晶片、中間掩模版、掩模或基底中 的任何一種，更加具體的是術語例如在利用光刻投影技術制造器件中待處理的 基底；光刻投影掩模或光刻投影裝置中的掩模坯，掩模處理裝置例如掩模檢驗或清潔裝置，或者掩模制造裝置或任何其它中間掩模版或夾持在輻射系統的光路中的光學元件。在光刻處理中，投影光束通過存在于照射系統和待照射的物品之間的氣體組合 物，特別是非同系的氣體組合物可能導致不期望的影響，例如衍射、折射和吸收。這些影響 對照射質量具有相反的作用，特別是對于在成像性能方面日益提高的需求來說所要求達到 的分辮率。新近的光刻、EUV-光刻法使用了在遠紫外區域的投影光束，因此為了允許大體 上不受阻礙地通過輻射投影光束到達布置在該光束中的物品，可在(接近)真空的狀態下 操作。在本申請中，術語真空壓力與環境中存在的特定氣體有關。例如，對于碳氫化合物和 水，允許的背景壓力非常低，數量級為le_9，至le_12毫巴。對于惰性氣體要求沒那么嚴格， 例如對于氬允許的背景壓力范圍是從le_4毫巴至le_2毫巴，特別地是le_3毫巴的壓力。此 夕卜，相關的背景壓力可以隨著裝置的環境而改變。例如，在物品支撐件在晶片支撐件的環境 中使用時，比起在物品支撐件用作中間掩模版支撐件的環境中，對于某些元件的真空要求 可能沒有那么嚴格。也就是說，對于多種雜質(例如CxHy和H2O)的局部壓力可能和光學 元件(包括中間掩模版支撐件)和晶片隔室之間的因數100不同，并且遠低于總壓力(典 型地數量級為le_9至le_12毫巴)。這種真空技術在溫度控制方面提出了很多難題。對于前文的物品支撐件，當物品 被支撐時，只有物品底部的非常小的部分(范圍是總面積的0. 1% -3% )實際上與物品支 撐件物理接觸，這是因為凸起成形為只提供非常小的接觸區域，而且凸起以相對寬的間隔 布置。在所使用的真空壓力范圍，熱傳導大體上與壓力成比例，這表示當物品布置于投影光 束中時不能完全轉移由物品吸收的熱能，使得對物品支撐5件產生不期望的熱量加熱，從 而導致熱膨脹，并導致投影不準確或者潛在地使物品的損失加劇。為了克服這個問題，通常 是使用所謂的回填氣體，該回填氣體可提供從物品向物品支撐件的熱傳導，以轉移由物品 吸收的熱能。當然，如果需要，物品支撐件還將具有冷卻部件例如包含冷卻介質等等的冷卻 管。然而，為了將回填氣體限制在物品的底部，常規的方法是提供所謂的“硬墊環(rim)”， 該硬墊環是一個邊界壁，其通過形成物品的底部和物品支撐件的上部之間的氣體密封大體 上密封來自真空的回填氣體。一種硬墊環類型的物品支撐件例如可從EP1241706獲得。然而，已經發現在照射性能方面，這種硬墊環會引起很多問題。對于物品例如在晶 片層面的基底或在中間掩模版臺中的中間掩模版來說，墊環可能導致估計的75nm的偏差， 從而得到降低的圖像分辮率。存在密封墊環可提供附加的支撐以便承載物品。這種附加的 支撐擾亂了物品的壓力負載，這可能導致物品局部彎曲。這種彎曲可引起物品表面的旋轉， 這可能導致不期望的重疊效應。此外，密封墊環幾乎導致物品和物品支撐件之間的接觸區 域雙倍增加。這是所不期望的，因為為了防止雜質微拉進入接觸區域之間(這會產生支撐 的不均勻以及對應的物品彎曲問題)，其目的是使這種接觸面積最小。此外，存在這種硬墊環限定了一個明確的物品的外部區域，在這個區域沒有提供 熱傳導的回填氣體。這在局部過熱或物品中不期望的溫度梯度方面可能導致其它問題。
發明內容
