電光轉換面板、投射型顯示裝置及電光轉換面板的制造方法

專利名稱：電光轉換面板、投射型顯示裝置及電光轉換面板的制造方法
電光轉換面板、投射型顯示裝置及電光轉換面板的制造方
法本申請是下述申請的分案申請 發明名稱電光轉換面板、投射型顯示裝置及電光轉換面板的制造方法
申請日2000年1月25日
申請號200510129092. 4 本發明涉及在一對基板之間封入了液晶等電光轉換物質的電光轉換面板、使用了 該電光轉換面板的投射型顯示裝置及電光轉換面板的制造方法。更詳細地說，涉及用于確 保在一對基板之間規定尺寸的間隙的技術。 在一對基板之間封入了液晶等電光轉換物質的電光轉換面板中，如

圖19及圖20 中所示，概略地由下列部分構成TFT陣列基板(晶體管陣列基板)2，在石英玻璃等透明基 板的表面上形成了像素電極8及像素開關用的薄膜晶體管(以下，稱為TFT) 10 ;對置基板 3，在新陶瓷等耐高溫的玻璃基板的表面上形成了對置電極32 ;及液晶等電光轉換物質39， 被封入并夾持在這些基板之間。由含有間隙材料的密封材料200'通過規定的間隙膠合TFT 陣列基板2與對置基板3，與此同時由密封材料200'區劃、形成在該間隙內封入了物質39 的圖像顯示區37。作為這樣的含有間隙的密封材料200'，迄今使用把玻璃珠等作為間隙材 料配合到環氧樹脂系列或丙烯酸樹脂系列的粘結劑成分中而成的材料。
在這樣構成的電光轉換面板l'中，在FTF陣列基板2上，利用通過數據線(未圖 示)及TFT10施加到像素電極8上的圖像信號，在像素電極8與對置電極32之間對于每一 個像素控制電光轉換物質39的取向狀態，顯示對應于圖像信號的規定圖像。因而，必須在 TFT陣列基板2上，通過數據線及TFT10把圖像信號供給像素電極8，與比同時把規定的電 位還施加到對置電極32上。 因此，在電光轉換面板1'中，預先采用數據線等的形成工藝在TFT陣列基板2 — 側上形成基板之間導通用的第1電極47，另一方面采用對置電極32的形成工藝在對置基 板3 —側上形成基板之間導通用的第2電極48，利用把銀粉或鍍金纖維等導電粒子配合到 環氧樹脂系列或丙烯酸樹脂系列的粘結劑成分中而成的導通材料56使這些基板之間導通 用的第1電極47與第2電極48電導通。因此，在電光轉換面板1'中，即使不把柔性布線 基板等分別連接到TFT陣列基板2及對置基板3上，而是通過只把柔性布線基板99等連接 到TFT陣列基板2的輸入輸出端子45上也能把規定的信號輸入到TFT陣列基板2及對置 基板3此二者上。 但是，在電光轉換面板1'中，作了使TFT陣列基板2與對置基板3的間隙尺寸 (單元厚度)薄到約2 ii m來謀求提高顯示清晰度的嘗試，但是，如果只利用與周邊密封材 料200'配合的間隙材料就想確保這樣薄的單元厚度，則因單元厚度太薄而使離散性變大了。其結果，存在著下述這樣的問題，由于電光轉換物質39這一層的厚度離散性變大，故在 顯示畫面中發生不自然的亮暗及電光轉換物質39的響應速度離散性等，反而降低了顯示 清晰度。 因此，可以考慮通過把襯墊材料散布到圖像顯示區37中來控制單元厚度的結構。 但是，如果把圖像顯示區37中散布了襯墊材料的電光轉換面板l'用于投射型顯示裝置，則 存在著下述這樣的問題，由于在散布的襯墊材料密集的部位上使光透射性降低，故這樣的 不良情況原原本本地放大投射到屏幕上。 此外，在電光轉換面板1'中，作了使TFT陣列基板2與對置基板3的間隙尺寸 (單元厚度)薄到約2 i！ m來謀求提高顯示清晰度的嘗試，但是，如果只利用與周邊密封材 料200'配合的間隙材料就想確保這樣薄的單元厚度，則因單元厚度太薄而使離散性變大 了。其結果，存在著下述這樣的問題，由于電光轉換物質39這一層的厚度離散性變大，故在 顯示畫面中發生不自然的亮暗及電光轉換物質39的響應速度離散性等，反而降低了顯示 清晰度。 因此，可以考慮通過把襯墊材料散布到圖像顯示區37中來控制單元厚度的結構。 但是，如果把圖像顯示區37中散布了襯墊材料的電光轉換面板l'用于投射型顯示裝置，則 存在著下述這樣的問題，由于在散布的襯墊材料密集的部位上使光透射性降低，故這樣的 不良情況原原本本地放大投射到屏幕上。 鑒于以上的問題，本發明的課題在于提供間隙尺寸的精度高、而且在整個圖像顯 示區中間隙尺寸均勻的電光轉換面板，使用了該電光轉換面板的投射型顯示裝置及電光轉 換面板的制造方法。
[發明的公開] 為了解決上述課題，在本發明中，所提供的電光轉換面板，其中把電光轉換物質夾
持在一對基板之間，上述一對基板相互間由密封材料粘結固定，在上述密封材料的形成區
內具有由多個像素構成的圖像顯示區，其特征在于，在上述一對基板中的一基板上具有向
另一基板伸出并與該另一基板相接的凸起，在包圍上述像素區的區域內形成了該凸起。 在本發明中，由于通過使在一基板上形成的凸起與另一基板相接來控制基板之間
的間隙尺寸(單元厚度)，故與利用與密封材料配合的間隙材料來控制間隙尺寸的結構相
比較能夠以高精度來控制間隙尺寸。此外，由于以包圍圖像顯示區的方式形成了凸起，故可
抑制在整個圖像顯示區中在基板之間的間隙尺寸方面的離散性。因此，即使是窄的間隙，也
可實現間隙尺寸的精度高、而且在整個圖像顯示區中間隙尺寸均勻的電光轉換面板。此外，
由于可不在密封材料中加入間隙材料，故即使在密封材料的下層一側存在著布線也可防止
這些布線被間隙材料壓碎而斷路。 在本發明中，例如沿上述密封材料形成區的內周緣及外周緣中的一個邊緣形成上 述凸起。 在本發明中，較為理想的是上述凸起具有沿上述密封材料形成區的內周緣的第1 凸起及沿外周緣的第2凸起，在由上述第1凸起與上述第2凸起所夾的區域內形成了上述 密封材料。如果這樣來構成，則由于由第1凸起及第2凸起堵住密封材料，故在涂布未硬化 的密封材料時或者在加熱密封材料時，密封材料不會溢出到不需要的部位上。因此，作為密 封材料可使用熱硬化性材料。
