專利名稱：薄膜構圖方法及制造液晶顯示裝置的方法
技術領域：
本發明涉及薄膜構圖方法及制造液晶顯示裝置的方法，特別涉及用一個掩模板形
成具有兩個不同圖案的復合層結構的薄膜構圖方法以及采用該薄膜構圖方法的制造液晶 顯示裝置的方法。
背景技術：
微電子技術是隨著集成電路，尤其是超大型規模集成電路而發展起來的一門新的 技術。微電子技術包括系統電路設計、薄膜構圖方法、材料制備、自動測試以及封裝、組裝等 一系列專門的技術。隨著微電子技術的發展，其應用領域逐步擴大到其他一些精密設備的 制造過程，如液晶顯示裝置等。 —般來講，在微電子技術中，通過濺射(sputtering)方法、化學氣相沉積 (Chemical V即or D印osition，簡稱為CVD)法或者涂布(coating)方法形成薄膜，通過光 刻(photolithogr即h)法在上述的薄膜上形成圖案，并且通過重復上述兩個步驟形成由多 層薄膜構成的電子部件。 普通的光刻法包括在一個薄膜上形成光刻膠(photoresist,簡稱為PR);通過掩 模板(mask)曝光和顯影所述光刻膠，并在光刻膠上形成圖案；根據所述光刻膠的圖案蝕刻 薄膜，并在所述薄膜上形成圖案。 但是，在所述光刻工藝中所使用的掩模板的價格比較高，因此在制作電子部件時 對制造成本的影響也比較大。為了降低制造成本，出現了采一個掩模板在2層薄膜上同時 形成圖案的薄膜構圖方法，如采用雙調掩模板(dualtone mask)的薄膜構圖方法和采用剝 離(lift off)工藝的薄膜構圖方法。 采用雙調掩模板的薄膜構圖方法包括依次沉積第一薄膜和第二薄膜；涂布光刻 膠，并采用雙調掩模板進行曝光和顯影；蝕刻薄膜；對光刻膠進行灰化(ashing);再次蝕刻 薄膜；去除(strip)光刻膠。 采用剝離工藝的薄膜構圖方法包括沉積第一薄膜；涂布光刻膠，并采用掩模板 進行曝光；蝕刻薄膜；沉積第二薄膜；采用剝離工藝去除光刻膠時，將位于光刻膠上的第二 薄膜同時去掉。 其中，采用雙調掩模板的薄膜構圖方法，不能形成僅有第二薄膜的區域。 其中，采用剝離工藝的薄膜構圖方法，不能形成第一薄膜和第二薄膜重疊的區域，
并且也不能形成第一薄膜和第二薄膜被去除的區域。
發明內容
本發明的目的是提供一種薄膜構圖方法，通過一個掩模板同時構圖2個薄膜，采 用雙調掩模板、剝離工藝和過刻，能夠形成兩個薄膜重疊的區域、僅有一個薄膜的區域以及 兩個薄膜都被去除的區域。 為實現上述目的，本發明提供了一種薄膜構圖方法，包括
步驟l，在基板上沉積第一薄膜，并涂布光刻膠； 步驟2，采用雙調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影后，形成第一區域、第二區 域和第三區域，所述第一區域的光刻膠比所述第二區域的光刻膠厚，所述第三區域沒有光 刻膠； 步驟3，對所述第一薄膜進行過刻，在所述第三區域去除所述第一薄膜，并且在所 述第一區域的周邊形成過刻區域； 步驟4，對光刻膠進行灰化，露出位于所述第二區域的所述第一薄膜； 步驟5，沉積第二薄膜，在所述第二區域所述第一薄膜與所述第二薄膜接觸； 步驟6，剝離光刻膠，去除位于所述第一區域的第二薄膜，并且在所述第一區域的
過刻區域露出所述基板。 其中，在所述步驟3中，與所述第二區域相鄰的所述第一區域的周邊區域形成由 所述第一薄膜構成的圖案。 其中，在所述步驟3中，與所述第三區域相鄰的所述第一區域的周邊區域露出所 述基板。 其中，在所述步驟3中，通過濕蝕刻法，對所述第一薄膜進行過刻。
其中，在所述步驟3中，通過所述過刻，使所述第一薄膜具有3iim以上偏差。
為實現上述目的，本發明還提供了一種制造液晶顯示裝置的方法，包括
