帶電路的懸掛基板的制作方法

專利名稱：帶電路的懸掛基板的制作方法
技術領域：
本發明涉及帶電路的懸掛基板，更詳細而言，涉及采用熱輔助法的硬盤驅 動器等所搭載的帶電路的懸掛基板。
背景技術：
近年來，作為硬盤等的磁記錄方式，已知熱輔助法(熱輔助磁記錄方式)， 該方法在記錄信息時，在通過照射光來加熱硬盤、使其矯頑力下降的狀態下， 利用磁頭進行記錄，由此能以較小的記錄磁場高密度地記錄信息。
例如，在采用熱輔助法的熱輔助記錄磁頭中，提出了以下技術方案在懸 架的長度方向一側配置浮起滑動器及記錄磁極，另外，在長度方向另一側配置 激光二極管，用于將光從激光二極管導向記錄磁極的光波導沿著從一側向另一
側的方向配置在懸架上(例如參照日本專利特開2006—185548號公報(圖9))。 而且，這樣的懸架通常安裝在硬盤驅動器的E形組件(E block)上。

發明內容
但是，在日本專利特開2006—185548號公報所記載的懸架中，由于光波 導設置在懸架上，所以光波導會從懸架突出。因此，在將懸架安裝在E形組件 上時，光波導會阻礙懸架插入E形組件。另外，此時還存在光波導與E形組件 接觸、會受到損傷這樣的不理想情況。
本發明的目的在于提供一種可以采用熱輔助法，懸架可順利插入E形組件， 并且可以減少光波導的損傷的帶電路的懸掛基板。
本發明的帶電路的懸掛基板的特征是，包括具有基板側槽部的金屬支承 基板；在上述金屬支承基板的表面上形成的基底絕緣層；在上述基底絕緣層的 表面上形成的導體圖案；以及設置成在沿著上述金屬支承基板的厚度方向投影時與上述基板側槽部重疊的光波導，上述光波導的至少一部分相對于上述金屬 支承基板的背面配置在上述導體圖案側。
在該帶電路的懸掛基板上，在沿著金屬支承基板的厚度方向投影時，在與 基板側槽部重疊的位置的光波導，其至少一部分相對于金屬支承基板的背面配 置在導體圖案側。因此，可以減少光波導從帶電路的懸掛基板的背面突出的情 況。因此，可以減少光波導對帶電路的懸掛基板插入E形組件的阻礙、以
及光波導從E形組件受到的損傷。
另外，較為理想的是，在本發明的帶電路的懸掛基板上，上述光波導容納 在上述基板側槽部內。
若光波導容納在基板側槽部內，則光波導不會從帶電路的懸掛基板的背面
突出。因此，可以進一步減少光波導對帶電路的懸掛基板插入E形組件的阻礙、 以及光波導從E形組件受到的損傷。
另外，較為理想的是，在本發明的帶電路的懸掛基板上，在上述基底絕緣 層上設置有基底側槽部，在沿著上述金屬支承基板的厚度方向投影時，上述基 底側槽部與上述基板側槽部重疊，上述光波導容納在上述基底側槽部內。
若光波導容納在基底側槽部內，則可以將光波導相對于金屬支承基板配置 在更內側。因此，可以進一步減少光波導對帶電路的懸掛基板插入E形組件的 阻礙、以及光波導從E形組件受到的損傷。
另外，較為理想的是，在本發明的帶電路的懸掛基板上，在上述光波導的 下表面上設置有支承板，上述光波導的至少一部分容納在上述基底側槽部內， 且上述支承板的至少一部分與上述基板側槽部嵌合。
若光波導容納在基底側槽部內，且支承板與基板側槽部嵌合，則可以確保 光波導相對于帶電路的懸掛基板可靠地定位。因此，可以提高光波導的傳輸效 率。


圖1是表示本發明的帶電路的懸掛基板的一實施方式的俯視圖。
圖2是圖1所示的帶電路的懸掛基板的沿著光波導的剖視圖。
圖3是圖1所示的帶電路的懸掛基板的布線部的沿著寬度方向的剖視圖(光波導容納在基板側槽部內的形態)。
圖4是采用熱輔助法在硬盤上記錄信息的狀態的說明圖。
圖5是表示圖3所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的剖視圖；左側的圖 是與圖3對應的剖視圖；右側的圖是沿著光波導的剖視圖，
(a) 表示準備金屬支承基板的工序，
(b) 表示在金屬支承基板的表面上層疊基底絕緣層、導體圖案、覆蓋絕 緣層的工序，
(c) 表示在金屬支承基板上設置基板側槽部的工序，
(d) 表示形成磁頭側開口部及發光元件側開口部的工序。
圖6接著圖5，是表示圖3所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的剖視左側的圖是與圖3對應的剖視圖；右側的圖是沿著光波導的剖視圖，
(e) 表示在基板側槽部內容納光波導的工序，
(f) 表示形成磁頭側端面及發光元件側端面的工序。
圖7是表示圖3所示的帶電路的懸掛基板的另一實施方式(光波導容納在 基底側槽部內的形態)的剖視圖。
圖8是表示圖7所示的帶電路的懸掛基板的又一實施方式(光波導容納在 基底側槽部內，支承板嵌合在基板側槽部的形態)的剖視圖。
具體實施例方式
圖1是表示本發明的帶電路的懸掛基板的一實施方式的俯視圖；圖2是圖 1所示的帶電路的懸掛基板的沿著光波導的剖視圖；圖3是圖1所示的帶電路 的懸掛基板的布線部的沿著與帶電路的懸掛基板的長度方向垂直的方向(以下 稱作寬度方向)的剖視圖(光波導容納在基板側槽部內的形態)。另外，圖1 中省略了基底絕緣層12及覆蓋絕緣層14。
