使用復雜二維交織方案的圖像讀取和寫入的制作方法

專利名稱：使用復雜二維交織方案的圖像讀取和寫入的制作方法
技術領域：
所公開的技術涉及寫入或讀取表面上的圖案，例如在微光刻中、或者在微光刻圖案的檢查中。特別地，申請人公開了通過在表面上掃描稀疏2D點陣列或柵格(grid)來記錄或讀取圖像的系統，例如，通過并行調制的多個光、電子或粒子束。掃描以及重復的讀取或寫入在工件上創建密集的像素或斑點(spot)柵格。柵格可以由多種陣列創建光源陣列， 例如激光器或LED陣列；通過小透鏡陣列，其中每個小透鏡具有其自己的調制器；通過用于粒子束的孔徑板；或者近場發射器或機械探針的陣列。對于讀取系統，點柵格可以由稀疏點矩陣照明和/或探測器陣列(其中每個探測器元件僅看到一個孤立的斑點)創建。
背景技術：
可以以多個不同的體系結構完成圖像的讀取和寫入，例如多束光柵掃描、從小圖像元素的組裝等。在此公開中，我們將僅討論一個特定的體系結構利用稀疏點陣列或矩陣掃描工件。由于微電子、光子和MEMS技術的能力的提高、以及光和粒子源、調制器、近場探針和探測器元件的大陣列的可獲得性的不斷提高，此體系結構變得越來越重要。當前，商業可得的MEMS陣列可以以超過20kHz的幀速率并行地調制多于2百萬束光束。同樣地，大探測器陣列早已作為照相機芯片而存在，并且尺寸和速度不斷提高。微電子、光子和MEMS技術的不斷發展很可能使得可以獲得其它類型的元件的大陣列，諸如近場和機械探針、電容或開爾文(Kelvin)探針、磁力計、激光器、LED和LCD、以及電光調制器。用于粒子束的帶電粒子阻擋器(blanker)或者大規模并行調制器的陣列已被幾個組展示。也可以使用電子束ο在具有數以百萬元件的大陣列背后的根本原因在于獲得高吞吐量(throughput)， 但更接近的研究表明難以高效地使用這些大規模陣列。設計者必須考慮總場尺寸、基臺 (stage)速度和開銷等問題、以及調制器/探測器和光源中的幀速度限制。結果至今仍未能完全利用已經可獲得的大器件的固有速度。圖Ia示出了本鄰域中公知的使用掃描稀疏點陣列的一般讀取/寫入系統的示例。 以下說明使用寫入系統作為示例，并且可以通過用光源陣列取代探測器陣列來推廣到替代的圖像讀取系統。圖Ia中的圖像寫入系統通過點陣列103的圖像的掃描運動102在基底101上創建圖像100。點陣列具有光源元件104 (例如VCSEL激光二極管)的稀疏矩陣或陣列，并且每個元件通過某些光學系統106投影到基底上以形成像斑105。根據要產生的圖案100的輸入描述(未示出)，通過數據路徑108控制(即，開啟或關閉)光源元件104。數據路徑將發送到源陣列104的驅動信號107與如位置傳感器109所測量的基底的移動102同步。
在圖1的示例中，基臺通過連續的運動而進行掃描，并且光源陣列在足夠短以使運動定格(freeze)并產生所開啟的光源的圖像的時間期間打印。因為源陣列是稀疏的，所以第一個圖像不是所期望的圖案，而僅是孤立點的陣列。在基臺移動了一定距離后，第二點圖案被曝光，如此下去。在若干平移之后，所期望的圖案被完全填充在100中。可以想出或者已經想出了許多修改圖1中描繪的投影透鏡可以用一個或多個透鏡陣列來替換或補充，其中每個斑點一個透鏡。或者，源和基底之間的距離可以如此短，以使得不需要投影系統來為源陣列上的每個斑點在基底上形成斑點。光源陣列可以是被光源照明的調制器陣列，并且所述調制器可以是二元的(開/關)或者模擬的(許多值，“灰度”)。光可以是可見光、紅外光、紫外光、遠紫外光、真空紫外光、極遠紫外光、或者甚至為X 射線。相同的方案對于粒子束也是有用的，例如使用電子、光子、離子或中性原子。于是，源陣列可以是場或光電發射器的陣列，或者其可以是被從背面照明的阻擋器陣列(所謂的孔徑板)，或者其可以是基于電壓對比的用于粒子的反射調制器(例如，類似于被 KLA-Tencor用在REBL中的調制器，參見US 6,870, 172 Bi)。對于粒子，投影系統可以是電子光學透鏡(其中，許多點共用透鏡，或者在透鏡陣列中每個點一個透鏡)、縱向磁場，或者，再次地，緊密相鄰從而根本不需要投影系統。第三個可能性為源點陣列是近場探針的陣列，例如，進行機械壓印(imprint)，通過向/從表面注入/提取電荷來曝光，或者測量表面的特性(例如在表面處的靜電勢或磁場)。基于場濃度、等離子體和/或消逝波的近場光學探針的陣列是可能的源/探測器點陣列的另一示例。寫入頭(具有源陣列和/或投影光學系統)、或基底、或兩者可以物理地移動以創建相對運動，或者可以通過光學部件(例如，通過檢流計或多邊形(polygon))掃描源陣列的圖像。在光或粒子光學系統的情況下，通過步進基底運動，以及/或者使光束在有限的距離上追蹤連續的基底移動，基底的相對運動可以是連續的并且通過短暫的曝光時間被定格。在任一情況中，不同斑點的曝光可以是同時的，或者它們可以在時間上分布，在該情況中，必須考慮定時和移動對斑點在基底上的布置的影響。在現有技術中，可以找到利用孤立點的圖像填充區域的不同方案。最明顯的一個是跨越掃描方向使用幾行源，并交錯(stagger)元件，如大量專利中所獲知的，見圖Ib-圖 lg。在陣列中的每個元件一個光源和調制器的情況下，光源可以是連續的，例如連續激光器或者發射足夠接近以被認為是連續的脈沖的激光器。以足夠低以使調制器針對工件上的柵格中的每個像素改變狀態一次的速度，掃描基臺。在IMS納米制造的最近專利(US 7,084,411 B2及其它)中，添加額外行，以為陣列中的壞元件提供冗余。更多的元件被添加在同一列中，并且小范圍的掃描被用來使一個元件僅在工件上寫入該列中的某些像素，從而克服調制器元件的最高實際切換(switching)速度施加的速度限制，調制器元件在這里是大規模并行粒子束寫入器中的阻擋器。圖Ib-圖Ig中顯示了相關技術:Mark Davidson在1996年的論文(Proc. SPIE, Vol. 3048, pp. 346-355)中建議輕微旋轉陣列，從而2D陣列中的每行跟蹤單獨的列。光源仍然是連續的，并且通過切換調制器的狀態而定義像素。Kenneth Johnsson在1996年描述了具有傾斜斑點的系統(US 6，133，986)(圖Ic)，正如 Ted Whitney 幾年前所作出的(圖 lb) (US RE 33，931)。DNS已經把Davidson的方案向前推進了一步，如圖Id中所示(US6，903，798)。在意圖在熱敏膠(thermal resist)上寫入的發明中，Applied Materials的Gilad Almogy使用了簡單的2D交織方案，以便使每一個像素與上一個不相鄰，從而避免相鄰像素的發熱的影響(圖le) (US 6，897，941)。Ball kmiconductors 在 2004 年給出了傾斜方案的數學(US2004/0004699)，并且 ASML在US7，230，677中討論了使用六邊形柵格(圖Ig)。

發明內容
本發明涉及在表面上寫入或讀取圖案，諸如在微光刻或微光刻圖案的檢查中。特別地，申請人公開了通過在表面上掃描稀疏2D點陣列或柵格來記錄或讀取圖像的系統，例如，通過并行調制的多個光、電子或粒子束。掃描和重復的讀取或寫入在工件上創建密集的像素或斑點柵格。柵格可以由多種陣列創建光源陣列，例如激光器或LED陣列；通過小透鏡陣列，其中每個小透鏡具有其自己的調制器；通過用于粒子束的孔徑板；或者近場發射器或機械探針的陣列。對于讀取系統，點柵格可以由稀疏點矩陣照明和/或探測器陣列 (其中每個探測器元件僅看到一個斑點)創建。使用大陣列背后的想法是提高吞吐量。然而，吞吐量在陣列尺寸大于陣列的一定尺寸之后，就不再隨陣列尺寸成比例變化(scale)， 先前已知的方案落入了它們自身的軌跡(track)中，并開始不斷地重復相同的數據。本申請公開了利用大陣列掃描工件的方法，同時保持吞吐量與陣列尺寸成比例變化，甚至對于非常大的陣列也是如此，實際上，基本沒有限制。具體地，本申請公開了以脈沖方式將在至少100X 100個元件的陣列之間的圖案信息傳遞(relay)至工件的表面上的斑點的方法。該方法包括在脈沖之間將陣列移動一偏移矢量，該偏移矢量在表面上的晶胞(cell)內創建預定數量的填隙(interstitial)斑點的規則分布。該晶胞可以由具有兩個相同長度的垂直矢量的陣列的單元定義。在本發明的某些實施例中，晶胞具有由從第一位置中的陣列的元件投影的斑點定義的角落，其中，當大陣列在一程(pass)中掃過表面時，將特定填隙斑點的過印(over-striking)重復限制為不多于8次。