本發明的一個目的是提供一種可以克服 上述問題的光刻裝置，其中提供沒有上述 缺點的回填氣體供給裝置。通過根據權利要求1的特征的光刻裝置可以實現該目的。由于本發明，物品可以保持在改進的水平狀態，因為邊界區域不與物品接觸，因此得到比上述75nm低得多的平坦
度變化。此外，一般地，在硬墊環布置中，物品延伸超出硬墊環。因此，在這種布置中，在物品的邊界區域內，由于不存在回填氣體而不提供熱傳導。在根據本發明的布置中，甚至在減 小的回填氣體壓力區域，在所述封閉區域的外部提供熱傳導，以便在物品的邊界區域提供 改進的熱傳導。根據本發明，邊界區域包括一個限定邊界壁高度的邊界壁，該邊界壁位于所述支 撐平面的下方。在一個優選實施方案中，所述邊界壁限定了一個大于50nm的間隔，特別地 大于lOOnm。在特別優選的實施方案中，所述邊界區域不包括邊界壁。盡管直觀上計算，本 發明者已經發現對于5μπι的常規凸起的高度，在最佳實施方案中，也可以沒有漏泄密封， 從而得到1毫巴*升/秒(毫巴*升/秒)的漏泄率，這對于晶片臺是可接受的。因此由此得出結論是不用硬墊環密封布置，也能得到更好的物品支撐件的均勻特 性。在一些設計中，使用某種密封是有益的，特別是“非接觸”密封或者“漏泄”密封，從而 形成增加的流動阻力，以限制氣流和增加物品邊界附近的氣體壓力。因此，優選地，所述邊 界區域包括一個限定邊界壁高度的邊界壁，該邊界壁位于支撐平面的下方。該實施方案在 回填氣體為惰性氣體例如氬時特別有效。對于這些類型的氣體，在一個使用靜電夾具的實施方案中，根據物品支撐件的相 對位置，允許的真空環境的背景壓力相對高，對于作為回填氣體的氬來說小于1毫巴*升/ 秒、特別地小于0. 15毫巴*升/秒的漏泄率是可接受的。在沒有密封邊界的情況下，計算 的漏泄率是0. 12毫巴*升/秒，并發現該值在上述上限內。在一個優選實施方案中，計算 的漏泄率為3e_3毫巴*升/秒，該值遠小于上面的最大值。這些值可用于施加的le_3毫巴 的背景壓力。當真空環境的背景壓力更低時，漏泄率相應地將更低。盡管可以在其它壓力環境下操作本發明的回填氣體布置，優選地，在根據上述方 面中的任何一個的光刻裝置中使用的本發明，還包括真空泵系統，以便提供用于在真空壓 力狀態下操作所述光刻裝置的真空壓力，所述真空泵用作消除從所述物品背部流出的回填 氣體。在這種布置中，真空泵特別是真空離心泵僅僅操作成去除漏泄的回填氣體。如果 所述真空泵系統包括密閉所述支撐區域的抽氣區域，可有效地進行這種去除。在這種情況 中，在可能不利地影響照射處理之前，可以直接收集逸出的回填氣體微拉。優選地在一個實 施方案中使用本發明，其中利用靜電夾具將物品夾緊在所述物品支撐件上。在另一方面，優 選的實施方案包括一個可調夾具，用于將所述物品夾緊到所述物品支撐件上；以及一個流 量計，用于測量所述回填氣體壓力的流出量，可調夾具與所述流量計連接，以響應于測量的 流出量調節所述夾緊力。使用這種布置，可以有效地防止物品與物品支撐件、特別是與其邊 界壁不期望的接觸，同時使從支撐區域流出的回填氣體的量最小。本發明還涉及一種根據 權利要求11的特征的物品支撐件。此外，本發明涉及一種根據權利要求12的方法。特別 地，根據本發明，提供一種方法，用于將物品夾緊在光刻裝置的物品支撐件上，包括在物品 支撐件上支撐所述物品。所述物品支撐件包括多個支撐凸起，所述多個凸起限定了一個支 撐區域，用于提供平坦的支撐平面，以及所述支撐區域由相對所述支撐平面具有高度降低 的邊界區域圍繞；
