光刻設(shè)備和方法

專利名稱：光刻設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版(retide)的圖案形成裝置用于生成對應(yīng)于IC的單層 的電路圖案?？梢詫⒃搱D案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例 如，包括一部分管芯、 一個(gè)或多個(gè)管芯)上，所述襯底具有輻射敏感材料 (抗蝕劑)層。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)曝光的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng) 絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖 案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器， 在所述掃描器中，通過沿給定方向("掃描"方向)的輻射束掃描所述圖 案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目 標(biāo)部分。US6，737，662描述一種光刻設(shè)備，在所述光刻設(shè)備中，反射鏡陣列被 用于將所需的角強(qiáng)度分布應(yīng)用于輻射束，所述輻射束隨后被用于將圖案投 影到襯底的目標(biāo)部分上。例如，需要提供一種克服或減緩在US6，737，662中所述的設(shè)備的至少一個(gè)缺點(diǎn)的光刻設(shè)備。 發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種方法，所述方法包括提供襯底；采 用照射系統(tǒng)提供輻射束；采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面上賦 予輻射束；以及將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上，其中所 述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件被設(shè)置用于將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照 射方式；分配方案，所述分配方案用于將不同的獨(dú)立可控的元件分配給所 述照射方式的不同部分，所述分配方案被選擇用于提供所述照射方式或所 述輻射束的至少一種屬性的所需修改。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種方法，所述方法包括提供襯 底；采用照射系統(tǒng)提供輻射束；采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截 面上賦予輻射束；以及將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上， 其中所述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件，所述 獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件被設(shè)置用于將輻射束轉(zhuǎn)換成所 需的照射方式。所述方法還包括采用所述獨(dú)立可控的元件陣列將所述輻 射束轉(zhuǎn)換成第一照射方式，然后采用所述獨(dú)立可控的元件陣列將所述輻射 束轉(zhuǎn)換成第二照射方式；采用分配方案，以使得將輻射引導(dǎo)到第一照射方 式下的位置上的所述獨(dú)立可控的元件被用于將輻射引導(dǎo)到第二照射方式 下的位置上，選擇所述位置，以使得所需的、在兩種方式之間轉(zhuǎn)換的獨(dú)立 可控的元件的運(yùn)動少于如果采用隨機(jī)的分配方案時(shí)所需的運(yùn)動。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種方法，所述方法包括提供襯 底；采用照射系統(tǒng)提供輻射束；采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截 面上賦予輻射束；以及將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上， 其中所述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件，所述 獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件被設(shè)置用于將輻射束轉(zhuǎn)換成所 需的照射方式。所述方法還包括采用檢測器檢測輻射束的指向的變化； 以及調(diào)整所述獨(dú)立可控的元件以至少部分地修正所述束的指向的變化。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括 照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)配置用于提供輻射束；支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu) 配置用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置用于將圖案在輻射束的橫 截面上賦予輻射束；襯底臺，用于保持襯底；以及投影系統(tǒng)，所述投影系 統(tǒng)配置用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，其中所述照射系 統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列和相關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的元件陣列 和相關(guān)的光學(xué)部件設(shè)置用于將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式，所述照射系 統(tǒng)還包括控制器，設(shè)置用于根據(jù)分配方案將不同的獨(dú)立可控的元件分配給所述照射方式的不同部分，所述分配方案被選擇以提供所述照射方式的 至少一種屬性的所需的修改。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種器件制造方法，所述方法包括采用 照射系統(tǒng)調(diào)節(jié)輻射束，所述調(diào)節(jié)包括控制照射系統(tǒng)的獨(dú)立可控的元件陣列 和相關(guān)的光學(xué)部件，以將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式，所述控制包括根 據(jù)分配方案將不同的獨(dú)立可控的元件分配給照射方式的不同部分，所述分 配方案被選擇用于提供照射方式、輻射束或照射方式和輻射束兩者中的至 少一種屬性的所需的修改；以圖案在輻射束的橫截面上對輻射束進(jìn)行圖案 化，以形成圖案化的輻射束;以及將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目 標(biāo)部分上。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種器件制造方法，所述方法包括采用 照射系統(tǒng)調(diào)節(jié)輻射束，所述調(diào)節(jié)包括控制照射系統(tǒng)的獨(dú)立可控的元件陣 列，以根據(jù)分配方案將輻射束轉(zhuǎn)換成第一照射方式和第二照射方式，以使 得將輻射引導(dǎo)到在第一照射方式下的位置上的獨(dú)立可控的元件被用于將 輻射引導(dǎo)到在第二照射方式下的位置上，所述位置被選擇，以使得所述獨(dú) 立可控的元件的運(yùn)動當(dāng)在第一和第二照射方式之間轉(zhuǎn)換時(shí)少于隨機(jī)的分 配方案所需的運(yùn)動；以圖案在輻射束的橫截面上對輻射束進(jìn)行圖案化，以 形成圖案化的輻射束；以及將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。