圖Ia示出了本領域中公知的用于使用掃描稀疏點陣列而寫入或讀取圖案的一般系統。圖Ib-圖Ig示出了有潛在關系的其它技術。圖2a_圖2c示出了具有如文本中所使用的相關坐標系、平移矢量以及晶格矢量的點陣列。圖3a_圖北示出了創建不同柵格的二維交織柵格的兩個示例。圖4a_圖4b示出了在一個單元晶胞中寫入點的順序可以如何改變、以及如何可以將每個局部圖像之間的平移調整以適合調制器陣列的尺寸和速度。圖5a_圖5c示出了如何可以通過交織參數改變單元晶胞中的斑點、以及這些點如何可以被寫入可變次數。圖6a_圖6d示出了交織參數的小變化如何導致柵格的大區別。
圖7a_圖7b示出了交織參數的小變化如何導致柵格的大區別。8b示出了具有方形柵格的實施例以及參數Iiskip的功能。圖9a-圖9f示出了如何從對應于廣泛地分布在陣列中的點的斑點建立工件上的小鄰域中的圖像、以及本發明使用多程(multipass)寫入的實施例。圖IOa-圖IOf示出了二元寫入陣列的光柵化(rasterization)。圖Ila-圖lie示出了模擬寫入的光柵化。圖12a-圖12d示出了用于基于本發明的寫入系統的數據路徑的實施例。圖13示出了具有可選的追蹤硬件的讀取或寫入設備的實施例。圖14示意性地示出了使用高功率激光的高功率優選實施例的元件。
具體實施例方式參照附圖進行以下詳細描述。描述優選實施例來說明本發明，而不是限制其范圍， 范圍由權利要求限定。本鄰域的普通技術人員將意識到大量對以下描述的等同變化。使用大陣列背后的想法是提高吞吐量。然而，吞吐量在陣列尺寸大于陣列的一定尺寸之后，就不再隨陣列尺寸成比例變化，先前已知的方案落入了它們自身的軌跡中，并開始不斷地重復相同的數據。本申請公開了利用大陣列掃描工件的方法，同時保持吞吐量的變化與陣列尺寸成比例，甚至對于非常大的陣列也是如此，實際上基本沒有限制。所公開的方法的其它優點是陣列尺寸、工件柵格以及基臺參數的選擇的更大靈活性、以及圖像中的硬件簽名的解除(dissolution)，從而產生在某些方面比現有技術更理想的圖像。本申請公開了利用大陣列掃描工件的方法，同時保持吞吐量的變化與陣列尺寸成比例，甚至對于非常大的陣列也是如此，實際上基本沒有限制。具體地，本申請公開了以脈沖方式在至少100X100個元件的陣列與工件的表面上的斑點之間傳遞圖案信息的方法。 該方法包括在脈沖之間將陣列移動一偏移矢量，該偏移矢量在表面上的晶胞內創建預定數量的填隙斑點的規則分布，其中該晶胞可以由具有兩個相同長度的垂直矢量的陣列的單元定義。在本發明的某些實施例中，晶胞具有由從第一位置中的陣列的元件投影的斑點定義的角落(corner)，其中，當大陣列在一次通過中掃過表面時，將特定填隙斑點的過分顯著的重復限制為不多于8次。圖2公開了有用的坐標系。圖加中的主圖示出了柵格201，其表示源、調制器、 探測器或探針的陣列-2D點陣列。我們可以借用晶體學的術語來描述規則柵格，稱它們為 “晶格”，其由晶胞組成并根據它們的晶格矢量而重復。每一個二維規則柵格可以被描述為五個基本類型之一，2D布拉維(Bravais)晶格正方形、矩形、具有中心的矩形(centered rectangular)、六邊形和傾斜。每個晶格可以由兩個基本矢量(晶格矢量)描述。在一般情況下，可以選擇多于一組晶格矢量來描述同一柵格的點。以下描述將使用一組晶格矢量， 但基于不同組的相當描述將是等同的。陣列的一個單元將被稱為晶胞。這里所示的陣列是笛卡爾陣列，并具有由兩個相同長度的垂直晶格矢量(11和· )定義的晶胞。這是通常情況，但不是必須的情況。圖2C示出了傾斜點陣列的具有相同交織參數的相同圖。拓撲結構保持相同，但柵格傾斜或偏斜，并且對象的光柵化將不同。比較圖加和圖2c，可以看出不同陣列形狀可以被用于所公開的方法和裝置。除矩形陣列之外，所公開的方法還可以被推廣到傾斜矩陣。因為任何2D晶格都可以被表達為傾斜晶格的特殊情況，所以我們可以將所公開的原理應用到任何陣列形狀。圖加中的陣列在兩個方向上都較大。大的意思可能是相對的，但其大于100個晶胞，優選地大于300個，并且沿著較短軸絕對大于30個晶胞。在很多應用中典型的尺寸是約 640x480、1024x768、1344x768、1920x1080、或者約 4000x2000。陣列的軸由字母 u 和 ν 表示。插圖示出陣列的角落202，并且其顯示了底下的硬件，例如由每個反射鏡的中心處的光斑照明的微反射鏡陣列203(另參見圖14及其描述)。該光斑與陣列201中的線的交叉點重合。該斑點被投影或被傳遞到工件，并且可以被由數據路徑控制的每個微反射鏡調制。在特定時刻，被開啟的所有斑點打印到工件(替代地，在讀取系統中，光或相當的能量落在探測器或探針的陣列上，并稍后可以被讀出和分析)。結果是具有孤立斑點的采樣圖像，例如角落斑點204形成圖像中的一個元素。我們可以將由陣列在單個位置中形成的圖像稱為局部圖像。例如，接著通過機械或光學掃描，將陣列(或其像)相對于工件平移205，并且形成新的經平移的局部圖像。角落晶胞接著形成偏移了矢量207的新圖像元素206。平移矢量可以相對于陣列晶格矢量Cl和P的軸歪斜(tilt)。我們可以稱平移方向為q，而與其垂直的方向為P。y和q之間的角度可以為近似30度，但，如下面將顯示的，ρ和q之間的選擇具有很大的自由度。典型地，在寫入系統中，P和q是機械系統的移動軸，并且可以被稱為平板(flatbed)基臺中的步進和掃描方向。陣列被重復平移相同的矢量207，并形成局部圖像。在下面將描述的情形中，局部圖像將逐漸填充在插圖中所示的均勻柵格圖案208的圖案中。柵格208與陣列的柵格不同，并且陣列的每個晶胞包含工件柵格208的N。ell個柵格點。在插圖中，Ncell = 5(每個晶胞內部四個柵格點、和角落處的一個四分之一柵格點的四倍)。工件柵格是規則的，并沿著兩個軸xi和eta重復。工件柵格軸可以或者可以不與任何其它軸重合，并且柵格可以是正方形、矩形、或者相對于基臺或陣列偏斜、平行或旋轉。通過改變矢量207來創建具有期望特性(例如斑點的密度和分布)的柵格具有很大的自由度。為了清楚，插圖顯示每個晶胞僅五個柵格點，但主圖示出了創建每個晶胞八個柵格點的情況。角落斑點在四個晶胞之間的角落處打印第一斑點，并且，通過被重復地平移和打印，其打印相對于晶胞的七個獨有(unique)位置(黑點206)，直到其再次打印四個晶胞的角落處的斑點(白點)為止。為了清楚起見，白點被顯示為屬于該陣列。事實上，包含白點的行未被打印，并且在其上方的行也未被打印。如果該陣列被選擇為在ν方向上小于出現白點的位置一個晶胞，則該白點將不被打印，并且在陣列通過工件上的該位置之前，陣列中的每一個點正好打印八個斑點。由角落斑點打印的斑點分布在工件上的一條線上，并且由陣列中的每一個點打印的斑點也是如此。很容易令人相信存在八倍于陣列中存在的點的斑點，并且它們全部在獨有位置。因此，每一個晶胞被填充八個斑點，并且整個區域被填充了所打印的斑點的規則圖案。在寫入器中，根據每個打印的斑點相對于所期望的圖案209的位置，陣列中的斑點是開啟、關閉或者兩者之間的狀態。工件坐標系是x，y，以使其對用戶透明。在適當設計的系統中，機器的操作者可能永遠沒有任何理由使用P、q、U、V、Xi或eta、或者甚至知道它們的存在。
