專利名稱：旋轉(zhuǎn)標(biāo)記及利用其監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝，特別是涉及一種光刻工藝中的旋轉(zhuǎn)標(biāo) 記及利用其檢測光刻質(zhì)量的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路的光刻工藝包括氣相成底膜、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、對準(zhǔn)和曝光、曝光 后烘焙、顯影、堅(jiān)膜烘焙、顯影檢查等基本步驟。在對準(zhǔn)和曝光步驟中需要使用投影掩膜版 (reticle) 0投影掩膜版是一種透明的石英平板，它上面有要轉(zhuǎn)印到硅片上光刻膠層的圖 形。投影掩膜版只包括硅片上一部分圖形，這個圖形必須通過分步重復(fù)來覆蓋整個硅片。與 之相區(qū)別的是光掩膜版(photomask)或掩膜版(mask)，光掩膜版或掩膜版包含了整個硅片 的芯片陣列并且通過單一曝光轉(zhuǎn)印圖形。目前光刻工藝中使用投影掩膜版是主流，由于投影掩膜版每次只能曝光硅片的一 部分，因此需要多次曝光才能覆蓋整個硅片，每兩次曝光之間需要移動硅片和/或投影掩 膜版，這就對相鄰曝光區(qū)域之間的緊密銜接提出了較高要求。目前在第一層光刻(即硅襯 底上的首次光刻)時使用旋轉(zhuǎn)標(biāo)記來監(jiān)測光刻質(zhì)量，主要是監(jiān)測相鄰曝光區(qū)域之間是否發(fā) 生相對旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)標(biāo)記存在于投影掩膜版上，在曝光時其圖形轉(zhuǎn)印到每個曝光單元。一塊硅片(wafer) 1上包括多個曝光單元(shot) 2，每個曝光單元表示投影掩膜版 每次曝光的區(qū)域，如圖1所示。大多數(shù)情況下，曝光單元2的四周邊界具有方環(huán)形切割道 (Scribe Line) 21，方環(huán)形切割道21四條邊的正中間都具有旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形22或23，如圖 2所示。通常一塊投影掩膜版上具有四個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記，分別在正方形投影掩膜版四條邊的正 中間。這四個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記分為上下一對和左右一對，每對旋轉(zhuǎn)標(biāo)記中包括兩種樣式。采用該 投影掩膜版曝光后，在每個正方形曝光單元2的方環(huán)形切割道21的正中間就各出現(xiàn)一個旋 轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形。這四個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形也因此分為上下一對和左右一對，每對旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的 圖形包括兩種樣式22或23。上下相鄰的兩個曝光單元2具有一對上下相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的 圖形22和23，左右相鄰的兩個曝光單元2具有一對左右相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形22和23， 如圖3所示?，F(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記3如圖4所示，是在不透明的投影掩膜版上的多道寬度相等(設(shè) 為a)的長條形透明區(qū)31，每兩道透明區(qū)31之間為寬度相等(設(shè)為b)的不透明區(qū)32，a+b 稱為旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的節(jié)距。兩種樣式的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記3具有相同的a取值，但不同的b取值。兩種 樣式的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記3曝光后就形成兩種樣式的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形22和23。旋轉(zhuǎn)標(biāo)記3緊靠著 投影掩膜版的一條邊界，曝光后該旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形22或23必然緊靠著曝光單元2的一條 邊界。該旋轉(zhuǎn)標(biāo)記3以順時針或逆時針方向旋轉(zhuǎn)90度、180度或270度均可。一對上下相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形22和23如圖5所示。對于方環(huán)形切割道的曝光 單元而言，這兩個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形顯然分別屬于上下相鄰的兩個曝光單元。旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖 形22、23中包括多道寬度相等(設(shè)為a’ )的曝光區(qū)221、231，這是投影掩膜版上旋轉(zhuǎn)標(biāo)記3的透明區(qū)31曝光后形成的。旋轉(zhuǎn)標(biāo)記3的不透明區(qū)32對應(yīng)于旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形22、23的 未曝光區(qū)222、232，每兩道曝光區(qū)221(或231)之間的未曝光區(qū)222 (或232)具有相同的寬 度(設(shè)為b’)，a’ +b’稱為旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形的節(jié)距。