在此僅借助示例，參照所附示意圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，在所 附示意圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分，且其中-圖l示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備； 圖2示意性地示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的布置、從角強(qiáng)度分布到空間強(qiáng)度分 布的變換；圖3更詳細(xì)地示出如圖1所示的光刻設(shè)備的部分；圖4示出光瞳平面上的空間強(qiáng)度分布；圖5a-b示意性地示出可以形成如圖l所示的光刻設(shè)備的一部分的反射 鏡陣列的反射鏡；圖6至8、 10和11示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的反射鏡分配方案； 圖9示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于補(bǔ)償光瞳變跡的反射鏡分配方案的效果；圖12至14a-b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的采用反射鏡分配方案的聚焦 遠(yuǎn)心和方式強(qiáng)度調(diào)整；以及圖15和16示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于降低入射到反射鏡陣列的 反射鏡上的輻射量的設(shè)備。
具體實(shí)施方式
盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造IC，但 應(yīng)當(dāng)理解這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、 磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、液晶顯示器、薄膜磁頭的制造等。對于普 通的技術(shù)人員，應(yīng)該理解的是，在這種可替代的應(yīng)用的情況中，可以將其 中使用的任意術(shù)語"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"襯底" 或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理， 例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑 進(jìn)行顯影的工具)、度量工具或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將 所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處 理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語"襯底"也可 以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括 紫外(UV)輻射(例如具有約365、 248、 193、 157或126 nm的波長) 和極紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束，例 如離子束或電子束。這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地解釋為表示能夠用 于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成 圖案的裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底目標(biāo)部分上 所需的圖案完全相對應(yīng)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形 成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替相移掩模類型、衰減相移 掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例 采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨(dú)立地傾斜每一個(gè)小反射鏡，以便沿不同 方向反射入射的輻射束；以這種方式，所述被反射的輻射束被圖案化。支撐結(jié)構(gòu)保持圖案形成裝置。其以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻 設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的 方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械夾持、真空的或其他 夾持技術(shù)(例如在真空條件下的靜電夾持)保持圖案形成裝置。所述支撐 結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的，所 述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系 統(tǒng))。在這里使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模"都可以被認(rèn)為與更上位的 術(shù)語"圖案形成裝置"同義。應(yīng)該將這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"廣義地解釋為包括任意類型的投 影系統(tǒng)，包括折射型光學(xué)系統(tǒng)、反射型光學(xué)系統(tǒng)和反射折射型光學(xué)系統(tǒng)， 如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之 類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語"投影透鏡"可以被認(rèn)為是 與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。