專利名稱：可變形反射鏡裝置,光拾取器和光學驅動裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種其反射鏡可變形的可變形反射鏡裝置以及包括 該可變形反射鏡裝置的光拾取器。本發明還涉及一種寫或讀光記錄介 質的光學驅動裝置。
背景技術：
在寫或讀光盤記錄介質的光學驅動裝置中，例如，激光通過物鏡 聚焦在光盤記錄介質的記錄層上以在其上讀或寫信號。已知在激光通過物鏡照射的情況下，由于從記錄表面到光盤記錄 介質的記錄層的覆蓋層的厚度(覆蓋厚度)不同會產生球面象差。在 光學系統被設計成在當前光記錄介質上的覆蓋厚度為一個假定值時使 球面象差最小的情況下，如果覆蓋厚度與該假定值不同，則可能產生 球面象差。為此，如果光盤記錄介質的覆蓋厚度不均勻則會產生球面象差。 近年來， 一些光盤記錄介質具有多個記錄層以便實現更高的記錄 密度。由于如上所述在具有多個記錄層的光盤記錄介質內到記錄層的 覆蓋厚度明顯不同，所以在寫或讀除了基準記錄層之外的記錄層時可 能產生球面象差。球面象差的產生會惡化圖象形成性能，并且還會惡化信號寫/讀性能。因此，希望給出用于校正球面象差的某種手段。在過去已經提出多種技術(參考JP-A-5-151591 (專利文獻l)， JP-A-9-152505 (專利文獻2 )和JP-A-2006-155850 (專利文獻3 ))， 這些技術使得包括在光盤內的反射體的表面形狀變形，以便校正如上 所述的由光記錄介質內的覆蓋厚度差導致的球面象差。其中，專利文獻3內包括的發明是由本發明人提出的。具體地， 提出了一種可變形反射鏡裝置，其"包括在表面上的反射鏡，具有利用 具有相同中心的圓形或橢圓形來區分與變形形狀相關的狀態的多個部 分的撓性構件，以及用于向撓性部件提供驅動力并且使反射鏡形狀變 形的驅動部件"。利用專利文獻3內公開的使用撓性構件的配置，反射鏡可根據施 加在撓性部件上的預定的均勻量的驅動力變形為某種變形形狀。因此， 反射鏡可變形為希望的形狀而無需采用如專利文獻l內所述的具有多 個壓電致動器的復雜配置，向該多個壓電致動器施加的是部分不同的 驅動力。換句話說，這可防止可變形反射鏡裝置的電路尺寸增加，從 而可減小電路制造成本。根據專利文獻3內公開的發明，撓性構件可根據施加的驅動力等 級逐步獲得希望的變形形狀，這使得反射鏡可具有兩種或多種變形形 狀。這樣可改進如專利文獻2內公開的發明所述的難以支持三個或更 多個記錄層的問題，并且在除了在設計光學系統時被定義為基準的記 錄層之外還存在兩個或更多個記錄層的情況下，可在所有記錄層上有 效地執行球面象差校正。發明內容這里，假設在通過對撓性構件施加驅動力獲得預定的反射鏡變形 形狀以便進行象差校正時，在沒有施加驅動力的狀態(即，未變形狀 態)下撓性構件是平坦的。這是由于在形成于撓性構件中以便獲得預 定變形形狀的、處于不同變形形狀狀態的各部分的圖案是在假設無變 形的反射鏡是平坦的情況下定義的。影響撓性構件的平坦度惡化的因素可能是反射鏡裝置的組裝精 度。換句話說，如果反射鏡裝置被以一定程度的精度組裝，則可阻止 產生不必要的應力，并且反射鏡可以是平坦的。但是，即使在反射鏡裝置的反射鏡自身的平坦度被獲得的狀態 下，由于組裝好的反射鏡裝置與另 一個裝置例如光學驅動裝置的連接 在裝置內產生的應力可能會不利地使反射鏡平坦度變差。例如，專利文獻3內的圖19內所示的可變形反射鏡裝置70具有 粘接的基部65和撓性構件2，該基部和撓性構件各自的外緣相互接觸。 在此結構內，由于反射鏡裝置與另一個裝置的連接產生的應力會通過 外緣傳導到撓性構件2側。因此，反射鏡變形，這會使平坦度變差。反射鏡平坦度的惡化會使得當反射鏡被驅動時變形形狀不對稱， 并且可阻止反射鏡根據施加的預定數量的驅動力實現預定的變形。結 果，球面象差校正的精確度降低。這里，為了防止在圖19內所示的具有外緣粘接的結構內發生如 上所述的連接時平坦度惡化，撓性構件2的最外側部分(框架2E)的 水平剖面的厚度可增加以獲得抵抗來自基部65 —側的應力的強度。但是，增加撓性構件2的最外側部分的寬度可能會增加反射鏡發 射裝置的尺寸。這里，圖19內的強度分布圖案2a的范圍是在線圏被通電并且在 撓性構件2上施加壓力時，用于獲得預定變形形狀的圖案形成為反射 鏡的變形形狀的部分。因此，當撓性構件2的最外側部分的厚度增加 時，通過保持形成有強度分布圖案2a的空間而朝外緣增加寬度。結果， 反射鏡裝置的大小會增加。專利文獻3公開了 一種中心鍵合型的可變形反射鏡裝置60 ，其中 專利文獻3內的圖16所示，撓性構件2和基部61通過各自的中心鍵 合(bonded)在一起。在此配置內，驅動線圏35圍繞撓性構件2的 最外側邊緣纏繞，并且在基部61的最外側部分處的外圓周壁61a上設 置磁鐵34。因此，可使反射鏡變形。但是，在此配置內，基部61的外圓周壁61a被形成在比撓性構件2的最外側部件靠外很多的位置上，并且被形成在形成用于放置磁 體34的空間和在磁體34與驅動線圏35之間的空間的位置上。結果， 基部61的寬度增加，這樣會促使裝置的尺寸增加。為了防止上述的尺寸增加，可提出這樣的配置，其中通過將已被 纏繞在撓性構件2的最外側部分的外緣側上的驅動線圏35纏繞在內圓 周側上，并且在基部61的內圓周壁61b —側上設置磁體34，從而省 去了基部61的外圓周部分而不是內圓周壁61b。但是，盡管可存在不 具有基部61的外圓周部分而不是內圓周壁61b的配置，但是此配置使 撓性構件2的最外側部件暴露在反射鏡裝置60內，并且在操作該裝置 時損壞撓性構件2的危險會增加。為此，操縱反射鏡裝置連接到另一 個裝置非常困難，這在實踐中會帶來問題。因此，希望提供一種具有以下配置的可變形反射鏡裝置，即該配 置可確保用于抑制由于當連接到另 一個裝置時在反射鏡裝置內產生的 應力導致的反射鏡的平坦度惡化所需的強度，并且可防止裝置的尺寸 增加。