與旋轉(zhuǎn)標(biāo)記3的兩種樣式相對應(yīng)，旋轉(zhuǎn) 標(biāo)記的圖形22、23的差別就在于具有相同的a’值，但b’取值不同。如果硅片表面覆蓋著 正性光刻膠，則曝光區(qū)221、231為溝槽，未曝光區(qū)222、232為溝槽間隔。如果硅片表面覆蓋 著負(fù)性光刻膠，則未曝光區(qū)222、232為溝槽，曝光區(qū)221、231為溝槽間隔。當(dāng)相鄰的兩個曝光單元沒有發(fā)生相對旋轉(zhuǎn)時，兩個相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記圖形22、23中 間的曝光區(qū)221、231表現(xiàn)為對準(zhǔn)，如圖5所示。當(dāng)相鄰的兩個曝光單元發(fā)生相對旋轉(zhuǎn)時，兩 個相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記圖形22、23中間的曝光區(qū)221、231表現(xiàn)為錯位，而在其他地方的某個曝 光區(qū)221、231表現(xiàn)為對準(zhǔn)。兩個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記圖形22和23的節(jié)距差乘以對準(zhǔn)的曝光區(qū)221、 231與中間的曝光區(qū)221、231之間的曝光區(qū)221、231的數(shù)目即為兩個曝光單元的偏離距離。 這種檢測方法是采用游標(biāo)卡尺的原理，其一般由技術(shù)人員目測，不但精度比較差，而且容易 出現(xiàn)誤判。隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，切割道的寬度不斷變小，某些情況會用到風(fēng)車型切割道。 請參閱圖6，曝光單元4采用風(fēng)車形的切割道41。風(fēng)車形切割道41位于曝光單元4四周邊 界，但不再為方環(huán)狀，而是分為獨(dú)立的四塊，形似風(fēng)車形。四塊切割道41分別位于曝光單元 4的四條邊，每塊切割道41的長度為曝光單元4除去外圍切割道部分之后的一半邊長。風(fēng) 車形切割道41的寬度為20 100 μ m之間。每塊切割道41靠近曝光單元4中心線的部分 具有一個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形42。如圖6所示的多個曝光單元4之間的相鄰拼接如圖7所示。上下相鄰的兩個曝光 單元4之間具有左右相鄰的兩個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形42，左右相鄰的兩個曝光單元4之間具有 上下相鄰的兩個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形42。在采用風(fēng)車形切割道的投影掩膜版中，現(xiàn)有的游標(biāo)卡 尺型旋轉(zhuǎn)標(biāo)記就失去了作用。這是因?yàn)槿绻捎昧藞D4、圖5所示的游標(biāo)卡尺型旋轉(zhuǎn)標(biāo)記， 則具有該旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的投影掩膜版曝光后，當(dāng)兩個相鄰的曝光單元4發(fā)生相對旋轉(zhuǎn)時，一對 相鄰的游標(biāo)卡尺型旋轉(zhuǎn)標(biāo)記表現(xiàn)出的不是錯位，而是相互重疊或分開，從而難以辨別。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種新的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記，該旋轉(zhuǎn)標(biāo)記可用于風(fēng)車形 切割道。為此，本發(fā)明還要提供一種利用所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記監(jiān)測相鄰的曝光單元之間是否發(fā)生 相對旋轉(zhuǎn)的方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記在投影掩膜版的上方、下方、左方、右方各 有一個，所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記是在不透明的投影掩膜版上的多道寬度相等的長條形透明區(qū)，每兩 道透明區(qū)之間具有寬度相等的不透明區(qū)；所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記形成圖形后，與相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記形成的圖形相重合的邊界稱為拼接 邊界；所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記中，最靠近拼接邊界的兩個不透明區(qū)的寬度之和，等于每兩道透明 區(qū)之間的不透明區(qū)的寬度；每道透明區(qū)的長度相等，或者最靠近拼接邊界的透明區(qū)的長度不同于其他透明區(qū)的長度。