平板印刷用防護薄膜組件的制作方法

專利名稱：平板印刷用防護薄膜組件的制作方法
技術領域：
本發明是關于一種平板印刷用防護薄膜組件，其在制造LSI、超LSI等
半導體裝置或是液晶顯示板時作為平板印刷用光罩的防塵器使用。
現有技術
在制造LSI、超LSI半導體或是液晶顯示板等產品時，是用光照射半導 體晶圓或液晶用原板以形成圖案，惟若此時所使用的曝光原版有灰塵附著 的話，由于該灰塵會吸收光線，或折射光線，故除了讓轉印的圖案變形、 邊緣變粗糙之外，還會使基底污黑，并對尺寸、品質、外觀等造成影響。 又，在本發明中，「曝光原版」是平板印刷用光罩或初縮遮罩的總稱。
該等作業通常是在無塵室內進行，然而即使是在無塵室內進行，想要 經常保持曝光原版清潔仍是相當困難，故吾人遂在曝光原版表面貼附透光 性良好的防護薄膜組件作為防塵器使用。
此時，異物并非直接附著于曝光原版的表面上，而附著于防護薄膜上，
故只要在平板印刷時將焦點對準曝光原版的圖案，防護薄膜上的異物就不
會對轉印造成影響。
防護薄膜組件的基本構造，是由防護薄膜組件框架以及鋪設于其上的
防護薄膜所構成。防護薄膜，是由硝化纖維素、醋酸纖維素或氟類聚合物 等物質所構成的，其對曝光用光線(g線、i線、248nm、 193nm、 157nm等) 具備良好的透光性。防護薄膜組件框架，是由符合日本工業規格(Japanese Industrial Standards; JIS)A7075、 A6061、 A5052的鋁合金、不銹鋼、聚乙 烯等材料所構成的，其經過黑色氧皮鋁處理。在防護薄膜組件框架上部涂 布防護薄膜的良好溶劑，讓防護薄膜風干并接合于該防護薄膜組件框架上 部(參照專利文獻1)，或是用丙烯酸樹脂、環氧樹脂或氟樹脂等接合劑接 合(參照專利文獻2)。接著，為了在防護薄膜組件框架下部鋪設曝光原板，遂設置由聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂以及硅氧樹脂等物 質所構成的粘著層，以及用來保護粘著層的初縮遮罩粘著劑保護用墊片。
防護薄膜組件會覆蓋曝光原版表面的圖案區域。防護薄膜組件是用來 防止異物附著于曝光原版上而設置的構件，故能隔離該圖案區域與防護薄 膜組件外部，防止防護薄膜組件外部灰塵附著于圖案表面上。
近年來，LSI的布局規則向0.25 ^i:米以下^:細化進展，隨之曝光光源 也向短波長化進展，亦即，逐漸^v原為主流的水4艮燈的g線(436nm)、 i 線(365nm),轉而使用KrF準分子雷射(248nm )、 ArF準分子雷射(193nm)、 F2雷射(157nm)等雷射光。曝光像這樣朝短波長化發展，曝光光線所包 含的能量當然也會變高。比起公知的g線或i線的光線而言，使用準分子雷 射等高能量光線更可能讓曝光環境中所存在的氣體狀物質發生反應而在曝 光原版上產生異物。于是，吾人遂采取若干對策因應，例如盡量減少無 塵室內的氣體狀物質、徹底洗凈初縮遮罩，或從防護薄膜組件構成物質中 排除會發散氣體的物質等。
特別是防護薄膜組件，由于其是直接貼附于曝光原版上使用的物件， 故防護薄膜組件的構成材料，亦即由有機材料所構成的初縮遮罩接合劑、 膜層接合劑、內壁涂布劑等物質，其氣體發散率宜降低，以改善情況。然 而，即使初縮遮罩清洗得再干凈或防護薄膜組件構成材料的氣體發散特性 再怎么降低，也無法完全防止曝光原版上產生所謂「霧靄(haze)」的霧狀 異物，而成為半導體制造成品率降低的原因。