根據本發明的實施例，提供了一種具有以下配置的可變形反射鏡裝置。即，根據本發明的一個實施例的可變形反射鏡裝置包括撓性構件 和基底，所述撓性構件在一表面上具有反射鏡，并且具有呈現不同的 剖面形狀以在反射鏡的相對表面上形成凸起從而給予撓性構件預定的強度分布的部分。可變形反射鏡發射裝置還包括設置在基底和撓性構件之間以從 基底側支撐撓性構件的強度加固構件。可變形反射鏡裝置還包括用于通過在撓性構件的反射鏡的相對 表面上施加驅動力使反射鏡形狀變形的驅動裝置。這樣，根據本發明的實施例的可變形反射鏡裝置在基底和撓性構 件之間具有強度加固構件。因此，即使在當反射鏡裝置連接到另一個 裝置時在反射鏡裝置內產生應力的情況下，仍可有效地防止基于該強 度的力傳遞到撓性構件。結果，可抑制反射鏡的平坦度惡化。根據如上所述的本發明的實施例，在可變形反射鏡裝置過去連接 到另一個裝置時導致的反射鏡平坦度惡化可被抑制。于是，這樣的平 坦度惡化抑制可提高使反射鏡變形的精度，并且因此可提高象差校正 的精度。根據本發明的實施例，單獨提供的強度加固構件負責加固強度的 作用，而不是由撓性構件一側負責。因此，強度加固構件的水平剖面 厚度可以不沿裝置的外圓周方向增加而是沿內圓周方向增加。結果， 可有效地阻止用于加固強度的可變形反射鏡裝置的尺寸增加。單獨提供的起到強度加固作用的強度加固構件使得不必沿撓性 構件的最外側部分的垂直方向增加厚度。因此，蝕刻處理中的蝕刻深 度可減小以便形成撓性構件的最外側部分和剖面構成圖案(強度分布 圖案)。因此，可減小蝕刻步驟的用時，并且可提高制造效率，這樣 可降低裝置的制造成本。此外，減小處理撓性構件時的蝕刻深度可相應地提高剖面構成圖 案的階梯形狀的尺寸的精度。
圖l是示出包括根據本發明的實施例的可變形反射鏡裝置的光學驅動裝置的內部配置的框圖；圖2示出包括根據該實施例的光學驅動裝置的光拾取器的內部配置；圖3是示出根據該實施例的可變形反射鏡裝置的配置(無變形) 的剖^L圖；圖4A和4B示出在根據該實施例的可變形反射鏡裝置內包括的 撓性構件的配置；圖5是用于說明根據該實施例的可變形反射鏡裝置的反射鏡上的 激光光斑形狀的圖示；圖6是用于說明根據該實施例的可變形反射鏡裝置的制造方法的 示例的圖示；圖7是示出根據該實施例的可變形反射鏡裝置的配置(變形為凹 形)的剖視圖；圖8是示出根據該實施例的可變形反射鏡裝置的配置(變形為凸 形)的剖視圖；以及圖9A和9B是用于說明根據該實施例的可變形反射鏡裝置的配 置可抑制裝置的尺寸增加的圖示。
具體實施方式
下文將說明本發明的實施例。首先，將參照圖l說明光盤驅動裝置的配置，該光盤驅動裝置包 括具有根據本發明的一個實施例的可變形反射鏡裝置的光拾取器。光盤驅動裝置可以是只能讀數據的只讀裝置。光盤驅動裝置不僅 可讀取光盤D，該光盤D是利用凹坑和平臺的組合存儲數據的只讀 ROM光盤，還可讀取作為可寫光盤之一的一次寫入或可重寫光盤D。首先參照圖1，光盤D是具有多個記錄層的多層光盤。根據此實 施例，假設光盤D為高記錄密度光盤例如BD ("藍光光盤"(注冊商 標))。例如，可利用稍后說明的NA=0.85的物鏡26和例如405nm 的激光波長在其上執行寫/讀。在此情況下，如圖2的局部剖視圖所示，光盤D具有三個記錄層。 更具體地說，從距激光照射在其上的表面(記錄表面)最近的一側開 始依次i殳置有第一記錄層Ll、第二記錄層L2和第三記錄層L3。記錄 表面到第一記錄層Ll的間隔大約為0.075mm。換句話說，第一記錄 層Ll的覆蓋厚度為0.075mm。在此情況下，記錄層之間的間隔為 25nm,并且第二記錄層L2的覆蓋厚度和第三記錄層L3的覆蓋厚度 分別為O.lOOmm和0.125mm。在圖1內，安裝在光盤驅動裝置內的光盤D被主軸馬達2驅動以 恒定的線速度旋轉，并且光盤的中心孔連接在轉臺上。在讀取時，利用凹坑或標記寫在被旋轉驅動的光盤D的軌道上的 信息被光拾取器(光頭)l讀出。光盤的物理信息例如只讀的管理信息被利用浮凸凹坑或擺動構槽記錄在光盤D上，并且也被光拾取器l讀出。作為構槽軌道的擺動 被嵌入的ADIP信息可被記錄在可寫光盤D上并且被光拾取器1讀出。光拾取器1內部具有作為激光源的激光二極管LD、用于檢測反 射光的光電檢測器28和作為激光的輸出端的物鏡26，并且具有使激 光通過物鏡26照射在光盤記錄表面上并且將反射光引導到光電檢測 器的光學系統。稍后將說明光拾取器1的內部配置。在光拾取器1內，物鏡26被二軸機構(未示出)保持可沿循軌 方向和聚焦方向移動。螺旋(thread )機構3使得整個光拾取器1可沿光盤半徑方向移動。光拾取器1內的激光二極管LD被來自激光驅動器9的驅動信號 (驅動電流)驅動以發射激光。來自光盤D的反射光信息被光電檢測器28檢測，根據接收到的 光量被轉換成電信號并且被提供給矩陣電路4。矩陣電路4包括用于用作光電檢測器的多個感光器的輸出電流的 電流電壓轉換電路和矩陣操作/放大電路，并且生成用于矩陣操作處理 的信號。例如，矩陣電路4可生成對應于讀數據的FR信號(讀數據信號)， 用于伺服控制的聚焦誤差信號FE和循軌誤差信號TE。矩陣電路4還可生成關于溝槽擺動的信號，即推挽信號PP作為 檢測擺動的信號。矩陣電路4輸出的讀數據信號(FR信號)、聚焦誤差信號FE 和循軌誤差信號TE以及推挽信號PP分別被提供給數據信號處理電路 5、伺服電路ll和擺動信號處理電路6。數據信號處理電路5對讀數據信號執行二值化處理。數據信號處 理電路5還通過執行PLL處理生成讀時鐘。數據信號處理電路5還可 執行從二值化處理之后得到的二進制數據串中檢測同步信號的處理。在隨后的階段，在數據信號處理電路5中通過二值化處理獲得的 二進制數據被輸送到解碼器部分7。