在本發明的另一形態中，所提供的電光轉換面板其中把電光轉換物質夾持在一對 基板之間，上述一對基板相互間由密封材料粘結固定，在上述密封材料的形成區內具有由 多個像素構成的圖像顯示區，其特征在于，在上述一對基板中的一基板上具有向另一基板 伸出并與該另一基板相接的凸起，在把在上述一對基板的每一基板上形成了的導電層之間 導電性地連接的導通材料形成區的周圍形成了該凸起。 例如，較為理想的是，以包圍上述導通材料形成區的周圍的方式形成了上述凸起。 如果這樣來構成，則由于由凸起堵住導通材料，故在涂布未硬化的導通材料時或者在加熱 導通材料時，導通材料不會溢出到不需要的部位上。因此，作為導通材料的粘結劑成分可使 用熱硬化性材料。 其特征在于，以至少以一部分與在上述圖像顯示區周邊形成了的遮光膜重疊的方 式形成了上述密封材料。利用這樣的結構，由于把密封材料延伸到遮光膜，故可提高密封材 料產生的密接性。 在本發明中，較為理想的是，上述凸起由可彈性變形的材料構成，在上述一對基板 之間被壓扁。如果這樣來構成，被壓扁了的凸起要恢復原有的形狀而在基板之間施加要擴 大基板間隔的力，另 一方面由于基板互相間由密封材料固定了 ，故可使基板之間的間隙尺 寸均勻。 在本發明中，上述一對基板例如由以矩陣狀形成了像素電極及開關用薄膜晶體管 的晶體管陣列基板、以及形成為對置電極的對置基板構成。 在使用了這樣的電光轉換面板的投射型顯示裝置(電光轉換裝置)中，配置電 源；聚光光學系統，把從該光源射出的光引導到上述電光轉換面板上；以及擴大投射光學 系統，擴大并投射利用該電光轉換面板進行了光調制的光。 在與本發明有關的電光轉換面板的制造方法中，其特征在于，在上述一對基板中 的一基板上形成了上述凸起之后，涂布上述密封材料，然后，按壓上述一對基板，并使上述 密封材料硬化。 在與本關的電光轉換面板的制造方法中，較為理想的是，在形成了沿形成上述密 封材料的預定區的內周緣的第1凸起及沿外周緣的第2凸起之后，在由上述第1凸起與上 述第2凸起所夾的區域內涂布上述密封材料，然后，一邊按壓上述一對基板，一邊使上述密 封材料硬化。如果這樣來構成，則在涂布了未硬化的密封材料時等，由于由凸起堵住密封材 料，故密封材料不會溢出到不需要的部位上。 在與本發明有關的電光轉換面板的制造方法中，較為理想的是，在以包圍形成上 述導通材料的預定區周圍的方式形成了上述凸起之后，在由該凸起包圍了的區域內涂布 上述導通材料，然后，按壓上述一對基板，并使上述密封材料及上述導通材料同時或分別硬 化。如果這樣來構成，則在涂布了未硬化的導通材料時，由于由凸起堵住導通材料，故導通 材料不會溢出到不需要的部位上。 在與本發明有關的電光轉換面板的制造方法中，較為理想的是，在利用可彈性變 形的材料在上述一對基板中的一基板上形成了上述凸起之后，在該一基板上涂布密封材 料，然后， 一邊按壓上述一對基板， 一邊使上述凸起彈性變形，在該狀態下使上述密封材料 硬化。 此外，在本發明中，所提供的電光轉換面板其中把電光轉換物質夾持在一對基板
5之間，上述一對基板相互間由密封材料粘結固定，在上述密封材料的形成區內側具有由多
個像素構成的圖像顯示區，其特征在于，在上述一對基板中的一基板上形成向另一基板伸
出并與該另一基板相接的凸起，該凸起散布在上述圖像顯示區內的規定位置上。 在本發明中，由于通過使在一基板上形成的凸起與另一基板相接來控制基板之間
的間隙尺寸(單元厚度)，故與利用與密封材料配合的間隙材料來控制間隙尺寸的結構相
比較能夠以高精度來控制間隙尺寸。此外，由于以散布在圖像顯示區內的方式形成了凸起，
故在整個圖像顯示區中在基板之間的間隙尺寸方面不發生離散性。因此，即使是窄的間隙，
也可實現間隙尺寸的精度高、而且在整個圖像顯示區中間隙尺寸均勻的電光轉換面板。此
外，在這樣的電光轉換面板中，即使在圖像顯示區內形成凸起，凸起也不會集中到圖像顯示
區內的某一區域中。進而，由于可不在密封材料中加入間隙材料，故即使在密封材料的下層
一側存在著布線也可防止這些布線被間隙材料壓碎而斷路。 在本發明中，較為理想的是，在上述圖像顯示區內形成的各像素上，在光不透過的 非孔徑區上形成了上述凸起。如果這樣來構成，則即使在圖像顯示區內形成凸起，在顯示中 也不會看到凸起。因此，本發明在把電光轉換面板作為投射型顯示裝置的光閥來使用的情 況下，是有效的。 在本發明中，較為理想的是，在上述圖像顯示區內形成了的各像素中在同一部位 上形成了上述凸起。即，較為理想的是，在各像素內的同一坐標上形成了上述凸起。如果這 樣來構成，由于在各像素中在相同高度的位置上形成凸起，故可作到基板之間的間隙尺寸 更加恒定。因此，即使在使用了臺階差大的基板的情況下，也能確保在與另一基板之間恒定 的間隙。 在本發明中，較為理想的是，上述凸起具有圓柱形狀。如果這樣來構成，則在充填 液晶等電光轉換物質時，由于在凸起的周圍平滑地蔓延故不發生物質的充填不良。
在本發明中，較為理想的是，在上述圖像顯示區內的周圍區中與中心區相比以高 密度形成了上述凸起。如果這樣來構成，則按照在基板之間注入液晶等電光轉換物質的 時序有時面板的中心膨脹，但是，較為理想的是，預期這樣的膨脹之發生而膠合基板互相之 間。即，在膠合了基板互相之間后，在圖像顯示區的中心區內基板之間的間隙變窄，但是，即 使在圖像顯示區內注入了物質時該區內的間隙尺寸多少有所變大，也可由注入電光轉換物 質之前的間隙尺寸之差來吸收、緩和。因此，可在整個圖像顯示區中使基板之間的間隙尺寸 均勻化。 在本發明中，較為理想的是，在上述圖像顯示區內的一側區域中與另一側區域相 比以高密度形成了上述凸起。在制造與本發明有關的電光轉換面板時，在一基板上形成了 凸起之后涂布密封材料，然后，一邊施加減小一對基板之間間隙那樣的力一邊使密封材料 硬化，但是，在按壓一對基板時如果知道其力始終發生增大或減小的區域，則可以吸收、緩 和該情況那樣的密度來形成凸起。即，由于在考慮到對基板進行膠合的裝置之特性以后、以 規定的分布在一基板上形成凸起，故在整個圖像顯示區中可使基板之間的間隙均勻。
在本發明中，較為理想的是，上述凸起由可彈性變形的材料構成，在上述一對基板 之間被壓扁。如果這樣來構成，被壓扁了的凸起要恢復原有的形狀而在基板之間施加要擴 大基板間隔的力，另 一方面由于基板互相間由密封材料固定了 ，故可使基板之間的間隙尺 寸均勻。
