專利名稱：對準方法、對準系統以及具有對準標記的產品的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種在其上具有對準標記的產品和一種用于對準產品的方法。 一個實施例涉及用于制造器件的方法。
背景技術：
光刻設備是一種將所需圖案施加到襯底上(通常在所述襯底的目標
部分上)的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地被稱為掩模或掩模版(reticle)的圖案形成裝置用于生成將要在所述IC的單獨層上形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括一部分芯片、一個或多個芯片)上。典型地，經由成像將所述圖案轉移到所述襯底上設置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個的襯底將包含連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻裝置包括所謂步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。還可以通過將所述圖案壓印(imprinting)到所述襯底，將所述圖案從所述圖案形成裝置轉移到所述襯底上。
在曝光過程中，襯底和圖案形成裝置需要被精確地對準。為了這個目的，在所述襯底和/或圖案形成裝置上設置光學對準標記是公知的。一種已知的對準標記具有作為位置的函數周期性變化的反射性能，以使得所述標記能被用作光柵。例如，當波長約為0.6微米的光被用于測量位置時，這種光柵的周期可能是16微米。 一種光學系統通過使用來自這種光柵的被選擇的衍射級形成所述衍射光的圖像，來測量所述襯底和/或圖案形成裝置的位置。在一個簡單的對準標記中通過高反射(例如金屬)的一個區域和低反射(例如氧化物)的一個區域來實現所述周期性變化的
每個周期，例如在一個周期中的一個8微米寬的金屬區域和一個8微米 寬的氧化物區域。
可以使用兩個這樣的對準標記，在其中的一個中，周期性區域沿著 晶片的表面在第一方向(X軸)上重復，并且在另一個中，周期性區域 沿著晶片的表面在第二方向(Y軸)上重復。此外，典型地用兩個波長 的光來進行對準測量。
然而，具有由兩個均質區域形成的周期的對準標記傾向于利用比在 現代集成電路中的軌跡尺寸更大的均質區域。相應地，在對準標記的每 個周期中由更細的線構建不同區域是可能的。在Metrology, Inspection and Process Control for Micro她ography XXI (Chas N. Archie editor) Proc SPIE的第6518巻的Henry Megens等的文章題目為"Advances in Process overlay-Alignment Solutions for Future Technology Nodes"中可以知道這樣 一種對準標記其中，周期結構交替地包括具有沿第一方向定向的細小 的導電軌跡的第一區域和具有沿垂直于第一方向的第二方向定向的細小 導電軌跡的第二區域。這些導電軌跡之間的距離被制作成小于用于測量 對準標記的位置的光的波長。
這樣的線圖案導致了線狀網格的偏振效應，由此具有平行和垂直于 所述軌跡的電場分量的光的偏振分量主要被分別地反射和透射。因為軌 跡的方向在對準標記中交替，所以這樣的對準標記提供了對于各個偏振 分量的在所述周期性變化的反射性能之間的偏差(offset)。由于所述方向 變化的圖案產生了衍射所述方向圖案作為在不同角度產生不同衍射級 的衍射光柵。來自這些衍射級的光被用于測量所述對準標記的位置。
不幸的是，這種類型的對準標記與使用成對的衍射級的衍射成像技 術的使用不能兼容。這樣的成像技術的一個例子是雙極照射方法。在所 述雙極照射方法中，光以相對于所述照射系統的光軸的斜角入射的方式 落到所述掩模上。斜角入射的光會產生具有大衍射角的被傳送的衍射 級。所述投影系統可以被配置以只捕獲零和第一被傳送的衍射級，以及 把它們投射到抗蝕劑層上從而構建光柵的圖像。如果光柵線垂直于入射 平面，該入射平面包括光軸和入射束的波矢，光柵的清晰圖像將被形成于所述抗蝕劑層上。但是如果光柵線平行于入射的這個平面，光柵的劣質分辨圖像將會形成在所述抗蝕劑層上。所述劣質圖像導致了具有不同參數的光柵或根本沒有光柵。如果對準標記的周期由方向垂直的亞波長線組成，在一個方向上的線將會被很好地分辨并且在垂直方向的線將不
會在雙極或偏振照射下被分辨。當除了在90度范圍上旋轉外，在X和Y方向上使用的對準標記相同時，，同一偏振分量不能用于同時測量X和Y標記的位置。
發明內容
希望提供一種具有對準標記的產品，該對準標記允許對來自可選擇的衍射級的輻射的不同偏振分量的細線圖案的空間上變化的反射性能。根據本發明的一個方面，提供了一種測量產品位置的方法，該方法
包括
朝向在所述產品的表面的對準標記傳送電磁輻射；收集由所述對準標記衍射的輻射；從所述衍射的輻射的相位關系確定位置信息，
其中，所述對準標記包括一組相互平行的導體軌跡，從該導體軌跡中收集所述衍射的輻射，在連續軌跡之間具有間距，在所述一組軌跡中的軌跡的間距作為沿著產品的表面的位置的函數變化，所述被收集的衍射的輻射發生的角度依賴于作為位置的函數的在所述一組軌跡中的軌跡的間距的變化的圖案。