所述照射系統(tǒng)也可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型 和反射折射型的光學(xué)部件，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射束，且這些部件也 可以在下文被統(tǒng)稱為或特別地稱為"透鏡"。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個(gè)或 更多的支撐結(jié)構(gòu))的類型。在這種"多臺"機(jī)器中，可以并行地使用附加 的臺，或可以在將一個(gè)或更多個(gè)其他臺用于曝光的同時(shí)，在一個(gè)或更多個(gè) 臺上執(zhí)行預(yù)備步驟。所述光刻設(shè)備可以是允許在兩個(gè)或更多個(gè)掩模之間(或在設(shè)置在可控 的圖案形成裝置上的圖案之間)進(jìn)行快速轉(zhuǎn)換的類型，例如，如US2007-0013890A1中所述。所述光刻設(shè)備也可以是其中襯底被浸在具有相對高折射率的液體(例 如水)中的類型，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空隙。浸沒液也可以被應(yīng)用到光刻設(shè)備中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系統(tǒng) 的第一元件之間)。浸沒技術(shù)用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域中是 公知的。圖l示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的特定的實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備 包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，用于調(diào)整輻射束PB (例如，紫外輻射或極紫外輻射)；支撐結(jié)構(gòu)MT，用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與 用于相對于PL精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺 (例如晶片臺)WT，配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W， 并與用于相對于PL精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；以及投影系 統(tǒng)(例如折射式投影透鏡)PL,所述投影系統(tǒng)PL配置用于將由圖案形成 裝置MA賦予輻射束PB的圖案成像到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根 或多根管芯)上。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替 代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射 鏡陣列)。所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè) 備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下， 不會將該源考慮成光刻設(shè)備的組成部分，并且通過包括例如合適的引導(dǎo)反 射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳 到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述設(shè)備的組成部分(例 如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需 要時(shí)的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。以下對照射器IL進(jìn)行進(jìn)一步描述。所述輻射束PB在離開照射器IL之后，入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)MT 上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上。已經(jīng)穿過圖案形成裝置 MA之后，所述輻射束PB通過透鏡PL，所述PL將輻射束聚焦到所述襯 底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如， 干涉儀器件)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同 的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束PB的輻射路徑中。類似地，例如在從掩 模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于將圖案形成裝置MA相對于所 述輻射束PB的輻射路徑精確地定位。通常，可以通過形成所述定位裝置PM和PW的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的 幫助來實(shí)現(xiàn)載物臺MT和WT的移動。然而，在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描 器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定 的?？梢允褂脠D案形成裝置對齊標(biāo)記M1、 M2和襯底對齊標(biāo)記P1、 P2來 對齊圖案形成裝置MA和襯底W?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下優(yōu)選模式中1. 在步進(jìn)模式中，在將賦予所述輻射束PB的整個(gè)圖案一次投影到 目標(biāo)部分C上的同時(shí)，將支撐結(jié)構(gòu)MT和所述襯底臺WT保持為基本靜止(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動， 使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制 了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2. 在掃描模式中，在將賦予所述輻射束PB的圖案投影到目標(biāo)部分C 上的同時(shí)，對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描(即，單一的動 態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投 影系統(tǒng)PL的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝 光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃 描方向)，而所述掃描運(yùn)動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃 描方向)。