在本發明中，上述一對基板例如由以矩陣狀形成了像素電極及開關用薄膜晶體管的晶體管陣列基板、以及形成為對置電極的對置基板構成。 在使用了這樣的電光轉換面板的投射型顯示裝置(電光轉換裝置)中，配置電源；聚光光學系統，把從該光源射出的光引導到上述電光轉換面板上；以及擴大投射光學系統，擴大并投射利用該電光轉換面板進行了光調制的光。 在與本發明有關的電光轉換面板的制造方法中，其特征在于，在上述一對基板中的一基板上形成了上述凸起之后，涂布上述密封材料，然后， 一邊按壓上述一對基板， 一邊使上述密封材料硬化。 在與本發明有關的電光轉換面板的制造方法中，較為理想的是，在利用可彈性變
形的材料在上述一對基板中的一基板上形成了上述凸起之后，在該一基板上涂布密封材
料，然后，按壓上述一對基板并使上述凸起彈性變形，在該狀態下使上述密封材料硬化。如
果這樣來構成，被壓扁了的凸起要恢復原有的形狀而在基板之間施加要擴大基板間隔的
力，另 一方面由于基板互相間由密封材料固定了 ，故可使基板之間的間隙尺寸均勻。 在本發明中，所提供的電光轉換面板其中把電光轉換物質夾持在一對基板之間，
上述一對基板相互間由密封材料粘結固定，在上述密封材料的形成區內具有由多個像素構
成的圖像顯示區，其特征在于，在上述一對基板中的一基板上具有向另一基板伸出并與該
另一基板相接的凸起，以與在包圍上述像素區的區域上形成了的遮光膜對置的方式配置了
該凸起。 按照本發明，由于通過使在一基板上形成的凸起與另一基板相接來控制基板之間的間隙尺寸(單元厚度)，故與利用與密封材料配合的間隙材料來控制間隙尺寸的結構相比較能夠以高精度來控制間隙尺寸。此外，由于以包圍圖像顯示區的方式形成了凸起，故可抑制在整個圖像顯示區中在基板之間的間隙尺寸方面的離散性。此外，由于以與遮光膜對置的方式設置了凸起，故可有效地利用非顯示區來設置凸起。 此外，本發明的特征在于，以從平面上看納入到上述遮光膜寬度之內的方式配置了上述凸起。按照本發明，由于從平面上看把凸起納入到遮光膜的寬度之內，故可防止凸起對顯示區域產生影響。
[附圖的簡單說明] 圖1為從對置基板一側看的、與本發明實施形態1有關的電光轉換面板的平面圖； 圖2為沿圖1的H-H'線切斷時的電光轉換面板的剖面圖； 圖3為示出沿圖1的H' -H"線切斷時的TFT陣列基板、對置基板及這些基板的膠合結構的面板端部的剖面圖； 圖4為示意性地示出圖1中示出的電光轉換面板的結構的框圖； 圖5為圖1中示出的電光轉換面板的像素之一部分的平面圖； 圖6為在相當于圖5的A-A'線的位置上切斷時的電光轉換面板的剖面圖； 圖7為示出在把基板互相間如圖3中所示膠合之前的情況的剖面圖； 圖8為從對置基板一側看的、與本發明實施形態2有關的電光轉換面板的平面
圖； 圖9(A) 、 (B)分別為電光轉換面板的剖面圖及基板之間導通部分的平面 圖10(A) 、 (B)分別為示出在把基板互相間如圖9(A)中所示粘貼之前的狀態的電光轉換面板端部的剖面圖及基板之間導通部分的平面圖； 圖11為從對置基板一側看的、與本發明實施形態了有關的面板的平面圖； 圖12為選出圖11中所示電光轉換面板的一部分像素而示出的平面圖； 圖13為在相當于圖12的A-A'線的位置上切斷時的電光轉換面板的剖面圖； 圖14為示出在把基板互相間如圖13中所示膠合之前的情況的剖面圖； 圖15為示出與本發明實施形態3的改進例有關的面板上的凸起分布的說明圖； 圖16為示出與本發明實施形態3的另一改進例有關的電光轉換面板上的凸起分
布的說明圖； 圖17(A) 、 (B)分別為示出在與本發明實施形態1之變形例有關的電光轉換面板上、在分別不同的基板上形成或涂布了凸起及密封材料的狀態的說明圖及把這些基板互相間膠合起來的狀態的說明圖； 圖18為示出應用了本發明的電光轉換面板之使用例的投射型顯示裝置(投影儀)的整體結構圖； 圖19為從對置電極一側看的、現有電光轉換面板的平面圖； 圖20為沿圖19的H'-H"線切斷時的電光轉換面板的剖面圖及基板之間導通部分的平面圖；以及 圖21為示出在與本發明實施形態4有關的電光轉換面板上形成凸起，并把基板互
相間膠合起來的狀態的說明圖。 符號的說明 1電光轉換面板 2TFT陣列基板 3對置基板 8像素電極 9像素開關用的TFT 21 、22、23、25基板之間間隙尺寸控制用的凸起 30、31石英玻璃 32對置電極 37圖像顯示區 39電光轉換物質 47基板之間導通用的第1電極 48基板之間導通用的第2電極 90數據線 91掃描線 200密封材料 241電光轉換物質注入口 242密封劑[用于實施發明的最佳形態] 參照附圖，說明本發明的實施形態。再者，在與本形態有關的電光轉換面板中，對于與現有電光轉換面板共同的部分付以相同的符號進行說明。[實施形態1](電光轉換面板的整體結構) 圖1為從對置基板一側看的、與本形態有關的電光轉換面板的平面圖。圖2為沿
圖1的H-H'線切斷時的電光轉換面板的剖圖。圖3為示出在本形態電光轉換面板中使用
了的TFT陣列基板、對置基板及這些基板的膠合結構的面板端部的剖面圖。 如圖1、圖2及圖3中所示，在投射型顯示裝置等中使用的電光轉換面板1概略地
由下列部分構成TFT陣列基板2，在石英玻璃30的表面上以矩陣狀形成了透明的像素電極
8 ;對置基板3，在相同的石英玻璃31的表面上形成了對置電極32 ;以及液晶等電光轉換物
質39，被封入并夾持在這些基板之間。 由沿著對置基板3的外周緣形成的密封材料200通過規定的間隙膠合TFT陣列基板2與對置基板3。此外，由密封材料200在TFT陣列基板2與對置基板3之間區劃、形成電光轉換物質封入區40，在該圖像顯示區37內封入了液晶等電光轉換物質39。