根據本發明的一個方面，提供了一種對準系統，該對準系統包括電磁輻射源，該電磁輻射源被配置以傳送電磁輻射；
被對準的產品，該產品包括用以接受輻射的對準標記，該對準標記包括一組相互平行的導體軌跡，該導體軌跡在連續軌跡之間具有間距，在所述一組軌跡中的軌跡的間距作為沿著產品表面的位置的函數變化，并且所述被收集的衍射的輻射發生的角度依賴于作為位置的函數的在所述一組軌跡中的軌跡的間距的變化的圖案；和
探測器被配置以成像選自由所述對準標記衍射的電磁輻射的選擇的衍射級的光。
6根據本發明的一個方面，提供了包括這樣的對準系統的光刻設備， 其中，所述產品是半導體晶片。
根據本發明的一個方面，提供了包括對準標記的產品，所述對準標
記包括一組相互平行的導體軌跡，該導體軌跡在連續的軌跡之間具有間
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變化，并且所述衍射發生的角度依賴于作為位置的函數的間距的變化的圖案。
本發明的具體實施方式
將只通過實施例的方式參考附隨的示意性的 附圖進行描述，其中相應的附圖標記指示相應的部件。 圖l描述了依據本發明的實施例的光刻裝置； 圖2顯示了一種光學測量系統； 圖3顯示了對準標記的一部分的俯視圖； 圖3a顯示了交替的對準標記的一部分的俯視圖； 圖4顯示了對準標記的一部分的側視圖5顯示了對于一個波長，作為間距的函數的反射率的曲線圖；禾口 圖5a顯示了對于兩個波長，作為間距的函數的反射率的曲線圖。
具體實施例方式
圖1示意性地描述了依據本發明的實施例的光刻設備。該設備包
括
- 照射系統(照射器)IL，配置用于調節電磁輻射的輻射束B (例
如，在可見光、UV或EUV波長范圍內)；
- 支撐結構(例如掩模臺)MT，配置用于支撐圖案形成裝置(例如掩 模)MA并與配置用于根據特定的參數精確地定位圖案形成裝置的第一定 位裝置PM相連；
- 襯底臺(例如晶片臺)WT，配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕 劑的晶片)W，并與配置用于根據特定的參數精確地定位襯底的第二定
位裝置PW相連；以及- 投影系統(例如折射式投影透鏡系統)PS，配置用于將由圖案形成 裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C (例如包括一個 或多個芯片)上。
所述照射系統可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射 型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件或其任意組合，以 引導、成形、或控制輻射。
所述支撐結構支撐所述圖案形成裝置，即承受圖案形成裝置的重 量。支撐結構以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設備的設計以及諸如 圖案形成裝置是否保持在真空環境中等其他條件的方式保持圖案形成裝 置。所述支撐結構可以采用機械的、真空的、靜電的或其他夾持技術保 持圖案形成裝置。所述支撐結構可以是框架或臺，例如，其可以根據需 要成為固定的或可移動的。所述支撐結構可以確保圖案形成裝置位于所 需的位置上(例如相對于投影系統)。在這里任何使用的術語"掩模版"或 "掩模"都可以認為與更上位的術語"圖案形成裝置"同義。
這里所使用的術語"圖案形成裝置"應該被廣義地理解為表示能夠用 于在輻射束的橫截面上賦予圖案以便在襯底的目標部分上形成圖案的任 何裝置。應當注意，被賦予輻射束的圖案可能與在襯底的目標部分上所 需的圖案不完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。 通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功 能層相對應，例如集成電路。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包 括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在 光刻中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、 衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射 鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨立地傾斜每一個小反射 鏡，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述傾斜的反射鏡將圖案賦予 由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。