步驟l，在基板上沉積公共電極透明導電層，并涂布光刻膠； 步驟2，采用雙調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影后，形成第一區域、第二區 域和第三區域，所述第一區域的光刻膠比所述第二區域的光刻膠厚，所述第三區域沒有光 刻膠； 步驟3，對所述公共電極透明導電層進行過刻，在所述第三區域去除所述公共電極 透明導電層，并且在所述第一區域的周邊形成過刻區域； 步驟4，對光刻膠進行灰化，露出位于所述第二區域的所述公共電極透明導電層；
步驟5，沉積柵金屬層，在所述第二區域所述公共電極透明導電層與所述柵金屬層 接觸； 步驟6，剝離光刻膠，去除位于所述第一區域的柵金屬層，并且在所述第一區域的 過刻區域露出所述基板，從而形成了柵線、公共線以及與所述公共線接觸的公共電極；
步驟7，經過步驟6的基板上形成包括源/漏電極金屬層的薄膜晶體管；
步驟8，經過步驟7的基板上形成像素電極。
為實現上述目的，本發明還提供了一種制造液晶顯示裝置的方法，包括
步驟1 ，在基板上形成柵線； 步驟2，在經過步驟1的基板上沉積源/漏電極金屬層，并涂布光刻膠； 步驟3，采用雙調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影后，形成第一區域、第二區
域和第三區域，所述第一區域的光刻膠比所述第二區域的光刻膠厚，所述第三區域沒有光
刻膠； 步驟4，對所述源/漏電極金屬層進行過刻，在所述第三區域去除所述源/漏電極 金屬層，并且在所述第一區域的周邊形成過刻區域； 步驟5，對光刻膠進行灰化，露出位于所述第二區域的所述源/漏電極金屬層；
5
步驟6，沉積像素電極透明導電層，在所述第二區域所述源/漏電極金屬層與所述 像素電極透明導電層接觸； 步驟7，剝離光刻膠，去除位于所述第一區域的像素電極透明導電層，并且在所述
第一區域的過刻區域露出所述基板，從而形成了薄膜晶體管和像素電極； 步驟8，經過步驟7的基板上形成薄膜晶體管溝道和公共電極。 為實現上述目的，本發明還提供了一種制造液晶顯示裝置的方法，包括 步驟1 ，在基板上形成柵線； 步驟2，在經過步驟1的基板上沉積源/漏電極金屬層，并涂布光刻膠； 步驟3，采用雙調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影后，形成第一區域、第二區
域和第三區域，所述第一區域的光刻膠比所述第二區域的光刻膠厚，所述第三區域沒有光
刻膠； 步驟4，對所述源/漏電極金屬層進行過刻，在所述第三區域去除所述源/漏電極 金屬層，并且在所述第一區域的周邊形成過刻區域； 步驟5，對光刻膠進行灰化，露出位于所述第二區域的所述源/漏電極金屬層；
步驟6，沉積像素電極透明導電層，在所述第二區域所述源/漏電極金屬層與所述 像素電極透明導電層接觸； 步驟7，剝離光刻膠，去除位于所述第一區域的像素電極透明導電層，并且在所述
第一區域的過刻區域露出所述基板，從而形成了薄膜晶體管和像素電極； 步驟8，經過步驟7的基板上形成薄膜晶體管溝道。 本發明的薄膜構圖方法，通過過刻在第一區域的中心區域形成由第一薄膜構成的 圖案，通過剝離工藝在第三區域的中心區域形成由第二薄膜構成的圖案，并且在第二區域 形成由第一薄膜和第二薄膜構成的圖案，從而實現了具有兩個不同圖案的復合層結構。
下面通過附圖和實施例，對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。
圖1為本發明第一
圖2a為本發明第-圖2b為本發明第-圖2c為本發明第-圖2d為本發明第-圖3a為本發明第二圖3b為本發明第二圖3c為本發明第二圖3d為本發明第二圖3e為本發明第二圖3f為本發明第二圖3g為本發明第二圖3h為本發明第二圖3i為本發明第二
-實施例 -實施例 -實施例 -實施例
:實施例 :實施例 :實施例中 :實施例中 :實施例中 :實施例中 :實施例中 :實施例中
中經過; 中經過; 中經過; 中經過;
經過步