圖1中，在該帶電路的懸掛基板1上安裝有硬盤驅動器的磁頭28 (參照圖 4)，金屬支承基板11用于克服磁頭28與硬盤26 (參照圖4)相對運動時的 空氣流，在使磁頭28與硬盤26之間保持微小的間隔的狀態下支承該磁頭28， 在金屬支承基板11上一體形成有用于連接外部電路基板(例如讀寫基板等)2 與磁頭28的導體圖案13。該帶電路的懸掛基板1形成為沿長度方向延伸的扁平帶狀， 一體地包括配 置在長度方向一側(以下稱作后側)的布線部3、配置在布線部3的長度方向 另一側(以下稱作前側)的萬向接頭(gimbal)部4。
萬向接頭部4從布線部3的前端連續地形成，并形成為俯視呈從布線部3 向寬度方向兩外側膨脹的近似矩形。另外，在萬向接頭部4上形成有俯視呈向 萬向接頭部4的前側張開的近似U字形的狹縫部5。另外，寬度方向上位于狹 縫部5之間的區域包括磁頭滑動器(head slider)搭載部9。
磁頭滑動器搭載部9是用于搭載磁頭滑動器27的區域，在寬度方向上位 于狹縫部5之間的區域內被劃分成俯視呈近似矩形。
導體圖案13 —體地包括外部側連接端子部16;磁頭側連接端子部17;
以及用于連接這些外部側連接端子部16及磁頭側連接端子部17的信號布線 15。
信號布線15沿著帶電路的懸掛基板1的長度方向設置有多條(四條)， 在寬度方向上互相隔開間隔并列配置。
多條信號布線15是從寬度方向一側向寬度方向另一側依次配置第一布線 15a、第二布線15b、第三布線15c及第四布線15d。
更具體而言，在布線部3上，第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c 及第四布線15d以互相平行延伸的形態形成。在萬向接頭部4上，第一布線15a 及第二布線15b配置在狹縫部5的寬度方向一側的外側，第三布線15c及第四 布線15d配置在狹縫部5的寬度方向另一側的外側。第一布線15a、第二布線 15b、第三布線15c及第四布線15d配置成在到達萬向接頭部4的前端部后， 向萬向接頭部4的寬度方向內側延伸，進而向萬向接頭部4的長度方向后側折 回，到達磁頭側連接端子部17的前端部。
外部側連接端子部16配置在布線部3的后端部，設置有多個(四個)， 以分別連接各條信號布線15的后端部。另外，外部側端子連接部16在寬度方 向上隔開間隔地配置。另外，外部側端子連接部16對應與外部側端子連接部 16連接的第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c及第四布線15d，從寬 度方向一側向寬度方向另一側依次配置第一外部側連接端子部16a、第二外部 側連接端子部16b、第三外部側連接端子部16c及第四外部側連接端子部16d。在該外部側連接端子部16上連接有虛線所示的外部電路基板2的未圖示的端子部。
磁頭側端子連接部17配置在萬向接頭部4上，更具體而言，磁頭側端子 連接部17與磁頭滑動器搭載部9的前端部鄰近地配置。磁頭側端子連接部17 設置有多個(四個)，以分別連接各條信號布線15的前端部。
更具體而言，磁頭側端子連接部17沿著磁頭滑動器搭載部9的前端緣， 在寬度方向上互相隔開間隔地配置。另外，磁頭側端子連接部17對應與其連 接的第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c及第四布線15d，從寬度方向 一側向寬度方向另一側依次配置第一磁頭側連接端子部17a、第二磁頭側連接 端子部17b、第三磁頭側連接端子部17c及第四磁頭側連接端子部17d。在該磁 頭側連接端子部17上連接有磁頭28的未圖示的端子部。
而且，如圖3所示，該帶電路的懸掛基板l包括金屬支承基板ll;在金 屬支承基板11的表面上形成的基底絕緣層12;在基底絕緣層12的表面上形成 的導體圖案13;以及在基底絕緣層12的表面上形成，以覆蓋導體圖案13的覆 蓋絕緣層14。
如圖1及圖3所示，金屬支承基板11形成為與狹縫部5及帶電路的懸掛 基板1的外形形狀對應的形狀。
基底絕緣層12形成為與布線部3及萬向接頭部4的形成導體圖案13的位 置對應，使得金屬支承基板11的周端緣及與狹縫部5對應的部分露出。更具 體而言，基底絕緣層12形成為在長度方向及寬度方向上比金屬支承基板11略 短的扁平帶狀。
導體圖案13配置在布線部3及萬向接頭部4的范圍內，如上所述，作為 一體地包括外部側連接端子部16、磁頭側連接端子部17和信號布線15的布線 電路圖案形成。
覆蓋絕緣層14配置在布線部3及萬向接頭部4的范圍內，配置成與形成 信號布線15的位置對應。覆蓋絕緣層14形成為使與狹縫部5對應的部分、外 部側端子連接部16及磁頭側端子連接部17露出，并覆蓋信號布線15。
而且，如圖1所示，在該帶電路的懸掛基板1上設置有用于熱輔助法的熱 輔助部18。
7熱輔助部18包括光波導19、發光元件20。