在本形態中，如下所述，利用從TFT陣列基板2向對置基板3伸出的凸起確保了TFT陣列基板2與對置基板3之間的間隙尺寸(單元厚度)。因而，與現有不同，不需要把間隙材料配合到本形態中使用的密封材料200中。 在電光轉換面板1中，對置基板3比TFT陣列基板2小，在TFT陣列基板2的外圍部分從對置基板3的外周緣露出的狀態下把這兩個基板膠合。因而，TFT陣列基板2的驅動電路(掃描線驅動電路70及數據線驅動電路60)及輸入輸出端子45處于對置基板3露出的狀態下，柔性布線基板99可對輸入輸出端子45連接。在此，由于密封材料200有部分中斷故可由該中斷部分構成電光轉換物質注入口 241。因此，在把對置基板3與TFT陣列基板2膠合后，如果使密封材料200的內側區處于減壓狀態下，則可從電光轉換物質注入口241減壓注入電光轉換物質39，在電光轉換物質39封入之后用密封劑242堵塞電光轉換物質注入口 241，即可。再者，在對置基板3上、且在密封材料200的形成區的內側，即在圖像顯示區37的周圍形成了遮光膜55。此外，在對置基板3上、且在對應于TFT陣列基板2的各像素電極8之邊界區的區域內形成了遮光膜6。 把本形態的電光轉換面板l用于例如投射型顯示裝置(投影儀)中。在此情況下，把3個電光轉換面板1分別作為RGB用的光閥來使用，把通過RGB色分解用的二色鏡分解的各色光作為投射光分別入射到每一個電光轉換面板1上。因而，在本形態的電光轉換面板1中未形成濾色片。但是，通過在對置基板3中在與各像素電極8對置的區域內與其保護膜一起形成了 RGB濾色片，除了投射型顯示裝置之外還能夠構成彩色液晶電視機等這樣的彩色顯示裝置。此外，還可以通過對置基板3上層疊若干層折射系數不同的干涉層形成利用光的干涉作用來制作RGB色的二色濾色片。按照帶有該二色濾色片的對置基板，可進行更亮的彩色顯示。進而，根據所使用的電光轉換物質39的種類，即TN(扭曲向列)模式、STN(超TN)模式、DSTN(雙STN)模式等工作模式及常白模式/常黑模式的區別，把偏振光濾色片、相位差濾色片、偏振光板等以規定的方向配置到對置基板3及TFT陣列基板2的光入射一側的面、或者光射出 一側上。 在這樣構成的電光轉換面板l中，在FTF陣列基板2上，利用通過數據線(未圖示)及TFT10施加到像素電極8上的圖像信號，在像素電極8與對置電極32之間對于每一個像素控制電光轉換物質39的取向狀態，顯示對應于圖像信號的規定圖像。因而，必須在TFT陣列基板2上，通過數據線及TFT10把圖像信號供給像素電極8，與比同時把規定的電位還施加到對置電極32上。 因此，在電光轉換面板1中，采用數據線等的形成工藝在TFT陣列基板2的表面上與對置基板3的各角部對置的部分上形成了由鋁膜(遮光性材料)構成的基板之間導通用的第l電極47。另一方面，采用對置電極32的形成工藝在對置基板3的各角部上形成了由透明導電膜(銦錫氧化物膜，ITO膜)構成的基板之間導通用的第2電極48。進而，利用把銀粉或鍍金纖維等導電粒子配合到環氧樹脂系列或丙烯酸樹脂系列的粘結劑成分中而成的導通材料56使這些基板之間導通用的第1電極47與第2電極48電導通。因此，在電光轉換面板1中，即使不把柔性布線基板等分別連接到TFT陣列基板2及對置基板3上，而是通過只把柔性布線基板99連接到TFT陣列基板2上也能把規定的信號輸入到TFT陣列基板2及對置基板3此二者上。
(TFT陣列基板的結構) 圖4為示意性地示出電光轉換面板的結構的框圖，圖5為選出該電光轉換面板中的一部分像素而示出的平面圖，圖6為在圖5中的A-A'線上的TFT陣列基板的剖面圖。
如圖1及圖4中所示，構成本實施形態的電光轉換面板1的圖像顯示區37的、以矩陣狀形成的多個像素分別由掃描線91、數據線90、像素電極8及控制像素電極8用的TFT10構成，接受圖像信號的數據線90與該TFT10的源極導電性地連接。此外，以脈沖方式構成掃描信號Gl、 G2、 . . . Gm，以便按此順序、以線順序施加到TFT10的掃描線91上。像素電極8導電性地連接到TFT10的漏極上，通過使TFTIO閉合其開關恒定的期間，以規定的時序寫入由數據線90供給的圖像信號Sl、 S2、 . . . Sn。通過像素電極8寫入液晶中的規定電平的圖像信號Sl、 S2、. . . Sn在與對置基板3上形成的對置電極32之間保持恒定的期間。電光轉換物質39利用分子團的取向及次序隨所施加的電壓電平而發生變化對光進行調制，可進行灰度顯示。在此，為了防止所保持的圖像信號漏泄掉，與在像素電極8與對置電極32之間形成的電光轉換物質并聯地附加了存儲電容40。再者，作為這樣來形成存儲電容器40的方法可以設置形成電容用的布線即電容線92，也可以如下所述在與前級掃描線91之間形成電容。 圖5示出一部分像素的平面圖。數據線90通過接觸孔與由多晶硅膜構成的半導體層中的源區16導電性地連接，像素電極8通過接觸孔與漏區17導電性地連接。此外，以與溝道區15對置的方式延伸掃描線91。再有，存儲電容40的結構為，把與用于形成像素開關用的TFT10的硅膜10a(半導體膜/圖5中帶有斜線的區域)的延伸設置部分相當的硅膜40a(半導體膜/圖5中帶有斜線的區域)導電化了的膜作為下電極41、與下電極相對把電容線92作為上電極對該下電極41重疊起來。 如圖6中所示，來表示在這樣構成的像素A-A'線上的剖面。首先，在作為TFT陣列基板2的基體的石英玻璃30的表面上形成絕緣性的基底保護膜301，在該基底保護膜301的表面上形成島狀的硅膜10a、40a。此外，在硅膜10a的表面上形成柵絕緣膜13，在該柵絕緣膜13上形成掃描線(柵線)91。在硅膜10a上，通過柵絕緣膜13與掃描線91相對的區域成為溝道區15。對于該溝道區15，在一側上形成具備低濃度源區161及高濃度源區162的源區16，在另一側上形成具備低濃度漏區171及高濃度漏區172的漏區17。在這樣構成的像素開關用的TFT10的表面一側形成第1層間絕緣膜18及第2層間絕緣膜19，在第1層間絕緣膜18的表面上形成的數據線90通過在第1層間絕緣膜18上形成的接觸孔與高濃度源區162導電性地連接。此外，像素電極8通過在第1層間絕緣膜18以第2層間絕緣膜19上形成的接觸孔與高濃度漏區172導電性地連接。此外，在從高濃度漏區172延伸設置的硅膜40a上形成由高濃度區構成的下電極41，電容線92通過與柵絕緣膜13同時形成的絕緣膜(電介質膜)與該下電極41對置。通過這樣作，形成了存儲電容。
在此，較為理想的是，如上所述TFT10具有LDD結構，但是，可具有偏置結構，或者也可以是以掃描線91為掩模、以高濃度注入雜質離子、以自對準方式形成了高濃度源及漏區的自對準型的TFT。在對置基板3上、且在與像素開關用的TFT10對置的區域中，按下述順序形成遮光膜6、對置電極32及取向膜49。
(基板之間間隙尺寸的控制) 在這樣構成的電光轉換面板1中，如圖1、圖2及圖3中所示，在本形態中，以包圍圖像顯示區37的周圍的方式在TFT陣列基板2的表面(夾持電光轉換物質39的一側的面)上、沿密封材料200形成區的內周緣形成了凸起21。該凸起21通過向對置基板3伸出并與對置基板3相接，確保了在TFT陣列基板2與對置基板3之間2 y m的間隙(單元厚度)。S卩，凸起21由可彈性變形的材料構成，在由密封材料200粘結固定的TFT陣列基板2與對置基板3之間處于被壓扁了的狀態。