3. 在另一個(gè)模式中，將保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保 持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束PB的圖案投影到目標(biāo)部分 C上的同時(shí)，對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描。在這種模式中，通常采 用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間 的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作 模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編 程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。 所述照射器IL可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào) 整器AM。這可以允許對例如所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為C7-外部和CT-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此 夕卜，所述照射器IL通常包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。 所述積分器(例如可以是石英棒)改善輻射束的均勻性。在輻射束入射到圖案形成裝置(例如掩模)MA之前，所述輻射束在 照射器的光瞳平面上的空間強(qiáng)度分布被轉(zhuǎn)換成角強(qiáng)度分布。換句話說，在照射器的光瞳平面和圖案形成裝置MA(圖案形成裝置在場平面上)之間存在傅里葉關(guān)系。這是因?yàn)檎丈淦鞴馔矫婊旧吓c耦合光學(xué)元件co的前焦面一致，所述耦合光學(xué)元件將輻射束聚焦到圖案形成裝置MA上。在光瞳平面上的空間強(qiáng)度分布的控制可以被用于提高圖案形成裝置 MA的圖像被投影到襯底W上所具有的精度。尤其，具有雙極、環(huán)形或四 極離軸照射輪廓的空間強(qiáng)度分布可以被用于增強(qiáng)對圖案進(jìn)行投影所具有 的分辨率，或者改善其他參數(shù)(例如對于投影透鏡的像差的敏感度、曝光 寬容度和焦深)。圖2更詳細(xì)地示出輻射束PB的對應(yīng)的角強(qiáng)度和空間強(qiáng)度分布的原理。 根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的布置，輻射束的外部和/或內(nèi)部徑向范圍(分別為a-外部和 c7-內(nèi)部)可以采用衍射元件4的陣列進(jìn)行設(shè)定。每個(gè)衍射元件4形成光線的 發(fā)散光錐5。每個(gè)光線光錐5對應(yīng)于輻射束PB的一部分或子束。光錐5將在 聚焦透鏡6入射。在聚焦透鏡6的后焦面8上，每個(gè)光錐5對應(yīng)于一個(gè)照射區(qū) 域。所述區(qū)域的尺寸依賴于光錐5的光線傳播的方向的范圍。如果所述方 向范圍小，則在后焦面8上的照射區(qū)域的尺寸也小。如果所述方向范圍大， 則在后焦面8上的照射區(qū)域的尺寸也大。進(jìn)而，所有相同方向的光錐5，即 相互平行的所有光線對應(yīng)于在后焦面8上的相同的特定點(diǎn)(假定采用理想 光學(xué)條件)。已知在具有環(huán)形的輻射束PB的橫截面中(尤其是在輻射束的光瞳平 面中)產(chǎn)生空間強(qiáng)度分布。這被公知為環(huán)形照射方式。所述環(huán)形的示例在 圖4中由兩個(gè)同心圓示出。環(huán)形的內(nèi)部徑向范圍(a-內(nèi)部)對應(yīng)于強(qiáng)度為0 或接近0的中心區(qū)域，并可以通過采用合適的衍射光學(xué)元件陣列進(jìn)行設(shè)定。 例如，參照圖2，衍射元件4的陣列可以被選擇，配置所述衍射元件4的陣 列，以使得沒有光線光錐5將在所述中心區(qū)域上入射，而替代地僅僅在環(huán) 形區(qū)域上入射(盡管在實(shí)際中，由于諸如色散等效應(yīng)而在所述中心區(qū)域上存在大于0的強(qiáng)度)。通過衍射元件陣列4的合適的選擇，在橫截面區(qū)域上 可以產(chǎn)生其他的空間強(qiáng)度分布，例如雙極或四極照射。諸如變焦透鏡或軸 棱鏡等附加的光學(xué)元件(未示出)可以被用于將其他修改方案應(yīng)用于輻射 束的角分布上。圖3示意性地示出替代的現(xiàn)有技術(shù)的布置。源31 (相當(dāng)于圖1中的LA)輸出相對窄的經(jīng)過準(zhǔn)直的輻射束，所述輻射束通過快門n。然后，輻射束通過束發(fā)散光學(xué)元件32，所述束發(fā)散光學(xué)元件32將輻射束擴(kuò)展為具有與反 射元件33a、 33b、 33c、 33d和33e的陣列33的尺寸相對應(yīng)的尺寸。理想地， 所述輻射束發(fā)散光學(xué)元件32應(yīng)當(dāng)輸出經(jīng)過準(zhǔn)直的輻射束。優(yōu)選地，經(jīng)過擴(kuò) 展的輻射束的尺寸足夠大，以使得輻射束在所有反射元件33a至33e上入 射。在圖3中，通過示例，示出經(jīng)過擴(kuò)展的輻射束的三個(gè)子束。第一子束入射到反射元件33b上。類似于陣列33的其他反射元件33a、 33c至33e，反射元件33b可以被控制用于調(diào)整其取向，以使得所述子束沿 著所需的預(yù)定方向被反射。轉(zhuǎn)向光學(xué)元件16可能包括聚焦透鏡，所述轉(zhuǎn)向 光學(xué)元件16使所述子束轉(zhuǎn)向，以使得其入射到輻射束的橫截面18中的所需 點(diǎn)或小區(qū)域上。橫截面18可以與光瞳平面一致，所述橫截面18用作對于照 射器的其他部分(圖3中未示出)的虛擬輻射源。如圖3所示的其他子束被 反射元件33c、 33d反射，并由轉(zhuǎn)向光學(xué)元件16轉(zhuǎn)向，以便在橫截面18的其 他點(diǎn)上入射。通過控制反射元件33a至33e的取向，可以在橫截面18上產(chǎn)生 幾乎任何空間強(qiáng)度分布。盡管圖3僅示出五個(gè)反射元件33a-e，但是陣列33可以包括更多的反射 元件，例如以兩維柵格設(shè)置的反射元件。例如，陣列33可能包括1024 (例 如32x32)個(gè)反射鏡，或者4096 (例如64x64)個(gè)反射鏡或者其他任何合適 數(shù)量的反射鏡。多于一個(gè)的反射鏡陣列可以被使用。例如，可以使用一組 四個(gè)具有32x32個(gè)反射鏡的反射鏡陣列。在下面的文字中，術(shù)語"陣列" 可以表示單個(gè)陣列或一組反射鏡陣列。陣列33的每個(gè)反射鏡的取向可以被獨(dú)立地調(diào)整。反射鏡的取向可以由 控制器CT所控制(見圖l)。圖4示出在由光刻設(shè)備的照射器產(chǎn)生的光瞳平面中的空間強(qiáng)度分布。 