生成的讀時鐘被輸送到每個組成 部分的工作時鐘(未示出)。檢測到的同步信號被輸送到解碼器部分解碼器部分7對二進制數據串執行解調處理。即，解碼器部分7 對讀數據執行解調處理例如解調制、解交織、ECC解碼和地址解碼。在讀取時，解碼器部分7對被數據信號處理電路5解碼的二進制 數據串執行解調處理，并且基于同步信號和獲得的讀數據按照由解調時序指示的時序對二進制數據串執行解調處理。基于系統控制器10 的指令，被解碼器部分7解碼成讀數據的數據被傳遞到主機接口 8， 并且被傳遞到主機100。主機100可以是計算機或者AV (視聽)系統 機器。被解碼的地址數據被輸送到系統控制器10。在光盤D是可寫光盤的情況下，光盤D利用擺動溝槽記錄管理 信息和/或ADIP信息成為光盤的物理信息。擺動信號處理電路6基于系統控制器10的指令，從來自矩陣電 路4的推挽信號PP中檢測被光盤D的擺動溝槽這樣記錄的信息，并 且將檢測到的信息輸送到系統控制器10。伺服電路11由矩陣電路4的聚焦誤差信號FE和循軌誤差信號 TE生成例如用于聚焦、循軌和螺旋的伺服信號，并且執行伺服操作。換句話說，伺服電路11根據聚焦誤差信號FE或循軌誤差信號 TE生成聚焦伺服信號或循軌伺服信號，并且提供該信號作為二軸驅 動器14的驅動信號(聚焦驅動信號FD或循軌驅動信號TD )。因此， 光拾取器1內的二軸機構的聚焦線圏和循軌線圏根據該伺服信號被控 制以被驅動信號驅動。因此，光拾取器l、矩陣電路4、伺服電路ll、 二軸驅動器14和二軸機構形成循軌伺服環路和聚焦伺服環路。伺服電路11根據系統10的軌道跳轉指令斷開循軌伺服環路，并 且輸出跳轉脈沖以執行軌道跳轉操作。伺服電路11基于作為循軌誤差信號TE的低頻分量的螺旋誤差信號，或者來自系統控制器10的訪問執行控制，通過螺旋驅動器13 驅動螺旋機構3。螺旋機構13具有包括保持光拾取器1的主軸、螺旋 馬達和傳動齒輪的機構。螺旋馬達被基于螺旋驅動信號驅動以執行光 拾取器l的滑動。伺服電路11配置成允許設定聚焦偏置。即，基于來自系統控制 器10的指令的聚焦偏置可被添加到聚焦伺服環路內。主軸伺服電路12控制主軸馬達2執行CLV旋轉。主軸伺服電路12獲得數據信號處理電路5生成的讀時鐘信號作 為當前主軸馬達2的轉速信息，將該信息與預定的CLV基準速度信 息相比較，從而生成主軸誤差信號。在光盤D是可寫光盤的情況下，通過對擺動信號進行PLL處理 生成的時鐘可被獲得作為主軸2的當前轉速信息。因此，可通過比較 該信息與預定的CLV基準速度信息獲得主軸誤差信號。然后，主軸伺服電路12輸出根據主軸誤差信號生成的主軸驅動 信號，并且通過主軸驅動器16使主軸馬達2執行CLV旋轉。主軸伺服電路12根據來自系統控制器10的主軸起動/制動控制 信號生成主軸驅動信號，并且使主軸馬達2執行操作例如啟動、停止、 加速和減速。根據此實施例的光盤驅動裝置包括用于驅動下文說明的可變形 反射鏡裝置24的反射鏡驅動電路15,所述可變形反射鏡裝置24設置 在光拾取器1內。反射鏡驅動電路15基于系統控制器10的指令向可 變形反射鏡裝置24提供驅動信號，以控制驅動可變形反射鏡裝置24。如上所述的伺服相關或讀相關的操作被包括微型計算機的系統 控制器10控制。系統控制器10根據通過主機接口 8來自主機100的指令執行處理。例如，在主機100提供讀命令以便請求傳遞光盤D上記錄的某些 數據時，系統控制器10控制對首先作為目標的被指示地址的搜索操 作。換句話說，通過處理被搜索命令指定為目標的地址，命令伺服電路11使用光拾取器1執行訪問操作。此后，執行用于將被指示的數據持續時間內的數據傳遞給主機IOO的操作控制。換句話說，在數據信號處理電路15和解碼器部分7 內對從光盤D讀出的信號(讀數據信號)執行讀處理，并且傳遞被請 求的數據。根據此實施例，系統控制器10命令反射鏡驅動電路15控制反射 鏡的變形狀態。稍后將說明對如上所述的反射鏡變形的控制。已經在圖1的示例內說明了連接到主機IOO的光盤驅動裝置，根據本發明的實施例的光學驅動裝置可以不連接到另一個裝置。在此情 況下，其與圖1的不同之處是另外提供的操作和顯示單元和/或用于數 據輸入/輸出的接口部件的配置。換句話說，根據用戶操作寫或讀并且 具有用于數據輸入/輸出的終端單元是重要的。很明顯，光學驅動裝置的配置示例可與上述那些配置有很大不 同，并且可具有可寫配置。換句話說，本發明的實施例的驅動裝置可 以是閱讀器/寫入器或只讀裝置。圖2示意性地示出圖1內所示的光拾取器1的內部配置。圖2主 要示出作為光拾取器1的內部配置的光學系統的配置。圖2還示出光 拾取器1發射的激光如何照射在光盤D上以及圖1中所示的反射鏡驅 動電路15。如圖2所示，光拾取器1內部包括激光二極管LD、光柵21、準 直透鏡CL1、偏振分束器22、正面監視器23、可變形反射鏡裝置24、 四分之一波片25、物鏡26、準直透鏡CL2、多透鏡27和光電檢測器 28。在光拾取器l內的光學系統中，激光二極管LD發射的激光穿過 光柵21—準直透鏡CL1以線偏振進入偏振分束器22。已經進入偏振 分束器22的線偏振的激光的一部分被反射，并且被引導到正面監視器 23，該正面監視器23用于監視激光輸出。偏振分束器22允許線偏振的輸入激光的一部分以上述方式通過。 如圖2所示，通過的激光照射在可變形反射鏡裝置24的反射鏡上。在此情況下，可變形反射鏡裝置24傾斜，反射鏡與入射激光的光軸成 45度角。另外，光拾取器l被安裝成使得入射激光的光軸可與反射鏡 的中心一致。因此，通過在反射鏡上改變光軸90度來反射可變形反射 鏡裝置24上的入射激光。這里，如圖2所示，與可變形反射鏡裝置24的反射鏡正交的軸 向方向凈皮定義為Z軸方向。從可變形反射鏡裝置24的反射鏡射出的反射光以線偏振進入四 分之一波片25，被轉換成圓偏振，然后被光學透鏡26聚光并照射在 光盤D上。