應該將這里使用的術語"投影系統"廣義地解釋為包括任意類型的投 影系統，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型 光學系統、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或對于諸如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術語"投影透鏡"可以認為是與更上位的術語"投影系統"同義。
如這里所示的，所述設備是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述設備可以是透射型的(例如，釆用透射式掩模)。
所述光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模臺)的類型。在這種"多臺"機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在將一個或更多個其它臺用于曝光的同時，在一個或更多個臺上執行預備步驟。
光刻設備還可以是如下類型其中至少一部分襯底可由具有相對高折射率的液體(例如水)所覆蓋，以便填充投影系統和襯底之間的空間。浸沒液還可以施加到光刻設備中的其它空間，例如在掩模和投影系統之間。浸沒技術用于增加投影系統的數值孔徑在本領域是公知的。這里使用的術語"浸沒"不意味著結構(例如襯底)必須浸沒在液體中，而是僅意味著在曝光期間液體位于投影系統和襯底之間。
參照圖l,所述照射器IL接收從輻射源SO發出的輻射束。該源和所述光刻設備可以是分立的實體(例如當該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源考慮成光刻設備的組成部分，并且通過包括例如合
適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源是汞燈時)。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時的所述束傳遞系統BD—起稱作輻射系統。
所述照射器IL可以包括用于調整所述輻射束的角強度分布的調整器AD。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內部徑向范圍(一般分別稱為『外部和a-內部)進行調整。此外，所述照射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器用于調節所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。
所述輻射束B入射到保持在支撐結構(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經穿過圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B通過投影系統PS，所述PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分c上。通過第二定位裝置 PW和定位傳感器IF (例如，千涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的 幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定 位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后， 或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個定位傳感器IF1用于 將圖案形成裝置MA相對于所述輻射束B的路徑精確地定位。通常，可以 通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行 程模塊(精定位)的幫助來實現掩模臺MT的移動。類似地，可以采用形 成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現所述 襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，所述掩模臺MT 可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的。可以使用掩模對準標記 Ml、 M2和襯底對準標記P1、 P2來對準圖案形成裝置MA和襯底W。盡管
所示的襯底對準標記占據了專用目標部分，但是他們可以位于目標部分 之間的空間(這些公知為劃線對準標記)上。類似地，在將多于一個的 芯片設置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述掩模對準標記可以位于所 述芯片之間。
可以將所述設備用于以下模式的至少一種
1. 在步進模式中，在將賦予所述輻射束的圖案一次投影到目標部分 C上的同時，將掩模臺MT和襯底臺WT保持為基本靜止(即，單一的靜態 曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標 部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態曝光 中成像的所述目標部分C的尺寸。
