專利名稱：：一種pdp選址電極用低銀感光性銀漿料及其制備方法
技術領域：
：本發明涉及一種等離子顯示器使用的電極材料及其制備方法，特別涉及一種用于等離子顯示器選址電極的低銀含量感光性銀漿料及其制備方法。
背景技術：
：彩色等離子顯示器因其大屏幕、高成像質量、高分辨率而受到廣泛的關注。而電極不僅是等離子顯示器的關鍵部件，其成本更是降低顯示屏價格的關鍵所在。目前，應用最為廣泛的是用感光性銀漿料制作PDP電極，其性能良好，但是售價過高，其主要原因是制備電極的主要原料為銀，而且含銀量高達50-80%，銀成本占總成本的80%以上，目前市場上銀價很高，因此制備電極的成本也居高不下。申請號為200810151160.0的玻璃基板用無鉛化銀電極漿料的制備方法中提到，銀粉含量5080%;授權公告號CN1329926C—種無鉛銀電極漿料及其制造方法中，銀導電粉55-80%。為了提高產品競爭力，降低實際生產應用中的成本，所以開發一種低銀含量并且可以滿足市場應用的無鉛光敏銀漿料成為當務之急。
發明內容本發明提供了一種等離子顯示器使用的電極材料及其制備方法，特別是一種用于等離子顯示器選址電極的低銀含量感光性銀漿料及其制備方法。該漿料由于銀含量較低所以降低了生產成本，但其綜合性能仍可滿足工業應用要求，其制備方法簡單。本發明的技術方案如下一種等離子體顯示器選址電極用低銀含量感光性銀漿料，其組份和質量組成為15-30份的超細銀粉1.2,2m;5-20份的納米銀粉50-100nm;1-10份低熔點無鉛玻璃粉；超導體為鐵基化合物新型超導體0.1-5份的Ba。.7K。.3Fe2As2，Ca。.5Li。.5Fe2AS2，NdFe。.5Zn。.5AS0，YFe。.8Mn。.2AS0中的一種或幾種新型導體材料(超導體)，其平均粒徑為1.5iim;光敏性載體由下述成分構成5-17份的丙烯酸共聚物；3-10份的光聚合單體；0.5-5份的光聚合引發劑；5-15份的有機溶劑；0.5-1份的偶聯劑；1-2份的流平劑。低銀含量感光性銀漿料中的所述的超導體為鐵基化合物新型超導體。低銀含量感光性銀漿料中的新型超導體為Ba。.7K。.3Fe2As2，Ca。.5Li。.5Fe2As2，NdFe。.5Zn。.5AsO，YFe。.8Mn。.2AsO中的一種或幾種，其平均粒徑為1.5iim。所述低銀含量光敏銀漿的制備方法包括以下工藝步驟可以直接按上述比例分散混合均勻后進行三輥軋制；或先將1/5-4/5總量比例的低熔點玻璃粉和鐵基化合物新型超導體粉混合均勻，球磨(l-6h)后，烘干備用。將超細銀粉、納米銀粉，光敏性載體和剩余余量的低熔點玻璃粉按上述比例分散混合均勻后，加入球磨好的混合物，進行三輥軋制直至細度小于5iim;其粘度為10-50PaS。本發明有益效果是與現有技術相比，本發明提供的是一種用于等離子顯示器選址電極的低銀含量感光性銀漿料及其制備方法。其特點是漿料中加入了納米銀粉和超導體粉末，彌補了低銀含量漿料導電性能不足的缺點，從而在保證其應用性能的前提下，銀的用量大幅減小，可節約大量的稀貴金屬，降低制作成本，具有巨大的市場應用前景。另外將超導體粉末與低熔點玻璃粉一起球磨達到良好的分散性，從而提高了漿料的導電性能。具體實施例方式超細低熔點無鉛玻璃粉的制備用化學純的原料按組分配比在瑪瑙罐中球磨，混合均勻。將此物料放入高鋁坩鍋，最好在60(TC進料，于120(TC保溫2小時后，迅速將玻璃液倒入冷水中淬火，在恒溫箱中將玻璃渣烘干，用行星球磨機球磨至一定粒徑后烘干備用。將一定比例的低熔點玻璃粉和鐵基化合物新型超導體粉混合均勻，球磨一定時間后，烘干備用。光敏載體的制備按配比稱取高分子共聚物、有機溶劑于容器中，在水浴鍋中9(TC加熱，不斷攪拌，直到樹脂溶解，冷卻后用絲網過濾，然后加入光聚合單體、引發劑、偶聯劑、流平劑等組分，攪拌均勻后進行三輥軋制后備用。光敏性漿料的調制將超細銀粉、納米銀粉，光敏性載體和剩余低熔點玻璃粉按一定比例分散混合均勻后，加入球磨的混合物，進行三輥軋制。測試漿料細度、粘度。