液晶顯示裝置的制作方法

專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示裝置，特別涉及IPS方式的液晶顯示裝置的 電極結構。
背景技術：
液晶顯示裝置與以CRT (Cathode Ray Tube,陰極射線管)、 PDP (Plasma Display Panel,等離子顯示器)等為代表的自發光型的 顯示器不同，是通過調節光的透射光量來顯示圖像的非發光型的顯示 器。液晶顯示器(LCD: Liquid Crystal Display)具有薄、輕、低功 耗的特征。
當前，作為可以達成寬視場角的代表性的液晶顯示方式，可以舉 出IPS (In Plane Switching,面內切換)方式和VA (Vertical Alignment,垂直取向)等。IPS方式是通過液晶分子在面內方向上旋 轉而使有效的延遲(retardation)在面內旋轉來控制透射率的液晶驅 動方式。因此，在IPS方式的LCD中，液晶的延遲隨視場角的變化 小。因此，已知IPS方式的LCD可以實現寬視場角。為了施加橫向 電場，提出了各種方法，最一般的方法為使用梳齒電極的方法。在利 用梳齒電極施加橫向電場的方法中，將像素電極和公共電極都設成梳 齒狀的方法、以及將像素電極和公共電極的某一方設為梳齒狀并隔著 絕緣層配置完整(實心)的公共電極或像素電極的方法等已得到了實 用化。另外，還提出了各種電極結構。
IPS方式是施加橫向電場而使液晶分子在面內旋轉的方式。在液 晶顯示元件的所有像素中，為了使液晶分子在面內方向上均勻地旋 轉，需要施加方向與面內完全平行的電場。但是，這實際上難以實現； 在現有技術中，通過在一側的基板上配置被稱為梳齒電極的電極，來
近似地施加橫向電場。為了進一步提高透射率，必需使液晶分子更均 勻地在面內方向旋轉。
為了解決上述問題，提出了如下述非專利文獻1所示的電極結 構。在該電極結構中，隔著絕緣層，當下側電極的數量為l個時上側的電極數量為2個，該電極的電位逐周期地的交替為公共電位和信號 電位。但是，在該結構中，存在如下問題在電極上部的液晶分子無 法充分地在面內方向上旋轉。
非專利文獻1: J. Dis. Tech. Vol. 2， No. 2.2006， P11
發明內容
本發明的目的在于提供一種在橫向電場方式的LCD中提高了透 射率的液晶顯示裝置。
本發明的液晶顯示裝置的特征在于，具有第l基板；第2基板； 夾在上述第l基板和第2基板之間的液晶層、由以矩陣狀配置在上述 第2基板上的掃描布線和信號布線所包圍的多個像素，對于上述第2 基板，在配置有液晶層的一側的像素區域中，配置有第l像素電極和 第2像素電極、以及第l公共電極和第2公共電極，上述第l像素電 極和上述第1公共電極配置在第1層，上述第2像素電極和上述第2 公共電極配置在第2層，上述第l像素電極和上述笫2公共電極在上 述像素內重疊，上述第2像素電極和上述第l公共電極在上述像素內 重疊。
以上，根據本發明，可以提供高透射率且顏色偏移小的液晶顯示裝置。


圖1是實施例1的液晶單元的平面結構的概略圖。 圖2是圖1所示的A-A，間的剖面概略圖。 圖3是圖1所示的B-B，間的剖面概略圖。
圖4是構成像素顯示區域的呈矩陣狀配置的像素的等效電路圖。
圖5是本發明的液晶顯示裝置的剖面概略圖。
圖6是用于確認實施例1的效果的仿真模型。
圖7是圖6所示的模型的仿真結果。
圖8是其他液晶單元的平面結構的概略圖。
圖9是圖8所示的C-C，間的剖面概略圖。
圖IO是其他液晶單元的平面結構的概略圖。
圖ll是其他液晶單元的平面結構的概略圖。
圖12是實施例2的液晶單元的平面結構的概略圖。
圖13是實施例3的液晶單元的平面結構的概略圖。
圖14是圖13所示的D-D，間的剖面概略圖。
圖15是實施例4的液晶單元的平面結構的概略圖。
圖16是圖15所示的E-E，間的剖面概略圖。
圖17是實施例5的液晶單元的平面結構的概略圖。
圖18是圖17所示的F-F，間的剖面概略圖。
附圖標記說明
10:掃描布線；11:信號布線；12:第1像素電極；13:第2 像素電極；14:第l公共電極；15:第2公共電極；16:源電極；17: 接觸孔；18:半導體層；19:第1基板；20:第2基板；21:濾色片； 22:平坦化層；23:取向膜；24:絕緣層；25:液晶層；26:液晶單 元；27:偏振片；28:背光源單元；29:積蓄電容；30:薄膜晶體管 (TFT) ; 31:黑底；32:反射板；33:臺階部；34:內置相位差板； 35:保護膜