驟102后的基板截面示意圖驟103后的基板截面示意圖驟105后的基板截面示意圖驟106后的基板截面示意圖驟202后的基板示意圖
驟203后的基板示意圖
驟204后的基板示意圖
驟205后的基板示意圖
驟206后的基板示意圖
驟207后的基板示意圖
驟209后的基板示意圖
驟210后的基板示意圖
驟211后的基板示意圖
圖3j為本發明第二實施例中經過; 圖4a為本發明第三實施例中經過; 圖4b為本發明第三實施例中經過; 圖4c為本發明第三實施例中經過; 圖4d為本發明第三實施例中經過; 圖4e為本發明第三實施例中經過; 圖4f為本發明第三實施例中經過; 圖4g為本發明第三實施例中經過; 圖5a為本發明第四實施例中經過; 圖5b為本發明第四實施例中經過; 圖5c為本發明第四實施例中經過; 圖5d為本發明第四實施例中經過; 圖5e為本發明第四實施例中經過; 圖5f為本發明第四實施例中經過; 圖5g為本發明第四實施例中經過; 圖5h為本發明第四實施例中經過; 圖5i為本發明第四實施例中經過; 圖5j為本發明第四實施例中經過; 附圖標記說明 l-基板； 4_光刻膠； 7-摻雜半導體層； 10-像素電極透明導電層；
步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l 步l
212后的 301后的 302后的 303后的 304后的 305后的 306后的 308后的 401后的 402后的 403后的 404后的 405后的 406后的 407后的 408后的 409后的 410后的
基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示 基板示
2-公共電極透明導電層；3-柵金屬層；
5-柵絕緣層； 6-半導體層；
8_源/漏電極金屬層； 9_鈍化層；
12-第一薄膜； 13-第二薄膜。
具體實施例方式
實施例一 圖1為本發明第一實施例的薄膜構圖方法流程示意圖。如圖1所述，薄膜構圖方 法包括 步驟101，在干凈的基板上沉積第一薄膜，并且在沉積有所述第一薄膜的基板上涂 布光刻膠。 步驟102，采用雙調掩模板對所述光刻膠進行曝光，然后對所述光刻膠進行顯影。 根據所述光刻膠的厚度將基板表面分為三個區域，分別為第一區域、第二區域和第三區 域。其中，第一區域對應雙調掩模板的非透射區域；第二區域對應雙調掩模板的半透射區 域；第三區域對應雙調掩模板的透射區域。 圖2a為本發明第一實施例中經過步驟102后的基板截面示意圖。如圖2a所示， 對光刻膠進行曝光和顯影后，位于第一區域的光刻膠比位于第二區域的光刻膠厚，第三區 域沒有光刻膠。 步驟103，采用濕蝕刻法，對所述第一薄膜進行過刻。 圖2b為本發明第一實施例中經過步驟103后的基板截面示意圖。如圖2b所示，對光刻膠進行過刻后，在第三區域完全去除第一薄膜12，在第一區域和第二區域的周邊去 除部分第一薄膜12形成過刻區域，并形成由第一薄膜12構成的圖案。在過刻過程中，將蝕 刻偏差(bias)控制在3 ii m以上。 步驟104，對光刻膠進行灰化。此時，在第一區域依然殘留部分光刻膠，在第二區域 沒有光刻膠，并露出位于第二區域的第一薄膜。
步驟105，沉積第二薄膜。 圖2c為本發明第一實施例中經過步驟105后的基板截面示意圖。如圖2c所示，在 經過步驟104的基板上沉積第二薄膜13后，在第二區域第一薄膜12與第二薄膜13接觸。