實施例1:低銀含量光敏銀漿的制備30份的Ag粉末(球形，堆實密度為4.5g/cm平均粒徑二1.2ym)，10份的納米Ag粉末(平均粒徑=100nm)，2份的超導體粉末(YFe。.8Mn。.2AsO，平均粒徑=2ym)，8份的低熔點無鉛玻璃粉(平均粒徑=1.5iim，Dmax=3.0iim，無定形，Bi203Si02-B203-aO_Zr02)，12份的丙烯酸共聚物(聚BMACo-HEMA-CO-MAA，分子量25000g/mol)，3份的光引發劑(1-對嗎啉苯基-2-二甲氨基-2-芐基-1-丁酮)，8份的光敏單體(雙季戊四醇五丙烯酸酯)、25份的溶劑(三甲基戊二醇異丁酸酯)，l份偶聯劑(Y-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷)，l份的流平劑(BYK-354)混合并在攪拌器中攪拌，然后用三輥軋制機制備光敏銀漿料，以上比例均以重量計。實施例2:低銀含量光敏銀漿的制備20份的Ag粉末(球形，堆實密度為4.5g/cm平均粒徑二1.2ym)，18份的納米Ag粉末(平均粒徑=100nm)，3份的超導體粉末(YFe。.sMn。.2AsO，平均粒徑二2ym)，9份的低熔點無鉛玻璃粉(平均粒徑=1.5iim，D隨=3.0iim，無定形，Bi203-Si02-B203-BaO_Zr02)，12份的丙烯酸共聚物(聚BMACo-HEMA-CO-MAA，分子量25000g/mol)，3份的光引發劑(1_對嗎啉苯基-2-二甲氨基-2-芐基-1-丁酮)，8份的光敏單體(雙季戊四醇五丙烯酸酯)、25份的溶劑(三甲基戊二醇異丁酸酯)，l份偶聯劑(Y-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷)，l份的流平劑(BYK-354)混合并在攪拌器中攪拌，然后用三輥軋制機制備光敏銀漿料，以上比例均以重量計。低熔點無鉛玻璃粉均為Bi203-Si02-B203-BaO-ZnO-Zr02系無鉛玻璃粉，其軟化點為400士20。C，粒徑為0.8-3.Oilm。實施例3:低銀含量光敏銀漿的制備。25份的Ag粉末(球形，堆實密度為4.5g/cm3，平均粒徑=1.2ym)，18份的納米Ag粉末(平均粒徑=lOOnm)，1份的超導體粉末(8~71(。.^6^82，平均粒徑=2ym)，6份的低熔點無鉛玻璃粉(平均粒徑=1.5iim，Dmax=3.0iim，無定形，Bi203-Si02-B203-BaO_Zr02系)，12份的丙烯酸共聚物(聚BMACo-HEMA-CO-MAA，分子量25000g/mol)，3份的光引發劑(1-對嗎啉苯基-2-二甲氨基-2-芐基-1-丁酮)，8份的光敏單體(雙季戊四醇五丙烯酸酯)、25份的溶劑(三甲基戊二醇異丁酸酯)，l份偶聯劑(Y-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷)，l份的流平劑(BYK-354)混合并在攪拌器中攪拌，然后用三輥軋制機制備光敏銀漿料，以上比例均以重量計。實施例4:低銀含量光敏銀漿的制備15份的Ag粉末(球形，堆實密度為4.5g/cm平均粒徑二1.2ym)，20份的納米Ag粉末(平均粒徑=100nm)，5份的超導體粉末(NdFe。.5Zn。.sAsO，平均粒徑二2ym)，IO份的低熔點無鉛玻璃粉(平均粒徑=1.2iim，Dmax=3.0iim，無定形，Bi203-Si02-B203-BaO_Zr02)，12份的丙烯酸共聚物(聚BMACo-HEMA-CO-MAA,分子量25000g/mol)，3份的光引發劑(1-對嗎啉苯基_2-二甲氨基-2-芐基-1-丁酮)，8份的光敏單體(雙季戊四醇五丙烯酸酯)、25份的溶劑(三甲基戊二醇異丁酸酯)，l份偶聯劑(Y-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷)，l份的流平劑(BYK-354)混合并在攪拌器中攪拌，然后用三輥軋制機制備光敏銀漿料，以上比例均以重量計。性能測試在以下操作條件中利用實施例1，2，3，4中所制備的光敏銀漿制備PDP電極，并評估它們的特性。