具體實施例方式
以下，使用附圖來說明本發明的實施例。 (實施例1)
使用圖l至圖ll來說明本實施例。本實施例的特征在于，在使 用了梳齒狀電極的IPS方式的液晶顯示裝置中，梳齒狀電極隔著層間 絕緣層配置為兩層，該兩層的電極被配置成具有公共電位和源電位的
某一個，具有某一方的電位的電極和具有其相反的電位的電極隔著層 間絕緣膜上下重疊，在該重疊的電極中，配置在上側的一方的電極的 寬度比配置在下側的電極的寬度窄，公共電位和源電位針對梳齒電極 的每一根上下交替。
首先，使用圖5來說明本實施例。圖5示出本發明的液晶顯示裝 置的剖面概略圖。在圖5中，液晶顯示裝置由一對偏振片27、液晶單 元26、背光源單元28構成。偏振片27由吸附碘(iodine)并拉伸了 的聚乙烯醇(Poly Vinyl Alcohol)(以下稱為"PVA，，)層、和對其進 行保護的保護膜構成。為了實現常閉(Normally Closed )，構成為第 1偏振片27a的吸收軸和第2偏振片27b的吸收軸大致垂直配置。背 光源單元28由光源、導光板、擴散板等構成。光源是可以從背面對 液晶單元26進行照明的部件即可，光源和結構不限于此。例如，作 為光源，可以使用CCFL、 LED等。
接下來，圖l示出圖5所示的液晶單元26的平面結構的概略圖， 另外，圖2和圖3分別示出圖1所示的A-A，間和B-B，間的剖面概 略圖。在圖2和圖3中，圖5所示的液晶單元26由第1基板19、第 2基板20、被這些基板夾著的液晶層25構成。
液晶層25由液晶分子的長軸方向的介電常數比短軸方向的介電 常數小的、呈現正的介電常數各向異性的液晶組成物構成。液晶層25 的液晶材料使用在包括室溫域的寬范圍內呈現向列(Nematic)相的 材料。另外，在使用了薄膜晶體管(以下稱為"TFT")的驅動條件下， 使用在保持期間中充分地保持透射率、并呈現不產生閃爍(flicker) 的高電阻率的材料。即，液晶層25的電阻率優選為大于等于1012Qcm2， 特別優選為大于等于1013Qcm2。液晶層的相位差優選為大于等于X/2。 此處，X表示光的波長。
在第l基板19中，在液晶層側的最表面配置有取向膜23。另夕卜， 在第1基板19的表面，配置有濾色片21;在濾色片21的液晶層側， 配置有平坦化層22。在像素間和TFT上部等，根據需要配置黑底31。
在第2基板20中，在液晶層的最表面配置有取向膜23。接下來，
配置有第1像素電極12以及笫1公共電極14。為了控制對各像素施 加的電壓，配置有TFT。如圖1所示，為了實現該TFT的源電極16 和各像素電極的接觸，配置有接觸孔17。在與源電極16的接觸中， 雖然像素電極成為兩層結構，但例如可以通過圖3所示那樣配置來實 現。在第1像素電極12和第2像素電極13之間、掃描布線10和源 電極16之間、信號布線11和第2像素電極13之間等，配置有絕緣 層24a、 b、 c。
第l基板19以及第2基板20為了使光透射而是透明的，例如可 以使用玻璃或高分子膜。高分子膜特別優選為塑料(plastic)或聚醚 砜樹脂(以下稱為"PES")。但是，由于塑料或PES是透氣的，所以 需要在基板表面形成阻氣層(gas barrier)。阻氣層優選由氮化硅的 膜形成。
取向膜23具有使基板表面的液晶分子水平地取向的功能。取向 膜23優選為聚酰亞氨有機膜。
接下來，使用圖4，對像素電極以及TFT進行說明。圖4是構 成像素顯示區域的呈矩陣狀配置的像素的等效電路圖。在像素區域 中，具有信號布線11和掃描布線10。由信號布線11和掃描布線10 包圍的區域為像素，其信號布線IO和掃描布線ll被大致正交地配置， 在它們的交叉部具有至少1個TFT 30。該TFT 30與接觸孔17相連 接。對于該接觸孔17,在通常的液晶顯示裝置中是1個接觸孔與1個 像素電極連接，但在本實施例中，如圖3所示在1個接觸孔17上連 接了 2個不同的像素電極12、 13。另外，為了防止保持在像素中的圖 像信號的泄漏，也可以配置積蓄電容29。