又，圖案區域擴大到防護薄膜組件框架附近，故對曝光區域的管理標 準也提高。如是，專利文獻3揭示在防護薄膜組件框架上下端面4個角落 實施斜面倒角加工的技術特征。然而，在粘貼防護薄膜組件于曝光原版上 時，公知的防護薄膜組件框架上下端面的斜面倒角尺寸并不適當，而會發 生曝光原版接合用粘著劑超溢出框架整體寬度的不良情況。因此，無法解 決半導體制造成品率降低的問題。日本特開昭58 - 219023號公報 [專利文獻2]美國專利第4861402號說明書 [專利文獻3]日本特開2001 - 92113號公報

發明內容
本發明的目的就是為了解決上述問題點。亦即，本發明所欲解決的問
題為曝光原版接合用粘著劑不會超溢出防護薄膜組件框架整體寬度而能
穩定地設置，藉此提高半導體制造成品率。 [解決問題的技術手段]
上述問題，可由以下(1)所記載的機構解決之。本發明較佳實施態樣 也一并列出。
(1) 一種平板印刷用防護薄膜組件，其在防護薄膜組件框架一端面上 涂布防護薄膜接合劑以鋪設防護薄膜，在另 一端面上涂布曝光原版接合劑，
其特征為在該防護薄膜組件框架的防護薄膜接合面與框架的內側和外側 面所構成的角部上以及曝光原版接合面與框架的內側和外側面所構成的角 部上實施斜面倒角加工，曝光原版接合面的倒角尺寸比C0.35大而在C0.55 以下；
(2) 如(1)所記載的平板印刷用防護薄膜組件，其中，該防護薄膜 組件框架的曝光原版接合面的倒角尺寸，在防護薄膜組件內側為C0.40以上 C0.55以下；
(3) 如(2)所記載的平板印刷用防護薄膜組件，其中，該防護薄膜 組件框架的防護薄膜接合面的倒角尺寸為C0.15以上C0.25以下；
U)如(l) ~ (3)其中任一項記載的平板印刷用防護薄膜組件，其 中，設置在該防護薄膜組件框架的曝光原版接合面上的接合用粘著層表面 經過平坦力口工；
(5)如(1) ~ (4)其中任一項記載的平板印刷用防護薄膜組件，其 中，該防護薄膜組件框架是設有聚合物電沈積膜的鋁合金制防護薄膜組件框架。
又，「防護薄膜接合面」意指「防護薄膜接合劑涂布端面」，「曝光原版 接合面」意指「曝光原版接合(用粘著)劑涂布端面J。 [對照現有技術的效果]
將曝光原版接合面的倒角尺寸設成比C0.35大而在C0.55以下，可確保
曝光原版接合劑的粘貼寬度，并有效防止粘著劑超溢出粘貼寬度。如是，即使曝光原版圖案區域擴大到防護薄膜組件框架附近，也能有效防止曝光 原版上產生異物，進而提高半導體制造成品率。
特別是為了在加壓接合防護薄膜組件時對光罩平坦性不會造成影響的 目的而制作的，就光罩接合劑經過平坦加工的防護薄膜組件而言，比起公 知框架，更具有能在穩定的粘著劑寬度下以高成品率制造產品的效果。


圖1是表示本發明的防護薄膜組件的構造范例的說明圖。
圖2是表示本發明的防護薄膜組件框架1實施例的擴大剖面圖。
附圖標記說明
1防護薄膜
2粘著層
3防護薄膜組件框架 4粘著層 5曝光原版
6氣壓調整孔(通氣口 )
7除塵用過濾器
10防護薄膜組件
d防護薄膜組件框架厚度
h防護薄膜組件框架高度
e斜面角度
C - uu防護薄膜組件框架上部端面外側斜面
C _ ui防護薄膜組件框架上部端面內側斜面
C - du防護薄膜組件框架下部端面外側斜面
C - di防護薄膜組件框架下部端面內側斜面
d -皿防護薄膜組件框架上部端面外側倒角尺寸(mm )
d-ui防護薄膜組件框架上部端面內側倒角尺寸(mm)
d - du防護薄膜組件框架下部端面外側倒角尺寸(mm )
d-di防護薄膜組件框架下部端面內側倒角尺寸(mm)
具體實施方式