為設置發光元件20，在該帶電路的懸掛基板1上劃分出發光元件搭載部37。
發光元件搭載部37是用于搭載發光元件20的區域，配置在布線部3后部 的寬度方向中央的、外部側連接端子部16的前側，被劃分成俯視下沿長度方 向延伸的近似矩形。
另外，如圖2所示，為設置光波導19及發光元件20，在該帶電路的懸掛 基板1上設置有磁頭側開口部7、發光元件側開口部25以及基板側槽部35。
磁頭側開口部7配置在磁頭滑動器搭載部9的前端部的寬度方向中央，在 厚度方向上貫穿金屬支承基板ll、基底絕緣層12及覆蓋絕緣層14，形成為俯 視呈近似矩形。
發光元件側開口部25配置在發光元件搭載部37的寬度方向中央，在厚度 方向上貫穿金屬支承基板ll、基底絕緣層12及覆蓋絕緣層14，形成為俯視呈 近似矩形。
基板側槽部35在布線部3及萬向接頭部4的寬度方向中央，以連結磁頭 側開口部7與發光元件側開口部25的形態在其之間沿著長度方向直線狀形成。 如圖3所示，基板側槽部35在厚度方向上貫穿金屬支承基板11，由以使基底 絕緣層12的底面露出的形態向下方開口的截面近似矩形的長槽形成。
艮P，基板側槽部35由金屬支承基板11上的上述開口的兩個內側面以及基 底絕緣層12的底面劃定。
發光元件20是用于使光入射至光波導19的光源，例如將電能轉換為光能， 射出高能量的光。該發光元件20配置在發光元件搭載部37上，使發光元件20 射出的光入射至發光元件側開口部25內。
另外，在發光元件20上連接有用于向發光元件20提供電能的供電布線30， 在該供電布線30上連接有與外部電路基板2的未圖示的端子部連接的供電端 子部31。
另外，供電布線30從發光元件20的后端向后方延伸，供電端子部31與 外部側的連接端子部16在寬度方向上隔開間隔地配置。另外，供電布線30被 覆蓋絕緣層14覆蓋，供電端子部31從覆蓋絕緣層14露出。在將金屬支承基板11沿著厚度方向投影時，光波導19與設置在金屬支承
基板11上的基板側槽部35重疊，具體而言，光波導19容納在基板側槽部35內。
光波導19形成為截面呈近似矩形，寬度方向及上下方向的長度形成為與 基板側槽部35的相應長度相同。
另外，光波導19以使其底面與金屬支承基板11的底面成為同一面的形態 嵌合在基板側槽部35內。
而且，如圖4所示，在該帶電路的懸掛基板1上，光波導19在基板側槽 部35內從布線部3的發光元件側開口部25連續設置到萬向接頭部4的磁頭側 開口部7，并直線狀地配置。
光波導19的前端面即磁頭側端面21以面對磁頭側開口部7的形態配置， 并且，其后端面即發光元件側端面29以面對發光元件側開口部25的形態配置。
發光元件側端面29與發光元件20的射出窗夾著發光元件側開口部25，在 厚度方向上相對配置。
發光元件側端面29例如作為從上端到下端向前側傾斜的傾斜面形成，以 規定的角度(傾斜角)a與光波導19的長度方向交叉。據此，發光元件側端 面29成為具有傾斜角a的反射面，由發光元件20射出的光通過發光元件側開 口部25，在發光元件側端面29處光路改變規定的角度，之后，入射至光波導 19。
另外，磁頭側端面21例如作為從上端到下端向后側傾斜的傾斜面形成， 以規定的角度(傾斜角)e與光波導19的長度方向交叉。據此，該磁頭側端 面21成為具有傾斜角P的反射面，由光波導19射出的光在磁頭側端面21處 光路改變規定的角度，之后，出射至磁頭側開口部7。
這樣的傾斜角a及0沒有特別限定，例如是35 55° ，較為理想的是40 50° ，更為理想的是45。。
另外，這樣的光波導19包括下包覆層22、在下包覆層22上形成的芯層 23、以及在下包覆層22上覆蓋芯層23而形成的上包覆層24，其細節后述。
而且，這樣的帶電路的懸掛基板l通常安裝在硬盤驅動器上，采用熱輔助法。圖5及圖6是表示圖3所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的剖視圖；左 側的圖是與圖3對應的剖視圖；右側的圖是沿著光波導的剖視圖。
接下來，參照圖5及圖6說明該帶電路的懸掛基板1的制造方法。
首先，在本方法中，如圖5 (a)所示，準備金屬支承基板ll。
金屬支承基板ll由不銹鋼、42合金、鋁、銅一鈹、磷青銅等金屬材料形 成。金屬支承基板11的厚度例如是10 30yin，較為理想的是15 25ym。
接下來，在本方法中，如圖5 (b)所示，在金屬支承基板11的表面上依 次層疊基底絕緣層12、導體圖案13、覆蓋絕緣層14。
為了依次層疊基底絕緣層12、導體圖案13及覆蓋絕緣層14，首先，將基 底絕緣層12形成于金屬支承基板11的表面。
基底絕緣層12例如可以由聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹 脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇 酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂等絕緣材料形成。較為理想的是由聚酰亞胺 樹脂形成。