另外，此處，以在l個像素內使用了 TFT30的有源矩陣驅動為 例子進行了說明，但本實施例即使在無源驅動中也能夠得到同樣的效 果。TFT 30是反交錯(staggered)結構；如圖3所示，在其溝道部 具有半導體層18。
信號布線11被施加用于控制液晶層的電壓信號，掃描布線10 被施加用于控制TFT30的信號。如圖1所示，源電極16經由接觸孔
17與各像素電極12、 13相連接。上述信號布線ll、掃描布線10以 及源電極15的材料優選為低電阻的導電性材料，例如優選為鉻、鉭 -鉬、鉭、鋁、銅等。
在圖1至圖3中，第1像素電極12以及第2像素電極13是為了 對液晶層25施加電場而配置的。各像素電極12、 13由透明的導電性 材料構成，例如使用銦錫氧化物(ITO)或氧化鋅(ZnO)。
濾色片21針對每個像素排列有使紅、綠、藍中的某一種光透射 的紅區域/綠區域/藍區域。這樣的配置例如有條紋排列或三角(Delta) 排列等。
平坦化層22是為了將在濾色片制作時發生的凸凹進行平坦化而 設置的。平坦化層22優選使用丙烯酸樹脂等。
黑底31是為了切斷來自鄰接像素的光泄漏等而設置的。黑底31 中使用的材料可以使用金屬或樹脂等不透明材料，優選為鉻、鉭-鉬、 鉭、鋁、銅等。
第1公共電極14以及第2公共電極15由透明的導電性材料構成， 例如使用銦錫氧化物(ITO)或氧化鋅(ZnO)。但是，為了降低布 線電阻，也可以僅對配置在信號布線11上部和掃描布線10上部的各 公共電極14、 15的部分使用低電阻的材料，例如鉻、鉭-鉬、鉭、 鋁、銅等。另外，也可以在透明的導電性材料上疊加低電阻的材料來 使用。
如果對各像素配置公共電極，則在各像素中必需要公共布線用的 接觸孔。這導致開口率的降低。因此，為了解決該問題，通過如圖1 所示與上下的相鄰的像素連接，無需對各像素配置接觸孔，而可以提 高開口率。在本實施例中，將沿著與信號布線11平行的方向、并且 信號布線11之上利用為布線區域。由此，可以消除來自信號布線ll 的泄漏電場的影響，并且可以提高開口率。
使用仿真對本實施例的效果進行討論。在仿真中使用市售的仿真 器(LCD - Master: Shintech公司生產)。圖6以及圖7示出仿真的 奈件以及結果。此處，與非專利文獻1所示的HT-IPS方式進行比
較。該HT-IPS方式的仿真參數使用非專利文獻1中示出的數值。 圖6 (c)中的As表示液晶的介電常數各向異性，An表示液晶的折射 率各向異性，d表示液晶層的厚度，And表示液晶層的延遲 (retardation) ， wl、 w2、 11、 12、 g表示圖6 (a) 、 (b)所示的長 度，pre-twist表示基板界面附近的液晶在方位角方向上旋轉的角度 (其中，0度為與信號布線平行的方向)，pre-tilt表示基板界面附近 的液晶在極角方向上旋轉的角度(其中，0度為與基板水平的方向)， din表示層間絕緣膜的膜厚。該層間絕緣膜假設為SiN膜，其相對介 電常數為6.5。
圖7示出關于透射率的最大值的And依賴性和As依賴性，進行 了仿真的結果。在圖7(a)中， 一邊使And從340到420nm變化一 邊進行計算。在圖7(b)中， 一邊使As從6到10變化一邊進行計算。 施加電壓為呈現最大透射率的電壓。根據結果，可知在所計算出的范 圍中，本實施例的透射率高于HT-IPS。另外，通過改變層間絕緣膜 的膜厚din，可以進一步提高透射率。
在本實施例中，梳齒電極隔著層間絕緣膜成為兩層結構，如果在 下側配置了 l個公共電極，則在上側配置1個像素電極；相反，如果 在下側配置了 1個像素電極，則在上側配置1個公共電極。并且，針 對每組交替該關系。此時，配置在兩層結構的下側的電極的寬度在設 配置在液晶層側的電極的寬度為wl而配置在第2基板20側的電極的 寬度為w2時，w2/2<wl￡w2的關系成立。在本次的仿真中，將wl設 為3fim并將wl設為2nm來進行。
此處，在設第1像素電極12的寬度為wl而第2公共電極15的 寬度為w2時，在像素內，w2/2<wl￡w2的關系成立；在設第1公共 電極14的寬度為wl，而第2像素電極13的寬度為w2，時，在像素內， w2，/2〈wl，^w2，的關系成立。
在本實施例中，梳齒電極的方向與掃描布線10大致平行，并且， 第1公共電極14以及笫2公共電極15在信號布線11上與相鄰的像 素連接。此處相鄰的像素是沿著信號布線11的方向。