圖4可以被理解為示出采用多個(gè)子束產(chǎn)生空間強(qiáng)度分布的原理的示意圖。圖4的紙平面與輻射束的橫截面(例如圖3的橫截面18) —致。圖4示出十 五個(gè)圓形區(qū)域23，所述十五個(gè)圓形區(qū)域23表示具有大于閾值的照射強(qiáng)度的 區(qū)域。如圖4所示的強(qiáng)度分布具有近似平行四邊形的形狀。由于輻射束的 子束可以被引導(dǎo)到橫截面區(qū)域的任意所需位置上，所以可以產(chǎn)生幾乎任何 強(qiáng)度分布。然而，也可能產(chǎn)生可以被考慮成常規(guī)的強(qiáng)度分布(例如具有環(huán) 形、具有雙極形狀、四極形狀等)的強(qiáng)度分布。在圖4中，在內(nèi)圓和外圓 之間的區(qū)域21可以被填滿圓形區(qū)域23?？梢酝ㄟ^將子束引導(dǎo)到在內(nèi)圓和外圓之間的對應(yīng)位置來調(diào)整C7-外部和^內(nèi)部。圖5a-b示意性地示出反射元件的示例，所述反射元件例如可以形成如 圖3示意性地示出的反射元件的陣列的一部分。反射元件的陣列可以包括 例如超過1000個(gè)這種反射元件，所述反射元件可以例如被設(shè)置在輻射束經(jīng) 過的面上且以柵格形狀構(gòu)造。如圖5a-b所示的反射元件，在圖5a中是所述 反射元件的俯視圖，在圖5b中是所述反射元件的立體圖。為了便于表示， 在圖5a中示出的一些細(xì)節(jié)沒有被包括在圖5b中。反射元件包括具有矩形反 射表面區(qū)域的反射鏡61。通常，所述反射鏡可以具有任意所需的形狀，例 如方形、矩形、圓形、六角形等。反射鏡61經(jīng)由旋轉(zhuǎn)連接件65被連接到支 撐構(gòu)件63。反射鏡61可以相對于支撐構(gòu)件63旋轉(zhuǎn)，所述旋轉(zhuǎn)圍繞第一軸線 X(由虛線表示)進(jìn)行。支撐構(gòu)件63以旋轉(zhuǎn)方式連接到支腳67，所述支腳67 由襯底(未示出)支撐。所述支撐構(gòu)件可以圍繞第二軸線Y(由虛線表示) 旋轉(zhuǎn)。因此，能夠?qū)⒎瓷溏R61設(shè)定成沿著一定的方向取向，所述方向需要 X軸和Y軸旋轉(zhuǎn)的組合確定。反射鏡61的取向可以采用靜電致動器71控制。靜電致動器71包括 預(yù)定電荷所應(yīng)用的板。電荷通過靜電吸引力吸引反射鏡61，并被改變成調(diào) 整所述反射鏡的取向。傳感器可以被設(shè)置用于給出反射鏡61的取向的反 饋控制。傳感器可以例如是光學(xué)傳感器，或者可以例如是電容反饋傳感器。 被用作靜電致動器的板也可能用作電容反饋傳感器。盡管僅僅兩個(gè)靜電致 動器71在圖5a-b中示出，但是可以使用多于兩個(gè)的靜電致動器?？梢圆?用任何其他適當(dāng)形式的致動器。例如可以使用壓電致動器。反射鏡61的取向可以被調(diào)整以便將入射的輻射束反射到任何所需的 半球方向上。關(guān)于如圖6所示類型的反射元件的其他細(xì)節(jié)以及其他類型在例如US6,031，946中公開。陣列33的反射鏡分配可能采用簡單的途徑完成。例如，圖6示意性 地示出反射鏡33的陣列以及環(huán)形21，所述環(huán)形21通過反射鏡經(jīng)由合適 的輻射方向而形成。在典型的簡單的現(xiàn)有技術(shù)反射鏡分配方案中，第一反 射鏡A被用于將輻射引導(dǎo)到環(huán)形的最上區(qū)域上。被引導(dǎo)到該位置的輻射被 表示為圓形區(qū)域A。陣列的第二反射鏡B被用于將輻射引導(dǎo)到環(huán)形的相鄰 位置B。陣列的第三反射鏡C被用于將輻射引導(dǎo)到另一 個(gè)相鄰位置C等等。 由此可見，反射鏡分配方案是很簡單的。應(yīng)當(dāng)理解，圖6是示意性的。在 實(shí)際中可以使用更多的反射鏡。在相鄰的照射區(qū)域之間存在更多的交疊。 所述照射區(qū)域可以更小。在本發(fā)明的實(shí)施例中，如下所述，不是僅僅以諸如關(guān)于圖6的上述方 式分配反射鏡，而是設(shè)置反射鏡的分配，以使得其提供有益效果。這可能 包括例如對光刻設(shè)備的不希望的屬性的補(bǔ)償以及為改善光刻而對輻射束 的屬性進(jìn)行的調(diào)整等。參照圖7，示出反射鏡分配方案，所述反射鏡分配方案可以被用于提 高在環(huán)形21中的輻射強(qiáng)度的均勻性。在圖7中，當(dāng)形成所述環(huán)形的給定 部分時(shí)，使用反射鏡陣列33的不同部分。在所述示例中，采用在陣列33 的左上角的第一反射鏡A形成第一圓形區(qū)域A(如圖6所示)。采用位于反 射鏡陣列33的下半部分的反射鏡D形成所述環(huán)形的相鄰的圓形區(qū)域B。 采用也位于所述反射鏡陣列的下半部分的反射鏡形成不同的相鄰的圓形 區(qū)域C。采用位于所述陣列的上半部分的反射鏡形成相鄰的圓形區(qū)域D、 E。以這種方式，用于形成環(huán)形21的圓形區(qū)域被從反射鏡陣列33的上半 部分和下半部分中選出。以這種方式結(jié)合來自反射鏡陣列33的不同部分 的輻射可以幫助減小構(gòu)成環(huán)形21的輻射強(qiáng)度的變化。有時(shí)會出現(xiàn)形成反射鏡陣列的反射鏡的反射率不均勻的情況。例如， 在陣列的上部處的反射鏡具有比在陣列下部處的反射鏡更高的反射率。這 例如可能由于被用于形成反射鏡的涂層的材料的變化而出現(xiàn)。典型地，反 射鏡的反射率的變化具有低的空間頻率，即，所述反射率在相鄰的反射鏡 之間沒有明顯的變化，但是替代地，穿過所述陣列的表面逐漸變化。除了反射鏡反射率的變化之外或者沒有反射鏡反射率的變化，還可以看到輻射束穿過其橫截面的強(qiáng)度變化。在陣列的反射率(或輻射束的強(qiáng)度)從陣列的上部到下部逐漸增加的 情況下(如圖7所示)，以如圖6所示的方式進(jìn)行的反射鏡的分配將導(dǎo)致 采用反射鏡所形成的在環(huán)形21中的輻射強(qiáng)度的相應(yīng)變化。也就是說，環(huán)形的強(qiáng)度將從上到下逐漸增加(如圖7所示)。然而，如果采用如圖7所示的反射鏡分配方案，則所述強(qiáng)度的變化由于被反射鏡分配方案平均而無 法看到。如圖7所示的反射鏡分配方案是反射鏡分配方案的簡單示例，所述反 射鏡分配方案可以被用于本發(fā)明的實(shí)施例，以去除或減少采用所述反射鏡 所形成的形狀中的強(qiáng)度變化。其他反射鏡分配方案可以出于相同目的而被 使用。在本發(fā)明的可替代的實(shí)施例中，反射鏡陣列可以例如被考慮成四個(gè)區(qū) 域或八個(gè)區(qū)域等。每個(gè)區(qū)域?qū)⒁恍┹椛涮峁┙o采用反射鏡形成的形狀的每 一個(gè)部分。這例如可以去除或減少強(qiáng)度變化，所述強(qiáng)度變化例如可能由如 圖7所示的反射鏡的反射率從左到右的逐漸增加而產(chǎn)生，或者由如圖7所 示的反射鏡的反射率從左上角到右下角的逐漸增加而產(chǎn)生。通常，反射鏡可以從陣列的不同部分分配，以便減少強(qiáng)度變化，或者 減少或緩解一些其他效應(yīng)。所述部分的尺寸及其間隔通常將依賴于待減少 或緩解的效應(yīng)的空間頻率(或一些其他屬性)。因此，在本文中，對于陣 列的不同部分的提及不能被解釋為被限制于所述陣列的不同的半部、所述 陣列的不同的四分之一部分等。通常，對于在陣列的不同部分中的反射鏡 的引用可以被解釋為表示反射鏡不相鄰排列。