通過每個斑點上僅一個(或者預定數量的)局部圖像而打印表面填充的柵格圖案的情形是什么？打印每一個柵格點一次且僅一次向系統給出理論上的最大吞吐量。圖2中給出了每個晶胞八個斑點的情形由在到達第一個重復點之前U和ν方向上的晶胞的數量給出矢量207的方向，S卩，nu = 9以及nv = 21。長度被設為使得9個矢量到達第一個重復點，即，存在8個非重復點或者n。ell = 8。這三個整數nu、nv和n。ell控制工件柵格的創建。 nv與陣列在ν方向上的尺寸之間的協作確定每一個斑點位置被打印一次且僅一次，或者另一整數次。圖3示出了如何由不同組的整數創建不同柵格。一組整數(2，5，4)使柵格近似為六邊形(圖3a)，而另一組(3，4，幻使其表面上是正方形、但相對于陣列進行了旋轉(圖 3b)。注意，陣列的上部分(從白點向上)未被使用。因此，參數(2，5，4)(圖3a)比(3，4， 5)每秒打印更多的斑點。圖3中使用的整數是為了說明目的而選擇的，在實際應用中這些整數可以大得多。典型陣列可以是102虹768、1920x1080、或者4096x2048個點，而不是如圖3中所示的7 個晶胞高的陣列。可以如何選擇整數以便從給定的非常大的陣列獲得最高效率？圖4更詳細地示出了可以如何選擇整數、以及對于以最優方式使用大陣列的區域而存在的自由度。圖如示出了同一調制器(探測器等)元件401如何沿著線404平移并打印斑點。 首先，調制器401打印屬于左下晶胞(晶胞(1，1))的斑點。然后，其平移到位置403并在晶胞(2，3)中打印第二個斑點，并且在再平移一次之后，其在晶胞(3，6)中打印斑點。從而， 由一個調制器打印(或由一個探測器讀取)的斑點屬于不同的晶胞。然而，當調制器401從第一個打印晶胞移動到下一個打印晶胞(S卩，從(1，1)到 (2,3))時，另一調制器(未示出)移動到第一個打印晶胞并在那里打印第二個斑點(即，從 (0，-2)到(1，1))。對于單元(cell)401的每次平移，新單元(cell)移動到第一個打印晶胞內，并在那里打印新斑點。因此，第一個打印晶胞(1，1)中的每個斑點被不同的調制器打印，并且，晶胞(1，1)中的斑點的數量變得與在整個陣列通過晶胞(1，1)之前平移的次數相同，即 n。eii。一個晶胞中的所有斑點由不同的元件打印，但我們可以認為所有的調制器(源、 探測器、探針等)是相同且可互換的。因此，可以設想單個調制器在同一晶胞內部來回移動并打印那里的所有斑點。當以u和ν為單位表達平移時，控制單個晶胞內部的移動的是平移的分數部分。還存在平移的整數部分(整數個晶胞)，其確定哪個實際元件負責特定斑點， 但只要數據信道知道正發生什么，我們就可以認為這不重要，并隨意改變該整數部分。這可以被用于在不同尺寸的陣列之間移動打印柵格，或者用于轉換打印方案，從打印每一個斑點一次轉換到同一柵格中每個斑點打印兩次。其還可以被用于改變平移的方向，例如用于對某些圖案的誤差消除。平移矢量402(其是(1.124,2.75))可以被表達為指向下的小分數矢量 406(0. 125, -0. 25)和整數407部分(u, v) = (1，3)。我們已經選擇該分數部分，以給出晶胞中在起點位置右下方的斑點，以便使圖4b更易閱讀。對于每個局部圖像，晶胞內部的斑點在一條線上向右下方移動，直到其已經聚集(accumulate) 了一個完全的晶胞為止，并且，我們接著任意地移除該單元(cell)，以使其回到該晶胞內。因此，其在該晶胞內形成兩行斑點。這在每個晶胞中重復并形成柵格。可以改變平移矢量的整數部分，并且所寫入的
9柵格將不改變，因為其由平移矢量的分數部分確定。例如，如果我們在使用整個陣列之前已經打印了晶胞中的所有斑點，則該平移矢量太短，并且，我們可以通過向U和ν添加整數個晶胞來增加平移矢量的長度。更長的平移矢量意味著基臺移動得更快、以及每秒掃描更大的面積，即吞吐量更高。我們還可以通過對分數平移矢量乘以選擇的整數值來改變斑點被寫入的順序，如下文所述。在圖4b中，我們已經對原始矢量(1.125,2. 75)加上了 (u,v) = (1,-1)以得到 T (2. 125，1.75) 410，并且對分數部分乘以3 (409)而得到新的平移矢量(2. 375,1.25)411， 其與(1. 125,2. 75)寫同一柵格，但以不同的順序。因為該平移矢量在方向q上，所以我們已經改變了陣列的旋轉角度，并且同時使其針對每個局部圖像在ν方向上移動得更少，從而對于給定ζ尺寸的陣列打印更多的局部圖像。如此，可以獨立地改變柵格、陣列尺寸和旋轉角度。對這些參數的獨立控制使得可以優化吞吐量，同時保持其它規格，諸如分辨率或最小的地址。特別地，可以增大平移矢量以使用陣列的所有或幾乎所有元件。例如，假定希望每個晶胞具有100個斑點(n。ell = 100)并且陣列是1920x1080。將分數部分選擇為約(u，ν) =(0. 1，0.3)。如果(3，10)被加到該分數部分上，則平移矢量為(3.1，10. 3)，并且在ν方向上100次平移使用1030個晶胞，即陣列的區域的1030/1080 = 95%或理論元件的95% 對吞吐量做出貢獻。當設法發現用于最優或接近最優的吞吐量的交織參數(例如，使用多于陣列的 30^^50^^80%或90%)并且具有期望的密度和分布(例如，各向異性密度、矩形、近似六邊形，等等)時，我們可以使用上述過程或者使用陣列的尺寸直接作為nv。如果我們可以允許傾斜的柵格，則存在如此多的交織參數nu、nv和η。ε11的可能的組合，以至于我們可以立即選擇nv作為符合陣列尺寸的最大整數并可以設法找到給出期望柵格的n。ell和nu。圖5中的圖形示出了柵格如何被整數參數的選擇所影響。這些圖形僅示出了分數部分，即通過加上或減去未指定的整數而將所有斑點區域的位置縮減到一個陣列晶胞。所述圖形由從參數計算平移矢量的簡單的Excel程序制作，移動同一點很多次，并且繪出所打印的斑點的位置的分數部分。如上所述，想法是將以相同的方式填充每一個晶胞，但對每個斑點利用不同的反射鏡。計算移動的分數部分與發現將在一個晶胞中打印并繪出它們打印的位置的元件相同。所述圖形用圓形標記繪出了該晶胞中所有繪出的斑點，接著覆蓋具有利用方塊標記的開頭14個斑點的軌跡。這給出了打印斑點的順序的指示。之后，我們將討論局部(local)環境如何由來自陣列的不同區域的斑點組成。由打印的順序確定陣列上的點的分布的一個要素，并且更隨機的打印順序給出在局部鄰域中獲得打印的更多分布的點ο在圖5a中，利用參數(nu, nv, ncell) = (7,5,19)，所打印的斑點非均勻地分布在晶胞內，并且該柵格不適于具有在方向上各向同性特性的打印。該分布不是各向同性的，并且分辨率在斑點緊密間隔的方向上更好，而在橫跨它的方向上較差。將一個參數改變一個單位到(7，5，18)產生比較均勻的點的分布，如圖恥中所示。柵格是傾斜的或者近似六邊形。 在傾斜柵格中，通常存在選擇軸xi和eta的不同方式，并且此柵格可以被描述為多個傾斜柵格，或者被描述為變形的六邊形柵格。圖恥的令人感興趣的特性是以表面上偶然的方式打印斑點，即，打印斑點的序列是所選擇的參數的非平凡(non-trivial)結果。該結果是取決于繪圖的序列的某些系統誤差被隱藏并被轉換為表象噪聲(apparent noise)。所公開的寫入策略可以隱藏硬件在多個層次(level)上的簽名。最終，利用參數(14，10，36)，圖5c示出了如何將圖恥中的圖案轉換為被繪畫兩次。所述點與圖恥相同，但每個點是雙重的(在繪圖中輕微偏移，以表示其被繪畫了兩次)。 每一點被同樣繪畫但繪畫兩次的原因是2是所有三個參數中的公分母。使每個點被打印兩次可有益于冗余，或者用于在每個局部圖像的劑量受限的情況下建立更高的曝光劑量。將相同的斑點繪畫兩次或者任意其它整數次使得可以通過將某些斑點關閉、將其它斑點開啟最大次數、并且將某些斑點開啟中間次數(例如每次以2為重復因子)來創建粗糙的灰度 (crude gray scaling)0所創建的工件柵格對參數值非常敏感，如圖6a_圖6d中所示。除了 n。ell逐個圖形改變一個單位(從108到111)外，這四個圖形示出了相同的參數。圖6a示出n。ell= 108。 由于與結合圖fe所討論的原因相同的原因，所產生的點分布無用；斑點的分布不是各向同性的。將n。ell增大到109給出了近似六邊形的傾斜柵格。n。ell= 110給出了平行于陣列的矩形(寬高比10 11)柵格，并且n。ell= 111給出了經旋轉的幾乎相同的柵格。不容易給出選擇參數的規則。已知在一維中，將每個斑點打印一次且僅一次的交織系統可以由互質的(relative prime)兩個數描述(例如，IMS納米制造專利)，但同樣的規則似乎不適用于二維中。例如，圖6c中的參數彼此不是互質的。已知幾個規則規則1 :n。ell = nu*nv(nu不等于nv)給出寬高比為nu nv并且平行于陣列的矩形柵格。規則2:n。ell = nu2+nv2給出了正方形柵格，但經旋轉的(圖8a)。如果 和 是非常大的數并且n。ell變得不合理地大，則可以通過將它們改變為nu’ = nu-I*ncell以及nv’ = nv-j*ncell (其中I和j為整數)而發現更小的值。規則3 如果nu、nv、ncell具有公分母k，則每個晶胞寫入(或讀出)n。ell/k個斑點， 并且每個斑點k次。k個斑點可用于粗糙灰度。規則4:在圖中存在第四個參數Iiskip，其對應于圖4b的409中的因子3。n。ell和 nsldp可能不具有任何大于1的公因子(“互質”)，或者某些斑點未被打印，并且被打印的斑點被打印了多次。因子Iisldp對于改變寫入或讀取斑點的順序是有用的，如圖8中所示。在圖8a中， nskip = 1，并且斑點被順序地繪出。在圖汕中，nsldp = 19，并且，因為19與nskip = 221互質，所以將所有斑點繪畫一次且僅一次，但以不同的且更復雜的順序。規則5 對于具有不同尺寸的晶胞的規則陣列(例如，矩形、偏斜的或六邊形)，所述方案基本不變地工作。如果陣列晶胞不同且上述規則1至5被修改，則對于相同的參數， 工件柵格具有不同的形狀，但不增加新的復雜性。所公開的交織方案的優點之一是創建不同柵格、使用不同尺寸和形狀的陣列、以及改變斑點密度和基臺速度以適合各種邊界條件的高靈活性。此靈活性的負面影響是難以理解這些參數如何相互作用、以及難以預測在具有實際陣列尺寸的系統中柵格將如何出現。簡單的修補是小的計算機程序，其接受相關參數并在晶格中以及跨越矩陣繪出柵格。以下是以圖8b中的柵格點被寫入的順序計算它們的偽代碼片段