在此情況下，物鏡26^皮保持可沿物鏡26 4皮二軸機構(未示出) 移動接近或遠離光盤D的方向(聚焦方向)和光盤D的半徑方向(循 軌方向)移動。二軸機構使得激光通過物鏡26的聚光位置(聚焦位置) 可選擇性地與第一記錄層Ll、第二記錄層L2和第三記錄層L3之一 一致。另一方面，來自光盤D的記錄層的反射光(圓偏振)通過經由物 鏡26再次進入四分之一波片被轉換成線偏振，然后被可變形反射鏡裝 置24的反射鏡如圖2所示地反射，并進入偏振分束器22。偏振分束 器22朝準直透鏡CL2引導來自光照射在其上的光盤D的反射光的一 部分。穿過準直透鏡CL2的反射光通過多透鏡27進入光電檢測器28。 如上所述，光電檢測器28將反射光轉換成電信號，并且該電信號被輸 送到圖l所示的矩陣電路4。這里，例如假設在下文說明中，光盤D的第二記錄層L2被定義 為基準記錄層，其不需要進行球面象差校正。換句話說，光學系統在 此情況下被設計和調節成使得當在可變形反射鏡裝置24的反射鏡形 狀沒有變形的狀態下，光盤D的第二記錄層L2被聚焦(為了消除球 面象差校正的必要性)時，球面象差可為零。接下來，將參照圖3、 4A和4B說明可變形反射鏡裝置24的內 部配置。圖3示出可變形反射鏡裝置24的剖視圖，圖4A和4B示出具有 可變形反射鏡裝置24的撓性構件32的結構。圖4A示出沿圖2所示 的Z軸方向看到的結構，而圖4B示出剖面結構。圖3還示出反射鏡驅動電路15和可變形反射鏡裝置24。首先，如圖3所示，可變形反射鏡裝置24包括撓性構件32,表 面上的反射薄膜31,磁體36，基底34，驅動線圏35和強度加固構件 33。磁體36在具有反射薄膜31的反射鏡的相對表面上被固定到撓性 構件32上。驅動線圏35固定在基底34上。強度加固構件33被設置 在撓性構件32和基底34之間。首先，撓性構件32可包含硅并且是撓性的。反射薄膜31沉積在 該表面上以構成撓性構件32的反射鏡。然后，在此情況下，撓性構件32以如圖4B所示的方式在反射鏡 的背面具有關于圓心C同心設置的多個掩蔽物32A、 32B、 32C、 32D 和32E。在多個掩蔽物32A至32E中，包括圓心C的掩蔽物32A沿z 軸方向最厚，并且沿z軸方向的厚度按下一個外層掩蔽物32B、下一 個外層掩蔽物32C、下一個外層掩蔽物32D、下一個外層掩蔽物32E 的順序依次減小。換句話說，撓性構件32的剖面形狀在此情況下具有 從圓心C朝外圓周以階梯形式逐漸減小的厚度。然后，具有掩蔽物32E的區域之外的區域具有肋狀框架32F，該 框架32F用于確保強度足以防止在驅動力沿Z軸方向施加在撓性構件 32上時該區域變形。這里，在撓性構件32內，從掩蔽物32到掩蔽物32E的范圍是變 形為變形反射鏡的范圍。換句話說，當沿z軸方向的驅動力施加在其 上時，具有不同厚度的掩蔽物32A到掩蔽物32E的構成圖案可產生預 定的反射鏡變形形狀。這樣，形成具有不同剖面厚度的圖案可在撓性構件32內提供希 望的強度分布。同時，具有不同剖面厚度的圖案被稱為強度分布圖案。在此情況下，具有掩蔽物32A至32E的圖案被稱為強度分布圖 案32a。如上所述的其強度足以抵抗施加的驅動力防止變形的框架32F 設置在從掩蔽物32A至掩蔽物32E的區域(該區域是可變形區域)的 外圓周上。保持撓性構件32的用作框架32F的最外部部分的強度在 施加的驅動力下沒有任何變形，這使得從掩蔽物32A至掩蔽物32E的 可調節部分的變形形狀可容易地調節為更理想的變形形狀。換句話說，與撓性構件32的最外部部分變形的情況相比，反射鏡的變形形狀可以 更精確地接近理想形狀。在此情況下，被定義用于獲得用于象差校正的預定變形形狀作為 反射鏡形狀的強度分布圖案32a為橢圓形，以便利用可變形反射鏡裝 置24的反射鏡將入射光反射卯度，如圖2所示該裝置24被設置成 45度角的反射鏡。換句話說，在可變形反射鏡裝置24設置成45度角的反射鏡的情 況下，激光在該反射鏡上的照射點如圖5所示為橢圓形。更具體地說， 圖5內的掩蔽物沿X軸方向的直徑與沿Y軸方向的直徑的比大約為 X:Y=1:V^，其中當沿先前圖2內的Z軸方向觀看反射鏡時，光點的縱 向方向為Y軸方向，而與其正交的方向為X軸方向，由于反射鏡上的激光光斑形狀是橢圓形，所以強度分布圖案32a 也是橢圓形以便很好地執行球面象差校正。強度分布圖案32a內的關于圓心C同心設置的掩蔽物可防止在驅 動力施加在撓性構件32上時應力集中在撓性構件32的一部分上。因 此，可有效地保護撓性構件32不會斷裂或疲勞損壞。這里，當施加一定驅動力以便使反射鏡變形時，在撓性構件32 內出現內部應力。如果在撓性構件32內存在應力集中的位置，則在撓 性構件32由同質和各向同性材料制成的情況下，撓性構件32的尺寸 發生很大改變。例如，在具有非同心的掩蔽物的圖案中，掩蔽物之間的間隔可沿 特定方向減小或增加。具有減小間隔的部分可以是其中應力比其它部 分更容易集中的部分，因此是通過施加均勻的驅動力可使尺寸發生很 大變化的部分。應力集中的部分的存在會增加在該部分內超出撓性構件32的容 許應力的可能，這從而會增加造成破裂的可能性。撓性構件的重復變 形會導致該部分疲勞損壞。此實施例內的具有相同中心的掩蔽物的圖案結構使得圖案的間 隔均勾，并且可防止產生如上所迷的應力在一部分上集中的部分。換 句話說，可防止發生如上所述的破裂或疲勞損壞。返回參照圖3，圓柱形磁體36在撓性構件32的中心固定在掩蔽 物32A上。磁體36具有用于將掩蔽物32A裝配和定位在中心的凹面， 并且裝配在掩蔽物32A上的凹面例如通過鍵合(bonding)被牢固地 固定。然后，如圖3所示，撓性構件32的最外側部分的框架32F固定 在強度加固構件33上。Pyrex玻璃("PYREX，，(注冊商標))可^皮選為強度加固構件 33的材料。