提供回填氣流給所述物品的背部；以及響應于測量所述回填氣流將所述物品夾緊在所述物品支撐件上，其中如此調整所 述夾緊使得所述回填氣流不受所述支撐區域的限制。盡管可以具體參考本申請在制造IC中使用該光刻裝置，但是應該理解這里描述 的光刻裝置可能具有其它應用，例如，集成光學系統的制造、用于磁疇存儲器的引導和檢測 圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領域技術人員將理解，在這種可替換的用途范圍 中，這里的任何術語“晶片”或者“管芯”的使用可認為分別與更普通的術語“基底”或者“靶 部”同義。這里提到的基底可以在曝光前或后在例如軌跡器(track)(—種工具，通常對基 底施加一層抗蝕劑，并顯影已經曝光的抗蝕劑)或計量或檢驗工具中進行處理。在可適用 的地方，這里的公開可以應用于這種或者其它基底處理工具。此外，例如為了形成多層IC， 可以對基底進行多次處理，因此這里使用的術語基底也可以表示包含多個處理層的基底。這里使用的術語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如波長為365，248、193、157或126nm)和遠紫外(EUV)輻射(例如具有5_20nm范圍內 的波長)，以及粒子束，如離子束或電子束。這里使用的術語“構圖部件”應廣義地解釋為能夠用來給投影光束的橫截面賦予 圖案的裝置，例如用于在基底的靶部形成圖案的裝置。應該注意賦予投影光束的圖案可以 不精確地對應于基底的靶部上的期望圖案。一般地，賦予投影光束的圖案與在靶部中形成 的器件如集成電路的特殊功能層相對應。構圖部件可以是透射型或者反射型。構圖部件的實例包掩模、可編程反射境陣列 和可編程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二進制型、交替相移型、和衰減相移型 的掩模類型，以及各種混合掩模類型。可編程反射鏡陣列的實例使用小反射鏡的矩陣布置， 每個反射鏡能夠獨立地傾斜，從而以不同的方向反射入射的輻射光束；通過這種方式，對反 射光束進行構圖。在每個構圖部件的實例中，支撐結構可以是框架或者工作臺，例如根據需 要可以是固定的或者是可移動的，并且支撐結構可以確保構圖部件處于期望的位置，例如 相對于投影系統。這里任何術語“中間掩模版”或“掩模”的使用可以認為與更普通的術語 “構圖部件”意思相同。這里使用的術語“投影系統”應廣義地解釋為包含各種類型的投影系統，包括折射 光學系統，反射光學系統，和反折射光學系統，例如適用于所用的曝光輻射，或者適用于其 它因素，如使用浸液或使用真空。這里的任何術語“鏡頭”的使用應認為與更普通的術語“投 影系統”同義。照射系統還可以包括各種類型的光學部件，包括折射，反射，和反折射光學元件， 這些部件用于引導、整形或者控制輻射投影光束，這種元件在下文還可共同地或者單獨地 稱作“鏡頭”。光刻裝置可以是具有兩個(二級)或者多個基底臺(和/或兩個或多個掩模臺) 的類型。在這種“多級式”器件中，可以并行仗用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺 上進行準備步 驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。光刻裝置還可以是這樣一種類型，其中將基底浸濕在具有相對高的折射率的液體 例如水中，從而填充投影系統的最終元件和基底之間的空間。也可以將浸液施加到光刻裝 置的其它空間，例如在掩模和投影系統的第一元件之間。浸濕技術在本領域是公知的，其用于增加投影系統的數值孔徑。