在另一個(gè)替代的實(shí)施例中，反射鏡的分配可以被隨機(jī)地完成。換句話 說，陣列33的任何反射鏡可以被用于形成第一圓形區(qū)域A，而任何其他 的反射鏡可以被用于形成第二圓形區(qū)域B。然后，任何未使用的反射鏡可 以被用于形成圓形區(qū)域C等等。所述反射鏡被隨機(jī)地選擇。隨機(jī)的反射鏡 分配可能減少或去除由于反射鏡陣列的反射鏡之間的反射率差異所造成 的強(qiáng)度變化。隨機(jī)反射鏡分配也將減少或去除由于由源SO生成的輻射束 的(橫截面中的強(qiáng)度的)不均勻性所產(chǎn)生的強(qiáng)度變化。這在下文中進(jìn)行進(jìn) 一步的解釋。本發(fā)明的上述實(shí)施例以圖6示意性地示出以很小的交疊彼此相鄰的 輻射的圓形區(qū)域A-E的方式被簡化。然而，在一些情況下，環(huán)形(或其他 形狀)的構(gòu)造可以以一定的布置實(shí)現(xiàn)，在所述布置中，幾個(gè)圓形區(qū)域在任意給定位置處上下堆疊。經(jīng)過簡化的示意性示例如圖8所示。位于環(huán)形21內(nèi)的五個(gè)圓形區(qū)域中的每一個(gè)接收由所述陣列的八個(gè)不同的反射鏡所引導(dǎo)的輻射(所述區(qū)域標(biāo)記為8)。四個(gè)圓形區(qū)域(標(biāo)記為2)中的每一個(gè)接收來自陣列的兩個(gè)反射鏡的輻射。如此的配置例如可以在例如需要逐漸降 低形成所述環(huán)形的輻射的強(qiáng)度的情況下使用。這是簡化的示例，且在實(shí)際 中，所述圓形區(qū)域可能變小，并存在多得多的交疊區(qū)域，由此提供強(qiáng)度的 平滑降低(或平滑器)。在像這樣的、輻射的多個(gè)圓形區(qū)域上下堆疊或彼 此相鄰的情況下，所采用的反射鏡分配方案可以以上述方案為基礎(chǔ)?？蛇x 地，所述反射鏡分配方案可能不同。在本發(fā)明的實(shí)施例中，當(dāng)確定哪些反射鏡用于照射特定的圓形區(qū)域 時(shí)，當(dāng)確定反射鏡分配時(shí)，可以考慮反射鏡的反射率。例如，可以確定平均的反射鏡的反射率。具有比平均的反射鏡反射率高15%的反射率的反射 鏡可以與比平均的反射鏡反射率低15。/。的反射率的反射鏡配對。然后所述 兩個(gè)反射鏡可以被用于照射將接收來自所述陣列的兩個(gè)反射鏡的輻射的 圓形區(qū)域。以這樣的方式，解決了反射鏡的反射率與平均值的偏差。當(dāng)確定哪些反射鏡用于照射例如接收來自八個(gè)反射鏡的輻射的圓形 區(qū)域或接收來自多于一個(gè)的反射鏡的輻射的任何其他圓形區(qū)域時(shí)，可以使 用類似的方法。在一些情況下，傳感器或其他測量裝置可以被用于測量每 個(gè)反射鏡的反射率，所測量到的反射率被儲存。然后這將允許當(dāng)確定反射 鏡分配時(shí)，考慮每個(gè)獨(dú)立的反射鏡的反射率。在替代的布置中，不是測量 獨(dú)立的反射鏡的反射率，而是測量反射鏡陣列的一部分的反射率。再者， 可以在確定所述反射鏡分配時(shí)，存儲并考慮所述信息。在本發(fā)明的實(shí)施例中，當(dāng)確定多少反射鏡被用于將輻射引導(dǎo)到給定的 位置上時(shí)，可以使用陣列的反射鏡的反射率?？梢詫?shí)現(xiàn)以上方法的一種方 式是通過針對給定的圓形區(qū)域記錄所需的輻射強(qiáng)度。每次反射鏡被分配給 所述位置時(shí)，由所述反射鏡傳遞的輻射強(qiáng)度被從所需的總量中減去。以這 種方式，反射鏡繼續(xù)被分配給所需的位置，直到提供所需的輻射強(qiáng)度為止。當(dāng)采用該反射鏡分配方案時(shí)，可以例如通過將總的所需功率除以反射鏡的 數(shù)量，來采用歸一化，以便確定每個(gè)反射鏡所需的功率量。盡管本發(fā)明的實(shí)施例的以上描述已經(jīng)提及采用反射鏡分配方案補(bǔ)償 反射鏡的反射率的差異，但是可以以相同的方式對于光刻設(shè)備的其他缺陷 或?qū)傩蕴峁┭a(bǔ)償。例如，反射鏡分配可以被用于補(bǔ)償被用于照射陣列的輻 射束的強(qiáng)度的不均勻性。例如，所述補(bǔ)償可能涉及之前已經(jīng)被測量的屬性, 所述屬性是已知的或假定成恒定的。替代±也，例如，所述補(bǔ)償可能基于所 述光刻設(shè)備的屬性的周期性測量而隨時(shí)間變化。在一些情況下，光刻設(shè)備可能遭受聚焦遠(yuǎn)心偏移。當(dāng)聚焦遠(yuǎn)心偏移出 現(xiàn)時(shí)，反射鏡陣列33的每個(gè)反射鏡可以被旋轉(zhuǎn)過預(yù)定的角度，這提供對 所述聚焦遠(yuǎn)心偏移的補(bǔ)償。反射鏡的所述旋轉(zhuǎn)隨后被作為反射鏡的零位 置。反射鏡為形成所需的輻射束形狀的所有后續(xù)轉(zhuǎn)動被從所述零位置的起 點(diǎn)進(jìn)行。由此，陣列的反射鏡對光刻設(shè)備的聚焦遠(yuǎn)心偏移進(jìn)行補(bǔ)償。一些光刻設(shè)備受到被稱為束指向誤差的誤差的困擾。被用于生成輻射 束的激光(或其他光源)生成福射束，所述輻射束的指向可以隨時(shí)變化。 在一些現(xiàn)有技術(shù)的光刻設(shè)備中，通過提供修正輻射束的方向的所謂導(dǎo)向反 射鏡，對束指向誤差進(jìn)行修正。所述導(dǎo)向反射鏡由控制器控制，所述控制 器配置用于檢測指向誤差并用于確定束指向反射鏡的合適取向，以對其進(jìn)行修正。在本發(fā)明的實(shí)施例中，諸如在圖3中所示的陣列33等陣列的反射鏡可以被用于對所述誤差進(jìn)行修正，由此消除對于提供導(dǎo)向反射鏡的需 求。通過采用控制器檢測所述束指向誤差，可以進(jìn)行修正，且然后計(jì)算被 應(yīng)用于陣列的反射鏡的合適角偏移。在本發(fā)明的實(shí)施例中，反射鏡分配方案可以被用于補(bǔ)償有時(shí)會出現(xiàn)在 光刻設(shè)備中的、稱為光瞳變跡的效應(yīng)。光瞳變跡表示通過光刻設(shè)備的投影 透鏡進(jìn)行的輻射的透射具有角度依賴性。換句話說，當(dāng)考慮進(jìn)入投影系統(tǒng) 之前的輻射束時(shí)，接近所述投影系統(tǒng)的邊緣的輻射束部分以比通過所述投 影系統(tǒng)的中心區(qū)域的所述輻射束部分的強(qiáng)度低的強(qiáng)度由投影系統(tǒng)透射通過。圖9示意性地示出如何采用例如在圖3中所示的陣列的反射鏡補(bǔ)償光 瞳變跡。圖9示意性地示出在輻射束進(jìn)入投影系統(tǒng)之前、在光瞳平面上的 輻射束的橫截面的強(qiáng)度。反射鏡陣列已經(jīng)被配置，以使得被引導(dǎo)到輻射束的外部(在光瞳平面上)的輻射多于被引導(dǎo)到輻射束的中心部分的輻射。 輻射束的強(qiáng)度遵循被選擇用于補(bǔ)償投影系統(tǒng)的光瞳變跡的曲線。這可以例 如通過采用比用于將輻射引導(dǎo)到輻射束的中心部分(在光瞳平面上)的反 射鏡更多的反射鏡將輻射引導(dǎo)到輻射束的外部(在光瞳平面上)而實(shí)現(xiàn)。 光瞳變跡通過反射鏡分配方案來進(jìn)行補(bǔ)償。當(dāng)相干源(例如激光)被用于生成輻射束時(shí)，所述源的相干性可能產(chǎn) 生橫跨輻射束的橫截面的強(qiáng)度波動。這可以被考慮成散斑的形式。輻射束 中的強(qiáng)度波動通常將隨時(shí)間保持靜止。在一些情況下，所述強(qiáng)度波動可能 造成被投影到襯底上的圖案的惡化。