(制造方法) 參照圖1、圖2、圖3及圖7，與電光轉換面板1的制造方法一起詳細地描述該狀態。圖7為示出在把基板互相間如圖3中所示膠合之前的情況的剖面圖。 當制造本形態的電光轉換面板l時，首先，為了形成對置基板3，在石英玻璃31等絕緣基板的表面上順序地形成了遮光膜6及對置電極32之后，在對置電極32的表面上薄薄地涂布用于形成取向膜的聚酰胺樹脂49。其次，在約150° 20(TC的溫度下使聚酰胺樹脂49熱硬化。通過這樣作，在對置基板3—側上形成了聚酰胺樹脂49的層之后，進行拋光處理。 另一方面，為了形成TFT陣列基板2，首先，利用周知的半導體工藝在石英玻璃30的表面上順序地形成TFT10及像素電極8。 其次，在整個TFT陣列基板2的表面上涂布了那種硬化后也可彈性變形的樹脂之后，使用光刻技術對其進行構圖，在包圍圖像顯示區37周圍的區域內形成凸起21。在此，例如如果基板之間的間隙尺寸之目標值為2 ii m，則把凸起21形成為比間隙尺寸的目標值(2iim)稍厚。 其次，在TFT陣列基板2的表面上薄薄地形成用于形成取向膜的聚酰胺樹脂47，然后，進行拋光處理。 其次，一邊從撒布器噴出未硬化的密封材料200，一邊將其以包圍凸起21的外側的方式涂布到TFT陣列基板2的表面上。此外，一邊從點式撒布器噴出基板之間導通用的未硬化導通材料56， 一邊將其涂布到TFT陣列基板2的表面上、且在密封材料200涂布區的稍外周一側上。在本形態中，作為導通材料56使用了把銀粉或鍍金纖維等導電粒子配合到具有光硬化性或熱硬化性的環氧樹脂系列或兩烯酸樹脂系列的粘結劑成分中而成的材料。此外，作為密封材料200與導通材料56同樣使用了具有光硬化性或熱硬化性的環氧樹脂系列或丙烯酸樹脂系列的粘結劑。未把間隙材料配合以該密封材料200中。因而，由于可不在密封材料200中加入間隙材料，故即使在密封材料200的下層一側存在著布線也沒有這些布線被間隙材料壓碎而斷路這樣的情況。 其次，在對于對置基板3與TFT陣列基板2進行了位置重合使得在TFT陣列基板2上形成的基板之間導通用的第1電極47與在對置基板3上形成的基板之間導通用的第2電極48對置之后，在向TFT陣列基板2按壓對置基板3使凸起21保持為高度變成約2 y m輕輕壓扁了的狀態下，通過從對置基板3 —側向密封材料200照射紫外線或加熱處理使導通材料56及密封材料200硬化。 在此，雖然可以從涂布開始就匯總使導通材料56及密封材料200此二者硬化，但是，也可以分開涂布導通材料56及密封材料200并使其硬化。此外，也可以把硬化分成為暫時硬化及永久硬化這2個階段來進行。 其結果，如圖1 圖3中所示，在把凸起21作為襯墊介入了的狀態下通過2iim的間隙來膠合對置基板3與TFT陣列基板2，而且，通過導通材料56導電性地連接在TFT陣列基板2上形成的基板之間導通用的第1電極47與在對置基板3上形成的基板之間導通用的第2電極48。 在通過這樣作把對置基板3與TFT陣列基板2膠合之后，如圖1中所示，使密封材料200的內側區處于減壓狀態下，從電光轉換物質注入口 241減壓注入電光轉換物質39，然后，用密封劑242堵塞電光轉換物質注入口 241。 這樣，在本形態中，由于通過使在TFT陳列基板2上形成的凸起21在彈性變形了的狀態下介入到與對置基板3之間來控制基板之間的間隙尺寸(單元厚度)，故與利用與密封材料配合的間隙材料來控制間隙尺寸的結構相比較例如，即使是2 ii m這樣窄的間隙尺寸也能夠以高精度來控制。此外，由于以包圍圖像顯示區37的方式形成了凸起21，故可在整個圖像顯示區37中控制間隙尺寸，在每一個部位上在基板之間的間隙尺寸方面都不發生離散性。因此，即使是窄的間隙，也可實現間隙尺寸的精度高、而且在整個圖像顯示區37中間隙尺寸均勻的電光轉換面板1。因此，如果使用該電光轉換面板1進行顯示，則沒有顯示的不勻，而且可進行對比度高、且亮的顯示，提高顯示的清晰度。
[實施形態2] 圖8為從對置基板一側看的、與本形態有關的電光轉換面板的平面圖。圖9(A)、(B)分別為沿圖8的H'-H"線切斷時的面板的剖面圖及基板之間導通部分的平面圖。圖10(A) 、 (B)分別為示出在把基板互相間如圖9中所示膠合之前的情況的電光轉換面板的剖面圖及基板之間導通部分的平面圖。再者，在與本形態有關的電光轉換面板中，對于與實施形態1有關的電光轉換面板共同的部分付以相同的符號進行圖示，省略其說明。
在實施形態l中，只沿密封材料200形成區的內周緣形成了單元厚度控制用的凸起21，但是，在本形態中，如圖8及圖9(A)中所示，在TFT陣列基板2的表面上、且在沿密封材料200形成區的內周緣及外周緣這2個緣形成了內周側凸起22及外周側凸起23。此外，在本形態中，如圖9(B)中所示，在外周側凸起23上形成了包圍進行基板之間導通的導通材料56的形成區周圍的圓形部分24。在現在示出的例中，包圍導通材料56的形成區周圍的圓形部分24與外周側凸起23成為一體，但是，有時它們也獨立地形成。
參照圖9和圖IO，一邊說明這樣結構的電光轉換面板I的制造方法，同時一邊詳細
12描述確保基板之間規定的間隙尺寸的方法。 當制造本形態的電光轉換面板1時，首先，如圖10 (A)中所示，在作為對置基板3 使用的石英玻璃31的表面上形成遮光膜6、對置電極32及由聚酰胺樹脂49構成的取向膜。