Ncell :=221
Nu :=10
Nv :=11
Nskip :=19
FOR i:=0 TO Ncell-I
ρ :=i*Nskip*Nu/Ncell q :=i*Nskip*Nv/Ncell p frac :=fraction(p) q_frac :=fraction(q) Print (i, p, q, p frac, q_frac) ENDFOR其中，fraction (a)是指當a的整數部分被去除時的余數。可以在矩陣中繪出坐標(P，q)并在晶胞中繪出分數(p_fraC，q_fraC) (O < ρ < 1，O < q < 1)，以顯示特定參數組的工作行為。現在已經顯示了可以如何使用小的數測試合適的柵格、以及交織方案可以如何被修改為使用陣列的大部分區域而同時保持該柵格點、或者替代地可以如何以陣列尺寸為開始并測試合適的柵格。多稈寫入在本領域中眾所周知，多程讀取或寫入，以便抑制系統誤差并提高分辨率。多程可以被實施為重復地繪畫整個工件、在彼此之上運行若干個條紋(stripe)、或者使多個寫入頭寫入覆蓋的圖案。如這里所公開的，可以使用具有現有技術中不存在的優點的多程寫入 (圖9)。例如，多程方案與所描述的2D交織方案一起使工件上的局部環境901由調制器/ 探測器元件902寫入/讀取的斑點構建，所述調制器/探測器元件902散布在整個陣列903 上(圖9a)。不同符號(方塊、圓圈等)表示不同的程中寫入的斑點。在每一程中，工件柵格由陣列上沿著掃描方向上的線的元件構建，如圖2所示。取決于交織參數被如何設立，對工件上的一個局部區域做出貢獻的點可以在陣列上緊密間隔，或者沿著整個傾斜線散布在陣列上，大體對應于圖8a和8b中的兩種情況。將在陣列上間隔很遠的元件引入到工件上的小鄰域中的可能性是所公開的技術的益處之一。因為每個鄰域具有或多或少來自整個陣列的貢獻，所以將看不到陣列的圖像。例如，如果陣列的一個角落產生較弱的壓印/信號， 則該角落將貢獻于工件上各處的斑點。結果將是各處稍微更高的變化，但在任何地方都不會特別地看出該角落的影響。圖9b示出了如何打印多個局部圖像，其中一系列矩陣位置部分重疊并在如圖2中所定義的q坐標方向上形成條紋。從而，一系列局部圖像形成條紋，并且許多條紋(未示出)在P方向上接合(stitch)在一起，以在一程中填充整個區域，該一程由圖9b中的位置 1表示。以同樣的方式，但利用在P方向上偏移的條紋，寫入標記為2的下一程。不同的程以不同的線型標記。程1和2中所使用的元件取自沿著q的線，但在P上偏移，如圖9c中所示。在兩程之后，沿著兩條線906、907跨越陣列寫入/讀取的斑點構建鄰域901。這些線中的某些在端906、908之間分割，以便容納一程中的所有局部圖像。圖9c示出了四程的相加如何給出圖9a中的元件的分布，其中由從陣列上的傾斜線獲得的斑點寫入局部環境。程 2和4的數量僅是示例，并且圖9可以被推廣到任意整數個程。多程寫入的第二個結果是所組合的柵格的密度高于單程的情況，從而提高分辨率和圖像逼真度。程之間的偏離(offset)是在若干層次上在ρ方向上偏移條紋。在程之間，局部曝光也優選地在q方向上偏移。此外，在工件柵格中偏移程，從而創建更密集的組合工件柵格。最后，可以在晶胞內偏移程。將由這些層次中的一個或多個上的偏移組成的組合偏移編程到掃描系統中，并且還將其饋送到數據路徑，使得光柵化引擎獲知每個斑點被置于何處、以及其由哪個調制器/探測器元件寫入/讀取。所公開的寫入策略不依賴于如何實施陣列與工件的相對平移。相對平移可以被實施為具有寫入行程(stroke)和非寫入折回行程的往復機械移動(圖9d)。圖9d示出了針對單程的這種往復寫入。在圖9e中，針對第二(或第三、第四等)程示出了類似的往復寫入方案，其除了寫入行程與圖9d中的相反外，其它都相同。通常認為，對于高質量打印，不僅對斑點陣列而且對任何寫入引擎，都難以以迂回(meandering)的方式寫入，即，一個條紋向前，下一條紋向后。存在寫入方向的許多微秒的影響，諸如電子器件、伺服行為、聚焦度量等中的時延，并且迂回方案的向前和向后的條紋不是不可見地接合在一起。因此，圖9d-圖 9e的寫入方案在大多數高質量應用中是標準的，盡管其遠沒有迂回方案有效。在圖9f中，在多程寫入的背景中，通過在兩程組合寫入操作中寫入兩程來解決該問題利用如圖9d中的向前寫入行程來寫入程1，并利用作為圖9d中的折回行程的向后寫入行程來寫入程2。向前的條紋被接合至向前的條紋，并且向后的行程被接合至向后的行程。2n(n是整數)個程可以通過η個兩程組合寫入操作寫入，或者兩程組合寫入操作可以被概括為2η程組合寫入操作。例如，四程組合寫入操作可以由條紋1程1向前、條紋1程 2向后、條紋1程3向前、條紋1程4向后、條紋2程1向前、條紋2程2向后等組成。順序可以改變，并且向前向后可以交換，但是，通過向前總是接合至向前且向后總是接合至向后而寫入多程，從而每程僅具有向前或向后的條紋。此寫入方案可以被有利地用于斑點柵格寫入器、使用光學一維和二維SLM的寫入器、以及聲光或機械掃描的光柵掃描機。二元光柵化根據調制器是二元的(開/關)還是模擬的(多個狀態)，可以以幾個本質不同的方式實施光柵化。圖10示出了針對具有二元調制器/源陣列的寫入系統的光柵化。在圖IOa中，示出了工件柵格1002和要被寫入的特征1001。示例中的特征是在清晰(clear) (曝光的)背景中的暗特征。根據斑點1002的中心點在特征的邊界線外部1003還是內部 1004，寫入或不寫入斑點。該光柵化方案具有誘人的特征其簡單且易于理解。乍看之下的地址分辨率(resolution)不比工件柵格的間距更好。然而，當工件柵格從圖案中的特征的邊緣旋轉角度alpha(其典型地為20-45度))時(圖IOc)，并且當由圓圈1011表示的有限光學分辨率確定斑點的尺寸和模糊性時，該邊緣將是相當平滑的。根據斑點的中心是在特征1007內部1009還是外部1010來寫入斑點。在相當大的角度alpha的情況下，光柵化的邊緣將具有高的邊緣粗糙度，但沿著邊緣的基本空間頻率足夠高，以被由有限分辨率導
13致的光學過濾去除。光學分辨率可以由斑點函數表示，且還可以由所述斑點的FWHM寬度表示。結果可能看起來如圖IOd中的特征1012—樣。可以認為邊緣與柵格的行和列對齊(snap)。通過邊緣和柵格之間的角度，該對齊沿著邊緣非常迅速地改變，并且，取決于角度的精確值，對齊圖案可以重復或不重復。具有短周期的重復的對齊圖案可以導致可見的莫爾(moire)偽像或mura。利用長間隔重復相同圖案(例如，在圖案中的10個特征之后)不太可能被注意到。非重復的對齊不遭受所有的莫爾效應。如果角度alpha的正切不是具有小整數的有理數，則將不存在任何短重復的圖案，并且莫爾波紋效應不太可能發生。如果正切是具有小整數的有理數(例如，3/5、2/7)， 則邊緣的不均勻將以短周期而相同地重復，從而可能產生mura。如果有理數是n/m，則邊緣以周期m重復其自身，例如2/7以周期7重復。因為在7的周期內僅存在7個最接近于特征邊緣的斑點，所以對于工件柵格中的每個分區(division)所寫入的邊緣，僅存在7個可能的平均位置。如果角度的正切是具有大整數的有理數，例如2001/7099，則存在許多可能的平均邊緣位置(2099個位置，或者實際上無限小的地址柵格)。寫入的特征的邊緣將仍然具有隨機形狀(如圖IOd中一樣)，但沿著邊緣的平均將非常精確。圖IOd示出了局部寬度測量1013將如何給出變化的線寬值。然而，如果測量寬度而作為有限長度窗口 1015上的平均，則事實值將與數據中的值接近得多，并且具有更小的統計擴散。