步驟106，剝離光刻膠。 圖2d為本發明第一實施例中經過步驟106后的基板截面示意圖。如圖2d所示， 剝離光刻膠時，去除位于第一區域的第二薄膜13，并且在所述第一區域的過刻區域露出基 板，并形成由第二薄膜13構成的圖案。 本發明實施例一的薄膜構圖方法，通過過刻在第一區域的中心區域形成由第一薄 膜構成的圖案，通過剝離工藝在第三區域的中心區域形成由第二薄膜構成的圖案，并且在 第二區域形成由第一薄膜和第二薄膜構成的圖案，從而實現了具有兩個不同圖案的復合層 結構。 相比現有的采用雙調掩模板的薄膜構圖方法，實施例一的薄膜構圖方法在第三區 域形成由第二薄膜構成的圖案；相比現有的采用雙調掩模板的薄膜構圖方法，實施例一的 薄膜構圖方法在第二區域形成由第一薄膜和第二薄膜構成的圖案，并且在過刻區域第一薄 膜和第二薄膜被去除并露出基板。 在實施例一的步驟103中進行過刻時，位于與第三區域相鄰的第一區域的周邊區 域的第一薄膜被蝕刻，并且通過后續的步驟，在與第三區域相鄰的第一區域的周邊區域露 出基板表面；而位于與第二區域相鄰的第一區域的周邊區域的第一薄膜不被蝕刻，從而通 過后續的步驟，在與第二區域相鄰的第一區域的周邊區域形成由第一薄膜構成的圖案。
在實施例一的步驟103中，通過濕蝕刻法，進行蝕刻時，濕蝕刻的偏差大約在 3 ii m，而在實施例一中需要將這個偏差控制在3 ii m以上。 在實施例一中，基板可以根據薄膜構圖方法具體應用的領域，可以使用玻璃基板
或石英基板。 實施例二 本發明第二實施例的液晶顯示裝置的制造方法利用了本發明第一實施例的薄膜
構圖方法，該液晶顯示裝置的制造方法包括形成柵線和公共電極的步驟，形成數據線和薄
膜晶體管的步驟和形成像素電極的步驟。
其中，形成柵線和公共電極的步驟包括 步驟201，在干凈透明的基板上沉積公共電極透明導電層，然后在沉積有公共電極
透明導電層的基板表面均勻地涂布光刻膠，使得光刻膠覆蓋整個透明導電層。 步驟202，采用雙調掩模板對基板表面的光刻膠進行曝光顯影。根據透射率，雙調
掩模板分為透射區域、半透射區域和非透射區域。根據半透射區域的實現方式，雙調掩模板
分為灰調掩模板(gray tone mask)和半調掩模板(halftone mask)。 圖3a為本發明第二實施例中經過步驟202后的基板示意圖。如圖3a所示，對光刻膠進行曝光和顯影后，在顯示區域上殘留光刻膠4，并且在柵線和公共線之間的隔離區域 上殘留光刻膠4，而在柵線區域和公共線區域上沒有光刻膠4。其中，位于公共電極的連接 部分的光刻膠4比較薄，而其他區域的光刻膠4比較厚。 步驟203，對未被光刻膠覆蓋的透明導電層進行過刻(over etch)，即未被光刻膠 覆蓋的透明導電層蝕刻完畢之后繼續進行蝕刻。 圖3b為本發明第二實施例中經過步驟203后的基板示意圖。如圖3b所示，對光 刻膠4進行過刻后，在柵線區域和公共線區域去除公共電極透明導電層2，并且在顯示區域 和隔離區域的周邊形成過刻區域。進行過刻時，將蝕刻偏差控制在3ym以上。
步驟204，對光刻膠進行灰化。 圖3c為本發明第二實施例中經過步驟204后的基板示意圖。如圖3c所示，對光 刻膠4進行灰化后，公共電極和隔離區域仍然殘留光刻膠4，而在公共電極的連接部露出公 共電極透明導電層2。 步驟205，對光刻膠進行灰化之后，在整個基板表面沉積柵金屬層。 圖3d為本發明第二實施例中經過步驟205后的基板示意圖。如圖3d所示，沉積
柵金屬層3后，在公共電極的連接部柵金屬層3和公共電極透明導電層2接觸。 步驟206，剝離殘留的光刻膠。 圖3e為本發明第二實施例中經過步驟206后的基板示意圖。如圖3e所示，剝離 殘留的光刻膠時，位于光刻膠上面的柵金屬層3同時被去除，從而形成與公共電極電連接 的公共線以及柵線。此時，柵線和公共線之間通過隔離區域相互絕緣。
其中，形成數據線和薄膜晶體管的步驟包括 步驟207，經過步驟206的基板上依次沉積柵絕緣層、半導體層、摻雜半導體層、源 /漏電極金屬層，然后均勻地涂布光刻膠。用一個雙調掩模板對光刻膠進行曝光和顯影。