現在僅通過舉例的方式，參照附圖描述本發明的實施方案，其中相應的附圖標記 表示相應的部件，其中圖1表示根據本發明一個實施方案的光刻裝置；圖2表示根據本發明的物品支撐件的一個實施方案；圖3表示根據圖2的物品支撐件沿線x-x的側視圖；圖4表示根據邊界壁的幾何形狀計算的漏泄率；以及圖5表示根據本發明的器件和方法的優選實施方案。
具體實施例方式圖1示意性地表示了本發明一個特殊實施方案的光刻裝置.該裝置包括-照射系統(照射器)IL，用于提供輻射投影光束PB(例如UV或EUV輻射)。_第一支撐結構(例如掩模臺)MT，用于支撐構圖部件(例如掩模)MA，并與用于將 構圖部件相對于物體PL精確定位的第一定位裝置PM連接；_第二支撐結構(例如基底臺或晶片臺)WT，用于保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶 片)W，并與用于將基底相對于物體PL精確定位的第二定位裝置PW連接；以及-投影系統(例如反射投影鏡頭)PL，用于通過構圖部件MA將賦予投影光束PB的 圖案成像在基底W的靶部C(例如包括一個或多個管芯)上。如這里指出的，該裝置可以是反射型(例如使用反射掩模或上面提到的可編程反 射鏡陣列型)。或者，該裝置也可以是透射型(例如使用透射掩模)。照射器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是分開的機 構，例如當輻射源是等離子體放電時。在這種情況下，不把輻射源看作構成光刻裝置的一部 分，輻射光束借助于包括例如適當的收集反射鏡和/或光譜純度濾光器的輻射收集器從輻 射源SO傳送到照射器IL。在其它情況下，輻射源可以是裝置的組成部分，例如當輻射源是 汞燈時。輻射源SO和照射器IL可以稱作輻射系統。照射器IL可以包括調節裝置，用于調節光束的角強度分布。一般地，至少可以調 節照射器光瞳平面內強度分布的外和/或內徑向量(通常分別稱為ο _外和ο _內)。照 射器提供已調節的輻射光束，稱作投影光束PB，在該光束的橫截面具有期望的均勻度和強 度分布。投影光束PB入射到保持在掩模臺MT上的掩模MA上。被掩模MA反射后，投影光 束PB通過鏡頭PL，該鏡頭將光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置PW和位置 傳感器IF2 (例如干涉測量裝置)的輔助下，可以精確地移動基底臺WT，從而例如在光束PB 的光路中定位不同的靶部C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間， 可 以使用第一定位裝置PM和位置傳感器IFl將掩模MA相對光束PB的光路精確定位。一 般地，在長沖程模塊(粗定位)和短沖程模塊(精定位)的輔助下，可以實現目標臺MT和 WT的移動，其中長沖程模塊和短沖程模塊構成定位裝置PM和PW的一部分。然而，在步進 器(與掃描裝置相對)的情況下，掩模臺MT可以僅與短沖程致動裝置連接，或者固定。可以使用掩模對準標記Ml、M2和基底對準標記PI、P2將掩模MA和基底W對準。所示的裝置可以按照下面優選的模式使用1.在步進模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，同時將整個賦予給投影光 束的圖案被一次投射到靶部C上(即單次靜態曝光)。