窗口越長，平均寬度將越好。對于具有相當大的特征的圖案(如TFT晶體管)，有效的設計柵格將非常小，而具有小且短的特征的圖案(如半導體存儲器)將受益較小。因此，對于某些圖案(如IXD 和OLED顯示)，使用二元調制和經旋轉的柵格用于虛擬柵格可非常有效地減少柵格對齊和 mura，但將給出一定水平的邊緣粗糙度，這在其它圖案(例如半導體存儲器)中可能是不希望的。基于斑點在特征內部還是外部的簡單光柵化在多程中透明地工作。每程被獨立地光柵化，并且在關于圖9a所討論的偏離的情況下，更多程將給出更好的邊緣和更少的柵格偽像。通過替代的略微更復雜的光柵化方法，可以減小邊緣粗糙度，如圖IOb中所示。每個斑點僅可以是開啟或關閉。對于位于邊緣上的斑點，希望將其開啟一半。如果選擇將其完全開啟，則邊緣將具有圍繞斑點的位置的突起(protrusion)，但如果斑點被完全關閉，則也將存在誤差。在任一情況中，都存在斑點單元一半左右的誤差。在替代的略微更復雜的光柵化中，邊緣上的斑點被開啟(或關閉)，但通過關閉(或開啟)一個或多個遠離邊緣的輔助斑點來補償邊緣的誤差。與邊緣具有距離并垂直于邊緣上誤差的地方的一個這樣的斑點1006被示出。針對相鄰斑點的影響的一半的合適距離是光學系統斑點函數的半FWHM寬度，并且對于越小的誤差越遠離。圖IOe示出了斑點的截面以及其如何對更遠離中心的位置的劑量具有更小的影響。對于多程，如果可以在所有程中的斑點之中分配輔助斑點，則該方案工作得更好。為了這么做，光柵化引擎可以一次對組合多程柵格進行光柵化，或者在每一程中對多程柵格進行光柵化并丟棄在當前程中不使用的數據。最合適的方案可以取決于處理和存儲的相對成本，并且可以隨著時間以及隨著應用而改變。利用可獲得的完整的多通數據，還可以在數學上預測邊緣的位置(例如，通過斑點函數與閾值的卷積)，并且可以修改輔助非相鄰斑點來校正預測的邊緣誤差。在數學上，這可以被設立為線性最優化問題，其中，鄰域中的每個斑點對期望的邊緣位置處的劑量有貢獻。沿著期望的邊緣的多個位置處的強度可以由方程系統描述，可以針對這些邊緣位置處的光刻膠閾值劑量求解該方程系統。斑點可以被開啟和關閉，直到邊緣位置處的劑量的誤差被最小化并且發現了最優解為止。該解可以如圖IOb中所示，其中暗圖內部的斑點基本被關閉，但在接近邊緣但不緊挨邊緣的區域中，少量的斑點被觸發(toggle)或反轉到相反狀態。為了達到一定的邊緣質量(例如低的邊緣粗糙度)，可以使用相對于對圖IOa中的簡單光柵化方案使用的柵格更粗糙的柵格。更粗糙的柵格意味著對于相同的質量具有更高的吞吐量、更便宜的寫入硬件、 以及/或者更少的寫入程。注意，該段落所描述的光柵化不限于正方形柵格，甚至不限于規則柵格。可以通過相同的方法光柵化具有矩形、具有中心的矩形、六邊形或傾斜晶格的柵格。還可以使用相同的方法用于不規則柵格的光柵化，只要光柵化裝置知道每個柵格點位于何處即可。示例是期望是規則的柵格，但由于光學變形，某些柵格點從它們期望的位置偏移。根據設計或者根據校準獲知新位置。在此背景中的校準是指通過與已知基準探測器或其它已知偽像的比較，測量它們在圖像中的表象位置。光柵化可以基于每個點的真實或名義位置、或者兩者的組合，并被校正來統計地給出對圖案的更真實的讀取/寫入。當寫入圖案的統計混合時，通過對誤差的建模來發現柵格點的校正位置。最佳位置是對于圖案的實際混合而最小化由假定的誤差產生的平均誤差的位置。柵格點的校正位置r 是
丄 corr -aj^-rcorr rnominal+ (ractual -'-'nominal^ *。。οιτ其中，rn。minal是名義位置，ra。tual是經校準的實際位置，c。。 是選擇來統計地最小化誤差的標量常數。模擬光柵化最早已知的寫入系統使用正方形或矩形柵格，并且公知用于針對這樣的柵格的數據的光柵化的方法。如所公開的，柵格可以是偏斜和/或旋轉的，并其甚至可以是不規則的。圖11示出了對于這樣的柵格，可以如何光柵化數據。圖Ila示出了可以如何通過向每個柵格點分配作為數據中的特征與圍繞該柵格點的晶胞之間的重疊的值來光柵化任何柵格，規則的或不規則的，笛卡爾的或偏斜的(示出了規則偏斜的)。可以以許多方式定義晶胞，圖Ila示出了如何將與下一晶胞的邊界畫在到下一柵格點的半途。這對于規則和不規則柵格都起作用。可以根據晶胞的頂點位置解析地計算該重疊，或者通過超采樣算法計算該重疊將更精細的柵格(采樣柵格)迭加在晶胞上，并且對重疊區域中的采樣柵格點的數量進行計數。更詳細地，可以添加權重函數，從而以比靠近邊緣的采樣柵格點更高的權重對接近中心的采樣柵格點進行計數。超采樣柵格和權重可以存儲在查找表中用于快速訪問。超采樣算法是精確和靈活的，并且可以在圖形處理器或FPGA中編程超采樣算法，但其使用相對高的計算能力。圖lib-圖Ilc示出了可以如何通過假定正方形柵格的圖形處理器對規則偏斜 (傾斜)柵格進行光柵化。圍繞每個柵格點定義單元晶胞，典型地對于每個柵格點而相同的形狀。整個圖案接著被線性地變換，即每一個(x，y)坐標被乘以變換矩陣，該變換矩陣縮放并旋轉圖案以產生偏斜柵格正方形和/或單元晶胞正方形。通過變換矩陣變換輸入圖案的坐標，并且將結果饋送給光柵化裝置。假設性地，光柵化裝置可以是圖形處理器，例如，針對 PC的視頻表現(rendering)芯片，其不昂貴且具有將多邊形表現為正方形位圖的高能力。 描述光柵化的另一方法是將圖案和柵格一起變換，使得笛卡爾(x，y)坐標系和偏斜的(xi， eta)系統被轉換為偏斜的(X，y)和笛卡爾(xi，eta)系統。當寫入圖案時，寫入系統的柵格未被變換，并且使用針對每個斑點所計算的值。圖Ild-圖lie示出了非常偏斜的柵格的變化，正如當柵格接近六邊形柵格時。于是，圖Ilc中的單元晶胞被相當地拉長，并且寫入特性(例如分辨率)在不同的方向上可變得不同。于是，通過每個柵格點兩個或更多個晶胞(示出了兩個晶胞1102、110；3)來定義另一柵格，并且這些晶胞被變換為笛卡爾柵格。在光柵化之后，所述兩個或更多個晶胞的值被相加，并被分配給柵格點1101。數據路徑的體系結構圖12a中示出了寫入器的數據路徑的體系結構。發送到陣列的數據的順序很不容易理解，也不容易直觀建立。本發明中所使用的所謂的“復雜二維交織方案”在一般智慧的人在沒有某些計算設備的幫助下不能排列出所述交織的意義上，是復雜的。其還在不存在將工件上的斑點聯系(connect)到陣列上的寫入程、局部圖像和地址的顯式公式的意義上，是復雜的。數據路徑仍然必須高速地針對每個數據進行此聯系。下面參照圖12描述如何解決發送正確的數據到正確的調制器(盡管缺少它們之間的顯式關系)的問題。圖12a中的數據路徑從存儲器1202中獲取輸入數據1201，通過光柵化引擎1203 將其光柵化為位圖1204。典型地通過(x，y)系統中的矢量數據描述該輸入，并且將其光柵化為(xi，eta)系統中的位圖。X，y和xi，eta之間的關系可以是旋轉和縮放。(xi，eta) 柵格中的數據被與數據將在寫入硬件中被使用的方式完全不同地排序。在位圖被適配 (condition) 1210為信號1211以被發送到調制器/源陣列1212之前，其被重新排序為被陣列使用的順序。這在數據重新排序模塊1208中，基于查找表1218而實現。(xi，eta)中的每個點必須被轉換為程、局部圖像和調制器坐標。替代地，每個調制器必須到達位圖內，以發現分配給它的值。這通過預先計算的地址查找表或地址轉換表1218來管理。圖1 示出了如何創建該地址轉換表。在定義柵格參數、程數量、陣列維度等的設置輸入數據1205中描述寫入工作。該數據(被合適地重新格式化1207)被發送到光柵化裝置1203和重新定位計算器1214，該重新定位計算器1214具有機器的模型，仿真寫入操作并對每個調制器、局部圖像和程輸出具有工件坐標(例如，在(xi，eta)系統中)的查找表 1215。在重新排序模塊1216中重新排序(典型地通過整理(sorting))該表1215，來產生作為工件柵格中的柵格位置(xi，eta)的函數的、程、局部圖像和調制器坐標的新的反向查找表1217。為了高效地重新排序數據，(xi，eta)位圖被掩蓋或采樣，并且樣值被發送到對應于局部圖像的存儲區域。在此操作中，根據反向查找表1217重新排序數據。通過整理前向表xi, eta(u，ν) 1215來計算反向表u,v(xi, eta) 1217的過程是實際且高效的，而反向表 1217的直接計算在數學上可能是困難的。