2. 在掃描模式中，在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上 的同時，對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進行掃描(即，單一的動態曝 光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向可以通過所述投影系統PS 的(縮小)放大率和圖像反轉特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最 大尺寸限制了單一的動態曝光中的所述目標部分的寬度(沿非掃描方 向)，而所述掃描移動的長度確定了所述目標部分的高度(沿所述掃描方 向)。
3. 在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的圖案形成裝
10置支撐結構MT保持為基本靜止狀態，并且在將賦予所述輻射束的圖案投 影到目標部分C上的同時，對所述襯底臺WT進行移動或掃描。在這種模 式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、 或在掃描期間的連續輻射脈沖之間，根據需要更新所述可編程圖案形成
發直。邁W探作悮瓦卩」芴卞應用卞利用可輛程閨茶形成發直(例卯，卯上 所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。
第一定位器PM和/或其它位置傳感器IF1使用光刻設備中的光學測 量系統和在襯底W和/或圖案形成裝置M上的對準標記。圖2顯示了包 括光源20和相位相干檢波器22的光學測量系統。在操作中，光源20為 產品26 (襯底W或圖案形成裝置M)上的對準標記24供給光(或更通 常的電磁輻射)。對準標記24的鏡面反射效率作為在對準標記24的表面 上的位置的函數變化。因此光從對準標記24上衍射。通過相位相干檢波 器22收集所述衍射的光。所述相位相干檢波器22選擇來自兩個衍射級 的光，并且使用已選擇的反射級形成對準標記的圖像。因此，圖像的強 度變化依賴于來自所選擇的衍射級的光之間的位相關系。用于這種相位 相干位置確定的技術在本質上是已知的，例如從Ramon Navarro、 Stefan Keij 、 Arne den Boef、 Sicco Schets 、 Frank van Bilsen 、 Geert Simons 、 Ron Schuurhuis、 Jaap Burghoom在Proceedings of SPIE的第 4344巻上發表的文章題目為 "Extended ATHENATM alignment performance and application for the 100 nm technology node，，中。由于沒有 這種技術的詳細知識也可以理解本發明，因此在這里將不詳細對它們進 行詳細解釋。
圖3顯示了對準標記的一個實施例的一部分的俯視圖。這個部分包 括導電軌跡30 (為了示例只標記了幾個)，該導電軌跡30都沿著同一方 向取向。圖3a顯示了交替的對準標記的一部分。軌跡30的間距，即連 續軌跡的起點之間的距離(軌跡密度(每一單位距離上的軌跡數目)的 倒數)，作為位置的函數變化。分別具有第一和第二間距值Pl、 P2的交 替的第一和第二區域32、 34可被識別出來。在交替的區域32、 34的這些圖形的情況下，間距值變化的圖案引起了用于測量的衍射。因此不是
軌跡30的方向變化的圖案，而是間距變化的圖案被用以產生用于測量位 置的可選擇的衍射級。衍射的角度依賴于間距變化的這種圖案的間距， 也就是，所述區域起到單獨的光柵條的功能。單個的軌跡30的間距構成 這種圖案的基礎，并且必定小于區域32、 34的圖案的間距。所述單獨的 軌跡不能有效地用作單獨的衍射光柵條以產生用于測量位置的可選擇的 衍射級。因為軌跡的間距通常比輻射的波長小很多和在同樣的間距時單 獨軌跡的重復的周期不能在大的區域上延伸，所以它們這方面的作用 小。
選擇區域32、 34中的軌跡30的間距以提供最大反射偏振分量在第 一和第二區域32、 34中是不同的。通常地，在區域32、 34之間的連續 邊界之間的距離(即區域的寬度)要比用于位置測量的光的波長大很 多，例如至少10倍于波長。在一個例子中，波長大約0.5微米，8微米 寬被使用，從而產生16微米的周期。連續軌跡30之間的間距通常比波 長小。
圖4顯示了在橫截面中的圖3的對準標記的側視圖。軌跡30包括鑲 嵌于非導電材料的層40中的導電材料。在襯底42上設置層40，該層40 可以是具有或沒有部分制作的電路結構的半導體晶片。在一個實施例 中，軌跡可以包括諸如銅等金屬，以及層40可以由氧化硅或碳化硅形 成。
圖5顯示了對于具有一個波長(633納米的紅光)和兩個不同偏振分 量的光的作為間距的函數的理論反射效率，光的電場分別平行和垂直于 軌跡30。可以看到，在小間距時對第一偏振分量的反射效率是高的，對 于第二分量是低的。這對應于線網格偏振效應。此外，可以看到，隨著 間距的增加直到達到在最小值50處的間距值時，第一分量的反射效率降 到零或接近零，高于在最小值50處的間距值之后，所述效率升高至漸進 值。相反地，隨著間距的增加第二分量的反射效率增加，在大約第一分 量的反射效率為零的最小值50處的間距值處，反射效率達到一個峰值， 在此之后，它降低至漸進值。第一和第二分量的反射效率在相交間距值 52處相交。在一個實施例中，在對準標記的第一區域32中的間距具有對應于圖 5中的對第一分量的反射效率為零的間距值的第一值。在第二區域34中 間距具有遠遠低于第一值的第二值。結果，實現了對準標記，其中反射 效率對于兩個偏振分量作為位置的函數周期性變化，但是在兩個偏振分 量之間具有作為位置的函數的半個周期的位相偏差。