本發(fā)明利用上述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法包括如下步驟第1步，采用包含旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的投影掩膜版在硅片上進(jìn)行至少兩次曝光，形成上下 相鄰或左右相鄰的至少兩個曝光區(qū)域，每個曝光區(qū)域的上方、下方、左方、右方各有一個旋 轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形；相鄰的兩個曝光區(qū)域之間具有兩個相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形，每個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形 包括多道寬度相等的長條形曝光區(qū)，每兩道曝光區(qū)之間具有寬度相等的未曝光區(qū)；第2步，測量所述曝光區(qū)寬度記為a’，測量每兩道曝光區(qū)之間的未曝光區(qū)的寬度 記為b’，測量最靠近拼接邊界的兩個未曝光區(qū)的寬度之和記為C’ ；第3步，當(dāng)a’ +b’ = a’ +c’，則表示所述兩個相鄰的曝光單元沒有發(fā)生相對旋轉(zhuǎn)；當(dāng)a’ +b，興a’ +C’，則表示所述兩個相鄰的曝光單元發(fā)生相對旋轉(zhuǎn)，且a’ +b，與 a' +c’之間的差值越大表示相對旋轉(zhuǎn)越嚴(yán)重。本發(fā)明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記適用于風(fēng)車形切割道。采用本發(fā)明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記后，風(fēng)車形切割道的 寬度可以減小到50μπι以下，從而可以大幅度減小切割道在硅片上所占的比例。利用本發(fā) 明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記監(jiān)測光刻質(zhì)量的設(shè)備可以采用半導(dǎo)體制造工藝中常用的測量關(guān)鍵尺寸(CD)的 機(jī)臺，所達(dá)到的測量精度可精確到0. lnm。
圖1是硅片與曝光單元的示意圖；圖2是現(xiàn)有的曝光單元方環(huán)形切割道、旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的示意圖；圖3是圖2所示的多個曝光單元相鄰的示意圖；圖4是現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的示意圖；圖5是現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記上下相鄰的示意圖；圖6是現(xiàn)有的曝光單元風(fēng)車形切割道、旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的示意圖；圖7是圖6所示的多個曝光單元相鄰的示意圖；圖8是本發(fā)明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的示意圖；圖9是本發(fā)明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記左右相鄰的示意圖。圖中附圖標(biāo)記說明1為硅片；2為曝光單元；21為方環(huán)形切割道；22、23為旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形；221、231 為曝光區(qū)；222、232為未曝光區(qū)；3為現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記；31為透明區(qū)；32為不透明區(qū)；4為曝 光單元；41為風(fēng)車形切割道；42為旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形；421為光刻膠上的曝光區(qū)；422為未曝 光區(qū)；5為本發(fā)明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記；51為透明區(qū)；52為不透明區(qū)。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記在光刻工藝曝光步驟的投影掩膜版上，通常在一塊投影掩膜版的 上方、下方、左方、右方各有一個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記。當(dāng)投影掩膜版上具有風(fēng)車形切割道，所述風(fēng)車形切割道包括四塊，每塊切割道靠 近投影掩膜版中心線處具有一個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記，如圖6所示。曝光后，上下相鄰的兩個曝光單元 具有左右相鄰的兩個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形，左右相鄰的兩個曝光單元具有上下相鄰的兩個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形，如圖7所示。請參閱圖8，本發(fā)明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記5是在不透明的投影掩膜版上的多道寬度相等(設(shè)為 a)的長條形透明區(qū)51，每兩道透明區(qū)51之間具有寬度相等(設(shè)為b)的不透明區(qū)52，最靠 近拼接邊界的不透明區(qū)52的寬度設(shè)為f。將最靠近拼接邊界的透明區(qū)51的長度設(shè)為e，將其他透明區(qū)51的長度設(shè)為d。e 可以等于d ；但通常將e設(shè)置為不等于b，以方便識別哪個透明區(qū)51最靠近拼接邊界。上述 旋轉(zhuǎn)標(biāo)記5以順時針或逆時針方向旋轉(zhuǎn)90度、180度或270度均可。旋轉(zhuǎn)標(biāo)記5可以具有兩個樣式，其區(qū)別在于一個樣式中最靠近拼接邊界的不透明 區(qū)的寬度設(shè)為fl，另一個樣式中最靠近拼接邊界的不透明區(qū)的寬度設(shè)為f2，fl+f2 = c。