替代地，一次一個晶胞地尋址對應于局部圖像的存儲區域(即，陣列的一次加載) (在算法中，通過并行地運行算法的幾個實例來實施)，并且在查找表1215中發現可以取出該值的地址。(xi，eta)位圖在存儲器中保持可獲得，并且從其取出所述值。圖12a中的體系結構可以被用于二元和模擬數據兩者。圖12b示出了如何可以校正陣列或光學器件中的誤差。數據路徑的核心與圖12a中相同。在獲知陣列中的誤差和/ 或光學系統中的缺陷(例如變形)的情況下完成光柵化1203。將誤差1220從誤差存儲器 1221饋送到光柵化裝置1203。可以通過從光學系統的已知特性(如變形)、從寫入的偽像的測量、或者從寫入器中的校準過程的預測來發現誤差。對于陣列或光學系統中的缺陷，可能方便的是以(u，ν)為坐標存儲誤差并具有查找轉換表(例如圖12a中的1215)以在光柵化裝置中將誤差的影響分配到柵格中的柵格點。在一般情況下，陣列1212中的調制器/源元件具有不同的特性，并且可以在數據被轉換為驅動該陣列的信號1211時被校正。可以基于校準硬件和軟件1227，將單獨的特性存儲在查找表1225中。在圖12d中，以兩個步驟完成從(X，y)中的矢量輸入數據1201向(xi，eta)位圖的轉換首先在第一模塊12 中將輸入轉換為(X，y)中的中間格式1228(諸如(x，y)位圖)，然后將此中間格式表現或重新表現為(xi，eta)位圖1204。對于基于相同的2D交織方案的圖像讀取器，數據路徑基本相同，但具有反向的數據流來自陣列的信號被轉換為數字值，并且通過查找表，恢復(unscramble)數據以產生 (xi，eta)位圖。然后將其變換為χ和y中的圖像。光學盲寫器實施例在此部分中，我們公開了光學直寫器的實施例，其用于對具有3. 5微米的光學分辨率以及5微米的最小特征尺寸的LCD底板進行寫入。光刻膠具有30mJ/cm2的靈敏度。優選實施例中的調制器陣列是德州儀器(Texas Instruments)的HDTVDLP (數字光處理)芯片，其具有1920x1080個二元反射鏡以及23kHz的最大幀速率。芯片上反射鏡到反射鏡的間距是10. 8微米。芯片取向與圖2中一樣，其中平移矢量沿著最短軸，但歪斜 (tilt) 一角度。芯片的長軸定義條紋寬度，并且可以使用整個寬度。在平移方向上，芯片的使用取決于交織參數。優選參數組是n。ell = 481, nu = 9,nv = 9,nskip = 29，并且對基本分數平移矢量加上矢量(0，1)晶胞。這使得98%的反射鏡貢獻于吞吐量，S卩，像素吞吐量是 98% *1920*1080*23kHz = 45Gp/s。為了在兩程之后創建0. 71微米的柵格，光學系統將芯片放大2倍，并使用48mm的光場。從而，平移矢量是(u，v) = (11.900,48. 377)微米。基臺速率是1054mm/s，原始寫入速度為每分鐘1. 30m2。為了在75秒中寫入GlO基底(3400U600)，六個單元應該足夠，假定10%的機械開銷。像平面上7W的光功率應該足夠，由于實際光學損耗，其典型地需要約 20W的原始功率。光源是q開關的三倍頻Nd-YAG激光器，其具有355nm波長、23kHz的重復率以及40ns的脈寬。該激光器的TEMOO光束被分裂為1920x1061個高斯光束，每個高斯光束被引導到DMD反射鏡的中心，但實際聚焦斑點與該反射鏡有一些距離。所述光束被反射鏡調制，并且所調制的斑點的陣列被成像到工件上。基臺是平板基臺。如在圖IOa中的，將數據光柵化。追蹤工件這些和類似技術中的許多都需要脈沖光束，以便使陣列的掃描移動定格。參考文獻5在如下意義上是令人感興趣的其使用連續運動和連續照明，并且通過追蹤基臺的運動，仍然從一個陣列元件獲得一個斑點的曝光。這是通過掃描來自調制器的光束以便跟隨基底而完成的。也可以利用光束和諸如電光偏轉器的短行程偏轉器來完成。
圖13示出了修改和改進的成像設備(讀取或者寫入)，與圖1中的設備類似。根據以上描述，旋轉陣列并修改平移，從而允許以最佳的方式使用要被使用的陣列中的元件， 由此允許使用與吞吐量成比例變化的更大的陣列。元件基本與圖1中相同要被寫入的圖案1300、工件1301、平移方向1302、源陣列 1303(由源本身組成或者調制每個元件處的光束)、源元件1304、源元件的圖像1305、系統 1306(例如用于使源陣列上的光束變為工件上的斑點的投影系統)、基于工件的位置傳感 1309從數據路徑和/或控制器1308向源陣列的數據輸入1307。對于讀取系統，使用探測器陣列代替源陣列，并且因果關系的方向(輻射、機械力等)相對于寫入系統是反轉的，即從 1301 至 1303。圖13示出了光學寫入器/讀取器作為示例實施例，并且在光學系統中插入了短行程偏轉器1310，例如，電光偏轉器、聲光偏轉器、機械掃描反射鏡、棱鏡、或者衍射元件。上面的描述已經使用了短曝光時間來定格工件相對于陣列的圖像的運動，但，利用所添加的偏轉器1310，可以通過追蹤工件1301來使連續地點亮的光束定格斑點。偏轉器之后的兩組射線示出了替代路徑早些時間的實線和稍后的虛線。追蹤可以在等于或略小于上述平移矢量的距離上。這在兩種類型的示例實施例中可能是重要的使用具有連續光源的源陣列、以及使用照相機作為探測器陣列。可以通過連續激光器或其它放電照明器從背側照明連續光源，但其也可以是LED或激光器陣列，例如半導體激光器或VCSEL。與分離的激光器(例如，Q開關三倍頻Nd-YAG激光器)不同，半導體激光器不能將大量能量存儲作為反轉并隨后釋放作為短的高強度脈沖。在半導體激光器的情況下，可以使激光脈沖化，但低于一定占空比(例如25% )，平均功率下降，事實上變得與占空比成比例。因此，半導體激光器不適于通過短脈沖使所述運動定格，并且圖13中的短行程偏轉器可以被用于獲得對工件的相同效果，但具有保持的平均激光器功率。為了保持平均功率， 可以在幀之間的時間的25%或更多(即，平移矢量的25%或超過25%)內追蹤工件，或者優選地超過平移矢量或對應時間的一半。VCSEL沒有與某些空間光調制器(例如微機械反射鏡或LCD陣列)相同的調制頻率限制，并且小陣列的VCSEL可以給出每單位時間像素的期望吞吐量。然而，使用大陣列可以在功率受限的應用中給出更高的總功率和寫入速度。讀取系統可以使用相同的所描述的系統用于工件追蹤來合并來自工件上的每個斑點的功率，以提高圖像讀取的信噪比質量。高功率圖14示意性地示出了使用高功率激光的高功率優選實施例的元件。該圖示出了如何通過由空間光調制器(SLM) 1405調制并由透鏡系統1408投影的激光脈沖1402將斑點陣列1400形成在工件1401上。該激光束被轉換為入射在SLM的單元上并穿過SLM后的光學系統1408的大量小光束1404，以在工件上定義斑點1400。SLM可以是微反射鏡器件，例如DMD，其中反射鏡1406具有開關動作。激光束1402優選是脈沖化的激光，例如Q開關的、 或者具有納秒、皮秒或飛秒脈沖。通過在反射鏡側上具有熱傳導氣體填充1411并且在背側上具有強制液體冷卻1412(例如使用水、氟里昂、碳氫化合物、空氣、氫氣等)，SLM可以適配于高功率。所述反射鏡可以具有高反射層堆(stack)，或者鍍有金屬薄膜，諸如由鋁、金、銠、 鋨或者其它亮的和/或難熔金屬制成。反射鏡基于所加載的數據(未示出)，控制激光擊中工件還是光束丟棄器(dump) 1409。光被聚焦到反射鏡的中心以避免串擾(串擾增加每個斑點中的劑量的隨機性)，并且避免發送高能量光到狹縫(slit)之間的狹縫中。進入狹縫中的光束導致圖像中的對比度降低、光功率的損耗，并且認為其對SLM的早期故障做出貢獻。 通過使用每個反射鏡的中心部分來解決或避免這些問題。每個小光束具有焦點1407，但為了避免反射鏡的燒壞，使聚焦斑點位于遠離反射鏡的表面。如此，可以使小光束在反射鏡上的腳印(footprint)比聚焦斑點大，并且可以實現串擾、進入狹縫的光與聚焦斑點之間的折衷。在優選實施例中，反射鏡是13x13微米，并且期望聚焦斑點是2微米FWHM。將形成小光束的透鏡陣列1403放置在距SLM —定距離，使得反射鏡上的腳印約為9x9微米(因為陣列是正方形的，所以小透鏡是正方形的，并且光束在失焦位置也是正方形的)。在此情況中，反射鏡的約一半面積被用于調制光束。投影光學系統將經調制的斑點柵格1407投影在工件上的斑點柵格1400上，并且上述方法可用于選擇寫入柵格取向和密度，而投影光學系統1408的放大和縮小確定工件1401上的斑點的尺寸。