另一方面，在作為TFT陣列基板2使用的石英玻璃30的表面上，首先形成TFT10 及像素電極8等。 其次，在整個TFT陣列基板2的表面上涂布了那種硬化后也可彈性變形的樹脂之 后，使用光刻技術對其進行構圖，以包圍圖像顯示區37周圍的方式形成內周一側凸起22及 具備圓形部分24的外周一側凸起23。在此，如果基板之間間隙尺寸的目標值為2 ii m，則把 內周一側凸起22及外周一側凸起23形成為比間隙尺寸的目標值(2ym)稍厚。此外，如圖 10(B)中所示，在外周一側凸起23的角部分處以包圍用于通過導通材料56使基板互相間導 通的第1電極47的周圍的方式來形成圓形部分24。 其次，在TFT陣列基板2的表面上進行聚酰胺樹脂46的形成及拋光處理，把聚酰 胺樹脂46的層作為取向膜。 其次， 一邊從撒布器噴出未硬化的密封材料200， 一邊對TFT陣列基板2的表面上 由內周一側凸起22與外周一側凸起23夾持的區域進行涂布。此外，一邊從點式撒布器噴 出基板之間導通用的未硬化導通材料56，一邊將其涂布到外周一側凸起23的由圓形部分 24包圍了的區域內。在本形態中也是，作為導通材料56使用了把銀粉或鍍金纖維等導電粒 子配合到具有光硬化性或熱硬化性的環氧樹脂系列或丙烯酸樹脂系列的粘結劑成分中而 成的材料。此外，作為密封材料200使用了具有光硬化性或熱硬化性的環氧樹脂系列或丙 烯酸樹脂系列的粘結劑。未把間隙材料配合到該密封材料200中。 其次，在對于對置基板3與TFT陣列基板12進行了位置重合使得在TFT陣列基板 2上形成的基板之間導通用的第1電極47與在對置基板3上形成的基板之間導通用的第2 電極48對置之后，在向TFT陳列基板2按壓對置基板3使凸起22、23、24的高度保持為變 成約2 ii m壓扁了的狀態下，通過從對置基板3 —側向密封材料200照射紫外線或加熱處理 使導通材料56硬化，與此同時使密封材料200硬化。 其結果，如圖8 圖9中所示，通過規定的間隙來膠合對置基板3與TFT陣列基板 2，而且，通過導通材料56導電性地連接在TFT陣列基板2上形成的基板之間導通用的第1 電極47與在對置基板3上形成的基板之間導通用的第2電極48。 這樣，在本形態中，由于通過使在TFT陣列基板2上形成的內周一側凸起22及外 周一側凸起23與對置基板3相接來控制基板之間的間隙尺寸(單元厚度)，故與利用與密 封材料配合的間隙材料來控制間隙尺寸的結構相比較能夠以高精度來控制間隙尺寸。此 外，由于以包圍圖像顯示區37的方式形成了內周一側凸起22及外周一介凸起23，故在整個 圖像顯示區37中在基板之間的間隙尺寸方面都不發生離散性。因此，可實現間隙尺寸的精 度高、而且在整具圖像顯示區37中間隙尺寸均勻的電光轉換面板1。 此外，由于把未硬化的密封材料200涂布到由內周一側凸起22與外周一側凸起23 夾持的區域內，故在涂布時及加熱時沒有密封材料200溢出到多余區域中的情況。進而，由 于未硬化的導通材料56涂布到外周一側凸起23的圓形部分24之內側中，故在涂布時及加 熱時沒有導通材料56溢出到多余區域中的情況。因此，作為密封材料200及導通材料56 的粘結劑成分可使用熱硬化性的成分。在此，如果把熱硬化性成分作為密封材料200或導通材料56來使用，則與使用了紫外線硬化性成分的情況不同，可以避免因紫外線照射而引 起構成取向膜的聚酰胺樹脂46、49發生惡化。因此，不需要在進行紫外線照射時對于規定 區域進行遮光這樣費功夫的工序了。此外，在使用了紫外線硬化性的密封材料200時，有在 與密封材料200重疊的區域中不能形成各種電路及布線以使紫外線達到密封材料200上這 樣的限制，但是，如果是熱硬化性的密封材料200，則可有效地利用與其重疊的區域，可在其 中配置各種電路及布線。此外，通過把密封材料200的形成區擴展到至少部分地與在圖像 顯示區37的外圍形成了的遮光膜55重疊的位置上，也可提高其密封性。
[實施形態3] 圖11為從對置基板一側看的、與本形態有關的面板的平面圖。圖12及圖13分別 為電光轉換面板的像素的平面圖及剖面圖。此外，圖14為示出在把基板互相間如圖13中 所示膠合之前的情況的像素的剖面圖。再者，在與本形態有關的電光轉換面板中，對于與實 施形態1有關的電光轉換面板共同的部分付以相同的符號進行圖示，省略其說明。
在實施形態1、2中，沿密封材料200的形成區形成了單元厚度控制用的凸起21、 22、23，但是，在本形態中，并不像圖11所示沿密封材料200的形成區形成單元厚度控制用 的凸起等，而是具有與參照圖19說明了的現有電光轉換面板大致相同的平面形狀。
作為代價，在本形態中，如圖12及圖13中所示，在液晶面板1的圖像顯示區37內 散布的指定位置上形成了多個圓柱形凸起25，通過使該多個凸起25介于用密封材料200膠 合的TFT陣列基板2與對置基板3之間確保了在基板之間規定的間隙。在本形態中，作為 凸起25的位置也是在圖像顯示區37內形成的任一個像素上，在光不透過的非孔徑區上被 形成。即，在利用在各像素中且在參照圖5說明了的像素中與用于形成像素開關用的TFT10 的硅膜10a(半導體膜/圖5中帶有斜線的區域)的延伸設置部分相當的硅膜40a(半導體 膜/圖5中帶有斜線的區域)、以及電容線92形成了存儲電容器40的區域中，形成了凸起 25。 參照圖11、圖12、圖13和圖14，一邊說明這樣結構的面板1的制造方法，同時一邊 詳細描述確保基板之間規定的間隙尺寸的方法。 當制造本形態的電光轉換面板l時，首先，如圖14中所示，在作為對置基板3使用 的石英玻璃31的表面上形成遮光膜6、對置電極32及由聚酰胺樹脂49構成的取向膜。
另一方面，在作為TFT陣列基板2使用的石英玻璃30的表面上，形成TFT10及像 素電極8等。 其次，在整個TFT陣列基板2的表面上涂布了那種硬化后也可彈性變形的樹脂之 后，如圖12及圖14中所示，使用光刻技術對其進行構圖，在TFT陣列基板2的表面上，且在 形成了存儲電容40的比較平坦的區域上形成凸起25。在此，如果基板之間間隙尺寸的目標 值為2ym，則把凸起25形成為比間隙尺寸的目標值(2ym)稍厚。 其次，通過進行聚酰胺樹脂46的形成及拋光處理，在TFT陣列基板2的表面上形 成由聚酰胺樹脂46的層構成的取向膜。 其次， 一邊從撒布器噴出未硬化的密封材料200， 一邊對TFT陣列基板2的表面上 與對置基板3的外周緣重疊的區域進行涂布。此外，一邊從點式撒布器噴出基板之間導通 用的未硬化導通材料56，一邊將其涂布到密封材料200的外周一側上。在本形態中也是，作 為導通材料56使用了把銀粉或鍍金纖維等導電粒子配合到具有光硬化性或熱硬化 的環氧樹脂系列或丙烯酸樹脂系列的粘結劑成分中而成的材料。在此，作為密封材料200可以 利用具有光硬化性或熱硬化性的環氧樹脂系列或丙烯酸樹脂系列的粘結劑、將間隙材料配 合到該密封材料200中而成的材料以及未把間隙材料配合到該密封材料中而成的材料之 任一種材料。