應當注意，當間距并不準確地等于第一分量的反射效率為零處的第 一值時，也可達到相似的效果。在第一和第二區域32、 34的間距之間的 任何差別導致了對于兩個偏振分量作為位置的函數的反射效率的一些變 化。在一個實施例中，第一和第二區域32、 34的間距值是在相交間距值 52的相反側上。因此，不同的偏振分量將分別在第一和第二區域32、 34 中具有最高的反射效率。
圖5a顯示了對于兩個不同波長的光(紅光和綠光)作為位置函數的 間距的理論反射效率。除了在圖5顯示的對于紅光的曲線外，顯示了對 于另一波長(533納米的綠光)的另外的曲線(用正方形標記)。可以看 到，除了對于不同的波長最小值出現在的不同間距值處外，對于兩個波 長的效應是相似的。在一個實施例中，使用用于測量同一對準標記的反 射性能的多個波長進行位置測量。在這個實施例中，可以選擇在不同區 域的間距值和波長，以便在第一和第二區域32、 34中的間距值位于每一 個波長的相交間距值52的相反側上。從圖5a中可以看到，對于在紅和 綠的范圍內的波長的光這是可能的。然而，其他波長可被選擇作為替代 或附加波長。
雖然在一個已經顯示的實施例中，所有導電軌跡30的最長軸平行于 第一和第二區域32、 34之間的邊界，可以理解，可替換地長軸可垂直于 所述邊界(成90度角度)，如圖3a中所示，或以任何角度穿過所述邊 界。彼此對應地選擇所述角度和所述偶極子(dipole)方向(穿過不同衍 射級的方向矢量的平面)，以便所述偶極子方向與所述長軸方向對準。被 定向為平行于第一和第二區域32、 34之間的邊界的導電軌跡30的使用 通常導致不依賴于連續區域邊界之間的距離使用任意長度的導電軌跡30 的選擇性。
在一個實施例中，使用在相互不同的方向上具有周期性的至少兩個對準標記來執行沿著襯底W的表面的X和Y方向的測量。也可使用棋 盤類型的對準標記，其中，所述區域的圖案在彼此成一定角度的兩個方
向上是周期性的，例如以90度的角度。雖然在己顯示的實施例中使用了 周期性排列的第一和第二區域32、 34，這使得使用簡單的級選擇系統成 為可能，但是，可以理解，可替換地，在不同區域的導體軌跡之間具有 不同間距距離的導體軌跡的區域的非周期性排列是可能的。例如使用全 息相關技術從這樣的對準標記中測量位置。在另一個實施例中，可使用 可變間距，該間距作為位置的函數在最小值50處的間距值和低于相交間 距值52的間距值之間變化。
雖然本文給出了特定的有關光刻設備在IC制造中的應用參考，但應 該理解到這里所述的光刻設備可以有其他應用，例如集成光學系統的制 造、磁疇存儲器的引導及檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器
(LCDs)、薄膜磁頭等。本領域技術人員應該理解的是，在這種替代應 用的情況中，可以將其中使用的任意術語"晶片"和"芯片"分別認為是與更 上位的術語"襯底"或"目標部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或 之后進行處理，例如在軌跡機(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并 且對己曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中處 理。在可應用的情況下，可以將所述公開內容應用于這種和其他襯底處 理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產生多層IC，使 得這里使用的所述術語"襯底"也可以表示已經包含多個已處理層的襯 底。
雖然本文給出了特定的有關本發明的實施例在光刻技術中的應用參 考，但應該理解到本發明可以在其他應用中使用，例如壓印光刻，并且 在上下文允許的情況下，并不限于光刻。在壓印光刻中圖案形成裝置的 表面狀況定義了在襯底上產生的圖案。所述圖案形成裝置的表面狀況可 以被壓制到涂覆于襯底上的抗蝕層上，通過施加電磁輻射、加熱、壓力 或它們的組合固化抗蝕劑。在抗蝕劑固化之后，移除圖案形成裝置，在 所述抗蝕劑中留下了圖案。
這里使用的術語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括紫外
輻射(例如具有約365、 248、 193、 157或126 nm的波長)和遠紫外
14(EUV)輻射(例如具有在5-20nm的范圍內的波長)，以及諸如離子束 或電子束的顆粒束。
在上下文允許的情況下，所述術語"透鏡"可以表示各種類型的光學 部件中的任何一種或它們的組合，包括折射式、反射式和磁的、電磁的 和靜電的光學部件。