圖3f為本發明第二實施例中經過步驟207后的基板示意圖。如圖3f所示，對光 刻膠4進行曝光和顯影后，在數據線區域和薄膜晶體管區域殘留光刻膠4，并且位于薄膜晶 體管溝道區域的光刻膠4比較薄，位于其他區域的光刻膠4比較厚。 步驟208，依次對源/漏電極金屬層、摻雜半導體層和半導體層進行蝕刻。此時，形 成硅島和數據線。 步驟209，對光刻膠進行灰化后，露出薄膜晶體管溝道區域。依次對源/漏電極金 屬層、摻雜半導體層和部分半導體層進行蝕刻，并去除光刻膠。 圖3g為本發明第二實施例中經過步驟209后的基板示意圖。如圖3g所示，經過 步驟209后，在薄膜晶體管溝道區域露出半導體層6，形成了薄膜晶體管、漏電極、與數據線 電連接的原電極。 其中，形成像素電極的步驟包括 步驟210，經過步驟209的基板上沉積鈍化層，然后在鈍化層上均勻地涂布光刻 膠。采用一個雙調掩模板對光刻膠進行曝光和顯影。 圖3h為本發明第二實施例中經過步驟210后的基板示意圖。如圖3h所示，經過 步驟210后，漏電極的過孔區域露出鈍化層，在其他區域殘留光刻膠4。其中位于顯示區域 的光刻膠4比較薄，而位于其他區域的光刻膠4比較厚。 步驟211 ，對鈍化層進行蝕刻，形成過孔，并在過孔區域露出源/漏電極金屬層。然
9后，對光刻膠進行灰化。 圖3i為本發明第二實施例中經過步驟211后的基板示意圖。如圖3i所示，經過 步驟211后，進一步露出位于顯示區域的鈍化層9。 步驟212，經過步驟211的基板上繼續沉積像素電極透明導電層，并剝離殘留的光 刻膠。 圖3j為本發明第二實施例中經過步驟212后的基板示意圖。如圖3j所示，剝離 光刻膠時，位于光刻膠上面的像素電極透明導電層10同時被去除，從而形成了通過過孔與 漏電極電連接的像素電極。 實施例二為利用實施例一的薄膜構圖方法的制作液晶顯示裝置陣列基板的方法， 并且通過實施例一的構圖方法形成了柵線和公共電極，從而完成了陣列基板的制作。
實施例二制作的陣列基板為扭曲向列型液晶顯示裝置的陣列基板。進一步地，在 形成像素的電極的步驟中形成具有縫隙的像素電極，則可以制作邊緣場切換型液晶顯示裝 置的陣列基板。 進一步地，在形成柵線和公共電極的步驟中，在顯示區域的一部分區域形成公共 電極透明導電層，而在顯示區域的另一部分區域形成柵金屬層，則可以制作半透過式液晶 顯示裝置的陣列基板。為了提高反射率可以在步驟205中沉積反射率較大的柵金屬層，如 鋁。最好能使用反射率大于30%的金屬材料。
實施例三 本發明第三實施例的液晶顯示裝置的制造方法利用了本發明第一實施例的薄膜
構圖方法，該液晶顯示裝置的制造方法包括形成柵線的步驟，形成數據線和像素電極的步
驟和形成薄膜晶體管的步驟。
其中，形成柵線的步驟包括 步驟301，在干凈透明的基板上沉積柵金屬層，均勻地涂布光刻膠，并采用單調掩 模板(full tone mask)對光刻膠進行曝光和顯影。此時，僅在柵線區域殘留光刻膠。然后， 對露出的柵金屬層進行蝕刻，形成柵線。最后去除殘留的光刻膠。 圖4a為本發明第三實施例中經過步驟301后的基板示意圖。如圖4a所示，在基 板的柵線區域形成了柵線。 其中，形成數據線和像素電極的步驟包括 步驟302，經過步驟301的基板上依次沉積柵絕緣層、半導體層、摻雜半導體層、源 /漏電極金屬層，并均勻地涂布光刻膠。然后采用一個雙調掩模板進行曝光和顯影。
圖4b為本發明第三實施例中經過步驟302后的基板示意圖。如圖4b所示，對光 刻膠4進行曝光和顯影后，數據線、源/漏電極和薄膜晶體管溝道上殘留光刻膠4，并且位于 漏電極的連接部的光刻膠4比較薄。 步驟303，對源/漏電極金屬層進行過刻，然后依次對摻雜半導體層和半導體層進 行蝕刻。 圖4c為本發明第三實施例中經過步驟303后的基板示意圖。如圖4c所示，經過 步驟303后，形成了數據線。此時，在光刻膠4的下方形成過刻區域。
步驟304，對光刻膠進行灰化后，沉積像素電極透明導電層。 圖4d為本發明第三實施例中經過步驟304后的基板示意圖。如圖4d所示，對光刻膠4進行灰化后，露出漏電極的連接部。沉積像素電極透明導電層IO后，在漏電極連接 部像素電極透明導電層10與源/漏電極金屬層8接觸。