在此，如果使用未配合間隙材料的密封材料200，則即使在密封材料200的下 層一側存在著布線也可防止這些布線被間隙材料壓碎而斷路。 其次，在對于對置基板3與TFT陣列基板2進行了位置重合使得在陣列基板2上 形成的基板之間導通用的第1電極47與在對置基板3上形成的基板之間導通用的第2電 極48對置之后，在向TFT陣列基板2按壓對置基板3，如圖13中所示使凸起25的高度保持 為變成約2 ii m壓扁了的狀態下，通過從對置基板3 —側向密封材料200照射紫外線或加熱 處理使導通材料56硬化，與此同時使密封材料200硬化。 其結果，如圖11及圖13中所示，通過規定的間隙來膠合對置基板3與TFT陣列基 板2，而且，通過導通材料56導電性地連接在TFT陣列基板2上形成的基板之間導通用的第 1電極47與在對置基板3上形成的基板之間導通用的第2電極48。 在通過這樣作把對置基板3與TFT陣列基板2膠合之后，如圖11中所示，使密封 材料200的內側區處于減壓狀態下，從電光轉換物質注入口 241減壓注入液晶等電光轉換 物質39，在充填了電光轉換物質39之后，用密封劑242堵塞電光轉換物質注入口 241。此 時，因為凸起25是圓柱形的，所以液晶等電光轉換物質39不受凸起25的阻礙平滑地在凸 起周圍蔓延，因此，可適當地充填電光轉換物質39。因而，不發生電光轉換物質39的充填不 良。 這樣，在本形態中，由于通過使在TFT陣列基板2上形成的凸起25與對置基板3相 接來控制基板之間的間隙尺寸(單元厚度)，故與利用與密封配合的間隙材料來控制間隙 尺寸的結構相比較能夠以高精度來控制間隙尺寸。此外，由于凸起25在圖像顯示區37內 散布的多個位置上介于TFT陣列基板2與對置基板3之間，故在整個圖像顯示區37中在基 板之間的間隙尺寸方面都不發生離散性。因此，即使是窄的間隙，也可實現間隙尺寸的精度 高、而且在整個圖像顯示區37中間隙尺寸均勻的電光轉換面板1。 此夕卜，由于把起到襯墊作用的凸起25作入TFT基板2中，故與對于圖像顯示區37 散布了襯墊的情況不同，可避免開使顯示品質下降那樣的位置而是只在各像素中光不透過 的非孔徑區內有選擇地形成凸起25。例如，像本形態那樣，可在形成了存儲電容40的平坦 的區域上有選擇地形成凸起25。因而，即使把電光轉換面板1作為投射型顯示裝置的光閥 來使用，也不會把凸起25作為像進行擴大、投射。 此外，由于在各像素中的同一部位(存儲電容40的形成區)上、即在各像素內的 同一坐標上形成了凸起25，故凸起25在各像素中的相同高度的位置上被形成。因此，由于 凸起25高度的位置在各像素之間是相同的，故可作到基板之間的間隙尺寸更加可靠地恒 定。因此，即使在使用了段差大的TFT陣列基板2的情況下，也能確保在TFT陣列基板2與 對置基板3之間恒定的間隙。
[實施形態3的改進例] 圖15為示出與實施形態3的改進例有關的電光轉換面板上的凸起分布的說明圖， 圖16有示出與實施形態3的另一改進例有關的電光轉換面板上的凸起分布的說明圖。
在與實施形態3有關的電光轉換面板1中，為在像素顯示區37上以相等的密度形成圓柱形凸起25之例，但是，在此說明之例中，在像素顯示區37中某一特定的區域內以高 密度來形成凸起25，在其它區域內只以低密度形成凸起25。 S卩，在圖15中示出之例中，在電光轉換面板l的像素顯示區37中以矩陣狀并列的 多個像素中以周圍區作為凸起25(在圖15中，附以黑圓點之處有)的高密度形成區，在全 部像素上形成了凸起25，與此相反，以中心區作為凸起25的低密度形成區，只在一部分像 素上形成了凸起25。 如果這樣來構成，則在膠合了基板互相之間之后，在圖像顯示區37的中心區內基 板之間的間隙變窄。即，按照在基板之間注入液晶等電光轉換物質的時序有時電光轉換面 板1的中心膨脹，但是，可預期這樣的膨脹之發生而膠合基板互相間。即，在圖像顯示區37 內減壓注入了電光轉換物質39時，即使中心區多少有所膨脹、間隙尺寸變大，這樣的擴大 部分也可由注入電光轉換物質39之前的間隙尺寸之差來吸收、緩和。因此，可在整個圖像 顯示區37中使基板之間的間隙尺寸均勻化。 此外，作為改變凸起25的形成密度的形態，如圖16中所示，在膠合對置基板3與 TFT陣列基板2時向著TFT陣列基板2按壓對置基板3的裝置中、在按壓力具有隨部位而離 散的傾向的情況下，以抵銷這樣離散的分布來形成凸起25。例如，如果向著圖16，在左側上 對TFT陣列基板2的按壓力大、而在右側上對TFT陣列基板2的按壓力小，則在像素顯示區 37中，向著圖16對左側區域作為凸起25的高密度形成區，增加形成凸起25的像素數例如 在全部像素上形成凸起25，另一方面，向著圖16對右側區域作為凸起25的低密度形成區， 只在一部分像素上形成凸起25。 如果這樣來構成，則即使按壓力隨部位而不同，由于據此而設定介于對置基板3 與TFT陣列基板2之間的凸起25的密度，故作為其結果，能夠在整個圖像顯示區37上使基 板之間的間隙均勻。
[其它實施形態] 圖17(A)中示出實施形態1的變形例1。在實施形態1中示出了在TFT陣列基板 2的密封材料形成區的外圍上形成凸起21、且在TFT陣列基板2上還形成密封材料200之 例，但是，在圖17(A)的變形例中，在對置基板3—側的規定位置上形成凸起21，另一方面， 在TFT陣列基板2上形成密封材料200，然后，膠合TFT陣列基板2與對置基板3。此時，凸 起21的形成位置與密封材料200的涂布位置可有偏移，如上述實施形態1那樣，但是，也 可以像圖17(A)中所示之例那樣，在與凸起21重疊的位置上涂布密封材料200，此時，如圖 17(B)中所示那樣，通過使密封材料200介于凸起21與TFT陣列基板2之間把凸起21與 TFT陣列基板2粘結、固定。由于其它結構與上述實施形態1相同，故對于對應的部分付以 同一符號，省略其說明。再有，在實施形態2及3中，也可采用這樣的結構，但省略其說明。