每 塊投影掩膜版上方和下方的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記為一對，左方和右方的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記為一對，每對旋轉(zhuǎn)標(biāo) 記中一個為n，一個為f2。例如fl = c/3，f2 = 2c/3。旋轉(zhuǎn)標(biāo)記5也可以僅具有一個樣式，此時設(shè)置fl = f2 = c/2。對3、13、(3、(1、6、€的取值，本發(fā)明僅要求(3=13。更進(jìn)一步地，本發(fā)明給出一個示 M :a = b = c = 2 μ m, d = 10 μ m ;e = 15 μ m, f = 1 μ m。請參閱圖9，這是具有上述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記5的投影掩膜版曝光后形成一個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的 圖形42，兩次曝光形成兩個左右拼接的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形42的示意圖。投影掩膜版上的透明 區(qū)51形成曝光區(qū)421，不透明區(qū)52形成未曝光區(qū)422。曝光區(qū)421的寬度設(shè)為a，，應(yīng)該與 a相同。每兩道曝光區(qū)421之間的未曝光區(qū)422的寬度設(shè)為b’，應(yīng)該與b相同。最靠近拼 接邊界的兩個未曝光區(qū)422的寬度之和設(shè)為為C’，理想情況下應(yīng)該與c相同。最靠近拼接 邊界的曝光區(qū)421的長度設(shè)為e’，應(yīng)該與e相同。其他曝光區(qū)421的長度設(shè)為d’，應(yīng)該與 d相同。最靠近拼接邊界的未曝光區(qū)422的寬度設(shè)為f’，應(yīng)該與f相同。本發(fā)明利用上述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法包括如下步驟第1步，采用包含圖8所示旋轉(zhuǎn)標(biāo)記5的投影掩膜版在硅片上進(jìn)行至少兩次曝光， 形成上下相鄰或左右相鄰的至少兩個曝光區(qū)域，每個曝光區(qū)域中通常包括四個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的 圖形；所述相鄰的曝光區(qū)域4之間具有兩個相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形42，如圖7所示；所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形42為光刻膠上的多道長條形曝光區(qū)421，每兩道曝光區(qū)421 之間具有未曝光區(qū)422，如圖9所示；第2步，測量曝光區(qū)421的寬度記為a’，測量每兩道曝光區(qū)之間的未曝光區(qū)422的 寬度記為b’，測量兩個相鄰的曝光單元中最靠近拼接邊界的兩個未曝光區(qū)422的寬度之和 記為C’ ；這一步中采用的測量設(shè)備為測量關(guān)鍵尺寸的設(shè)備，通常測量精度可精確到 0. Inm ；在理想情況下，相鄰的兩個曝光單元緊密銜接，沒有任何相對旋轉(zhuǎn)，那么C’ = C, b，= b，因此 c，= b，；如果相鄰的兩個曝光單元發(fā)生了任何相對旋轉(zhuǎn)，那么C’興c，b’ = b，因此C’興b’;第3步，當(dāng)a’ +b’ = a’ +c’，則表示所述兩個相鄰的曝光單元之間沒有發(fā)生相對旋 轉(zhuǎn)；當(dāng)a’ +b，= a’ +C’，則表示所述兩個相鄰的曝光單元存在相對旋轉(zhuǎn)，且a’ +b，與a' +c’之間的差值越大表示相對旋轉(zhuǎn)越嚴(yán)重。之所以要采用a’ +b，和a’ +C’進(jìn)行比較，而不是采用b’和C’進(jìn)行比較，是因?yàn)?在利用投影掩膜版多次曝光過程中，a’、b’的取值可能會隨著曝光能量的變化而變化，但節(jié) 距a’ +b’的取值始終固定。因?yàn)樵谛D(zhuǎn)標(biāo)記設(shè)計(jì)時使b = c，所以在理想情況下，曝光后 a，+b，= a+b, a，+c，= a+c,因此的a，+b，取值應(yīng)該與a，+c，的取值相同。上述方法第1步中，如果硅片表面覆蓋著正性光刻膠，則投影掩膜版上的旋轉(zhuǎn)標(biāo) 記5的透明區(qū)51形成為光刻膠上的溝槽421，不透明區(qū)52形成為光刻膠上的溝槽間隔422。 如果硅片表面覆蓋著負(fù)性光刻膠，則投影掩膜版上的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記5的透明區(qū)51形成為光刻膠 上的溝槽間隔421，不透明區(qū)52形成為光刻膠上的溝槽422。采用本發(fā)明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記后，投影掩膜版上的風(fēng)車形切割道的寬度可以縮小到50 μ m 以下，從而減少了切割道占據(jù)投影掩膜版的面積。