本發明是一種平板印刷用防護薄膜組件，其在防護薄膜組件框架一端 面上涂布防護薄膜接合劑以鋪設防護薄膜，并在另 一端面上涂布曝光原版 接合劑，在該防護薄膜組件框架的防護薄膜接合面與框架的內側和外側面 所構成的角部上以及曝光原版接合面與框架的內側和外側面所構成的角部
上實施斜面倒角加工，且曝光原版接合面的倒角尺寸比C0.35大而在C0.55以下。
本發明人發現平板印刷用防護薄膜組件其防護薄膜組件框架的曝光原 版接合面的倒角尺寸在防護薄膜組件內側宜在C0.40以上C0.55以下。防護 薄膜組件框架的曝光原版接合面的倒角尺寸比公知更大，這樣的話，即使 將防護薄膜組件粘貼于曝光原版上，光罩接合劑也不會超溢出框架寬度外。
以下，參照圖面詳細說明本發明。
如圖1所示的，本發明的防護薄膜組件10，其在防護薄膜組件框架3 上端面設置防護薄膜粘貼用接合層2以鋪設防護薄膜1，此時，用來將防護 薄膜組件10粘貼于曝光原版(光罩基板或是初縮遮罩)5上的接合用粘著 層4通常設置于防護薄膜組件框架3下端面，該接合用粘著層4的下端面 粘貼著可剝離的墊片(未經圖示)。又，在防護薄膜組件框架3上設有氣壓 調整孔(通氣口 ) 6，另外亦可設置用來過濾灰塵微粒的除塵用過濾器7。
此時，該等防護薄膜組件構成要件的大小跟通常的防護薄膜組件，例 如半導體平板印刷用防護薄膜組件、大型液晶顯示板制造平板印刷步驟用
防護薄膜組件等一樣，而且，材質也可使用上述公知材質。
就防護薄膜的種類并無特別限制，例如可使用公知準分子雷射用的非 晶質氟聚合物等。非晶質氟聚合物，例如Cytop[旭硝子(股)公司制商品 名]、鐵氟龍(登錄商標)AF (Du Pont公司制商品名)等。用該等聚合物 制作防護薄膜時，可因應需要先將其溶解于溶媒中再使用，例如可將其適
當溶解于氟類溶媒中。
關于本發明所使用的防護薄膜組件框架的基材，可使用以往所使用的 鋁合金基材，而宜使用JIS A7075、 JISA6061、 JIS A5052等規格的基材為 佳，不過只要使用鋁合金基材就能確保所制作的防護薄膜組件框架具有足 夠的強度，故對框架基材并無特別限制。防護薄膜組件框架表面，在設置 聚合物覆膜之前，宜利用噴砂處理或化學研磨使其粗糙化。在本發明中，使該框架表面粗糙化的方法可采用公開公知的方法。鋁合金基材宜利用不
銹鋼、金鋼砂、玻璃細珠等對表面進行噴砂處理，且可利用NaOH等物質 進行化學研磨，使表面粗糙化。
圖2是防護薄膜組件框架一實施例的擴大剖面圖。防護薄膜組件框架 的剖面，其高度為h，厚度為d,呈接近矩形的形狀，其防護薄膜接合面， 亦即上部端面，設有接合防護薄膜1用的粘著層2。防護薄膜組件框架3的 曝光原版接合面，亦即下部端面，設有接合曝光原版5用的粘著層4。又， 在本發明中，「接合用的粘著劑」亦單稱「接合劑J。
在防護薄膜組件框架的內外側面的上部端面以及下部端面4個角部實 施倒角加工。又，在防護薄膜組件框架上部端面內側C-ui、上部端面外側 C - uu、下部端面內側C _ di以及下部端面外側C - du 4個斜面中，其倒角 水平距離分別為d-ui、 d —uu、 d-di以及d-du (單位mm)。
無論哪一個倒角加工，都是符合JIS規格的「C狀」倒角加工，其斜面 角度e為45°。惟斜面角度e亦可在30°~60°的范圍內變化，宜為40°~50°，
特別宜為c狀加工。
本發明在防護薄膜組件框架下部端面的爆光原版接合面的斜面，亦即 防護薄膜組件框架內側的C - di面，其倒角尺寸d - di宜在C0.40以上C0.55以下。
防護薄膜接合面的倒角尺寸(d-uu、 d-ui)宜在C0.1 C0.3之間， 更宜在CO. 15 ~ C0.25之間。