即，選擇剛性高于撓性構件32的材料。強度加固構件33 具有棱柱形外部形狀，并且在中心具有貫穿其中的錐形孔。在強度加 固構件33內，具有錐形孔的兩個表面的外部尺寸與撓性構件32的具 有反射鏡的表面的外圓周尺寸一致。撓性構件32的框架32F固定在 這兩個表面之一上。在此情況下，撓性構件32和強度加固構件33固 定成使得各自的中心軸線同軸。因此，框架32F固定在圍繞強度加固 構件33內的孔的部分上。基底34的表面的外部尺寸與撓性構件32的具有反射鏡的表面的 尺寸相等。具有相等尺寸的表面在最外側部分具有凹槽以便放置和固 定與強度加固構件33上固定有撓性構件32的表面相對的表面。更具 體地說，凹槽是相對于圓形凸起形成的，其直徑與在強度加固構件33 上固定有撓性構件32的表面的相對表面上的錐形孔的內部尺寸基本 相等。然后，通過將強度加固構件33放置和固定在相對于凸起的凹槽 內，基底34的中心和強度加固構件33的中心可被同軸放置。此外，基底34在中心具有圓形定位凸起，驅動線圏35的內壁將 裝配到其中。更具體地說，該凸起的中心與基底34的中心同軸，并且外部尺寸被限定用于接納驅動線圏35的內壁。在該凸起處裝配和固定 在基底34內的驅動線圏35使磁體36的外表面與驅動線圏35的內表 面在整個圓周上相互分開均勻的距離，并且使磁體36的中心和驅動線 圏35的中心同軸。如圖3所示，驅動線圏35連接到用于來自反射鏡驅動電路15的 驅動信號的供給線路。在根據此實施例的情況下，圖3所示的撓性構件32的框架32F 的沿垂直方向的厚度(高度)p等于0.3mm。在此情況下，在撓性構 件32的中心的掩蔽物32A的沿垂直方向的厚度(高度)也等于p。強度加固構件33的高度f、也是沿垂直方向的厚度(高度)被定 義為等于1.7mm。換句話說，與p的數值相比較，強度加固構件33 的高度在此情況下被定義為大于撓性構件32的框架32F的高度。沿水平方向的厚度(寬度)被定義為至少是q〈g,其中框架32F的寬度為q，而強度加固構件33的寬度為g (由于強度加固構件33 的孔在此情況下為錐形，所以其是較窄寬度的值)。這里，垂直方向指的是與反射鏡正交的方向。水平方向指的是與 該垂直方向正交并且平行于反射鏡的方向。4艮明顯，強度加固構件的錐形孔的尺寸應預先定義，以使得間距 可接納驅動線圏35的插入。另外重要的是，由于在撓性構件32變形時如果在撓性構件32和 驅動線圏35之間存在干擾的話會阻止反射鏡具有預定的變形形狀，所 以將強度加固構件33的沿垂直方向的厚度f定義為使得在驅動線圏 35和撓性構件32之間可提供足夠的間隙。這里，將參照圖6說明制造可變形反射鏡裝置24的方法的示例。 圖6示出可變形反射鏡裝置24的分解透視圖。首先，如上所述，例如可選擇硅作為撓性構件32的材料。例如， 在厚度p=0.3mm的平板形硅上執行使用半導體制造工藝的蝕刻處理。 因此，可獲得如圖4B所示的掩蔽物32A至32E和框架32F的剖面形 狀。應注意，重要的是，硅具有一定的厚度，以便獲得足夠在使用半導體制造工藝時進行制造處理所需的強度。例如，0.3mm或至少更大 的厚度對于加工硅片或塊硅襯底是重要的。根據此實施例，撓性構件32的框架32F和掩蔽物32A的厚度P 被定義為相等。通過這樣將框架32F和掩蔽物32A的厚度定義為相同， 在處理之前的硅的厚度可被定義為至少等于框架32F或掩蔽物32A的 厚度。換句話說，如果掩蔽物32A和框架32F的厚度等于p，則受到 蝕刻處理的區域可僅在從掩蔽物32B至32E的范圍內。在此情況下，在處理之前的硅的厚度等于0.3mm，這是獲得足夠 處理的強度的最小厚度。因此，如上所述，框架32F和掩蔽物32A中 每一個的厚度p在此情況下都等于0.3mm。由于如上所述，受到蝕刻處理的區域僅是從掩蔽物32B至掩蔽物 32E的范圍，所以在此情況下蝕刻量可最小。換句話說，如果掩蔽物 32A和框架32F的厚度不相等，則重要的是在掩蔽物32A和框架32F 之間厚度將減小的那一個上執行蝕刻處理。因此，將執行不必要的蝕 刻處理。在此情況下，使用SOI襯底(絕緣體上硅晶片)可減小作為撓性 構件32的原料的硅部分多于0.3mm的厚度。在使用SOI襯底的情況 下，硅部分的厚度可被定義為等于用于提供如圖4B所示的強度分布 圖案32a的最小厚度，并且因此可使蝕刻過程最小。參照圖6，在上述利用蝕刻成形制造的撓性構件32內，通過在具 有強度分布圖案32a的剖面形狀的表面的相對表面上噴射而沉積成例 如包含鋁的反射薄膜31,從而形成反射鏡。如上所述，磁體36例如 通過鍵合被剛性固定到掩蔽物32A的中心。強度加固構件33固定在反射鏡的相對表面上，并且其中心被安 置成與撓性構件32的中心同軸。在此情況下，含硅的撓性構件32和 包含Pyrex玻璃的強度加固構件33通過陽極鍵合固定。這里，可在考慮線性膨脹系數的情況下定義撓性構件32和強度 加固構件33的材料的結合。例如，重要地，在執行陽極鍵合的情況下加熱材料以便進行鍵合。 但是，鍵合具有完全不同的線性膨脹系數的材料會由于在鍵合之后返回室溫的材料的收縮差而使撓性構件32變形。換句話說，反射鏡的平 坦性惡化。考慮到這一事實，如上所述地結合硅和Pyrex玻璃，它們 的線性膨脹系數特性比較接近。可選擇地，撓性構件32和強度加固構件33使用相同材料可避免 與線性膨脹系數有關的問題。更具體地說，撓性構件32和強度加固構 件33都可包含硅。在它們都由硅形成的情況下，使用表面活化鍵合來 固定它們。參照圖6，通過在平板形構件上執行蝕刻處理形成如上所述的在 最外側部分的凹槽和在中心的凸起來制造基底34。從上述說明中顯而 易見，具有凹槽和凸起的表面的外部尺寸等于撓性構件32的反射鏡的 外部尺寸。然后，在中心凸起處將驅動線圏35放置和鍵合到基底34上。