在某些高功率應用中，存在關于排氣、粉塵等的問題，其可能落在透鏡上并導致性能的破壞或損失，例如，當將本發明用于激光燒蝕(laser ablation)時。于是，期望具有對最后的透鏡的氣體凈化，使得正氣流保護光學表面。特別地，可以圍繞最后的透鏡安裝罩子 (hood)，并且使其凈化，使得從工件發出的塵和粉末將在到達透鏡表面之前遇到頂風。也可以合適地凈化包括SLM的其它光學表面。工業實用件所公開的技術可以高效地使用大2D調制器陣列，例如DMD器件，微電子革命已使其成為可能。具有2百萬個調制器以及超過20kHz的幀速率的陣列是商業可得的(例如德州儀器的DMD)。以前不能高效地使用這樣的大規模陣列。典型地，大量反射鏡已經導致不希望的冗余，即，工件上的每個點已被超過一個調制器或探測器元件讀取或寫入。如果每個點被寫入兩次，則結果是僅有僅寫入一次的情況的一半的面積吞吐量。本公開教導了如何在工件上寫入表面填充的柵格以及如何使每個柵格點僅被尋址一次。該方案具有很大的靈活性，并允許控制柵格尺寸、類型、取向和冗余。我們還公開了適用于某些類型的照明圖案的方法，例如使用用于LCD和OLED顯示器的晶體管陣列創建的圖案，其對系統誤差極其敏感。很難將寫入系統很好地控制到足以以高速寫入可接受的圖案，這是因為，例如的場上的照明變化可能在最終產品上導致不可容忍的可視條紋“mura”。所公開的技術提供了隱藏或模糊硬件的系統簽名的方法，并將系統變化轉換為對眼睛不透明得多的均勻噪聲。該行業一直要求用于IXD和IXD顯示器的直接寫入技術的發展，但不足的吞吐量和不夠的寫入質量阻止了該發展。我們相信本發明在這兩個方面提供了顯著優勢，并且可以實現直寫技術在顯示器行業中的工業應用，并且在許多其它圖像讀取和寫入應用中有用。當前，大多數光刻(例如用于制造LCS顯示器)都是傳統地使用光刻膠而完成的， 光刻膠在曝光和顯影之后變為刻蝕掩模，其用于在圖案制作(patterning)之前在沉積在整個區域上的均勻圖案中描繪圖案。此過程確保高質量，但包括許多步驟，并且在某些情況下，大多數已經被沉積了覆蓋層(blanket)的昂貴材料被浪費。因此，存在對新工藝的積極探求，該新工藝繞過某些工藝步驟或者使用更少的材料。這樣的工藝是通過激光燒蝕進行圖案制作。所公開的方法和設備特別適合于通過激光燒蝕進行圖案制作。使用圖14的高功率實施例，可以使用短的高強度脈沖，其燒蝕薄的固態膜。可以針對斑點尺寸和斑點密度之間的最佳匹配來調整斑點柵格，并且如果期望，則對每個點施加指定次數的閃光，例如2、 4、8或其它整數。此外，可以選擇斑點的寫入順序，以使得每個斑點落入“冷”鄰域中，即， 周圍的柵格點在前幾次閃光中均未被燒蝕。利用具有相同開關斑點的密集柵格、以及仍然給出優良的地址分辨率的寫入策略，與灰色調像素的較粗糙的柵格不同，可以針對所燒蝕的膜的清晰去除而優化斑點尺寸、能量和脈沖長度。替代地，可以以可控的方式使用燒蝕以在固態表面中制造凹槽或表面輪廓，其中施加到點的閃光的次數被轉換為進入表面中的燒蝕深度。燒蝕薄金屬膜所需要的條件的示例0. Ins脈沖中的2J/cm2。關于圖14的討論給出了在每個反射鏡上的8x8微米的腳印。如果斑點1407被投影透鏡1408縮小到0. 5微米 FffHM,則SLM表面上的必要能量負載變小約300倍，即6mJ/cm2，這可能充分地處于在SLM處的燒蝕閾值之下。利用1920x1080個反射鏡的SLM和23kHz的幀速率，機器可以以小于1 微米的最小線寬，每分鐘制造0. 3平方米的圖案。同樣地，所公開的發明的具有確定的能量的打印斑點適于非線性工藝，如熱處理、 熔融、熔解、相變、光分解、選擇性激活等。一種類型的圖案制作以載體膜上的材料開始，并且該材料被選擇性地轉移到工件，在工件處，其被激光輻射擊中。本發明很好地用于該一般類型的方法，我們可以稱該方法為“激光誘導的圖案轉移”。本公開可能有用的電子、光學和打印行業中使用的其它工藝對本領域的技術人員而言將是顯然的。某些特定實施例本發明可以被實踐為方法或適配于實踐該方法的裝置。本發明可以是諸如介質的物品，該介質印有執行計算機輔助的方法的程序指令、或者可以與硬件組合來產生計算機輔助的裝置的程序指令。一個實施例是用于在至少100乘100的元素的陣列與工件的表面上的斑點之間以脈沖的方式傳遞圖案信息的方法。此方法包括在脈沖之間將陣列移動一偏移矢量，該偏移矢量在晶胞內創建預定數量的填隙(interstitial)斑點的規則分布(圖9a_圖9f)。參照晶胞定義填隙斑點，晶胞繼而由晶胞角落定義。晶胞角落由從陣列的元件投影的斑點定義， 其中陣列在第一位置。當大陣列在一程中掃過表面時，偏移矢量將特定填隙斑點的過印重復限制到不超過對該特定填隙斑點的8次過印。即，在由偏移矢量設置的方向上移動并覆蓋其設置的距離的結果使得陣列在一程中在創建斑點的規則分布的表面曝光斑點上掃過， 而在表面上的相同位置中不超過8次斑點迭加。在此方法的擴展實施方式中，填隙斑點的分布被圖形化地繪出，以在使用偏移矢量指導大陣列的移動之前驗證該規則分布。在一個實施例中，將信息從矩陣寫入到斑點。在替代實施方式中，使用陣列從斑點讀取信息。可以與該方法的任意實施方式、其它方面或其它特征組合的、該方法的另一方面提出填隙斑點在晶胞內的規則分布是基本平衡的，沿著分布的主軸和副軸具有不大于 3 2的比例的失衡。我們定義此比例如下。當規則分布被檢查時，沿著點的最靠近的間隔的方向選擇主軸。在圖6a中，例如，主軸具有-1的斜率。副軸被定義為垂直于主軸，在圖6a中其將是+1。平衡比被計算為沿著主軸的斑點密度與沿著副軸的斑點密度的比。通過檢查，圖6a中的分布具有超過3 2的比例的失衡。也可以與前述任意方面組合的另一方面還包括具有沿著陣列的兩個軸的分量的偏移矢量。所述分量是a/N和b/N的形式的有理數，其中，a、b和N是不相等的非零整數， a或b大于N，且N大于25。偏移矢量可以平行于連接從第一位置中的陣列投影的兩個斑點的線。多種條件可以由偏移矢量的某些或所有參數(單獨地或組合地)滿足。a和b中的至少一個可以大于2N。參數N可以大于100。至少在除去了 a、b和N的所有公因子之后，參數a和b可以互質。類似地，至少在除去了 a、b和N的所有公因子之后，a和N可以互質。另一可能性是至少在除去了 a、b和N的所有公因子之后，b和N互質。陣列可以大于100乘100個元件。當此應用在1(^4x768個元件或1980x1080個元件的HDTV維度中時，成本高效的陣列是可獲得的。所述陣列可至少包括與這些HDTV構造中的任一個一樣多的元件。在替代實施例中，公開了在陣列的元件與工件的表面上的斑點之間以脈沖方式傳遞圖案信息的方法。在陣列中的至少100乘100的圖像元件與工件的表面上的斑點之間， 以投影脈沖方式傳遞圖案數據。當陣列以相對于陣列的第一和第二軸都程角度的一般直線掃過表面時，斑點組的規則分布被填隙地構成，并被脈沖式地投影到表面上。所投影的斑點遵循連續脈沖之間的移動方向和移動距離。此外，被填隙地脈沖式地投影的斑點組規則地分布在晶胞內，所述晶胞具有由第一位置中的陣列的圖像元件的投影所定義的晶胞角落。移動方向平行于連接從第一位置中的陣列的第一和第二圖像元件投影到表面上的特定斑點的線。來自連續脈沖的投影斑點之間的移動距離是特定斑點之間的跨越距離的有理分數，并且超過在移動方向上所測量的晶胞的寬度的兩倍。在一個實施方式中，移動距離大于晶胞寬度的四倍。另一可能性是移動距離大于晶胞寬度的八倍。在另一實施方式中，該有理分數被選擇來控制對關于晶胞角落而填隙地脈沖式投影的斑點組的計數。在又一實施方式中，在使用所述移動方向和距離傳遞圖案數據之前，被填隙地脈沖式投影的斑點組被圖形化地繪出，以驗證規則分布。該方法的一個實施方式是其中，所述斑點組的規則分布在晶胞內基本平衡，沿著分布的主軸和副軸具有不超過32的比例的失衡。在一個實施例中，公開了一種將具有筆直行進的基臺方向并重復地沿著所述行進方向施加稀疏斑點陣列的實例的寫入系統適配到速度和精度之間的不同折衷的方法。以一角度布置所述斑點陣列，并改變所述斑點陣列的實例之間的距離。短距離通過密集像素柵格給出低速度和高精度，而長距離給出高速度、更粗糙的柵格以及更低的精度。在另一實施例中，公開了一種通過順序地施加局部圖案來形成圖案、同時抑制來自形成所述局部圖案的硬件中的場非均勻性的任何簽名的方法。每個局部圖案被形成為稀疏像素陣列。在復雜交織方案中添加局部圖案。被寫入到最終圖案中的每個小鄰域中的像素表示硬件的場中的許多不同位置。所述場的一個部分中的非均勻性的影響被擴散到整個最終圖案上。