盡管以上己經描述了本發明的特定的實施例，但是應該理解的是本 發明可以以與上述不同的形式實現。例如，本發明可以采取包含用于描 述上述公開的方法的一個或多個機器可讀指令序列的計算機程序的形 式，或者采取具有在其中存儲的這種計算機程序的數據存儲介質的形式 (例如，半導體存儲器、磁盤或光盤)。
以上的描述是說明性的，而不是限制性的。因此，本領域的技術人 員應當理解，在不背離所附的權利要求的保護范圍的條件下，可以對本 發明進行修改。
權利要求
1. 一種用于測量產品的位置的方法，該方法包括朝向在所述產品表面的對準標記傳送電磁輻射；收集由所述對準標記衍射的輻射；及從所述衍射的輻射的相位關系確定位置信息，其中，所述對準標記包括一組相互平行的導體軌跡，從該導體軌跡收集所述衍射的輻射，在連續軌跡之間具有間距，在所述一組軌跡中的軌跡的間距作為沿著產品的表面的位置的函數變化，所述被收集的衍射的輻射發生的角度依賴于作為位置的函數的在所述一組軌跡中的軌跡的間距的變化的圖案。
2. 根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述間距具有分別在 所述對準標記的第一和第二區域中的第一間距值和第二間距值，所述被 傳送的輻射包括具有第一和第二相互正交的偏振分量的輻射，其具有一 波長，在該波長時來自具有第一和第二間距值的間距的導體軌跡的對準 標記對第一偏振分量的反射效率分別高于和低于對于第二偏振分量的反 射效率。
3. 根據權利要求1所述的方法，其特征在于，電磁輻射的波長定義 了相交間距值，在該相交間距值處對第一和第二偏振分量的反射效率是 相等的，所述第一和第二間距值分別在所述相交間距值以上和以下。
4. 根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述波長定義了對第 一偏振分量具有最小反射效率的間距值，所述第一間距值是所述對第一 偏振分量具有最小反射效率的間距值。
5. 根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述被傳送的輻射進 一步包括具有第三和第四相互正交的偏振分量的輻射，其具有與第一和 第二分量的波長相間隔的另外的波長，在此另外的波長時，來自具有第 一和第二間距值的間距的導體軌跡的對準標記對第三偏振分量的反射效 率分別高于和低于對第四偏振分量的反射效率。
6. 根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對準標記包括周 期性的排列，其中，所述第一和第二區域作為位置的函數相交替，所述連續的導體軌跡分別具有在第一和第二區域中的具有第一和第二值的間 距。
7. 根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述導體軌跡的最長 軸平行于所述第一和第二區域之間的邊界取向。
8. —種對準系統，該對準系統包括電磁輻射源，該電磁輻射源被配置以傳送電磁輻射； 被對準的產品，該產品包括用以接受輻射的對準標記，該對準標記 包括一組具有相互平行的導體軌跡，該導體軌跡在連續軌跡之間具有間 距，在所述一組軌跡中的軌跡的間距作為沿著產品表面的位置的函數變 化，所述被收集的衍射的輻射發生的角度依賴于作為位置的函數的在所 述一組軌跡中的軌跡的間距的變化的圖案；禾卩探測器被配置以探測來自選擇的衍射級的光，所述選擇的衍射級選 自由所述對準標記衍射的電磁輻射。
9. 一種光刻設備，該光刻設備包括根據權利要求8的對準系統，其 中，所述產品是半導體晶片。
10. —種包括對準標記的產品，所述對準標記包括一組相互平行的導 體軌跡，該導體軌跡具有在連續的軌跡之間的間距，在所述一組軌跡中 的軌跡的間距作為沿著產品的表面的位置的函數變化，衍射發生的角度 依賴于作為位置的函數的間距的變化的圖案。
11. 一種器件的制造方法，該方法包括將圖案從圖案形成裝置轉移至產品，該產品包括在制造中的所述器 件，其中，所述轉移包括依據一種方法對準襯底，該方法包括 朝向在所述產品的表面的對準標記傳送電磁輻射； 收集由所述對準標記衍射的輻射；以及 從所述衍射的輻射的相位關系確定位置信息，其中，所述對準標記包括一組相互平行的導體軌跡，從該導體軌跡 收集所述衍射的輻射，在連續軌跡之間具有間距，在所述一組軌跡中的 軌跡的間距作為沿著產品的表面的位置的函數變化，所述被收集的衍射 的輻射發生的角度依賴于作為位置的函數的在所述一組軌跡中的軌跡的 間距的變化的圖案。
全文摘要
使用在產品上的對準標記測量產品的位置。輻射被朝向所述對準標記傳送并由在對準標記中的圖案衍射。從所述衍射的輻射的位相關系確定位置信息。所述對準標記包括一組相互平行的導體軌跡，從該導體軌跡中收集所述衍射的輻射，所述圖案由作為沿著產品的表面的位置的函數的在連續的軌跡之間的間距變化的圖案來定義。因此，例如所述圖案包括交替的第一和第二區域，其中，所述間距具有分別的第一和第二值。因為諸如所述第一和第二區域的在所述圖案的不同部分的軌跡相互平行，所以改善的測量是可能的。
文檔編號G03F9/00GK101458464SQ20081018552
公開日2009年6月17日 申請日期2008年12月12日 優先權日2007年12月13日
發明者桑雅辛格·拉爾巴哈朵爾辛, 理查德·約翰尼斯·弗朗西斯克斯·范哈恩, 薩米·穆薩, 魏秀虹 申請人:Asml荷蘭有限公司