然后沿χ和/或y方向移動基底臺 WT，以使不同的靶部C能夠曝光。在步進模式中，曝光范圍的最大尺寸限制了在單次靜態曝 光中成像的靶部C的尺寸。2.在掃描模式中，同步掃描掩模臺MT和基底臺WT，同時將賦予給投影光束的整個 圖案投射到靶部C上(即單次動態曝光)。利用投影系統PL的(縮小)放大倍率和圖象變 換特性，確定基底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向。在掃描模式中，曝光范圍的最大尺 寸限制了在單次動態曝光中的寬度(沿非掃描方向)，而掃描動作的長度確定了靶部的高 度(沿掃描方向)。3.在其它模式中，掩模臺MT基本保持靜止地保持可編程構圖部件，并且在將賦予 給投影光束的圖案投射到靶部C上的同時，移動或掃描基底臺WT。在這種模式下，一般是使 用脈沖輻射源，并且如果需要在基底臺WT的每次移動之后或者在掃描期間連續的輻射脈 沖之間校正可編程構圖部件。這種操作模式能夠容易地應用于使用了可編程構圖部件的無 掩模光刻裝置，例如上面提到的可編程反射鏡陣列型。還可以使用上述使用模式的組合和/或變化，或者使用完全不同的使用模式。圖2表示物品支撐件1。在該實施方案中，物品支撐件1用于支撐晶片，簡稱為晶 片支撐臺，一般為圓形，這對晶片支撐臺來說是常用的。然而，物品支撐件也可以為其它形 狀，特別地是正方形。該晶片支撐臺1包括多個的凸起2，凸起2的尺寸確定為提供用于支 撐晶片(未示出)的平面支撐件。為了清楚起見，只標出部分凸起2;—般地，在圖中這些 凸起由開圓表示。由此凸起2限定了一個支撐區域3。所述支撐區域3的邊界由邊界壁4 形成，該邊界壁可形成用于限制回填氣體(未示出)的密封。在圖2的晶片支撐臺1中，通 過布置在選定位置的氣體供給裝置5引入回填氣體。在示出的實施方案中，該供給裝置為 溝槽形狀；通常也可以使用其它形狀。在常規的實施方案中，邊界壁4與支撐凸起2的高度 相同，由此形成所謂的“硬墊環”元件，也用于支撐晶片。由于在密封過程中邊界壁4物理 上接觸晶片，并擠壓其底部，因此這種類型的支撐表示為“硬墊環”密封。這導致晶片變形， 并將不勻性引入晶片的支撐中，使得待輻射的晶片表面不是完全平坦。根據本發明，如圖3所示，支撐區域3不由硬墊環密封限定邊緣，而是由相對所述 支撐區域3具有降低高度的邊界區域4限定。通過這種方式，在圖3中表示的邊界區域4 形成“漏泄密封”4。為了本發明的目的，該漏泄密封甚至可以不存在，只要回填氣體壓力的 流動特性相對于供給裝置位置如此使得在環境壓力的情況下建立足夠的壓力，該環境壓力 常常為真空壓力。圖3表示沿圖2中示出的線X-X的物品支撐件1的示意性高度圖。一個晶片6定 位于凸起2 (為了清楚起見表示成在凸起之間具有微小間隔)的頂部上，并用靜電夾具7夾 緊。凸起2通常高度為大約5 μ m,而漏泄密封4相對于該高度小0. 1-5 μ m。應該注意在一 個最佳布置中，漏泄密封4也可以不存在。直接地在晶片支撐件的外部，可以提供抽氣泵以收集流出氣體。圖4示出了對于圓周為942mm的標 準晶片來說，根據邊界壁的特殊兒何形狀計算的漏泄率。這種幾何形狀包括具有更低的密封(表示為“間隔”)如200、500、1000、2000和 5000nm的邊界壁。正如所期望的，漏泄率隨著間隔寬度而增加，使得圖表中更低的線對應于 最小值，圖表中更高的線對應于間隔的最大值。此外，對應于邊界壁4到氣體供給裝置5的 距離的間隔寬度為0. Imm-lOmm。可以看出在表示的范圍中，以毫巴*升/秒表示的漏泄率 從0. 