為了形成基底絕緣層12，例如，在金屬支承基板ll的表面上涂布感光性 的絕緣材料的清漆，干燥后，通過光掩模曝光，顯影后，根據需要使其固化。 據此形成的基底絕緣層12的厚度例如是1 35um，較為理想的是8 15
接下來，以上述的圖案形成導體圖案13。
導體圖案13例如可以由銅、鎳、錫、金、焊錫、或者它們的合金等導體 材料形成。
為了形成導體圖案13，例如可以使用加成法、減成法等已知的圖案形成 法。較為理想的是使用加成法。
據此形成的導體圖案的厚度例如是3 50um，較為理想的是5 20um。 另夕卜，各條信號布線15的寬度例如是5 200"m，較為理想的是10 100um， 各條信號布線15間的間隔例如是5 1000um，較為理想的是10 100"m。
另外，各外部側連接端子部16及各磁頭側連接端子部17的寬度例如是 20 1000pm，較為理想的是30 800um，各外部側端子連接部16間的間隔以 及各磁頭側連接端子部17間的間隔例如是20 1000ixm，較為理想的是30
10800 ti m。
覆蓋絕緣層14可以由已例舉的基底絕緣層12的絕緣材料形成。
為了以上述的圖案形成覆蓋絕緣層14，例如，在包含導體圖案13及基底 絕緣層12的金屬支承基板11的表面上涂布感光性的絕緣材料的清漆，干燥后， 通過光掩模曝光，顯影后，根據需要使其固化。據此形成的覆蓋絕緣層14的 厚度例如是1 40um，較為理想的是2 10uni。
據此，覆蓋絕緣層14的與狹縫部5、外部側連接端子部16、磁頭側連接 端子部17、發光元件側開口部25及磁頭側開口部7對應的部分開口，覆蓋絕 緣層14作為覆蓋信號布線15的圖案形成。
這樣，便可以在金屬支承基板11的表面上依次層疊基底絕緣層12、導體 圖案13及覆蓋絕緣層14。
另外，形成上述的導體圖案13,并同時以與上面相同的方法形成供電布線 30及供電端子部31。
接下來，在本方法中，如圖5 (c)所示，在金屬支承基板11上設置基板 側槽部35。
為了設置基板側槽部35，例如可以通過鉆頭等進行穿孔，或例如通過干 法蝕刻、濕法蝕刻等蝕刻形成。較為理想的是通過濕法蝕刻形成。
這樣設置的基板側槽部35，其寬度例如是5 250"m，較為理想的是10 150ixm，其長度(長度方向長度)例如是5 100mm，較為理想的是10 50mm。
另外，在形成基板側槽部35的同時，還對金屬支承基板ll的與磁頭側開 口部7及發光元件側開口部25對應的部分進行蝕刻。而且，如果有必要，還 可以同時實施金屬支承基板11的外形加工。
接下來，在本方法中，如圖5 (d)所示，在厚度方向上貫穿基底絕緣層 12，形成磁頭側開口部7及發光元件側開口部25。
基底絕緣層12的蝕刻使用己知的方法即可，例如可以通過化學蝕刻、等 離子蝕刻等形成。較為理想的是通過化學蝕刻形成。
這樣形成的磁頭側開口部7及發光元件側開口部25，其寬度例如是50 500tim，較為理想的是100 200"m，其長度(長度方向長度)例如是50 500 um，較為理想的是100 200um。接下來，在本方法中，如圖6 (e)所示，將光波導19容納在基板側槽部 35內。
光波導19是另行形成的，是通過依次層疊下包覆層22、芯層23及上包覆 層24并使其固化而得到的。具體而言，例如，準備支承板34 (參照圖8)， 將下包覆層22、芯層23、上包覆層24依次層疊在支承板34的表面上。
形成支承板34的材料沒有特別限定，例如可以使用不銹鋼、42合金、鋁、 銅一鈹、磷青銅等。
為了依次層疊下包覆層22、芯層23、上包覆層24，首先，將下包覆層22 形成于支承板34的表面。
作為形成下包覆層22的材料，例如可以使用聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、 硅酮樹脂、環氧樹脂(脂環式環氧樹脂等)、丙烯酸樹脂、或者芴衍生物樹脂、 或者芴衍生物樹脂與脂環式環氧樹脂的混合樹脂、以及這些樹脂與脂環式醚化 合物(例如氧雜環丁烷化合物等)的混合樹脂。較為理想的是，在這些樹脂中 混合感光劑，作為感光性樹脂使用。較為理想的是使用感光性芴衍生物樹脂 (原料感光性芴系環氧樹脂)與脂環式環氧樹脂的混合樹脂。另外，作 為感光劑，例如可以使用已知的鎖鹽等，更具體而言，可以使用4,4 —雙[二
(e羥乙氧基)苯亞硫酰基]苯硫醚一雙一六氟銻酸鹽等。
為了形成下包覆層22，例如，調制上述的樹脂的清漆(樹脂溶液)，將 其涂布于該支承板34的表面，之后，使其干燥，并根據需要使其固化。另外， 在使用感光性樹脂時，在涂布清漆及干燥后，通過光掩模曝光，之后，通過使 未曝光部分溶解進行顯影，根據需要使其固化。