在本發(fā)明的實(shí)施例中，反射鏡分配方 案可以被用于減少所述效應(yīng)。在輻射源是脈沖源(例如脈沖激光器)的情 況下，這可以通過改變在輻射脈沖之間的反射鏡的分配或者中途通過一系 列脈沖對其進(jìn)行改變來實(shí)現(xiàn)。這如圖10所示。在如圖10所示的示例中，需要三個(gè)輻射脈沖，以便將足夠的脈沖強(qiáng)度傳遞給圓形區(qū)域A。配置反射鏡陣列33，以使得第一反射鏡A1被用于 傳遞第一輻射脈沖。不同的反射鏡A2被用于傳遞第二輻射脈沖。第三反 射鏡A3被用于傳遞第三和最終的輻射脈沖。由于被傳遞給圓形區(qū)域A的 輻射來自輻射束的橫截面的不同區(qū)域，所以在輻射束中存在的任何強(qiáng)度變 化將被平均化或顯著地減小。反射鏡A1-A3的選擇可以是隨機(jī)的，可以 基于強(qiáng)度變化的空間頻率，和/或可以考慮在強(qiáng)度脈沖之間的反射鏡的運(yùn) 動的所需范圍。在實(shí)施例中，可以通過選擇性地改變與預(yù)定的反射鏡組相對應(yīng)的光路 長度來減弱散斑效應(yīng)。通過改變第一反射鏡相對于相鄰第二反射鏡的光路 長度的光路長度，改變?nèi)肷涞礁鱾€(gè)第一和第二反射鏡上的兩個(gè)子束之間的 相位關(guān)系。通過改變相位關(guān)系，散斑效應(yīng)背減弱。對應(yīng)于反射鏡的光路長 度可以通過引入反射鏡的平移運(yùn)動而被改變。所需的平移運(yùn)動是光波長量 級的，并由此比照射束的相干長度小，所述照射束的相干長度為0.30m量 級。這樣，僅僅子束的相位關(guān)系被調(diào)制而不涉及其相干屬性。反射鏡的平 移運(yùn)動可以通過在脈沖之間的靜電致動器71的驅(qū)動電壓的預(yù)定改變而產(chǎn) 生，所述改變以在反射鏡沿著垂直于X-Y平面的方差保持恒定、同時(shí)將它們都增加小電壓而實(shí)現(xiàn)。如果需要傳遞高強(qiáng)度的輻射束，則在大多數(shù)情況下，對于每個(gè)輻射脈 沖即使不需要采用陣列的全部反射鏡，也需要采用陣列的大多數(shù)反射鏡。 所述輻射脈沖可以在時(shí)間上相隔很近。這可能意味著，被用于照射在環(huán)形 (或其他形狀)中的一個(gè)位置處的圓形區(qū)域的給定反射鏡可能沒有足夠的 時(shí)間旋轉(zhuǎn)，以使得對于后續(xù)脈沖，其可以被用于照射在環(huán)形的相對側(cè)的圓 形區(qū)域。出于所述原因，反射鏡分配方案可以被選擇，在所述反射鏡分配 方案中，給定的反射鏡從不需要旋轉(zhuǎn)超過在輻射脈沖之間的小的預(yù)定角度 范圍。換句話說，反射鏡可以被用于將輻射引導(dǎo)到圓形區(qū)域，所述圓形區(qū) 域都落在環(huán)形(或其他形狀)的相同部分之內(nèi)。通常，可能是陣列33的反射鏡具有受限的使用壽命。所述使用壽命 可能部分地依賴于所述反射鏡被旋轉(zhuǎn)的次數(shù)和這些旋轉(zhuǎn)的角度大小的結(jié) 合。在本發(fā)明的實(shí)施例中，反射鏡分配方案被用于減小反射鏡轉(zhuǎn)角的平均 大小。在一些情況下，可能需要在兩種照射方式之間變換，例如具有環(huán)形的 方式和具有四極形狀的方式。這在圖11中示意性地示出。為了幫助在所述方式之間進(jìn)行比較，點(diǎn)劃線22表示sigma^。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可 以選擇反射鏡分配方案，以使得被用于照射環(huán)形的給定部分的反射鏡被用 于照射位于相同的普通區(qū)域中的四極形狀的一部分。在圖U中，在環(huán)形 的左上部分中的三個(gè)圓形區(qū)域A-C被照射。被用于照射這些圓形區(qū)域的反 射鏡被用于照射最接近環(huán)形的區(qū)域的四極部分(即四極的左上部分)。類 似地，圓形區(qū)域D、 E被以由特定的反射鏡引導(dǎo)到其上的輻射所照射。這 些相同的反射鏡被用于將輻射引導(dǎo)到最接近環(huán)形的相關(guān)部分的四極形狀 的部分(即右下角)。當(dāng)確定哪些反射鏡用于照射位于相同的普通位置上 的四極形狀的部分時(shí)，反射鏡分配方案考慮被用于照射環(huán)形的給定部分的 反射鏡的位置。這樣做減小所述反射鏡需要被轉(zhuǎn)過的角度，并由此可以延 長反射鏡的使用壽命。盡管本發(fā)明的實(shí)施例表示在環(huán)形方式和四極方式之 間的轉(zhuǎn)換，但是本發(fā)明的實(shí)施例可以被應(yīng)用于在任何方式之間的轉(zhuǎn)換。在一些情況下，可以感到需要被設(shè)置在陣列33中的反射鏡的數(shù)量太 大。例如，這可能是因?yàn)樘峁┧龇瓷溏R的成本可能隨著陣列中的反射鏡的數(shù)量的上升而顯著增加。在反射鏡陣列中所需的反射鏡的數(shù)量依賴于需 要形成照射方式所具有的分辨率。換句話說，如果需要形成在其外邊緣上 具有很光滑的圓形曲線的環(huán)形，則將需要比可接受沿著環(huán)形的邊緣具有一 些不平整的情況所需要的反射鏡更多的反射鏡。在本發(fā)明的實(shí)施例中，為獲得具有給定分辨率的環(huán)形(或其他形狀) 所需的反射鏡數(shù)量可以通過在輻射脈沖之間(或在一系列輻射脈沖之間) 移動反射鏡而被減少。例如，如果在襯底上的給定位置的曝光需要四個(gè)輻 射脈沖，則反射鏡的有效數(shù)量可以通過在每個(gè)脈沖之間移動反射鏡而增加 四倍。換句話說，可以采用給定的反射鏡照射四個(gè)不同的位置(每個(gè)脈沖 一個(gè)位置)，而不是僅僅照射一個(gè)位置。這允許獲得相當(dāng)于由多達(dá)四倍的 反射鏡所提供的分辨率。在替代的示例中，反射鏡可以在第二和第三脈沖 之間被移動，以使得反射鏡的數(shù)量被有效地增加到兩倍，而不是增加四倍。 在另一個(gè)示例中，脈沖數(shù)量可以是五十，并在每十個(gè)脈沖之后移動反射鏡， 由此提供相當(dāng)于將陣列中的反射鏡的數(shù)量增加五倍的分辨率。在公知的光刻設(shè)備中，已知采用具有大于1的sigma的照射方式。這可能允許第一衍射級或更高衍射級的輻射被用于照射圖案形成裝置(例如掩模)MA。大于1的sigma可以通過陣列33的反射鏡的合適取向而獲得。 在本發(fā)明的實(shí)施例中，至少一種反射鏡分配方案可以被用于處理輻射 束的參數(shù)，例如通過場的(在光瞳平面上的)橢圓率、極平衡和高能聚焦 遠(yuǎn)心。橢圓率或聚焦遠(yuǎn)心處理可以被考慮成能量不平衡處理的示例。圖12示意性地示出光刻設(shè)備任何可以造成聚焦遠(yuǎn)心誤差，以產(chǎn)生被 引導(dǎo)到掩模(或其他圖案形成裝置)MA的輻射。所述聚焦遠(yuǎn)心誤差可能 是有害的，這是由于其可能劣化被光刻設(shè)備投影到襯底上的圖案。本發(fā)明 的實(shí)施例可以采用反射鏡陣列33對所述聚焦遠(yuǎn)心誤差進(jìn)行修正。這可能 被描述為輻射束的至少一個(gè)屬性的修改，而不是照射方式的至少一個(gè)屬性 的修改。通常，本發(fā)明的實(shí)施例可以被描述為采用反射鏡分配方案提供照射方 式或輻射束的至少一個(gè)屬性的所需修改。術(shù)語"修改"表示在輻射束入射 到反射鏡陣列之前的射方式或輻射束與被反射鏡陣列反射之后的照射 方式或輻射束之間的比較。