5e_4變化到接近1。對于現實的實施方案，優選地，進入分段隔室的回填氣體的漏泄率 應該小于1毫巴*升/秒，更優選地小于0. 1毫巴*升/秒，最優選地小于le_5毫巴*升/ 秒。對于5um的間隔和Imm的寬度，漏泄率是大約0. 12毫巴*升/秒，恰好是在該規定的 最大漏泄率之中。這些值可以用于大約le_3毫巴的施加(總)背景壓力。此外，進入分段 隔室的回填氣體的漏泄率應該小于0. Ol毫巴*升/秒，更優選地小于le_3毫巴*升/秒， 最優選地小于le_7毫巴*升/秒。因此，當外部氣體供給裝置5超過邊緣外部Imm時，間隔可以達到5um。對于包括 500nm的間隔和0. 5mm寬度的晶片的優選實施方案，得出的漏泄率升高為3e_3毫巴*升/ 秒。對于中間掩模版臺來說，對于1135mm的總周長，這種實施方案包括2mm的間隔寬度和 200nm的間隔。圖5A-C示出了如圖3的物品支撐件布置1，其中將變化的夾緊力施加給晶片6，并 示出了在夾緊條件下晶片6的各種變形狀態。應該注意這種狀態僅是示意性地表示，其中 不必成比例地表示變形。在這些實施方案中，使用可調靜電夾具7將晶片6夾緊在支撐件1上。為此，提供 與回填氣體壓力供給裝置10連接的調諧器9。響應于測量的回填氣體壓力供給裝置10的 流率，調諧器9預置靜電夾具7的夾緊力。圖5A中示出的是一個未夾緊的狀態，其中沒有 使用夾具7的附加夾緊力將物品6支撐在凸起2上。在這種情況下，物品，特別地頂部表面 為大體上平坦。圖5B示出了理想的夾緊狀態。這里，以這樣一種方式調節夾緊力，使得晶片大體 上均勻地“座落”在凸起2(其在某種范圍中也會塑性變形)上，并且頂部表面大體上保持 預定公差內的平坦，從而可以進行具有最小重疊缺陷的光刻處理。在這種情況下，邊界壁4 不接觸或支撐晶片6，使得回填氣流不受所述支撐區域3限制，但是可以流入周圍壓力環境 13。圖5C示意性地示出了一種夾緊布置，其中由于與邊界壁4接觸，晶片表面11的變 形超出了公差范圍，尤其是在由區域12表示的晶片邊界附近。這里，邊界壁支撐晶片6，與 凸起2的支撐相結合導致不均勻的支撐狀態，從而產生超過預定平坦度公差范圍例如25nm 的重疊問題。為了確定晶片6接觸邊界壁4處的臨界夾緊力，根據本發明的方法利用了氣流檢 測原理。當晶片6接觸邊界壁4時，大體上可停止氣體從支撐區域3向周圍壓力環境13的 流出，這通過測量支撐區域3中的流動速度和/或壓力水平可以檢測出來。只要晶片6不接觸壁4，頂部表面11大體上在預定公差內保持平坦。因此，回填氣 體可以用作晶片表面平坦度的指示器。為了使進入周圍壓力環境的氣體流出最小，在優選 實施方案中該周圍壓力環境是真空壓力環境，如此調節夾緊力使得該回填氣流達到預定非 零流率。在這種情況下，晶片6不接觸邊界壁4，從而晶片6僅保持由凸起2支撐。已經參考物品支撐件說明了本發明，該 物品支撐件大體上為圓形，并用于支撐要由投影光束照射的晶片。然而，對本領域人員來說顯然本發明同樣可以應用于其它任何物 品，特別地，應用于中間掩模版形式的物品。此外，公開的物品支撐件是靜電夾緊的。然而， 在不脫離本發明的范圍的條件下，可以使用其它類型的夾緊，例如物理夾緊，僅使用分子間 約束力或自然重力。 雖然上面已經描述了本發明的具體實施方案，可以理解可以不同于上面所描述的實施本發明。說明書不是要限制本發明。
權利要求