扣掉該等斜面的水平長度，曝光原版接合用粘著劑的粘貼寬度只要在
lmm以上便能確保必要的接合力。
由于近年來圖案區域越來越接近防護薄膜組件框架，粘著劑若設置超 出到框架內側，超溢的粘著劑會被曝光光線分解而在曝光原版上產生稱為 霧靄的異物。若擴大C-di面的斜面倒角尺寸范圍，使其超過C0.35而在 C0.6以下，便能解決超溢的粘著劑所造成的問題，防止半導體制造成品率 降低。
本發明的防護薄膜組件，特別是為了在加壓接合防護薄膜組件時不會 對光罩平坦性造成影響的目的而制作的，其光罩接合用粘著劑的接合面經 過平坦加工，適用于具備防護薄膜組件框架的防護薄膜組件，防止粘著劑
8溢出的效果顯著。
為了對光罩接合用粘著劑的接合面進行平坦加工，可使用專用的接合
劑壓平定型裝置。
接合劑壓平定型裝置，是受程式控制的單軸驅動裝置，其用來對光罩 接合劑實施平坦加工的上部加壓平板可在維持平行的狀態下升降。具體而 言是在加壓平板的四個角落設置像直線套筒那樣的引導構件以防止平板升
降時傾斜。
又，對粘著劑進行平坦加工的加壓平板其高度方向到達點的誤差宜控
制在20 40iim。再者加壓平板的移動速度宜為1 50mm/秒，可在靠近工 作物時改變速度，以低速進行加壓動作，進而提高加工的精確度。
在本發明中，防護薄膜組件框架宜披覆一層聚合物覆膜，更宜披覆一 層聚合物的電沈積膜。又，防護薄膜組件框架宜為鋁合金制防護薄膜組件 框架，特別宜為設有聚合物電沈積膜的鋁合金制防護薄膜組件框架。
防護薄膜組件框架表面的聚合物覆膜(聚合物涂布層)可用各種方法 形成， 一般可使用噴涂、靜電涂裝、電沈積等方法。本發明宜利用電沈積 法形成聚合物覆膜。
就電沈積而言，可使用熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂。又，對其 使用陰離子電沈積或陽離子電沈積均無不可。本發明為求耐紫外線特性， 從涂布穩定性、外觀、強度等觀點考量，宜使用熱硬化型樹脂的陰離子電 沈積法。
聚合物覆膜表面為了抑制反射，宜實施去光澤處理。又，為了抑制聚 合物覆膜釋放有機性氣體，電沈積的聚合物覆膜宜形成最適當的膜厚，且 電沈積后的燒成條件宜設定成比公知溫度更高且比公知時間更長。
與公知以陽極氧化法所制得的氧皮鋁覆膜不同，使用聚合物覆膜便不 會含有硫酸離子、硝酸離子、有機酸，自然也不會有該等物質發散的情況 發生。聚合物覆膜的涂布，即使在原材料或步驟中完全不使用硫酸、硝酸、 有機酸等物質也能實施，為了解決公知問題，也有必要減少硫酸離子、硝 酸離子、有機酸的含量，且這樣做也能簡化洗凈步驟等處理程序。
電沈積(electrodeposition)的^支術，是本領域4支術人員的^^知^支術。可參 照例如(1)為廣重雄著，「電沈積」(日刊工業新聞社，1969年刊)、(2)高分子大辭典(丸善，平成6年發行)「涂裝、電鍍」項目以及其引用文獻。 電沈積，是分散于水中的樹脂粒子的離子被相反符號的電極物質吸引而析 出于表面，然后逐漸沈積成聚合物覆膜的過程。
在本發明中，電沈積宜使用以被涂物為陽極的陰離子型電沈積法，蓋 其比起以被涂物為陰極的陽離子型電沈積法而言，其氣體產生量較少，且 涂裝膜上產生細孔等不良情況的可能性較小。
在本發明的防護薄膜組件中，形成于防護薄膜組件框架上的聚合物覆 膜有環氧樹脂、丙烯酸樹脂、胺基丙烯酸樹脂、聚酯樹脂等多種選擇，惟 比起熱可塑性樹脂而言，使用熱硬化性樹脂制作聚合物覆膜會比較好。熱 硬化性樹脂主要為丙烯酸類樹脂。以電沈積法形成熱硬化性涂膜后，可對 涂膜加熱使其硬化。
又，宜使用以黑色顏料著色的去光澤涂料，將聚合物覆膜制作成黑色 去光澤電沈積膜。