i)利用絲網印刷方法在20cmX20cm的玻璃基底上印刷；ii)在IO(TC的干燥爐中干燥15分鐘；iii)利用有高壓汞燈的UV曝光裝置曝光，能量為400mJ/cm2iv)在1.0kgf/cm2的噴嘴壓力下噴霧濃度為0.3%的Na2C03水溶液來顯影；v)利用燒結爐在56(TC下保溫15分鐘vi)用電阻測試儀測電極的電阻vii)掃描電子顯微鏡(SEM)通過觀察燃燒薄膜的截面評估巻邊；viii)在燃燒薄膜上印刷、干燥以及燃燒介電物質以形成介電薄膜；ix)利用耐壓表測量耐壓性。結果在表1中示出表1<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>邊緣巻曲率(％)=(邊緣高度一燒結后膜厚)/燒結后膜厚)X100從上表可以看出，本發明所提供的低銀含量光敏銀漿料，燒結時僅有微小的巻曲現象，同時漿料所制備電極的導電性、附著力和耐壓性能均可很好的滿足等離子顯示器電極的要求。本發明提供了一種等離子顯示器使用的電極材料及其制備方法，特別是一種用于等離子顯示器選址電極的低銀含量感光性銀漿料及其制備方法。該漿料由于銀含量顯著降低所以降低了制作成本，但其綜合性能仍可滿足工業應用要求，其制備方法簡單，具有巨大的市場應用前景。技術指標從細度、導電性以及能完成銀電極的性能指標上均達到批量生產的水平。權利要求一種PDP選址電極用低銀感光性銀漿料，其特征在于，其組份和質量含量為15-30份的超細銀粉；5-20份的納米銀粉；1-10份低熔點無鉛玻璃粉；0.1-5份的超導體材料；5-17份的丙烯酸共聚物；3-10份的光聚合單體；0.5-5份的光聚合引發劑；5-15份的有機溶劑；0.5-1份的偶聯劑；1-2份的流平劑。2.根據權利要求1所述的低銀含量感光性銀漿料，其特征在于，所述超導體材料為鐵基化合物超導體Ba07K03Fe2As2、Ca0.5Li0.5Fe2As2、NdFe0.5Zn0.5AsO或YFe0.8Mn0.2AsO中的一禾中或幾禾中，其平均粒徑為1.5iim。3.根據權利要求1或2所述的PDP選址電極用低銀感光性銀漿料，其特征在于超細銀粉為球形，堆實密度為4.5g/cm3，平均粒徑1.2m.。4.根據權利要求1或2所述的PDP選址電極用低銀感光性銀漿料，其特征在于光敏性載體由下述成分構成5-17份的丙烯酸共聚物；3-10份的光聚合單體；0.5_5份的光聚合引發劑；5-15份的有機溶劑；0.5-1份的偶聯劑；1-2份的流平劑。5.PDP選址電極用低銀感光性銀漿料的制備方法，其特征在于以下工藝步驟按上述比例分散混合均勻后進行三輥軋制細度小于5m;或先將總量1/5至4/5的低熔點無鉛玻璃粉和鐵基化合物新型超導體粉混合均勻，球磨l-6h后，烘干球磨混合物；然后將超細銀粉、納米銀粉、光敏性載體和剩余低熔點無鉛玻璃粉按比例分散混合均勻后，加入球磨混合物，進行三輥軋制直至細度小于5m;其粘度為10-50PaS;其中低熔點無鉛玻璃粉的制備如下用化學純的原料按組分配比在瑪瑙罐中球磨，混合均勻；將所述低熔點無鉛玻璃粉放入高鋁坩鍋，加溫至120(TC保溫2小時后，迅速將玻璃液倒入冷水中淬火，在恒溫箱中將玻璃渣烘干，用行星球磨機球磨至一定粒徑后烘干備用。全文摘要一種PDP選址電極用低銀感光性銀漿料，其組分和質量含量為15-30份的超細銀粉；5-20份的納米銀粉；1-10份低熔點無鉛玻璃粉；0.1-5份的超導體材料；5-17份的丙烯酸共聚物；3-10份的光聚合單體；0.5-5份的光聚合引發劑；5-15份的有機溶劑；0.5-1份的偶聯劑；1-2份的流平劑。所述超導體材料為鐵基化合物超導體Ba0.7K0.3Fe2As2、Ca0.5Li0.5Fe2As2、NdFe0.5Zn0.5AsO或YFe0.8Mn0.2AsO中的一種或幾種，其平均粒徑為1.5μm。本發明在漿料中加入了納米銀粉和超導體粉末，彌補了低銀含量漿料導電性能不足的缺點，從而在保證其應用性能的前提下，銀的用量大幅減小，可節約大量的稀貴金屬，降低制作成本。文檔編號G03F7/075GK101697337SQ20091003534公開日2010年4月21日申請日期2009年9月25日優先權日2009年9月25日發明者萬劍,徐建立,林保平,王玲申請人:南京金視顯科技有限公司;