下包覆層22的折射率例如是1. 45 1. 55。另外，下包覆層22的厚度例如 是l 50ym，較為理想的是5 20um，其寬度例如是5 200 u m,較為理想的 是10 100um。
接下來，將芯層23形成于下包覆層22上。
作為形成芯層23的材料，可以使用折射率比下包覆層22的樹脂材料大的 樹脂材料。作為這樣的樹脂材料，例如可以使用與上面相同的樹脂，較為理想 的是使用作為芴衍生物樹脂(原料感光性芴系環氧樹脂)與氧雜環丁垸化合 物的混合樹脂。
12為了形成芯層23，例如，調制上述的樹脂的清漆(樹脂溶液)，將該清
漆涂布于下包覆層22的表面后，使其干燥，根據需要使其固化。另外，在使
用感光性樹脂時，在涂布清漆及干燥后，通過光掩模曝光，之后，通過使未曝 光部分溶解進行顯影，根據需要使其固化。
芯層23的折射率被設定為大于下包覆層22的折射率，例如是1. 55 1. 65。 另外，芯層23的厚度例如是1 30um，較為理想的是2 20um,其寬度例如 是l 30um，較為理想的是2 20um。
接下來，將上包覆層24形成在下包覆層22上，以覆蓋芯層23。 作為形成上包覆層24的材料，可以使用與上述的下包覆層22同樣的樹脂 材料。
為了形成上包覆層24，例如，調制上述的樹脂的清漆(樹脂溶液)，將 該清漆涂布在包含芯層23的下包覆層22的表面后，使其干燥，根據需要使其 固化。另外，在使用感光性樹脂時，在涂布清漆及干燥后，通過光掩模曝光， 之后，通過使曝光部分溶解進行顯影，根據需要使其固化。
上包覆層24的折射率被設定為小于芯層23的折射率，例如設定為與下包 覆層22的折射率相同。另外，上包覆層24從芯層23的表面的厚度例如是l 50um，較為理想的是5 20ixm，其寬度例如是5 200 u m，較為理想的是10 100u m。
這樣，通過在支承板34上依次層疊下包覆層22、芯層23及上包覆層24， 可以形成光波導19。
接下來，將光波導19從支承板34剝離，容納在基板側槽部35內。
為了將光波導19容納在基板側槽部35內，例如，在光波導19的上表面 及如有需要的兩個側面涂布粘接劑，之后，使光波導19嵌合在基板側槽部35 內。據此，使光波導19的上表面粘接(緊貼)于在基板側槽部35內露出的基 底絕緣層12的底面，并使光波導19的兩個側面根據需要粘接(緊貼)于金屬 支承基板11的基板側槽部35的兩個內側面。
另外，據此，光波導19的前端部與磁頭側開口部7在金屬支承基板11的 厚度方向上重疊配置。更具體而言，在寬度方向上，光波導19的前端部配置 在磁頭側開口部7的中央，在長度方向上，光波導19的前端部配置在磁頭側開口部7的后側一半。
另外，光波導19的后端部與發光元件側開口部25在金屬支承基板11的 厚度方向上重疊配置。更具體而言，在寬度方向上，光波導19的后端部配置 在發光元件側開口部25的中央，在長度方向上，光波導19的后端部配置在發 光元件側開口部25的前側一半。
接下來，在本方法中，如圖6 (f)所示，從磁頭側開口部7側，通過激光 加工對光波導19的前端部切削，形成磁頭側端面21。
在激光加工時，如圖6 (f)的虛線所示，使通過磁頭側開口部7的激光 以與長度方向交叉成規定角度的形態，從磁頭側開口部7側(厚度方向上側) 射入。
接下來，與上述的方法一樣，從發光元件側開口部25側(厚度方向上側)， 通過激光加工對光波導19的后端部切削，形成發光元件側端面29。
之后，在布線部3的后端側，將發光元件20配置在覆蓋絕緣層14的發光 元件搭載部37上，使發光元件20射出的光入射至發光元件側開口部25內。 據此，可以得到帶電路的懸掛基板l。
而且，在帶電路的懸掛基板l上，如圖1及圖2的虛線所示，在布線部3 上，外部側連接端子部16及供電端子部31與外部電路基板2的未圖示的端子 部連接。另外，在外部電路基板2上安裝有用于控制磁頭28 (參照圖4)及發 光元件20的IC32，該IC32通過IC布線33與連接外部側連接端子部16及供 電端子部31的端子部電連接。
另外，在帶電路的懸掛基板l上，如圖1及圖4所示，在萬向接頭部4的 磁頭滑動器搭載部9上搭載有磁頭滑動器27。在磁頭滑動器27上安裝有磁頭 28，通過安裝上述的磁頭滑動器27，磁頭28的未圖示的端子部與磁頭側連接 端子部17電連接。另外，通過安裝上述的磁頭滑動器27，磁頭28面對磁頭側 開口部7，與光波導19的磁頭側端面21夾著磁頭側開口部7在厚度方向上相 對配置。
而且，在搭載磁頭28、磁頭滑動器27、帶電路的懸掛基板1及外部電路 基板2的硬盤驅動器中，可以采用熱輔助法。
另外，在安裝了磁頭28、磁頭滑動器27及外部電路基板2后，帶電路的懸掛基板1被插入硬盤驅動器的E形組件。