步驟305，剝離殘留的光刻膠。 圖4e為本發明第三實施例中經過步驟305后的基板示意圖。如圖4e所示，剝離 光刻膠時，位于光刻膠上面的像素電極透明導電層10同時被去除，并且在過刻區域露出柵 絕緣層5，從而形成了與漏電極電連接的像素電極。
其中，形成薄膜晶體管的步驟包括 步驟306，經過步驟305的基板上均勻地涂布光刻膠。然后采用一個單調掩模板進 行曝光和顯影。 圖4f為本發明第三實施例中經過步驟306后的基板示意圖。如圖4f所示，對光 刻膠4進行曝光和顯影后，薄膜晶體管溝道區域露出源/漏電極金屬層8，而其他區域均被 光刻膠覆蓋。 步驟307，依次對源/漏電極金屬層、摻雜半導體層和部分半導體層進行蝕刻，形 成薄膜晶體管溝道。 步驟308，經過步驟307的基板上繼續沉積鈍化層，并剝離殘留的光刻膠。
圖4g為本發明第三實施例中經過步驟308后的基板示意圖。如圖4g所示，剝離 光刻膠4時，位于光刻膠4上面的鈍化層9同時被去除。剝離光刻膠后，形成了在薄膜晶體 管溝道區域形成了鈍化層9。 實施例三為利用實施例一的薄膜構圖方法的制作液晶顯示裝置陣列基板的方法， 并且通過實施例一的構圖方法形成了數據線和像素電極，從而完成了陣列基板的制作。
實施例三制作的陣列基板為扭曲向列型液晶顯示裝置的陣列基板。進一步地，形 成柵線時在顯示區域形成公共電極，而形成像素電極時形成具有縫隙的像素電極，則可以 制作邊緣場切換型液晶顯示裝置的陣列基板。 進一步地，在形成柵線的步驟中，在顯示區域的一部分區域形成柵金屬層，則可以 制作半透過式液晶顯示裝置的陣列基板。為了提高反射率可以在步驟301中沉積反射率較 大的柵金屬層，如鋁。最好能使用反射率大于30%的金屬材料。
實施例四 本發明第四實施例的液晶顯示裝置的制造方法利用了本發明第一實施例的薄膜 構圖方法，該液晶顯示裝置的制造方法包括形成柵線的步驟，形成數據線和像素電極的步 驟以及形成薄膜晶體管和公共電極的步驟。
其中，形成柵線的步驟包括 步驟401，在干凈透明的基板上沉積柵金屬層，均勻地涂布光刻膠，并采用單調掩 模板(full tone mask)對光刻膠進行曝光和顯影。此時，僅在柵線區域殘留光刻膠。然后， 對露出的柵金屬層進行蝕刻，形成柵線。最后去除殘留的光刻膠。 圖5a為本發明第四實施例中經過步驟401后的基板示意圖。如圖5a所示，經過
步驟401后，在基板的柵線區域形成了柵線。 其中，形成數據線和像素電極的步驟包括 步驟402，經過步驟401的基板上依次沉積柵絕緣層、半導體層、摻雜半導體層、源 /漏電極金屬層，并均勻地涂布光刻膠。然后采用一個雙調掩模板進行曝光和顯影。
圖5b為本發明第四實施例中經過步驟402后的基板示意圖。如圖5b所示，對光 刻膠4進行曝光和顯影后，數據線、源/漏電極和薄膜晶體管溝道上殘留光刻膠4，并且位于 漏電極的連接部的光刻膠4比較薄。 步驟403，對源/漏電極金屬層進行過刻，然后依次對摻雜半導體層和半導體層進 行蝕刻。 圖5c為本發明第四實施例中經過步驟403后的基板示意圖。如圖5c所示，經過 步驟403后，形成了數據線。此時，在光刻膠4的下方形成過刻區域。
步驟404，對光刻膠進行灰化后，沉積像素電極透明導電層。 圖5d為本發明第四實施例中經過步驟404后的基板示意圖。如圖5d所示，對光 刻膠4進行灰化后，露出漏電極的連接部。沉積像素電極透明導電層IO后，在漏電極連接 部像素電極透明導電層10與源/漏電極金屬層8接觸。
步驟405，剝離殘留的光刻膠。 圖5e為本發明第四實施例中經過步驟405后的基板示意圖。如圖5e所示，剝離 光刻膠時，位于光刻膠上面的像素電極透明導電層10同時被去除，并且在過刻區域露出柵 絕緣層5，從而形成了與漏電極電連接的像素電極。