使用圖8至圖11，對為了得到本實施例效果的其他結構進行說 明。為了得到本實施例的效果，梳齒電極的方向也可以與信號布線11 大致平行。另外，第1公共電極14以及第2公共電極15在掃描布線 10上與相鄰的上下的像素連接。或者，也可以在掃描布線10上和信 號布線11這兩者上連接。另外，此處相鄰的像素也可以是沿著掃描 方向10的方向。
在圖8中，梳齒電極的方向與信號布線11大致平行，并且，公 共電極14、 15在信號布線11上與相鄰的上下的像素連接。圖9是圖 8中的C-C，間的剖面概略圖。
在圖10中，梳齒電極的方向與掃描布線10大致平行，并且，公 共電極14、 15在掃描布線10上與相鄰的左右的像素連接。在圖11 中，梳齒電極的方向與信號布線11大致平行，并且，公共電極14、 15在掃描布線IO上與相鄰的左右的像素連接。除此以外，只要是在 掃描布線IO或信號布線11上與相鄰的像素連接的結構，則可以是任 意的結構。
通過如上所述那樣構成，本實施例可以提供高透射率并且顏色偏 移小的液晶顯示裝置。 (實施例2)
本實施例通過對液晶取向進行多疇(multi-domain )化來減輕顏 色偏移。該多疇化是指，如日本特開平11 -30784號公報記栽，在IPS 方式的液晶顯示裝置中，為了減輕從斜向觀察時的顏色偏移，將電極 彎曲而將液晶的取向設為大于等于2個方向。
本實施例的基本結構與實施例l相同，使用圖12，僅對與實施 例l不同的點進行說明。為了進行多疇化，必須使梳齒電極彎曲。在 圖12中，梳齒電極的方向為與掃描布線10大致平行的方向，但不限 于此。另外，彎曲次數也沒有特別限定。
這樣，第1像素電極12和笫2公共電極15、以及第l公共電極 14和第2像素電極13分別重疊，并且實現多疇化，據此，可以提供 高透射率并且顏色偏移小的液晶顯示裝置。
(實施例3 )
本實施例的基本結構與實施例l相同，使用圖13以及14僅對與 實施例1不同的點進行說明。
本實施例的特征在于，如圖13所示，在夾著信號布線11的2 個相鄰的像素中，在最靠近信號布線11配置的第1像素電極12之下 配置的第2公共電極15被共用化。此時，第2公共電極15也覆蓋在 信號布線ll上。圖14示出圖13中的D-D，間的剖面概略圖。
通過這樣配置第2公共電極15，可以大致完全消除來自信號布 線ll的泄漏電場的影響，進而可以擴大公共電極15的面積，所以還 可以降低電阻值。因此，不易引起像素的亮度傾斜等，而可以提供高 開口率的液晶顯示裝置。
(實施例4)
本實施例的基本結構與實施例l相同，使用圖15以及圖16僅對 與實施例1不同的點進行說明。
本實施例是如圖15所示在像素的一部分設置了反射顯示區域的 半透射型液晶顯示裝置。圖16示出圖15中的E-E，間的剖面概略圖。 與實施例1不同的點在于，具有反射板32，還具有用于與其他層電絕 緣的絕緣層24d。如圖16所示，在第1基板19的平坦化層22的液晶 層25側，配皇有內置相位板34和保護膜35。
反射板32是為了反射從第1基板19側入射的外部光而設置的。 反射板32為了使所入射來的外部光擴散而具有凹凸。也可以僅在反 射板32上具有該凹凸，但在本實施例中，如圖16所示，在絕緣膜24b 上制作凹凸，由此對反射板32附加凹凸。反射板32優選為在可見光 區域中反射率高的銀、鋁等。
內置相位差板34是為了使反射顯示區域的光學特性接近于透射 顯示區域的光學特性而配置的。內置相位差板34由于由液晶高分子 構成，所以與將有機高分子膜拉伸而制成的相位差板相比，分子的取 向性高且具有與液晶層25相同程度的取向性。因此，如果內置相位 差板34的An充分大于外置的相位差板，且適當調整分子結構以及制
造條件，則內置相位差板34的An可以設為與液晶層25相同程度或 更大。外置的相位差板的層厚為幾十nm,接近液晶層厚的10倍，但 如果使用液晶高分子，則可以大幅減小內置相位差板34的層厚。