上述實(shí)施例及其具體取值僅為示意，在不違反本發(fā)明原理、精神及思想的前提下， 對上述實(shí)施例所作的任何變化、改進(jìn)及修飾，均應(yīng)視為在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種旋轉(zhuǎn)標(biāo)記，在投影掩膜版的上方、下方、左方、右方各有一個，其特征是所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記是在不透明的投影掩膜版上的多道寬度相等的長條形透明區(qū)，每兩道透明區(qū)之間具有寬度相等的不透明區(qū)；所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記形成圖形后，與相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記形成的圖形相重合的邊界稱為拼接邊界；所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記中，最靠近拼接邊界的兩個不透明區(qū)的寬度之和，等于每兩道透明區(qū)之間的不透明區(qū)的寬度；每道透明區(qū)的長度相等，或者最靠近拼接邊界的透明區(qū)的長度不同于其他透明區(qū)的長度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記，其特征是每個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記中，最靠近拼接邊界的不 透明區(qū)的寬度，等于每兩道透明區(qū)之間的不透明區(qū)的一半寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記，其特征是最靠近拼接邊界的透明區(qū)的長度大于 其他透明區(qū)的長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記，其特征是 所述透明區(qū)為矩形，寬度均為2 μ m ；每兩道透明區(qū)之間的不透明區(qū)的寬度均為2 μ m ； 最靠近拼接邊界的不透明區(qū)的寬度為Iym;最靠近拼接邊界的透明區(qū)的長度為15μπι，其余透明區(qū)的長度為ΙΟμπι。
5.利用權(quán)利要求1所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法，其特征是，所述方法包括如下 步驟第1步，采用包含旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的投影掩膜版在硅片上進(jìn)行至少兩次曝光，形成上下相鄰 或左右相鄰的至少兩個曝光區(qū)域，每個曝光區(qū)域的上方、下方、左方、右方各有一個旋轉(zhuǎn)標(biāo) 記的圖形；相鄰的兩個曝光區(qū)域之間具有兩個相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形，每個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形包括 多道寬度相等的長條形曝光區(qū)，每兩道曝光區(qū)之間具有寬度相等的未曝光區(qū)；第2步，測量所述曝光區(qū)寬度記為a’，測量每兩道曝光區(qū)之間的未曝光區(qū)的寬度記為 b’，測量最靠近拼接邊界的兩個未曝光區(qū)的寬度之和記為C’ ；第3步，當(dāng)a’ +b’ = a’ +c’，則表示所述兩個相鄰的曝光單元沒有發(fā)生相對旋轉(zhuǎn)； 當(dāng)a’ +b’興a’ +C’，則表示所述兩個相鄰的曝光單元發(fā)生相對旋轉(zhuǎn)，且a’ +b’與a’ +C’ 之間的差值越大表示相對旋轉(zhuǎn)越嚴(yán)重。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的利用旋轉(zhuǎn)標(biāo)記監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法，其特征是，所述方法第1 步中，所述投影掩膜版上具有風(fēng)車形切割道，所述風(fēng)車形切割道包括四塊，每塊切割道靠近 投影掩膜版中心線處具有一個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記；曝光后，上下相鄰的兩個曝光單元具有左右相鄰的兩個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形，左右相鄰的 兩個曝光單元具有上下相鄰的兩個旋轉(zhuǎn)標(biāo)記的圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的利用旋轉(zhuǎn)標(biāo)記監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法，其特征是，所述方法第1 步中，所述投影掩膜版上的風(fēng)車形切割道的寬度在50 μ m以下。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種旋轉(zhuǎn)標(biāo)記，所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記是在不透明的投影掩膜版上的多道寬度相等的長條形透明區(qū)，每兩道透明區(qū)之間具有寬度相等的不透明區(qū)；所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記形成圖形后，與相鄰的旋轉(zhuǎn)標(biāo)記形成的圖形相重合的邊界稱為拼接邊界；所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記中，最靠近拼接邊界的兩個不透明區(qū)的寬度之和，等于每兩道透明區(qū)之間的不透明區(qū)的寬度；每道透明區(qū)的長度相等，或者最靠近拼接邊界的透明區(qū)的長度不同于其他透明區(qū)的長度。本發(fā)明還公開了利用所述旋轉(zhuǎn)標(biāo)記監(jiān)測光刻質(zhì)量的方法。本發(fā)明旋轉(zhuǎn)標(biāo)記適用于風(fēng)車形切割道，風(fēng)車形切割道的寬度可以減小到50μm以下，從而可以大幅度減小切割道在硅片上所占的比例。
文檔編號G03F9/00GK101923295SQ20091005741
公開日2010年12月22日 申請日期2009年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月15日
發(fā)明者闞歡 申請人:上海華虹Nec電子有限公司