其中，形成薄膜晶體管和公共電極的步驟包括 步驟406，經過步驟405的基板上依次沉積鈍化層和公共電極透明導電層，并均勻 地涂布光刻膠。然后采用一個雙調掩模板進行曝光和顯影。 圖5f為本發明第四實施例中經過步驟406后的基板示意圖。如圖5f所示，對光 刻膠4進行曝光和顯影后，薄膜晶體管區域露出公共電極透明導電層2。并且在顯示區域縫 隙區域之間的光刻膠4比較薄，而其他區域的光刻膠4比較厚。 步驟407，依次對公共電極透明導電層、鈍化層、摻雜半導體層和部分半導體層進 行蝕刻。 圖5g為本發明第四實施例中經過步驟407后的基板示意圖。如圖5g所示，依次 對公共電極透明導電層2、鈍化層9、摻雜半導體層7和部分半導體層6進行蝕刻后，在薄膜 晶體管的溝道區域露出半導體層6，從而形成了薄膜晶體管溝道。
步驟408，對光刻膠進行灰化。 圖5h為本發明第四實施例中經過步驟408后的基板示意圖。如圖5h所示，對光
刻膠進行灰化后，露出縫隙區域的公共電極透明導電層2。 步驟409，對未被光刻膠覆蓋的公共電極透明導電層進行蝕刻。 圖5i為本發明第四實施例中經過步驟409后的基板示意圖。如圖5i所示，對公
共電極透明導電層2進行蝕刻后，形成具有縫隙的公共電極。 步驟410，去除殘留的光刻膠。 圖5j為本發明第四實施例中經過步驟410后的基板示意圖。如圖5j所示，經過 步驟410后，公共電極上的光刻膠被去除。從而完成了液晶顯示裝置的陣列基板的制作。
實施例四制作了邊緣場切換型液晶顯示裝置的陣列基板。其中，像素電極為板狀 電極，公共電極為縫隙電極，從而通過位于上方的具有縫隙的公共電極形成了水平電場，并 實現了邊緣場切換型液晶顯示裝置的陣列基板。 進一步地，在形成柵線的步驟中，在顯示區域的一部分區域形成柵金屬層，則可以
12制作半透過式液晶顯示裝置的陣列基板。為了提高反射率可以在步驟401中沉積反射率較 大的柵金屬層，如鋁。最好能使用反射率大于30%的金屬材料。 本領域技術人員應當理解實施例一的薄膜構圖方法不僅可以應用于形成柵線和 公共電極的步驟，而且還可以應用于形成數據線和像素電極的步驟，并且可以在這兩個步 驟里同時使用本實施例一的薄膜構圖方法。 最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；盡 管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解其依然 可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的精 神和范圍。
權利要求
一種薄膜構圖方法，其特征在于，包括步驟1，在基板上沉積第一薄膜，并涂布光刻膠；步驟2，采用雙調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影后，形成第一區域、第二區域和第三區域，所述第一區域的光刻膠比所述第二區域的光刻膠厚，所述第三區域沒有光刻膠；步驟3，對所述第一薄膜進行過刻，在所述第三區域去除所述第一薄膜，并且在所述第一區域的周邊形成過刻區域；步驟4，對光刻膠進行灰化，露出位于所述第二區域的所述第一薄膜；步驟5，沉積第二薄膜，在所述第二區域所述第一薄膜與所述第二薄膜接觸；步驟6，剝離光刻膠，去除位于所述第一區域的第二薄膜，并且在所述第一區域的過刻區域露出所述基板。
2. 根據權利要求1所述的薄膜構圖方法，其特征在于，在所述步驟3中，與所述第二區域相鄰的所述第一區域的周邊區域形成由所述第一薄 膜構成的圖案。
3. 根據權利要求1所述的薄膜構圖方法，其特征在于，在所述步驟3中，與所述第三區域相鄰的所述第一區域的周邊區域露出所述基板。
4. 根據權利要求1所述的薄膜構圖方法，其特征在于，在所述步驟3中，通過濕蝕刻法， 對所述第一薄膜進行過刻。
5. 根據權利要求4所述的薄膜構圖方法，其特征在于，在所述步驟3中，通過所述過刻， 使所述第一薄膜具有3 ii m以上偏差。