然 后，在最外側部分的凹槽處將強度加固構件33放置和固定到如上所述 地固定有驅動線圏35的基底34上。通過如上所述地固定組件，可獲得如圖3所示的可變形反射鏡裝 置24的配置。接下來將說明可變形反射鏡裝置24的操作。首先，根據此實施例，光學系統被定義和調節為光盤D的第二記 錄層L2可以是無需進行球面象差校正的基準記錄層。因此，在第二 記錄層L2上執行讀操作的情況下，可變形反射鏡裝置24的反射鏡沒 有變形。更具體地說，為了在第二記錄層L2上執行讀操作，圖l內所示 的系統控制器10命令反射鏡驅動電路15將提供給可變形反射鏡裝置 15 (或驅動線圏35)的驅動信號電平設定為電平0，這樣可防止反射 鏡變形。圖3內示出在此情況下的可變形反射鏡裝置24的反射鏡的狀態。 根據此實施例，重要的是在聚焦第一記錄層Ll或第三記錄層L3時使反射鏡變形。圖7和8示出在反射鏡變形的情況下的可變形反射鏡裝置24的 剖視圖。為了方便說明，圖7和8沒有示出反射薄膜31。為了進行比 較，圖7和8用虛線示出圖3內的無變形的反射鏡的狀態。首先，為了在第一記錄層L1上執行讀操作，系統控制器10命令 反射鏡驅動電路15將提供給驅動線圏35的驅動信號電平設定為預定 電平。因此，具有預定電平的驅動信號被輸送到驅動線圈35。當驅動線圏35被這樣供電時，生成根據供電電平的磁場，并且 放置在驅動線圏35內的磁體36受到生成的磁場的推斥力。在此情況 下，磁體36被沿圓柱體的軸向方向磁化，并且沿Z軸方向產生推斥 力。換句話說，這導致在固定有磁體36的撓性構件32的中心部分上 施加根據驅動信號電平的、沿Z軸方向的均勻驅動力。在此情況下，驅動線圏35內的線圏的纏繞方向和磁體36的極性 (南極/北極)被定義為使得磁體36可與響應于第一記錄層Ll上的讀 操作被提供的驅動信號的極性相反地朝基底34移動。因此，在第一記 錄層L1上的讀操作中，撓性構件32 (或反射鏡)的形狀可變形為如 圖7所示的凹形。此時，在撓性構件32上形成具有掩蔽物32A至32E的強度分布 圖案32a。因此，響應于在撓性構件32的中心部分均勻施加根據輸送 到驅動線圏35的驅動信號電平的、沿Z軸方向的預定壓力，可獲得 根據強度分布的預定變形形狀。換句話說，根據如上所述均勻施加的 壓力獲得的撓性構件32的變形形狀可由強度分布圖案32a的構成圖案 決定。強度分布圖案32a在此情況下被定義為獲得這樣的反射鏡形狀， 即該反射鏡形狀可校正當如上所述在撓性構件32的中心部分施加均 勻的預定量的驅動力(拉力)時由0.025mm的覆蓋厚度差造成的球面 象差。因此，通過如上所述地在第一記錄層Ll的讀操作中控制反射 鏡的相應變形，可校正球面象差。另一方面，在第三記錄層L3的讀操作中，系統控制器10指令反射鏡驅動電路15使送給驅動線圏35的驅動信號的極性與在第一記錄 層Ll上執行讀操作時的極性相反。使送給驅動線圈35的驅動信號的極性與在第一記錄層L1上執行 讀操作時的極性相反使得可在撓性構件32的中心部分對基底34的相 反側施加均勻的驅動力(推力)。結果，撓性構件32變形以如圖8 所示在反射鏡側具有凸起。這里，如上所述，強度分布圖案32a被定義為實現反射鏡的凹形 變形，這樣可通過施加預定量的壓力使撓性構件32的中心部分發生預 定量的位移，校正在聚焦在第一記錄層L1上時產生的球面象差。因此，通過使撓性構件32的中心部分沿相反方向進行等量的位 移使反射鏡變形為凸形，可獲得這樣的反射鏡的變形形狀，即該變形 形狀可校正在聚焦在第三記錄層L3上時造成的球面象差，該第三記 錄層L3位移絕對值相同的0.025mm。這里，為了產生如上所述的沿相反方向的預定位移量，輸送到驅 動線圏35的驅動信號的絕對值電平可被定義為基本等于在聚焦于第 一記錄層Ll上的情況下的電平。但是，嚴格地說，重要的是考慮撓 性構件32和磁體36的自重以便改變為凸出方向。因此，為了改變為凸出方向，希望將輸送到驅動線圏35的驅動中心部分的位移量可等于在變形為凹形的情況下的位移量。通過執行 這種調節，在聚焦于第三記錄層L3上的情況下，球面象差的校正精 確度可進一步增加。從上文說明顯而易見，在撓性構件32上形成的強度分布圖案32a 是獲得用于球面象差校正的預定反射鏡變形形狀的重要因素。可使用 例如專利文獻3內公開的FEM(有限元法)仿真工具識別用于根據施 加的預定量的驅動力(或者撓性構件32的中心部分的位移量)獲得用 于球面象差校正的預定反射鏡變形形狀的強度分布圖案32a。這樣，此實施例的光盤驅動裝置使得可^f吏用可變形反射鏡裝置24 進行球面象差校正。如圖3所示，在此實施例的可變形反射鏡裝置24內，強度加固 構件33設置在基底34和撓性構件32之間，并且撓性構件32被強度 加固構件33從基底34側支撐。因此，即使在當可變形反射鏡發射裝 置24連接到驅動裝置體部(或光拾取器1內的預定位置)時在可變形 反射鏡裝置24內產生應力的情況下，仍可有效地抑制基于該應力的、 到撓性構件32的力傳遞。換句話說，結果可抑制因連接導致的反射鏡 平坦度的惡化。這樣的對平坦度惡化的抑制可提高反射鏡變形的精確度。因此， 可提高象差校正的精確度。根據此實施例，強度加固構件33的寬度g被定為至少大于撓性 構件32的框架32F的寬度q。因此，基于撓性構件32和強度加固構 件33包含具有相等剛性(撓曲強度)的材料的假設，與過去不具有強 度加固構件33的情況相比，可更可靠地獲得抵抗連接時產生的應力的 強度。因此，這樣可以可靠地抑制反射鏡的平坦度惡化。根據此實施例，單獨提供的強度加固構件33側而不是撓性構件 32側負責加固作用。這樣可有效地抑制用于加固強度的裝置的尺寸增 加。這里，如果在無強度加固構件33時增加撓性構件32的框架32F 的寬度q以加固強度，則框架F的水平剖面厚度將如圖9B所示地沿 外圓周方向增加。這是因為重要的是獲得供強度分布圖案32a獲得預 定的反射鏡變形形狀所需的空間。