在硬盤驅動器中，例如，硬盤26與光波導19的磁頭側端面21及磁頭28 相對運動。而且，從發光元件20向下方射出的光在通過發光元件側開口部25 后，在發光元件側端面29處向與金屬支承基板11平行的方向進行光路變換， 通過光波導19。之后，光在磁頭側端面21處向上方進行光路變換，在通過 磁頭側開口部7后，通過磁頭28，照射在與上側相對的硬盤26的表面上。 據此，硬盤26的照射部分被加熱。通過來自磁頭28的磁場的照射，信息 被記錄在硬盤26上，而且，由于硬盤26的矯頑力下降，所以可以通過較 小的磁場的照射，以高密度在硬盤26上記錄信息。
在該帶電路的懸掛基板l上，光波導19容納在基板側槽部35內。g卩，光 波導19以使其底面與金屬支承基板11的底面成為同一面的形態嵌合在基板側 槽部35內。因此，光波導19不會從帶電路的懸掛基板1的背面突出。其結 果是，可以減少光波導19對帶電路的懸掛基板1插入E塊體的阻礙、以及 光波導19從E塊體受到的損傷。
另外，導體圖案13形成于基底絕緣層12的表面，與之相對，光波導19 配置在基底絕緣層12的背面側，所以可以確保帶電路的懸掛基板1的設計上 的自由度。
在上述的說明中，將配置光波導19的槽部設置在金屬支承基板ll上，但 例如也可以將其設置在基底絕緣層12上。
圖7是表示圖3所示的帶電路的懸掛基板的另一實施方式(光波導容納在 基底側槽部內的形態)的剖視圖。另外，對與上述的各部對應的部件標注了與 圖7相同的參照符號，并省略其詳細說明。
在該帶電路的懸掛基板1上，基板側槽部35形成得寬于圖3的基板側槽 部35。另外，基底絕緣層12的厚度與光波導19的厚度形成得相同。
在基底絕緣層12上，基底側槽部36形成于基板側槽部35的寬度方向中 央，以與基板側槽部35在金屬支承基板11的厚度方向上重疊。
基底側槽部36形成得窄于圖7的基板側槽部35，具體而言，基底側槽部 36的寬度與圖3的基板側槽部35的寬度形成得相同。另外，基底側槽部36 與基板側槽部35—樣，與磁頭側開口部7、發光元件側開口部25連通。另夕卜，基底側槽部36在厚度方向上貫穿基底絕緣層12，由以使覆蓋絕緣層14的底面 露出的形態向下方開口的截面近似矩形的長槽形成。即，基底側槽部36被基 底絕緣層12的上述開口的兩個內側面、覆蓋絕緣層14的底面劃定。
這樣的基底側槽部36可以通過上述的化學蝕刻，對基底絕緣層12進行蝕 刻而形成。
在該帶電路的懸掛基板1上，光波導19容納在基底絕緣層12上設有的基 底側槽部36內。
為了將光波導19容納在基底側槽部36內，例如，在光波導19的上表面 及如有需要的兩個側面涂布粘接劑，之后，使光波導19嵌合在基底側槽部36 內。據此，使光波導19的上表面粘接(緊貼)于在基底側槽部36內露出的覆 蓋絕緣層14的底面，并使光波導19的兩個側面根據需要粘接(緊貼)于基底 絕緣層12的基底側槽部36的兩個內側面。
在該帶電路的懸掛基板l上，由于光波導19容納在基底側槽部36內，所 以可以將光波導19相對于金屬支承基板11配置在更內側。因此，可以進一步 減少光波導對帶電路的懸掛基板1插入E形組件的阻礙、以及光波導從E形組 件受到的損傷。
圖8是表示圖7所示的帶電路的懸掛基板的又一實施方式(光波導容納在 基底側槽部內，支承板嵌合在基板側槽部內的形態)的剖視圖。另外，對與上 述的各部對應的部件標注了與圖8相同的參照符號，并省略其詳細說明。
在圖7所示的實施方式中，將光波導19從支承板34剝離，容納在基底側 槽部36內。但是，也可以不將光波導19從支承板34剝離，將光波導19在被 支承板34支承的狀態下容納在基底側槽部36內。
在本實施方式中，支承板34形成為截面近似矩形的平板狀，寬度方向及 上下方向的長度形成為與基板側槽部35的相應長度相同。
在該帶電路的懸掛基板1上，將光波導19容納在基底絕緣層12上設有的 基底側槽部36內，并將支承板34嵌合在金屬支承基板11上設有的基板側槽 部35內。
為了將光波導19容納在基底側槽部36內，并將支承板34嵌合于基板側 槽部35，例如可以在光波導19的上表面及光波導19的如有需要的兩個側面上
16涂布粘接劑，并且，根據需要在支承板34的兩個側面上也涂布粘接劑。之后，
使光波導19嵌合在基底側槽部36內，并使支承板34嵌合于基板側槽部35。 據此，使光波導19的上表面粘接(緊貼)于在基底側槽部36內露出的覆 蓋絕緣層14的底面，并使光波導19的兩個側面根據需要粘接(緊貼)于 基底絕緣層12的基底側槽部36的兩個內側面。并且，支承板34的兩個側 面根據需要粘接(緊貼)于金屬支承基板11的基板側槽部35的兩個內側 面。
若光波導19容納在基底側槽部36內，且支承板34嵌合于基板側槽部35， 則可以確保光波導19相對于帶電路的懸掛基板1可靠地定位。因此，可以提 高光波導19的傳輸效率。另外，由于支承板34設置在光波導19的下表面上， 所以可以防止光波導19從E形組件受到損傷。
另外，在上述的說明中，在基板側槽部35內或者基底側槽部36內容納光 波導19，但在沿著金屬支承基板11的厚度方向投影時與基板側槽部35重疊的 位置上，光波導19的至少一部分既可以相對于金屬支承基板11的背面配置在 導體圖案13側，光波導19的一部分也可以從基板側槽部35向下方突出。