6. —種制造液晶顯示裝置的方法，其特征在于，包括 步驟l，在基板上沉積公共電極透明導電層，并涂布光刻膠；步驟2，采用雙調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影后，形成第一區域、第二區域 和第三區域，所述第一區域的光刻膠比所述第二區域的光刻膠厚，所述第三區域沒有光刻 膠；步驟3，對所述公共電極透明導電層進行過刻，在所述第三區域去除所述公共電極透明 導電層，并且在所述第一區域的周邊形成過刻區域；步驟4，對光刻膠進行灰化，露出位于所述第二區域的所述公共電極透明導電層； 步驟5，沉積柵金屬層，在所述第二區域所述公共電極透明導電層與所述柵金屬層接觸；步驟6，剝離光刻膠，去除位于所述第一區域的柵金屬層，并且在所述第一區域的過刻 區域露出所述基板，從而形成了柵線、公共線以及與所述公共線接觸的公共電極； 步驟7，經過步驟6的基板上形成包括源/漏電極金屬層的薄膜晶體管； 步驟8，經過步驟7的基板上形成像素電極。
7. —種制造液晶顯示裝置的方法，其特征在于，包括 步驟l，在基板上形成柵線；步驟2，在經過步驟1的基板上沉積源/漏電極金屬層，并涂布光刻膠； 步驟3，采用雙調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影后，形成第一區域、第二區域 和第三區域，所述第一區域的光刻膠比所述第二區域的光刻膠厚，所述第三區域沒有光刻膠；步驟4，對所述源/漏電極金屬層進行過刻，在所述第三區域去除所述源/漏電極金屬 層，并且在所述第一區域的周邊形成過刻區域；步驟5，對光刻膠進行灰化，露出位于所述第二區域的所述源/漏電極金屬層；步驟6，沉積像素電極透明導電層，在所述第二區域所述源/漏電極金屬層與所述像素 電極透明導電層接觸；步驟7，剝離光刻膠，去除位于所述第一區域的像素電極透明導電層，并且在所述第一 區域的過刻區域露出所述基板，從而形成了薄膜晶體管和像素電極；步驟8，經過步驟7的基板上形成薄膜晶體管溝道和公共電極。
8. —種制造液晶顯示裝置的方法，其特征在于，包括步驟l，在基板上形成柵線；步驟2，在經過步驟1的基板上沉積源/漏電極金屬層，并涂布光刻膠；步驟3，采用雙調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影后，形成第一區域、第二區域和第三區域，所述第一區域的光刻膠比所述第二區域的光刻膠厚，所述第三區域沒有光刻膠；步驟4，對所述源/漏電極金屬層進行過刻，在所述第三區域去除所述源/漏電極金屬 層，并且在所述第一區域的周邊形成過刻區域；步驟5，對光刻膠進行灰化，露出位于所述第二區域的所述源/漏電極金屬層；步驟6，沉積像素電極透明導電層，在所述第二區域所述源/漏電極金屬層與所述像素 電極透明導電層接觸；步驟7，剝離光刻膠，去除位于所述第一區域的像素電極透明導電層，并且在所述第一 區域的過刻區域露出所述基板，從而形成了薄膜晶體管和像素電極；步驟8，經過步驟7的基板上形成薄膜晶體管溝道。
全文摘要
本發明涉及一種薄膜構圖方法及制造液晶顯示裝置的方法，該薄膜構圖方法包括步驟1，基板上沉積第一薄膜，并涂布光刻膠；步驟2，采用雙調掩模板對光刻膠進行曝光和顯影后，形成第一區域、第二區域和第三區域；步驟3，對第一薄膜進行過刻，在第三區域去除第一薄膜，并且在第一區域的周邊形成過刻區域；步驟4，對光刻膠進行灰化，露出位于第二區域的第一薄膜；步驟5，沉積第二薄膜，在第二區域第一薄膜與第二薄膜接觸；步驟6，剝離光刻膠，去除位于第一區域的第二薄膜，并且在第一區域的過刻區域露出基板。該薄膜構圖方法采用了雙調掩模板，通過剝離工藝和過刻工藝，形成薄膜重疊的區域和薄膜都被去除的區域。
文檔編號G03F7/00GK101718950SQ200810223739
公開日2010年6月2日 申請日期2008年10月9日 優先權日2008年10月9日
發明者宋省勳, 林壯奎, 閔泰燁, 高雪松 申請人:北京京東方光電科技有限公司