內置相位差板34是對涂敷了取向膜的基板進行摩擦(nibbing ) 后，將二丙烯酸類液晶混合物和光反應開始劑 一起溶于有機溶劑中， 并通過旋轉涂敷(spin coat)或印刷等手段來涂敷的。剛涂敷后為溶 液狀態，但一邊使溶劑蒸發一邊沿著相位差層取向膜的取向方向取 向。對其照射紫外線而使分子末端的丙烯酸基彼此聚合。此時，雖然 氧是妨礙聚合反應的主要因素，但如果光反應開始劑的濃度充分，則 光反應會以充分快的速度進行。如果此處需要對內置相位差板34進 行圖案化，則利用掩模等不對希望圖案化的部分照射光，而利用有機 溶劑進行顯影，從而可以僅在必要的位置配置內置相位差板34。據此， 大概原樣地保持液晶層的取向狀態而進行固定化來形成相位差層。之 后，相位差層通過保護膜形成、取向膜形成的各工藝而被加熱。由于 被置于高溫狀態，相位差值減小；但相位差值的現狀是，為如果高溫 狀態的溫度一定，則相位差值與被置于高溫狀態的時間的長度大致成 比例，所以對其估計來設定初始的相位差值即可。在本實施例中使用 的內置相位差板34的相位差值優選為k到的范圍。
保護層35是為了保護液晶層25使內置相位差板34不侵入液晶 層25而配置的。保護層35優選使用與平坦化層22同樣的丙烯酸類 樹脂等。另外，僅對反射顯示區域配置臺階部33。
通過這樣配置，可以同時實現利用來自背光源單元的光的透射顯 示、和利用外部光并利用由反射板32反射的光的反射顯示這兩者。 其結果，可以提供高透射率并且顏色偏移小的半透射型液晶顯示裝 置。
另外，可以根據用途來變更反射顯示區域的大小。另外，只要能
夠實現半透射型液晶顯示裝置即可，可以是任何方式；在本實施例中， 記述了使用內置相位差板的方式，但不限于該方式。
通過如上所述的結構，可以提供可以同時實現透射顯示和反射顯
示的半透射型液晶顯示裝置。
(實施例5)
本實施例的基本結構與實施例4相同，使用圖17以及圖18僅對 與實施例4不同的點進行說明。
本實施例是如17所示在像素的一部分設置了反射顯示區域的半 透射型液晶顯示裝置。圖18示出圖17中的F-F，間的剖面概略圖。 在實施例4中，為了使反射板32電隔離而在兩側面配置有絕緣膜24b 、 d。本實施例的特征在于，使反射板32和第2公共電極15層疊，而 兼用作反射板32和第2公共電極15的功能。
反射板32是為了反射從第1基板19側入射的外部光而設置的。 反射板32是與第2公共電極15層疊地配置的。在圖18中，反射板 32被配置在液晶層側，但也可以是第2公共電極15被配置在液晶層 側。
第1公共電極14以及第2像素電極13僅配置在透射顯示區域。 另一方面，第1像素電極12配置在反射顯示區域和透射顯示區域， 梳齒電極寬度的間距也可以在透射顯示區域和反射顯示區域中變化。
通過如上所述的結構，與實施例4相比，可以將絕緣層減少1 層，所以可以提供低成本的半透射型液晶顯示裝置。
權利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，具有第1基板；第2基板；夾在上述第1基板和第2基板之間的液晶層、由以矩陣狀配置在上述第2基板上的掃描布線和信號布線所包圍的多個像素，對于上述第2基板，在配置有液晶層的一側的像素區域中，配置有第1像素電極和第2像素電極、以及第1公共電極和第2公共電極，上述第1像素電極和上述第1公共電極配置在第1層，上述第2像素電極和上述第2公共電極配置在第2層，上述第1像素電極和上述第2公共電極在上述像素內重疊，上述第2像素電極和上述第1公共電極在上述像素內重疊。
2. 根據權利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第l像素電極和第l公共電極、以及上述第2像素電極和第2公共電極在上述像素內成為梳齒狀電極結構。
3. 根據權利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在上述第l公共電極的梳齒電極間，配置有上述第l像素電極的梳齒電極，在上述第2公共電極的梳齒電極間，配置有上述第2像素電極的 梳齒電極。
4. 根據權利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在設上述第l像素電極的寬度為wl且上述第2公共電極的寬度為w2時，在上述像素內，成為w2/2<wl￡w2的關系；在設上述第l公共電極的寬度為wl，且上述第2像素電極的寬度 為w2，時，在上述像素內，成為w2，/2ovl，^v2，的關系。