[實施形態4] 圖21中示出實施形態4。在實施形態4的形態中示出了在TFT陣列基板2的密封 材料形成區的外圍且在其內側上形成凸起21、且在FT陣列基板2上還形成密封材料200之 例，但是，在圖21的實施例4中，以與顯示區周圍的遮光膜55對置的方式、在對置基板3 — 側或者在TFT陣列基板2 —側上形成，然后，膠合TFT陣列基板2與對置基板3。再有，該遮 光膜55是為了把以矩陣狀形成了像素的顯示區與其外圍的非顯示區隔開而形成的膜。此 時，凸起21的形成位置與遮光膜55的涂布位置可以有偏移，但是，如果以納入到遮光膜55的寬度之內的方式來形成凸起21，則可利用凸起21來控制基板之間的間隙而不受遮光膜 55臺階差的影響。而且，在平面上看，因為凸起21與遮光膜55重疊，同時被遮光膜55所隱 蔽，所以，可防止凸起21對顯示的影響。此外，可以沿遮光膜55同樣以包圍非顯示區的方 式來形成該凸起21，或者也可以沿遮光膜55而散布。這樣，密封材料200介于凸起21與 TFT陣列基板2之間，由此，使凸起21與TFT陣列基板2粘結、固定。此外，設置凸起21使 之與TFT陣列基板一例的遮光膜55的4個角對置，也可以膠合TFT陣列基板與對置基板。 此時，設置在TFT陣列基板一側上的凸起21可以起到與對置基板膠合的對準標志的作用。 由于其它結構與上述實施形態1相同，故對于對應的部分付以同一符號，省略其說明。
[電光轉換面板對電子裝置的應用] 其次，作為具備電光轉換面板1的電子裝置之一例，說明投射型顯示裝置。圖18 為示出應用了本發明的電光轉換面板l之使用例的投射型顯示裝置(電光轉換裝置)的整 體結構圖。 在圖18中，投射型顯示裝置1100是把電光轉換面板1分別作為RGB用的光閥 IOOR、 100G及100B使用了的投影儀。在液晶投影儀1100中， 一從金屬鹵化物燈等白色光 源的燈裝置1102發射投射光，就利用3個反射鏡1106及2個二色鏡1108分成對應于RGB 三基色的光分量R、 G、 B，將其分別引導到對應于各色的光閥100R、100G及100B上。此時， 特別是藍光，為了防止長光程所引起的光損耗通過由入射透鏡1122、中繼透鏡1123及射出 透鏡1124組成的中繼透鏡系統進行引導。然后，在由二色棱鏡112把對應于分別由光閥 100R、100G及100B調制了的三基色的光分量再次合成之后，通過投射鏡頭114作為彩色圖 像投射到屏幕1120上。
[工業上的利用領域] 如上所述，在本發明中，由于通過使在一基板上形成的凸起與另一基板相接來控 制基板之間的間隙尺寸(單元厚度)，故與利用與密封材料配合的間隙材料來控制間隙尺 寸的結構相比較能夠以高精度來控制間隙尺寸。此外，由于凸起包圍圖像顯示區，故在整個 圖像顯示區中在基板之間的間隙尺寸方面不發生離散性。因此，即使是窄的間隙，也可實現 間隙尺寸的高精度、而且在整個圖像顯示區中間隙尺寸均勻的電光轉換面板。此外，由于可 不在密封材料中加入間隙材料，故即使在密封材料的下層一側存在著布線也沒有這些布線 被間隙材料壓碎而斷路這樣的情況。
1權利要求
一種電光轉換面板，把電光轉換物質夾持在一對基板之間，上述一對基板相互間由密封材料粘結固定，在上述密封材料的形成區內具有由多個像素構成的圖像顯示區，其特征在于，在上述一對基板中的一基板上形成向另一基板伸出并與該另一基板連接的凸起，該凸起散布在上述圖像顯示區內的規定位置上。
2. 根據權利要求l中所述的電光轉換面板，其特征在于，在上述各像素上，在光不透過 的非孔徑區上形成上述凸起。
3. 根據權利要求l中所述的電光轉換面板，其特征在于，在上述各像素內的同一坐標 上形成上述凸起。
4. 根據權利要求1至3的任一項中所述的電光轉換面板，其特征在于，上述凸起具有圓 柱形狀。
5. 根據權利要求1至3的任一項中所述的電光轉換面板，其特征在于，在上述圖像顯示 區內的周圍區中與中心區相比以高密度形成上述凸起。
6. 根據權利要求1至3的任一項中所述的電光轉換面板，其特征在于，在上述圖像顯示 區內的一側區域中與另一側區域相比以高密度形成上述凸起。
7. 根據權利要求1至3的任一項中所述的電光轉換面板，其特征在于，上述凸起由可彈 性變形的材料構成，在上述一對基板之間處于被壓碎了的狀態。
8. 根據權利要求1至3的任一項中所述的電光轉換面板，其特征在于，上述一對基板由 以矩陣狀形成了像素電極及像素開關用薄膜晶體管的晶體管陣列基板、以及形成為對置電 極的對置基板構成。
9. 一種投射型顯示裝置，是使用了權利要求8中所述的電光轉換面板的擴大投射型顯 示裝置，其特征在于，具有光源；聚光光學系統，把從該光源射出的光引導到上述電光轉 換面板上；以及擴大投射光學系統，擴大并投射利用該電光轉換面板進行了光調制的光。
10. —種電光轉換面板的制造方法，用來制造權利要求1中所述的電光轉換面板，其特 征在于，在所述一對基板中的一基板上形成了上述凸起之后，涂布上述密封材料，然后，一 邊按壓上述一對基板， 一邊使上述密封材料硬化。
11. 根據權利要求10中所述的電光轉換面板的制造方法，其特征在于，在利用可彈性 變形的材料在上述一對基板中的一基板上形成了上述凸起之后，在該一基板上涂布密封材 料，然后， 一邊按壓上述一對基板， 一邊使上述密封材料硬化。
12. 根據權利要求l中所述的電光轉換面板，其特征在于，利用可彈性變形的材料在上 述一對基板中一基板上形成上述凸起，另一方面，在另一基板上涂布密封材料，然后， 一邊 按壓上述一對基板， 一邊使上述密封材料硬化。
全文摘要
為了提供基板之間的間隙尺寸的精度高而且在整個圖像顯示區中間隙尺寸均勻的面板、使用了該面板的投射型顯示裝置及電光轉換面板的制造方法，在整個TFT陣列基板(2)的表面上以包圍圖像顯示區(37)周圍的方式，涂布那種硬化后也可彈性變形的樹脂，使其硬化，形成內周一側凸起(22)及具備圓形部分(24)的外周一側凸起(23)。其次，對由內周一側凸起(22)及外周一側凸起(23)夾持的區域涂布未硬化的密封材料(200)，在外周一側凸起(23)的由圓形部分(24)包圍了的區域內涂布基板之間導通用的未硬化導通材料(56)。向TFT陣列基板(2)按壓對置基板(3)使凸起(22、23、24)的高度保持為變成約2μm壓扁了的狀態，使導通材料(56)及密封材料(200)硬化。
文檔編號G02F1/13GK101738790SQ20091025286
公開日2010年6月16日 申請日期2000年1月25日 優先權日1999年1月28日
發明者齋藤廣美 申請人:精工愛普生株式會社