在一個替代實施例中，公開了一種在高度抑制的mura效應的情況下將圖案快速寫入在工件上的方法。在一方向上提供連續運動。利用至少一個發射短脈沖的激光源照明數字反射鏡器件DMD。利用光學系統將被反射鏡陣列調制的光聚焦到工件上的稀疏斑點陣列。隨后將所述陣列相對于連續運動的方向旋轉一角度。在每個激光脈沖之間將所述斑點陣列相對于所述工件平移一距離，選擇所述方向和所述距離，使得在所述光學系統已經橫穿了所述工件上的晶胞之后，所述斑點陣列中的單元晶胞被均勻地填充N個斑點的精細柵格。所述精細柵格相對于所述運動方向旋轉大于6度的角度。高效地使用所述DMD的像素容量，有效地消除所述光學系統中的系統誤差，并且創建了精細的地址柵格。在一個實施例中，所述方法還包括寫入多程。在另一實施例中，公開了一種使用開關SLM創建子像素地址柵格的方法。創建相對于圖案中的x、y、45度和-45度方向上旋轉非零角度的密集像素柵格，開啟所述圖案的寫入特征內的像素。所述密集像素柵格在寫入光的每個FWHM中具有至少4個像素。在一實施方式中，像素值可以接近邊緣。雖然在此公開中許多描述是以方法的形式進行的，但其覆蓋對應的裝置和產品。此公開覆蓋了執行所述方法的計算機系統、利用所述方法的計算機輔助的投影和檢查機器、包括適配于執行所述方法的計算機指令的產品、 通過將適配于執行所述方法的計算機指令與使用所述方法的硬件結合來制造計算機系統和計算機輔助的投影或檢查系統的方法。雖然參照上面詳細描述的優選實施例和示例公開了本發明，但應理解，這些示例是意在說明性而非限制性的。計算機輔助的處理隱含在所描述的實施例中。對于本領域的技術人員來說，應想到修改和組合很容易發生，所述修改和組合將在本發明的精神和所附權利要求的范圍內。權利要求書中給出了所要求的權利。
權利要求
1.一種在具有至少100乘100個元件的陣列與工件的表面上的斑點之間以脈沖方式傳遞圖案信息的方法，所述方法包括在脈沖之間將所述陣列移動一偏移矢量，所述偏移矢量在所述表面上的晶胞內創建預定數量的填隙斑點的規則分布，所述晶胞具有由從第一位置中的所述陣列的元件投影的斑點定義的角落，其中，當大陣列在一程中掃過所述表面時，特定填隙斑點的過印重復被限制為不超過8次。
2.如權利要求1所述的方法，還包括在使用所述偏移矢量指導所述大陣列的移動之前，圖形化地繪出填隙斑點的分布，以驗證所述規則分布。
3.如權利要求1-2中任一項所述的方法，還包括將來自所述陣列的信息寫入到所述斑點ο
4.如權利要求1-2中任一項所述的方法，還包括使用所述陣列從所述斑點讀取信息。
5.如權利要求1-4中任一項所述的方法，其中所述晶胞內的所述填隙斑點的規則分布基本平衡，沿著分布的主軸和副軸具有不超過3 2的比例的失衡。
6.如權利要求1-5中任一項所述的方法，其中所述偏移矢量具有沿著所述陣列的兩個軸的分量，所述分量是a/N和b/N形式的有理數，其中a、b和N是不相等的非零整數，a和b中至少一個大于N，并且N大于25。
7.如權利要求1-6中任一項所述的方法，其中所述偏移矢量平行于連接從所述第一位置中的陣列投影的兩個斑點的線。
8.如權利要求6或7所述的方法，其中，a和b中的至少一個大于2N。
9.如權利要求6-8中任一項所述的方法，其中N大于100。
10.如權利要求6-9中任一項所述的方法，其中，至少在除去了a、b和N的所有公因子之后，a和b互質。
11.如權利要求6-10中任一項所述的方法，其中，至少在除去了a、b和N的所有公因子之后，a和N互質。
12.如權利要求6-11中任一項所述的方法，其中，至少在除去了a、b和N的所有公因子之后，b和N互質。
13.如權利要求6-12中任一項所述的方法，其中所述陣列包括至少10MX768個元件。
14.如權利要求6-12中任一項所述的方法，其中所述陣列包括至少1980x1080個元件。
15.一種在陣列的元件與工件的表面上的斑點之間以脈沖方式傳遞圖案信息的方法， 所述方法包括在陣列中的至少100乘100個圖像元件與工件的表面上的斑點之間以投影脈沖方式傳遞圖案數據；以及當所述陣列以與所述陣列的第一軸和第二軸都成角度的一般直線掃過所述表面時，構成填隙地脈沖式投影到所述表面上的斑點組的規則分布，其中，所投影的斑點遵循連續脈沖之間的移動方向和移動距離，從而被填隙地脈沖式投影的斑點組規則地分布在晶胞內，所述晶胞具有由第一位置中的所述陣列的圖像元件的投影定義的晶胞角落；所述移動方向平行于連接從所述第一位置中的陣列的第一和第二圖像元件投影在所述表面上的特定斑點的線，并且來自所述連續脈沖的投影斑點之間的移動距離是所述特定斑點之間的跨越距離的有理分數，并且大于在所述移動方向上所測量的所述晶胞的寬度的兩倍。
16.如權利要求15所述的方法，其中所述移動距離大于所述晶胞的寬度的四倍。
17.如權利要求15所述的方法，其中所述移動距離大于所述晶胞的寬度的八倍。
18.如權利要求15-17中的任一項所述的方法，還包括選擇有理分數來控制對關于所述晶胞的角落而填隙地脈沖式投影的斑點組的計數。
19.如權利要求15-18中的任一項所述的方法，還包括在使用所述移動方向和距離傳遞所述圖案數據之前，圖形化地繪出被填隙地脈沖式投影的斑點組，以驗證所述規則分布。
20.如權利要求15-19中的任一項所述的方法，其中所述斑點組的規則分布在所述晶胞內基本平衡，沿著分布的主軸和副軸具有不超過3 2的比例的失衡。
21.一種將具有筆直行進的基臺方向并重復地沿著行進方向施加稀疏斑點陣列的實例的寫入系統適配到速度和精度之間的不同折衷的方法，所述方法包括以一角度布置所述斑點陣列，并改變所述斑點陣列的實例之間的距離；由此，短距離通過密集像素柵格給出低速度和高精度，而長距離給出高速度、較粗糙的柵格以及較低的精度。
22.一種通過順序地施加的局部圖案來形成圖案、同時抑制來自形成所述局部圖案的硬件中的場非均勻性的任何簽名的方法，所述方法包括形成每個局部圖案作為稀疏像素陣列并在復雜交織方案中添加局部圖案，其中，被寫入到最終圖案中的每個小鄰域中的像素表示所述硬件的場中的多個不同位置；由此，所述場的一個部分中的非均勻性的影響被擴散到整個最終圖案上。
23.一種在高度抑制的mura效應的情況下將圖案快速寫入在工件上的方法，所述方法包括提供一方向上的連續運動，利用至少一個發射短脈沖的激光源照明數字反射鏡器件DMD，利用光學系統將被反射鏡陣列調制的光聚焦到工件上的稀疏斑點陣列，所述陣列相對于所述方向旋轉一角度，在每個激光脈沖之間，將所述斑點陣列相對于所述工件平移一距離，選擇所述方向和所述距離，使得在所述光學系統已經橫穿了所述工件上的晶胞之后，所述斑點陣列中的單元晶胞被均勻地填充N個斑點的精細柵格，所述精細柵格相對于所述方向旋轉大于6度的角度；由此，所述DMD的像素容量被高效地使用，有效地消除了所述光學系統中的系統誤差， 并且創建了精細的地址柵格。
24.如權利要求23所述的方法，還包括寫入多程。
25.一種使用開關SLM創建子像素地址柵格的方法，所述方法包括創建相對于圖案中的χ、y、45度和-45度方向旋轉非零角度的密集像素柵格，以及開啟所述圖案的寫入特征內的像素，所述密集像素柵格在寫入光的每FWHM中具有至少4個像素。
26.如權利要求25所述的方法，還包括翻轉接近邊緣的像素值。
全文摘要
本發明涉及在表面上寫入或讀取圖案，諸如，在微光刻或微光刻圖案的檢查中。特別地，申請人公開了通過跨越表面掃描稀疏2D點陣列或柵格來記錄或讀取圖像的系統，例如，通過并行調制的多個光學、電子或粒子束。掃描和重復讀取或寫入在工件上創建了密集的像素或斑點柵格。可以通過各種陣列創建該柵格光源陣列，例如激光器或LED陣列；通過小透鏡陣列，其中每個小透鏡具有其自己的調制器；通過用于粒子束的孔徑板；或者近場發射器或機械探針陣列。對于讀取系統，點柵格可以通過稀疏點矩陣照明和/或探測器陣列創建，其中每個探測器元件僅看到一個斑點。使用大陣列背后的想法是提高吞吐量。然而，吞吐量在陣列尺寸大于陣列的一定尺寸之后，就不再隨陣列尺寸成比例變化，先前已知的方案落入了它們自身的軌跡中，并開始不斷地重復相同的數據。本申請公開了利用大陣列掃描工件的方法，同時保持吞吐量與陣列尺寸成比例變化，甚至對于很大的矩陣也如此，事實上幾乎沒有限制。
文檔編號G03F7/20GK102292676SQ200980155371
公開日2011年12月21日 申請日期2009年11月25日 優先權日2008年11月26日
發明者T.桑德斯特羅姆 申請人:麥克羅尼克邁達塔有限責任公司