另外，在上述的說明中，在磁頭側開口部7及發光元件側開口部25內產 生空隙，但也可以用粘接劑等密封這些空隙，防止產生光損耗。
另外，在上述的說明中，在帶電路的懸掛基板1上設置有一條光波導19， 但其條數沒有特別限定，例如也可以根據帶電路的懸掛基板1的用途及目的， 設置多條光波導19。
另外，在上述的說明中，將光波導19的寬度方向兩個側面緊貼在金屬支 承基板11的基板側槽部35的兩個內側面或者基底絕緣層12的基底側槽部36 的兩個內側面上，但也可以將光波導19的寬度方向兩個側面與它們隔開間隔 地設置。在這種情況下，將光波導19的寬度形成得窄于基板側槽部35的寬度 或者基底側槽部36的寬度。
另外，在上述的實施方式中，帶電路的懸掛基板l有時會在安裝了磁頭滑 動器27后相對于磁頭滑動器搭載部9彎曲成期望的角度。這時，橫穿過狹縫 部5的光波導19由可隨著彎曲而彈性變形的材料形成。
實施例下面通過實施例進一步具體說明本發明，但本發明不限于任何實施例。 實施例l (光波導容納在基板側槽部內的形態)
準備厚度20tim的由不銹鋼形成的金屬支承基板(參照圖5 (a))。
接下來，在金屬支承基板上涂布聚酰亞胺樹脂，干燥后，通過光掩模曝光，
顯影后，使其固化，以上述的圖案形成基底絕緣層。該基底絕緣層的厚度是10
接下來，通過加成法同時形成由銅形成的導體圖案和供電布線以及供電端 子部。它們的厚度是10um。
接下來，在基底絕緣層上涂布聚酰亞胺樹脂，干燥后，通過光掩模曝光， 顯影后，使其固化，以上述的圖案形成覆蓋絕緣層。該覆蓋絕緣層的厚度是5 um。據此，在金屬支承基板上依次層疊基底絕緣層、導體圖案及覆蓋絕緣層 (參照圖5 (b))。
接下來，在金屬支承基板的寬度方向中央部，通過濕法蝕刻來設置沿著金 屬支承基板的長度方向的基板側槽部(參照圖5 (c))。該基板側槽部的寬度 是100 um，長度是20mm。
接下來，通過化學蝕刻來蝕刻基底絕緣層，形成在厚度方向上貫穿金屬支 承基板、基底絕緣層及覆蓋絕緣層的磁頭側開口部及發光元件側開口部(參照 圖5 (d))。磁頭側開口部及發光元件側開口部的寬度是100um，長度是IOO
另行準備由不銹鋼形成的支承板，在其上形成光波導。支承板的厚度是20
ti m。
在形成下包覆層時，首先，混合35重量份的雙苯氧基乙醇芴縮水甘油醚 (芴衍生物、環氧化物當量300g/eq. ) 、 25重量份的具有環己烯化氧骨架的 脂環式環氧樹脂(CELLOXIDE 2081、大賽璐(Daicel)化學株式會社制)、2 重量份的4,4一雙[二(e羥乙氧基)苯亞硫酰基]苯硫醚-雙-六氟銻酸鹽(感光 劑)的50%二乙基甲酮碳酸脂溶液、以及40重量份的3，4一環氧環己烯基甲 基一3，，4，一環氧環己烯羧酸酯(稀釋劑、脂環式環氧化物、CELLOXIDE2021P、 大賽璐(Daicel)化學株式會社制)，調制清漆。
接下來，將該清漆涂布在支承板的表面上，通過在8(TC下加熱15分鐘，
18干燥。之后，通過光掩模曝光，利用伽馬丁內酯系的有機溶劑使未曝光部分溶 解，由此進行顯影。之后，通過在10(TC下加熱15分鐘使其固化，在支承板上
形成下包覆層。
該下包覆層(固化后的下包覆層)的對830nm波長的折射率是1.540。另 外，下包覆層的厚度是5um，寬度是80nm。 接下來，將芯層形成于下包覆層上。
在形成芯層時，首先，混合70重量份的雙苯氧基乙醇芴縮水甘油醚(芴 衍生物、環氧化物當量300g/eq. ) 、 30重量份的1， 1， 1 一三{4-[2-(3_氧雜環 丁基)]丁氧基苯基}乙垸(氧雜環丁院化合物)、l重量份的4，4一雙[二(e羥 乙氧基)苯亞硫酰基]苯硫醚-雙-六氟銻酸鹽(感光劑)的50%二乙基甲酮碳酸 脂溶液、30重量份的乳酸乙酯(稀釋劑)，調制清漆。
接下來，將該清漆涂布在下包覆層的表面上，通過在8(TC下加熱15分鐘， 干燥。之后，通過光掩模曝光，利用伽馬丁內酯系的有機溶劑使未曝光部分溶 解來進行顯影。之后，通過在IO(TC下加熱15分鐘使其固化，在下包覆層上形 成芯層。
該芯層(固化后的芯層)的對830mn波長的折射率是1.594。另外，芯層
的厚度是5"m，寬度是5"m。
接下來，將上包覆層形成于下包覆層上，以覆蓋芯層。 在形成上包覆層時，首先，調制與用于形成上述下包覆層的清漆同樣的清
漆，接下來，將該清漆涂布在包含芯層的下包覆層的表面上，通過在8(TC下加
熱15分鐘，干燥。
之后，通過光掩模曝光，利用伽馬丁內酯系的有機溶劑使未曝光部分溶解， 由此進行顯影。之后，通過在IO(TC下加熱15分鐘使其固化，在下包覆層上形 成上包覆層，以覆蓋芯層。
該上包覆層的對830mn波長的折射率是1.540。另外，上包覆層從芯層的 表面的厚度是5um，寬度是80um。據此得到光波導。
接下來，將該光波導從支承板剝離，在光波導的上表面及兩個側面上涂布 粘接劑。