一種光刻裝置，包括照射系統，所述照射系統被構造用于提供輻射光束；物品支撐結構，所述物品支撐結構被構造用于在所述物品支撐結構上支撐要放置在所述輻射光束的光路中的物品，所述物品支撐結構具有多個支撐凸起，所述多個支撐凸起限定了支撐區域，用于提供支撐平面；和布置在所述支撐區域中的回填氣體供給裝置，用于當所述物品由所述物品支撐結構支撐時，提供回填氣流到所述物品的背部，所述回填氣體供給裝置被構造用于在所述物品和所述物品支撐結構之間提供改進的熱傳導；所述支撐區域由相對所述支撐平面高度降低的邊界圍繞，使得允許所述回填氣流流出所述支撐區域。
2.如權利要求1所述的光刻裝置，其中所述物品基本上是平坦的，并且所述支撐平面 基本上是平坦的。
3.如權利要求1所述的光刻裝置，其中所述邊界包括限定邊界壁高度的邊界壁，該邊 界壁位于所述支撐平面的下方。
4.如權利要求3所述的光刻裝置，其中所述邊界壁在所述邊界壁的頂部與所述支撐平 面之間限定間隔，所述間隔具有大于50nm的高度。
5.如權利要求1所述的光刻裝置，其中所述邊界不包括邊界壁。
6.如權利要求1所述的光刻裝置，還包括真空泵系統，以便提供用于在真空壓力狀態下操作所述光刻裝置的真空壓力，所述真 空泵系統操作成消除從所述物品背部流出的回填氣體。
7.如權利要求6所述的光刻裝置，其中所述真空泵系統包括圍繞所述支撐區域的抽氣 區域。
8.如權利要求1所述的光刻裝置，其中利用靜電夾具將所述物品夾緊在所述物品支撐 結構上。
9.如權利要求1所述的光刻裝置，其中所述物品支撐結構是構造用于支撐構圖部件的 支撐件，該構圖部件被構造用于給所述輻射光束的截面賦予圖案。
10.如權利要求1所述的光刻裝置，其中所述物品支撐結構是基底臺，用于保持通過入 射到基底的靶部上的所述輻射光束來構圖的基底。
11.一種用于光刻裝置的物品支撐結構，包括多個支撐凸起，所述多個支撐凸起限定了支撐區域，并且提供支撐物品的支撐平面；和構造并布置在所述支撐區域中的回填氣體供給裝置，用于當物品由所述多個支撐凸起 支撐時，提供回填氣流到所述物品的背部，以及用于在所述物品和所述物品支撐結構之間 提供改進的熱傳導；所述支撐區域由相對所述支撐平面高度降低的邊界圍繞，使得允許所述回填氣流流出 所述支撐區域。
12.如權利要求11所述的物品支撐結構，其中所述支撐平面基本上是平坦的。
13.一種光刻裝置，包括用于提供輻射光束的部件；用于在物品支撐結構上支撐要放置在所述輻射光束的光路中的物品的部件，所述部件用于支撐限定支撐區域；用于在所述支撐區域中提供回填氣流的裝置，用于在所述物品和所述用于支撐所述物品的部件之間提供改進的熱傳導；和用于圍繞所述支撐區域的部件，使得允許所述回填氣流流出所述支撐區域。
全文摘要
一種光刻裝置，其包括照射系統，用于提供輻射投影光束；物品支撐件，用于支撐要放置在所述物品支撐件上處于所述輻射投影光束的光路中的平坦物品，該物品支撐件包括多個支撐凸起，所述多個支撐凸起限定了一個支撐區域，用于提供平坦的支撐平面；和布置在所述支撐區域中的回填氣體供給裝置，用于當該物品由所述物品支撐件支持時，提供回填氣流到所述物品的背部，以及用于在所述物品和所述物品支撐件之間提供改進的熱傳導。根據本發明，所述支撐區域由相對所述支撐平面高度降低的邊界區域圍繞，使得所述回填氣流不受所述支撐區域的限制。
文檔編號G03F7/20GK101846887SQ20101010862
公開日2010年9月29日 申請日期2004年11月4日 優先權日2003年11月5日
發明者J·J·奧坦斯, K·J·J·M·扎亞爾 申請人:Asml荷蘭有限公司