專利名稱：防護薄膜組件的制作方法
技術領域：
本發明是關于一種微影用防護薄膜組件，特別是關于一種在制造LSI、 超LSI等半導體裝置時用來當作防塵器使用的微影用防護薄膜組件，而且 特別是關于一種使用在以高解析度為必要的曝光中且使用在200(am以下的 紫外線曝光中的微影用防護薄膜組件。
背景技術：
以往在LSI、超LSI等半導體裝置或是液晶顯示板等產品的制造中，是 用光照射半導體晶圓或液晶用原板以制作形成圖案，惟若此時所使用的曝 光原板有灰塵附著的話，由于該灰塵會吸收光，使光反射，故除了會使轉 印的圖案變形、使邊緣變粗糙以外，還會損壞尺寸、品質、外觀等，導致 半導體裝置或液晶顯示板等產品的性能惡化或降低制造成品率。
因此，該等作業通常是在無塵室內進行，然而即使是在無塵室內進行， 想要經常保持曝光原板清潔仍是相當困難，故吾人遂在曝光原板表面貼合 透光性良好的防護薄膜組件作為防塵器使用。
此時，異物并非直接附著于曝光原板的表面上，而是附著于防護薄膜 上，故只要在微影時將焦點對準曝光原板的圖案，防護薄膜上的異物就不 會對轉印造成影響。
該防護薄膜組件，是用透光性良好的硝化纖維素、醋酸纖維素等物質 構成透明防護薄膜，并以鋁、不銹鋼、聚乙烯等物質構成防護薄膜組件框 架，然后在防護薄膜組件框架的上部涂布防護薄膜的良溶^ 某，再將防護薄 膜風干接合于防護薄膜組件框架的上部所制作而成(參照專利文獻1),或 者是用丙烯酸樹脂或環氧樹脂等的接合劑接合(參照專利文獻2、專利文獻 3、專利文獻4),并在防護薄膜組件框架的下部設置由聚丁烯樹脂、聚醋酸 乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂、硅氧樹脂等物質所構成的黏著層以及保護該黏著層的脫模層(隔離部)。
近年來，微影的解析度逐漸提高，且為了實現該解析度，逐漸使用短
波長光作為光源。具體而言是向紫外光的g線(436nm)、 I線(365nm)、 KrF 準分子雷射(248nm)移動，近年開始使用ArF準分子雷射光(193nm)。
由于該等短波長光的光能量很大，現有纖維素是薄膜材料很難確保充 足的耐光性。因此，在KrF準分子雷射之后薄膜材料換成透明氟樹脂。
若光罩長時間使用，則會在表面上析出異物，使圖案劣化。其原因在 于空氣中氣體成份發生反應而在光罩表面上形成固體，該固體逐漸累積 成為會轉印的累積性異物(霧靄)。又，也會有光罩表面的殘留離子或是殘留 有機成份發生反應而累積成異物的情況。特別是在使用KrF、 ArF這種短波 長光進行曝光時，由于會吸收短波長光的物質很多，故在曝光中該等物質 會吸收光并進入活性化狀態而加速異物的生成。
因此，在進行半導體曝光步驟的環境中，若能控制空氣中的離子濃度 或有機成份的濃度，便能抑制累積性異物產生。
又，特別是在使用ArF進行曝光時，多會產生硫酸銨這種累積性異物。 在光罩制造步驟中， 一般在光罩洗凈步驟是使用硫酸或氨，若該這些藥劑 殘留在光罩表面上，這些殘留物便會在之后的曝光步驟中反應變成累積性 異物。因此，吾人開始在光罩洗凈步驟中限制硫酸或是氨的使用，而改使 用臭氧水進行洗凈(參照專利文獻5 )。
另外，若觀察防護薄膜組件， 一般而言防護薄膜組件框架是使用鋁合 金。然后該鋁框架的表面經過某種陽極氧化處理，例如黑色氧皮鋁處理。 由于氧皮鋁處理一般是使用硫酸，故可從該等防護薄膜組件框架偵測硫酸 成份。又若在氧皮鋁處理中使用硫酸以外的酸，則在氧皮鋁層中便會殘留 該酸成4分。
如是，經過氧皮鋁處理的防護薄膜組件框架，會在氧皮鋁層中殘留硫 酸等酸成份，殘留的酸成份，在防護薄膜組件貼合到光罩上的時候，可能 會使光罩上產生累積性異物。
又，在黑色氧皮鋁處理中一般是使用偶氮染料作為黑色染料。從偶氮 染料能偵測到氨離子這種雜質。該氨離子也很有可能成為作為累積性異物 代表的硫酸銨的產生原因。如是，經過黑色氧皮鋁處理的框架，若進行離子分析，則可偵測到硫酸離子、氨離子，會對抑制硫酸銨這種累積性異物
產生造成影響。
專利文獻1
專利文獻2
專利文獻3
專利文獻4
專利文獻5
曰本特開昭58-219023號公報 美國專利第4861402號說明書 曰本特/>昭63-27707號7^才艮 日本特開平7-168345號公報 曰本特開2001-96241號7>才艮