接下來，將光波導的上表面粘接于在基板側槽部內露出的基底絕緣層的底面，并將光波導的兩個側面粘接于金屬支承基板的基板側槽部的兩個內側面， 由此將光波導容納在基板側槽部內(參照圖6 (e))。
接下來，通過從磁頭側開口部側及發光元件側開口部側對光波導進行激光 加工，對光波導的前端部及后端部與長度方向交叉地進行一次切削(參照圖6
(f))。由該切削形成的磁頭側端面及發光元件側端面的傾斜角分別是45。。
之后，在該帶電路的懸掛基板的布線部的后端側，將發光元件配置在覆蓋
絕緣層上(參照圖l及圖2)。
實施例2 (光波導容納在基底側槽部內的形態)
在實施例2中，除了基底絕緣層的厚度為20um，基板側槽部的寬度為100 Pm，并在基底絕緣層上設置基底側槽部，將光波導配置在基底側槽部內之外， 以與實施例l一樣的方式制造帶電路的懸掛基板(參照圖7)。
艮P，在形成磁頭側開口部及發光元件側開口部時，對金屬支承基板進行掩 模以便設置基底側槽部，通過與實施例1的等離子蝕刻同樣的方法來蝕刻基底 絕緣層。據此，在基底絕緣層上沿著基底絕緣層的長度方向設置連結磁頭側開 口部與發光元件側開口部的基底側槽部。基底側槽部的寬度是80um，長度是 20mm。
接下來，以與實施例1同樣的方式形成光波導，將其從支承板上剝離，在 光波導的上表面及兩個側面上涂布粘接劑。
接下來，將光波導的上表面粘接于在基底側槽部內露出的覆蓋絕緣層的底 面，并將光波導的兩個側面粘接于基底絕緣層的基底側槽部的兩個內側面，由 此將光波導收容在基底側槽部內。
接下來，通過從磁頭側開口部側及發光元件側開口部側對光波導進行激光 加工，對光波導的前端部及后端部與長度方向交叉地進行一次切削。由該切削 形成的磁頭側端面及發光元件側端面的傾斜角分別是45° 。
之后，在該帶電路的懸掛基板的布線部的后端側，將發光元件配置在覆蓋 絕緣層上。
實施例3 (光波導收容在基底側槽部內，支承板嵌合于金屬支承基板的形
態)
在實施例3中，除了在形成光波導后不將其從支承板上剝離，將支承板的寬度加工成80um，將光波導容納在基底側槽部內，并將支承板嵌合于金屬支 撐基板之外，以與實施例2—樣的方式制造帶電路的懸掛基板(參照圖8)。
艮口，以與實施例2同樣的方式形成光波導，但不將其從支承板上剝離，在 光波導的上表面及兩個側面上涂布粘接劑，并在支承板的兩個側面上涂布粘接 劑。
接下來，將光波導的上表面粘接于在基底側槽部內露出的覆蓋絕緣層的底 面，將光波導的兩個側面粘接于基底絕緣層的基底側槽部的兩個內側面，將光 波導容納在基底側槽部內，并將支承板的兩個側面粘接于金屬支承基板的基板 側槽部的兩個內側面，將支承板嵌合于基板側槽部。
接下來，從磁頭側開口部側及發光元件側開口部側對光波導進行激光加 工，對光波導的前端部及后端部與長度方向交叉地進行一次切削。由該切削形 成的磁頭側端面及發光元件側端面的傾斜角分別是45° 。
之后，在該帶電路的懸掛基板的布線部的后端側，將發光元件配置在覆蓋 絕緣層上。
另外，上述說明提供了作為本發明例舉的實施方式，但這只是單純的例舉， 并非限定性的解釋。對于該技術領域的從業人員明顯是本發明的變形例包含在 權利要求范圍內。
權利要求
1.一種帶電路的懸掛基板，其特征在于，包括具有基板側槽部的金屬支承基板；在所述金屬支承基板的表面上形成的基底絕緣層；在所述基底絕緣層的表面上形成的導體圖案；以及設置成在沿著所述金屬支承基板的厚度方向投影時與所述基板側槽部重疊的光波導，所述光波導的至少一部分相對于所述金屬支承基板的背面配置在所述導體圖案側。
2. 如權利要求1所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，所述光波導容納 在所述基板側槽部內。
3. 如權利要求1所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于， 在所述基底絕緣層上設置有基底側槽部，在沿著所述金屬支承基板的厚度方向投影時，所述基底側槽部與所述基板側槽部重疊， 所述光波導容納在所述基底側槽部內。
4. 如權利要求3所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，在所述光波導的 下表面上設置有支承板，所述光波導的至少一部分容納在所述基底側槽部內， 所述支承板的至少一部分與所述基板側槽部嵌合。
全文摘要
本發明提供的帶電路的懸掛基板包括具有基板側槽部的金屬支承基板；在金屬支承基板的表面上形成的基底絕緣層；在基底絕緣層的表面上形成的導體圖案；以及配置成在沿著金屬支承基板的厚度方向投影時與基板側槽部重疊的光波導。光波導的至少一部分相對于金屬支承基板的背面配置在導體圖案側。
文檔編號G02B6/12GK101582266SQ20091014142
公開日2009年11月18日 申請日期2009年5月13日 優先權日2008年5月14日
發明者內藤俊樹, 石井淳 申請人:日東電工株式會社