在實施電沈積之前，宜在鋁合金制框架上實施噴砂處理使表面粗糙化， 并用堿溶液對表面進行蝕刻。
電沈積所形成的聚合物覆膜厚度宜在5 ~ 30fim之間，在5 ~ 20pm之間更好。
為了該等目的而使用的涂裝裝置或電沈積用涂料，若干日本公司有市 售產品，直接購買使用即可。例如，Shimizu (股)公司便有販售商品名為 Elecoat的電沈積涂泮+。 「 Elecoat Frosty W-2」或「 Elecoat St Satiner」是去光 澤類型的熱硬化型陰離子型電沈積涂料，本發明宜使用之。
當聚合物覆膜為黑色去光澤電沈積膜時，其放射率宜在0.80-0.99之 間。在此，「放射率」是指以黑體(吸收入射其表面的所有光，不反射也不 透過的理想物體)為基準求出全部放射能量P與物體放射能量P1的比率， 亦即Pl / P，吾人可使用Japan Sensor(股)公司制作的放射測量器TSS - 5X 來測量數値。
實施例
(實施例1)
以下利用實施例具體說明本發明。又，在實施例以及比較例中「曝光 原版」以「光罩」為例，惟對初縮遮罩亦同樣適用，自不待言。準備外部尺寸149mmxl22mmx5.8mm、厚度2mm、實施過黑色氧皮鋁 處理的框架作為防護薄膜組件框架。又，該框架的光罩接合劑涂布端面的 斜面倒角尺寸為C0.40,防護薄膜接合面的斜面倒角尺寸為C0.20。
依照公知防護薄膜組件制造步驟，在徹底洗凈框架之后，涂布光罩接 合劑并靜置60分，然后以專用的接合劑壓平定型裝置對光罩接合劑進行平 坦定型加工。接合劑壓平定型裝置是受程式控制的單軸驅動裝置，加壓平 板到達點誤差控制在30(im內。
在本實施例中，利用該裝置對100個防護薄膜組件進行光罩接合劑平 坦定型加工，接合劑超溢出框架寬度的1個也沒有。
在防護薄膜組件制作完成之后將其粘貼于光罩基板上，確認光罩接合 劑未超溢出框架，粘貼情況良好。 (實施例2)
準備外部尺寸149mmxl22mmx5.8mm、厚度2mm、實施過黑色氧皮鋁 處理的框架作為防護薄膜組件框架。又，該框架的光罩接合面的斜面倒角 尺寸為C0.45，其他端面的斜面倒角尺寸為C0.20。
依照公知防護薄膜組件制造步驟，在徹底洗凈框架之后，涂布光罩接 合劑并靜置60分，然后以專用的接合劑壓平定型裝置對光罩接合劑進行平 坦定型加工。接合劑壓平定型裝置是受程式控制的單軸驅動裝置，加壓平 板到達點誤差控制在30pm內。
在本實施例中，利用該裝置對100個防護薄膜組件進行光罩接合劑平 坦定型加工，接合劑超溢出框架寬度的1個也沒有。
在防護薄膜組件制作完成之后將其粘貼于光罩基板上，確認光罩接合
劑未超溢出框架，粘貼情況良好。 (實施例3)
準備外部尺寸149mmxl22mmx5.8mm、厚度2mm、實施過黑色氧皮鋁 處理的框架作為防護薄膜組件框架。又，該框架的光罩接合面內側斜面的 斜面倒角尺寸為C0.50，其他3個斜面的斜面倒角尺寸為C0.20。
依照公知防護薄膜組件制造步驟，在徹底洗凈框架之后，涂布光罩接 合劑并靜置60分，然后以專用的接合劑壓平定型裝置對光罩接合劑進行平 坦定型加工。接合劑壓平定型裝置是受程式控制的單軸驅動裝置，加壓平
ii板到達點誤差控制在30pm內。
在本實施例中，利用該裝置對100個防護薄膜組件進行光罩接合劑平 坦定型加工，接合劑超溢出框架寬度的1個也沒有。
在防護薄膜組件制作完成之后將其粘貼于光罩基板上，確認光罩接合 劑未超溢出框架，粘貼情況良好。 (比較例1)