5. 根據權利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在上述第l公共電極和第2像素電極之間夾著絕緣層，上述第1公共電極和上述第2像素電極重疊，在上述第l像素電極和第2公共電極之間夾著絕緣層，上述第1 像素電極和上述第2公共電極重疊。
6. 根據權利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在配置于上述像素內的各梳齒電極中，當從上述液晶層側觀察時，上述第l公共電極配置在上述第2像素電極的大致中心， 上述第l像素電極配置在上述第2公共電極的大致中心。
7. 根據權利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第1公共電極在與上述信號布線平行的方向或垂直的方向或這兩個方向上連接。
8. 根據權利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第2公共電極在與上述信號布線平行的方向或垂直的方向或這兩個方向上連接。
9. 根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第l公共電極和上述第2公共電極的一部分重疊，并且通過上述信號布線或上述掃描布線或這兩者。
10. 根據權利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第1公共電極和上述第2公共電極覆蓋著上述像素間的上述信號布線的全部。
11. 根據權利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 上述第1公共電極和上述第2公共電極覆蓋著上述像素間的上述掃描布線的全部。
12. 根據權利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在上述像素區域內，具有至少l個以上的接觸孔， 上述接觸孔將上述第l像素電極和上述第2像素電極同時連接到薄膜晶體管的源電極。
13. —種液晶顯示裝置，其特征在于，具有第1基板、第2基板、夾在上述第1基板和第2基板之間 的液晶層、由以矩陣狀配置在上述第2基板上的掃描布線和信號布線 包圍的多個像素， 對于上述第2基板，在配置有液晶層的一側的像素區域中，配置 有第l像素電極和第2像素電極、以及第l公共電極和第2公共電極， 上述第1像素電極和第1公共電極配置在第1層， 上述第2像素電極和第2公共電極配置在第2層， 上述第l像素電極和第2公共電極在上述像素內重疊， 上述第2像素電極和第l公共電極在上述像素內重疊， 上述像素區域包括透射顯示區域和反射顯示區域。
14. 根據權利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在上述第2基板的一部分上配置有反射板，在上述反射板與上述第2像素電極以及上述第2公共電極之間具 有絕緣層。
15. 根據權利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在上述第2基板的一部分上配置有反射板， 上述反射板和上述第2公共電極層疊地配置，上述第2像素電極僅配置在上述透射顯示區域中。
全文摘要
本發明提供一種寬視場角、顏色偏移小且高效的液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置具有第1基板、第2基板、夾在第1基板和第2基板之間的液晶層、由矩陣狀地配置在上述第2基板上的掃描布線(10)和信號布線(11)包圍的多個像素，對于第2基板在配置有液晶層的一側的像素區域，配置有第1像素電極(12)和第2像素電極(13)、第1公共電極(14)和第2公共電極(15)，第1像素電極(12)和第1公共電極(14)配置在第1層，第2像素電極(13)和第2公共電極(15)配置在第2層，第1像素電極(12)和第2公共電極(15)在像素內重疊，第2像素電極(13)和第1公共電極(14)在像素內重疊。
文檔編號G02F1/1362GK101359135SQ20081013347
公開日2009年2月4日 申請日期2008年7月25日 優先權日2007年8月3日
發明者伊東理, 岡真一郎, 廣田升一 申請人:株式會社日立顯示器