另一方面，如圖9A內所示，在提供強度加固構件33的情況下， 可通過沿內圓周方向增加強度加固構件33的水平剖面厚度，而不是增 加框架32F的厚度來加固強度。結果，從圖9A和9B的比較中顯而易 見，可抑制用于加固強度的裝置的尺寸增加。其中單獨提供的強度加固構件33負責加固強度的作用的配置使 得不必增加撓性構件32的框架32F的垂直剖面厚度(高度p )。因此， 可相應地減小蝕刻處理的蝕刻深度以便形成撓性構件32的框架32F 和強度分布圖案32a。因此，可縮短蝕刻步驟的用時，這樣可提高制造效率并且降低裝 置制造成本。這樣，減小的蝕刻深度可提高強度分布圖案32a的階梯形狀的尺 寸的精確度，這樣可提高象差校正的精確度。為了抵抗在裝置連接時產生的應力而加固強度，可考慮這樣一種方法，其中將具有某一剖面厚度的框架部分結合到例如基底34的外圓 周部分上。但是，用于加固強度的框架部分結合到基底34上使得在基底34 底部產生的應力可容易地傳遞到框架部分，從而使得撓性構件32易于 變形。在基底34和用于加固強度的框架部分結合為一體的情況下，基 底34形成為具有凹剖面形狀。但是，實際上，重要的是在基底34的 底部形成凸起以便如上所述地放置和固定驅動線圏35。換句話說，在 外圓周部分上的框架部分在此情況下會妨礙放置用的凸起的處理，這 樣會增加處理難度，降低制造效率從而增加制造成本。另一方面，在根據此實施例單獨提供強度加固構件33的情況下， 基底34的線圏放置部分可通過非常容易的工藝形成，因此可降低制造 成本。強度加固構件33至少可通過非常容易的在原始構件內形成預定 直徑的孔的工藝來制造。此實施例的可變形反射鏡裝置24采用了活動磁體式配置，其中 磁體36固定在撓性構件32側(或活動側)，而驅動線圈35固定在基 底34側(固定側)。這樣也可提高象差校正精確度。在如專利文獻3的圖19內所示的線圏固定在活動側(撓性構件 側)的配置內，重要的是將用于線圏饋電的布線電纜連接到活動側。 但是，在此配置內，可能會由于饋電電纜彎曲導致的應力而向撓性構 件施加壓力，因此，反射鏡的變形會惡化平坦度。另一方面，此實施例的活動磁體式配置可防止進給電纜在活動側 上施加壓力，并且可更可靠地獲得平坦度。如果在初始狀態下可獲得 反射鏡的平坦性(無變形)，則可相應地提高象差校正的精確度。其中驅動線圏35固定在基底34側的活動磁體式配置可將在驅動 線圏35內生成的熱釋放到基底34側。換句話說，在此情況下，通過 為基底34選擇較高導熱性的材料，例如，可有效地抑制可變形反射鏡 裝置24內的溫度升高。此實施例的可變形反射鏡裝置24的配置允許使用上文參照圖6 說明的半導體制造過程例如沉積、蝕刻和鍵合作為制造步驟。因此， 高精度的批量生產更加容易。半導體制造工藝的可用性可減小可變形反射鏡裝置24的大小， 這樣可保持制造成本較低。在此實施例的光盤驅動裝置內，光學系統被設計或調節成使得在 聚焦于光盤D的三個記錄層之中的中間第二記錄層L2上時不必進行 球面象差校正。因此，在聚焦于第一記錄層L1或第三記錄層L3上時 的球面象差校正量可等于一層的校正量。如果光學系統被設計或調節 成在聚焦于第一記錄層Ll或第三記錄層L3上時不必進行球面象差校 正，則反射鏡的變形量最大可能是兩層的量，這樣由于要使用比撓性 構件32更堅固的構件而迫使成本增加。另一方面，如上所述的聚焦于 中間第二記錄層L2的配置可相應地減小撓性構件32所需的強度。因 此，可選擇材料的種類增加，并且成本降低。如果僅設置兩個記錄層，光學系統可被設計或調節成使得球面象 差校正量在中間為零。因此，用于校正每個層的球面象差的反射鏡變 形量可以是半個層的量。因此，可獲得相同效果。[變型例I盡管已經說明了本發明的實施例，但本發明并不局限于之前已經 說明的特定例子。例如，說明中所述的可變形反射鏡裝置的組件的形狀和尺寸僅是 示例性的，并且可根據需要改變而不會背離本發明的范圍。例如，將在強度分布圖案32a內形成的掩蔽物的數量是五個，即 掩蔽物32A至掩蔽物32E，但是這并不具體限制。.說明書內僅說曰/輸送到驅動線圏35以執行對應于一個層的覆蓋厚度差的球面象差校 正的情況，但是可執行對應于兩個或多個層的覆蓋厚度差的球面象差 校正。在此情況下，如專利文獻3內所示，可通過改變將被輸送到驅 動線圏35的驅動信號的電平，逐步改變將施加到撓性構件32的壓力。 可形成強度分布圖案32a以便根據逐步變化的驅動力水平逐步獲得預 定的變形圖案。迄今在說明書中已經示出驅動線圏35被固定在基底34上的情 況，但是驅動線圏35可固定在強度加固構件33上。換句話說，在活 動磁體配置中，驅動線圏35可至少固定在除了撓性構件32之外的固 定側上。可選擇地，可采用磁體36和驅動線圏35分別固定在固定側和活 動側的配置而不是所述活動磁體式配置。迄今在說明書內已經示出其中驅動裝置撓性構件提供基于電磁 力的壓力的配置，但是驅動裝置可具有其它配置例如其中分別在反射 鏡的相對表面和固定側例如基底上設置上部電極和下部電極，并且使 用因電極供電產生的靜電力驅動撓性構件變形的配置。已經示出其中如圖4A所示掩蔽物形狀沿X軸方向和Y軸方向軸 向對稱的情況，但是如專利文獻3所示，該形狀可不沿X軸方向軸向 對稱以便防止反射光的反射角位移。為了在形成反射薄膜31之后提高撓性構件32的平坦性，還可在 撓性構件32的反射鏡的相對側上形成包含相同材料的反射薄膜。已經示出其中可變形反射鏡裝置24放置成45度反射鏡，并且入 射光的光軸在反射鏡上改變90度的情況，但是可變形反射鏡裝置24 可設置成使激光光軸改變180度。但是，在此情況下，由于在反射鏡上的激光光斑為圓形，所以強 度分布形狀形成為圓形(參考專利文獻3)。用于反射180度的配置受限，這是因為如專利文獻3所述，激光 可僅以線偏振照射在光盤D上。