準備外部尺寸149mmxl22mmx5.8mm、厚度2mm、實施過黑色氧皮鋁 處理的框架作為防護薄膜組件框架。又，該框架的光罩接合面的內側斜面 的斜面倒角尺寸為C0.27，其他斜面的斜面倒角尺寸為C0.20。
依照公知防護薄膜組件制造步驟，在徹底洗凈框架之后，涂布光罩接 合劑并靜置60分，然后以專用的接合劑壓平定型裝置對光罩接合劑進行平 坦定型加工。接合劑壓平定型裝置是受程式控制的單軸驅動裝置，加壓平 板到達點誤差控制在30(im內。
在本比較例中利用該裝置對100個防護薄膜組件進行光罩接合劑平坦 定型加工，其中7個防護薄膜組件發生光罩接合劑超溢出框架寬度的不良 情況。確認裝置作動歷程，發現在該7個平坦定型加工中機械裝置加壓超 過設定値20 ~ 30|im。 (比4交例2)
準備外部尺寸149mmxl22mmx5.8mm、厚度2mm、實施過黑色氧皮鋁 處理的框架作為防護薄膜組件框架。又，該框架的光罩接合劑涂布端面的 斜面倒角尺寸為C0.60,其他端面的斜面倒角尺寸為C0.20。
依照公知防護薄膜組件制造步驟，在徹底洗凈框架之后，涂布光罩接 合劑并靜置60分，然后以專用的接合劑壓平定型裝置對光罩接合劑進行平 坦定型加工。接合劑壓平定型裝置是受程式控制的單軸驅動裝置，加壓平 板到達點誤差控制在30(im內。
在本比較例中，利用該裝置對100個防護薄膜組件進行光罩接合劑平 坦定型加工，接合劑超溢出框架寬度的1個也沒有。
在防護薄膜組件制作完成之后將其粘貼于光罩基板上，確認光罩接合
劑未超溢出框架，粘貼情況良好。然而因為相對框架寬度2mm確保斜面倒 角尺寸為C0.60，故粘著劑的粘貼寬度在l.Omm以下，其結果比較不理想。
權利要求
1、一種平板印刷用防護薄膜組件，其在防護薄膜組件框架一端面上涂布防護薄膜接合劑以鋪設防護薄膜，在另一端面上涂布曝光原版接合劑，其特征為在該防護薄膜組件框架的防護薄膜接合面與框架的內側和外側面所構成的角部上以及曝光原版接合面與框架的內側和外側面所構成的角部上實施斜面倒角加工，該防護薄膜組件框架的曝光原版接合面的倒角尺寸大于C0.35而在C0.55以下。
2、 如權利要求1所述的平板印刷用防護薄膜組件，其中， 該防護薄膜組件框架的曝光原版接合面的倒角尺寸，在防護薄膜組件內側為C0.40以上C0.55以下。
3、 如權利要求2所述的平板印刷用防護薄膜組件，其中， 該防護薄膜組件框架的防護薄膜接合面的倒角尺寸為C0.15以上C0.25以下。
4、 如權利要求1至3項中任一項所述的平板印刷用防護薄膜組件，其中，設置在該防護薄膜組件框架的曝光原版接合面上的接合用粘著層的表 面經過平坦加工。
5、 如權利要求1至3項中所述的平板印刷用防護薄膜組件，其中，該防護薄膜組件框架為設有聚合物電沈積膜的鋁合金制防護薄膜組件框架。
全文摘要
本發明的目的在于提供一種平板印刷用防護薄膜組件，其曝光原版接合用粘著劑不會超溢出防護薄膜組件框架整體寬度而能穩定設置，藉此提高半導體制造成品率。為達成上述目的，本發明的平板印刷用防護薄膜組件，其在防護薄膜組件框架一端面涂布防護薄膜接合劑以鋪設防護薄膜，在另一端面涂布曝光原版接合用粘著劑，其特征為在該防護薄膜組件框架的防護薄膜接合面與框架的內側和外側面所構成的角部以及曝光原版接合面與框架的內側和外側面所構成的角部實施斜面倒角加工，該防護薄膜組件框架的曝光原版接合面的倒角尺寸比C0.35大且在C0.55以下。
文檔編號G03F1/64GK101551587SQ20091012992
公開日2009年10月7日 申請日期2009年4月1日 優先權日2008年4月1日
發明者濱田裕一 申請人:信越化學工業株式會社