發明內容
有鑒于上述問題，本發明的目的在于提供一種防護薄膜組件框架，其 不含有會產生累積性異物的因子。 [解決問題的技術手段]
本發明的防護薄膜組件的特征為，防護薄膜組件框架^l實施過成型加 工，或是在成型加工之后僅實施過研磨加工，且是使用未著色的鋁或是鋁 合金所制成的。
若依本發明的防護薄膜組件，由于不會實施像黑色氧皮鋁處理這種會 帶來作為累積性異物成因的酸成份或離子的處理，并使用僅實施過成型加 工且未著色的鋁合金或是在成型加工之后僅實施過研磨表面處理且未著色 的鋁合金制作防護薄膜組件框架，故能提供一種框架表面不會含有該等酸 或氨的離子成份而非常干凈的防護薄膜組件。
具體實施例方式
發明人發現，只要不要對鋁制防護薄膜組件框架實施會使其含有離子 的表面處理，就能防止上述不良情況發生。
如上所述，現有的防護薄膜組件框架，都會對鋁框架表面實施某種陽 極氧化處理，例如黑色氧皮鋁處理。在氧皮鋁層中會殘留氧皮鋁處理時所 使用的酸成份，而且在氧皮鋁層中也會有黑色染料的氨成份。當防護薄膜 組件裝設到光罩上并長期間使用時，該等成份會使光罩表面產生累積性異物。
然而，若以該等未經過黑色氧皮鋁處理且未著色的鋁作為加工用素材， 對其實施成型加工，或是，在成型加工之后僅對防護薄膜組件框架實施研 磨表面處理，則在框架表面上就不會含有該等酸或氨的離子成份，這樣就 能提供一種非常干凈的防護薄膜組件。實施例
以下揭示本發明的實施例。 [實施例1 ]
將Cytop CTX-S (旭硝子(股)制)溶解于全氟三丁基胺中，制得5 % 溶液，再將該溶液滴在硅晶圓上，用旋涂法以830rpm的速度讓晶圓旋轉， 使溶液在晶圓上擴散。接著置于室溫下30分鐘使其干燥，然后再以180°C 使其徹底干燥，如是便制得均勻的薄膜。對其涂布接合劑，并將其貼合于 鋁框上，接著將薄膜剝離，便制得防護薄膜。
以鋁制作出外尺寸149mmxl22mmx5.8mm的防護薄膜組件框架。該防 護薄膜組件框架僅經過成型加工且未著色。
在該防護薄膜組件框架的一端面上涂布光罩粘著劑，并在另一端面上 涂布薄膜接合劑。之后在薄膜接合劑該側貼合從鋁框取下的防護薄膜，并 切除框架外周圍的薄膜，如是便完成防護薄膜組件。
將完成的防護薄膜組件放入聚丙烯制的袋子中，并注入100ml的純水， 讓防護薄膜組件完全浸漬在純水中。將袋子熱密封，然后以80。C加熱1小 時。用離子層析儀分析抽樣水，結果并未檢測到硫酸離子或是其他酸離子。 而且也沒有4企測到氨離子。 [比4交例1 ]
將Cytop CTX-S (旭硝子(股)制)溶解于全氟三丁基胺中，制得5 % 溶液，再將該溶液滴在硅晶圓上，用旋涂法以830rpm的速度讓晶圓旋轉， 使溶液在晶圓上擴散。接著置于室溫下30分鐘使其干燥，然后再以180°C 使其干燥，如是便制得均勻的薄膜。對其涂布接合劑，并將其貼合于鋁框 上，接著將薄膜剝離，便制得防護薄膜。
以鋁制作出外尺寸149mmxl22mmx5.8mm的防護薄膜組件框架。該防 護薄膜組件框架經過黑色氧皮鋁的表面處理。
6在該防護薄膜組件框架的 一端面上涂布光罩粘著劑，并在另 一端面上 涂布薄膜接合劑。之后在薄膜接合劑該側貼合從鋁框取下的防護薄膜，并 切除框架外周圍的薄膜，如是便完成防護薄膜組件。
將完成的防護薄膜組件放入聚丙烯制的袋子中，并注入100ml的純水， 讓防護薄膜組件完全浸漬在純水中。將袋子熱密封，然后以80。C加熱1小 時。用離子層析儀分析抽樣水，結果檢測到硫酸離子為O.lppm,氨離子亦 為O.lppm。
權利要求
1、一種防護薄膜組件，使用于半導體微影中，其特征為防護薄膜組件框架僅實施過成型加工，或是在成型加工之后僅實施過研磨加工，且是使用未著色的鋁或是鋁合金所制成的。
全文摘要
本發明的目的在于提供一種防護薄膜組件框架，其不含有會產生累積性異物的因子。為達成上述目的，本發明的防護薄膜組件框架僅實施過成型加工，或是在成型加工之后僅實施過研磨加工，且是使用未著色的鋁或是鋁合金所制成的。
文檔編號G03F1/64GK101581875SQ20091013859
公開日2009年11月18日 申請日期2009年5月12日 優先權日2008年5月14日
發明者白崎享 申請人:信越化學工業株式會社