希望激光以圓偏振照射在光盤D上以 便減小光盤D中的特性變化對光學系統的影響，例如通常是在設計光學系統時。考慮到激光二極管LD發射的將被光電檢測器28檢測到的 激光的使用效率，希望從光盤D而來的返回光以線偏振返回光電檢測 器28。從上文顯而易見，使可變形反射鏡裝置24成為45度角反射鏡的 光學系統的配置可使激光通過圓偏振照射在光盤D上，并且引導來自 光盤D的返回光以線偏振返回檢測器28。因此，通過具有45度角反 射鏡的配置，可減小光盤D的特性變化的影響，并且可提高光的使用 效率。強度分布圖案可例如被部分切除，而不是如根據本實施例的圍繞 掩蔽物周圍形成。如果根據必要驅動力的施加可獲得撓性構件的預定變形形狀，則 強度分布圖案并不局限于橢圓形(或圓形)，而是可具有任何形狀。是支持高記錄密度光;例如BD的驅動裝置，i是本發明可適用于支 持具有多個記錄層的其它光盤的驅動裝置。本發明還適用于支持具有單個記錄層的光盤的驅動裝置，并且例 如根據一個軌道內的覆蓋厚度的變化執行球面象差校正。本發明的實施例的光盤驅動裝置不僅具有支持上述光盤的配置， 而且還具有支持具有除圓盤形之外的其它形狀的例如矩形的光記錄介 質的配置。術語"光記錄介質，，在此是指通過光的照射向其中寫入信息/ 從中讀出信息的記錄介質。在上述說明中已經示出其中本發明的該實施例的可變形反射鏡 裝置應用于寫或讀光記錄介質的光學驅動裝置，但是該可變形反射鏡 裝置可適用于其他裝置例如照相機裝置的光學系統。還在此情況內， 本發明的實施例的可變形反射鏡裝置的配置可有效地抑制由于在連接 到另一個裝置時產生的應力導致的反射鏡平坦度惡化。本領域那些技術人員應理解，根據設計要求和其它因素可實現各 種修改、組合、子組合和變型，而不會背離所附權利要求及它們的等 同物的范圍。
權利要求
1.一種可變形反射鏡裝置，包括撓性構件，所述撓性構件在一表面上具有反射鏡，并且在所述反射鏡的相對表面上具有截面形狀不同以形成凸起的部分，從而將預定的強度分布給予所述撓性構件；基底；設置在所述基底和所述撓性構件之間以從所述基底側支撐所述撓性構件的強度加固構件；以及通過向所述撓性構件的所述反射鏡的相對表面施加驅動力，而使所述反射鏡的形狀變形的驅動部分。
2. 根據權利要求l所述的可變形反射鏡裝置，其中，所述撓性 構件具有以下截面形狀最外側部分的垂直截面最厚且所述垂直截面 的厚度從所述反射鏡的中心朝外圓周方向逐步減小。
3. 根據權利要求1所述的可變形反射鏡裝置，其中所述驅動部 分被配置成通過向所述撓性構件的所述反射鏡的相對表面施加基于電 磁力的壓力而使所述反射鏡變形。
4. 根據權利要求3所述的可變形反射鏡裝置，其中所述驅動部 分具有固定到所述撓性構件的所述反射鏡的相對表面上的磁體，和固定 到所述基底或所述強度加固構件上的線圏，其中，通過給所述線圏通電而向所述撓性構件施加推壓力或拉壓 力，從而使所述反射鏡變形。
5. 根據權利要求1所述的可變形反射鏡裝置，其中，該裝置被 放置成以90度反射入射光，并且所述截面形狀不同的部分為具有相同 中心的橢圓形狀。
6. 根據權利要求1所述的可變形反射鏡裝置，其中，所述撓性 構件包含硅，并且所述強度加固構件包含Pyrex玻璃，并且所述撓性 構件和所述強度加固構件通過陽極鍵合固定。
7. 根據權利要求l所述的可變形反射鏡裝置，其中，所述撓性 構件和所述強度加固構件均包含硅，并且所述撓性構件和所述強度加 固構件通過表面活化鍵合固定。
8. 根據權利要求l所述的可變形反射鏡裝置，其中，所述強度 加固構件在中心具有孔，并且所述孔周圍的外圓周壁的水平截面的厚 度至少比所述撓性構件的最外側部分的水平截面的厚度厚。
9. 一種光拾取器，包括通過物鏡輸出從光源發射的光的光學系統；以及 可變形反射鏡裝置，在該可變形反射鏡裝置中，反射鏡可相對于 所述光學系統的預定位置變形，其中，所述可變形反射鏡裝置具有撓性構件，所述撓性構件在一表面上具有反射鏡，并且在所 述反射鏡的相對表面上具有截面形狀不同以形成凸起的部分，從 而給予所述撓性構件預定的強度分布； 基底；設置在所述基底和所述撓性構件之間以從所述基底側支撐 所述撓性構件的強度加固構件；以及通過向所述撓性構件的所述反射鏡的相對表面施加驅動力， 而使所述反射鏡的形狀變形的驅動部分。
10. —種寫或讀光記錄介質的光驅動裝置，其中利用光的照射將 信息寫入光記錄介質或從光記錄介質中讀信息，所述裝置包括光拾取器，具有通過物鏡輸出從光源發射的光的光學系統；和可變形反射鏡裝置，在該可變形反射鏡裝置中，反射鏡可相對于所述光學系統的預定位置變形，所述可變形反射鏡裝置具有撓性構件，所述撓性構件在一表面上具有反射鏡，并 且在所述反射鏡的相對表面上具有截面形狀不同以形成凸 起的部分，從而給予所述撓性構件預定的強度分布；基底；設置在所述基底和所述撓性構件之間以從所述基底側 支撐所述撓性構件的強度加固構件；和通過向所述撓性構件的所述反射鏡的相對表面施加驅 動力，而使所述反射鏡的形狀變形的驅動部分；以及 控制部分，該控制部分通過控制所述可變形反射鏡裝置中的所述 驅動部分來控制所述反射鏡的變形。
全文摘要
公開了一種可變形反射鏡裝置，光拾取器和光學驅動裝置。可變形反射鏡裝置包括撓性構件，該撓性構件在一表面上具有反射鏡，并且在該反射鏡的相對表面上具有截面形狀不同以形成凸起的部分，從而給予撓性構件預定的強度分布；基底；設置在基底和撓性構件之間以從基底側支撐撓性構件的強度加固構件；以及通過在撓性構件的反射鏡的相對表面上施加驅動力以使反射鏡的形狀變形的驅動部分。
文檔編號G02B26/08GK101329447SQ200810125659
公開日2008年12月24日 申請日期2008年6月17日 優先權日2007年6月18日
發明者山田正裕, 青木直 申請人:索尼株式會社