盡管本發(fā)明的實(shí)施例采用反射鏡陣列被描述，但是可以采用其他形式的獨(dú)立可控的元件的陣列。參照圖12，輻射束由反射鏡陣列33經(jīng)由聚光透鏡50朝向場限定元件51反射。圖12是示意性的，且應(yīng)當(dāng)理解，在實(shí)際中，在反射鏡陣列33、 聚光透鏡50和場限定元件51的兩兩之間存在很大的間距。聚光透鏡50 可以包括一系列透鏡。設(shè)置反射鏡陣列33的反射鏡，以使得輻射束被分離到兩個(gè)區(qū)域上， 所述兩個(gè)區(qū)域在聚光透鏡50處彼此間隔開(例如雙極方式)。輻射束的每 個(gè)區(qū)域被從聚光透鏡50朝向場限定元件51引導(dǎo)。離開聚光透鏡時(shí)的輻射 束區(qū)域52a、 52b與光軸OA成夾角。輻射束區(qū)域52a、 52b通過一組透鏡53 (在此表示為單個(gè)透鏡)，所 述透鏡組53將輻射束聚焦到圖案形成裝置(例如掩模)MA上。圖案形 成裝置(例如掩模)MA被位于所述透鏡組53的出射焦面上。因此，圖 案形成裝置(例如掩模)MA被輻射束照射，所述輻射束包括具有不同的 角分布的兩個(gè)區(qū)域52a、 52b (雙極方式)。在圖案形成裝置(例如掩模)MA上的總輻射強(qiáng)度在圖案形成裝置(例 如掩模)的整個(gè)表面上是恒定的。然而，輻射束52a的第一區(qū)域和輻射束 52b的第二區(qū)域的比例橫跨圖案形成裝置(例如掩模)而變化。例如，在 圖案形成裝置(例如掩模)的頂部上(如圖12所示)，輻射束52a的第一 區(qū)域的比例小于輻射束52b的第二區(qū)域的比例。因?yàn)槿肷涞綀鱿薅ㄔ?1 上的輻射不與光軸平行，所以產(chǎn)生所述差別。在圖案形成裝置(例如掩模) MA的底部，來自輻射束的第一區(qū)域52a的輻射的比例大于來自輻射束的 第二區(qū)域52b的輻射的比例。再者，因?yàn)槿肷涞綀鱿薅ㄔ?1上的輻射 不與光軸平行，所以產(chǎn)生所述差別。在圖案形成裝置(例如掩模)MA的 中間，來自輻射束的第一區(qū)域52a和第二區(qū)域52b的轄射比例是相等的。用于表示橫跨掩模的輻射的變化的另一種方式是說輻射的聚焦遠(yuǎn)心 變化。在圖12中，x方向已經(jīng)被表示，并可能被用于幫助描述聚焦遠(yuǎn)心變 化。在x的值小時(shí)(在圖的底部)，聚焦遠(yuǎn)心是負(fù)的，如曲線55所示。聚 焦遠(yuǎn)心增加，并在圖案形成裝置(例如掩模)的中心上過零。隨著x的值 增加，聚焦遠(yuǎn)心逐漸增加為正。如圖55所示，聚焦遠(yuǎn)心的變化橫跨圖案 形成裝置(例如掩模)是線性的。23聚焦遠(yuǎn)心也被表示在示意圖54中，所述示意圖54示出在橫跨掩模的不同位置處的等價(jià)的光瞳平面。在這些圖示中，"+ "表示超過50%的輻射 來自輻射束的特定極，而"-"表示低于50%的輻射來自所述輻射束的特定極。在x的值小時(shí)(在圖的底部)，大部分輻射來自輻射束的第一區(qū)域52a，而少量的輻射來自輻射束的第二區(qū)域52b。在圖案形成裝置(例如掩 模)的頂部上，大部分輻射來自輻射束的第二區(qū)域52b，而少量輻射來自 輻射束的第一區(qū)域52a。在圖案形成裝置(例如掩模)的中心上，接收來 自輻射束的第一區(qū)域52a和第二區(qū)域52b的等量輻射。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在反射鏡陣列33處的反射鏡分配方案可以被 用于調(diào)整輻射的聚焦遠(yuǎn)心(例如在光刻設(shè)備中)。例如，反射鏡分配方案 可能被用于從輻射束中去除或減小如圖12所示的聚焦遠(yuǎn)心誤差。例如， 反射鏡分配方案可以被用于為所有的x值在圖案形成裝置(例如掩模) MA上提供等比例的輻射束的第一區(qū)域52a和第二區(qū)域52b (在現(xiàn)有的光 刻設(shè)備中，聚焦遠(yuǎn)心誤差不會在y方向上產(chǎn)生)。結(jié)合圖13對關(guān)于聚焦遠(yuǎn)心的反射鏡分配效果進(jìn)行描述。 圖13示意性地示出在三種不同的配置下的反射鏡陣列63a、 b、 c， 每種所述配置被用于生成所謂C四極照射方式(C-quadrupole) 60。所述 C四極照射方式包括(在光瞳平面上)四個(gè)束區(qū)域，每個(gè)所述束區(qū)域相互 分隔開。反射鏡陣列63a、 b、 c包括大約1000個(gè)反射鏡。每個(gè)反射鏡給出表 示反射鏡引導(dǎo)輻射的方式的陰影。例如，如果反射鏡是白的，則這表示反 射鏡將輻射引導(dǎo)到C四極照射方式的左極60a。如果反射鏡是黑的，則這 表示反射鏡將輻射引導(dǎo)到C四極照射方式的上極60b等。在圖13a中，反射鏡按行分配。第一行163a將輻射引導(dǎo)到C四極照 射方式的左極60a和右極60c，而第二行163b將輻射引導(dǎo)到C四極照射 方式的上極60b和下極60d。在每行內(nèi)，所分配的反射鏡在極間更替。所 述反射鏡分配方案將去除或減小由于反射鏡反射率變化或者輻射束的不 均勻性所導(dǎo)致的強(qiáng)度變化。然而，將不修改在圖案形成裝置(例如掩模) MA所看到的輻射束的聚焦遠(yuǎn)心。因此，如果光刻設(shè)備產(chǎn)生聚焦遠(yuǎn)心誤差， 則該反射鏡分配方案將不會去除或減小所述誤差。在圖13b中，分配所述反射鏡，以使得被引導(dǎo)到C四極的最上極60b的所有輻射來自反射鏡陣列63b的最上面的四分之一 164a。入射到C四 極的最下極上的所有輻射被從反射鏡陣列的最下面的四分之一164c接收。 設(shè)置反射鏡分配方案，以使得在四極方式的中間兩級上接收的輻射被從反 射鏡陣列的中心部分164b的所有部分等同地接收。所述反射鏡分配方案 引入在入射到圖案形成裝置(例如掩模)MA的輻射的x方向上的顯著的 聚焦遠(yuǎn)心變化。所述反射鏡分配方案在y方向上不產(chǎn)生聚焦遠(yuǎn)心變化。圖13b示出在x方向上的聚焦遠(yuǎn)心變化如何被應(yīng)用于輻射束。所述變 化的幅度可以通過改變哪些反射鏡被分配給上極60b和下極60d而被減 小。例如，在反射鏡陣列63b的最上面四分之一 164a中的80%的反射鏡 可能被分配給上極60b，而不是在反射鏡陣列63b的最上面四分之一 164a 中的所有反射鏡都被分配給上極60b。剩余的20%的反射鏡可以被分配給 下極60b。類似地，在反射鏡陣列63b的最下面四分之一 164c中的80% 的反射鏡被分配給下極60d，而剩余的20%的反射鏡被分配給上極60b。 以這種方式，減小的聚焦遠(yuǎn)心變化被應(yīng)用于輻射束。由反射鏡分配方案所 采用的聚焦遠(yuǎn)心的符號可以通過逆轉(zhuǎn)所述反射鏡分配方案而被逆轉(zhuǎn)。通過調(diào)整被分配給上極60b和下極60d的反射鏡的比例，采用如圖 13b所示的方案，可以根據(jù)需要調(diào)整在輻射束的x方向上的聚焦遠(yuǎn)心的變 化?？梢允褂门c所不希望的聚焦遠(yuǎn)心相反的聚焦遠(yuǎn)心，所述所不希望的聚 焦遠(yuǎn)心被光刻設(shè)備的其他部分所應(yīng)用。在完成調(diào)整的情況下，由反射鏡所 應(yīng)用的聚焦遠(yuǎn)心將抵消(或減弱)所述所不希望的聚焦遠(yuǎn)心，以使得入射 到圖案形成裝置(例如掩模)MA上的輻射對于在掩模上的所有x值具有 零聚焦遠(yuǎn)心(或減小的聚焦遠(yuǎn)心變化)。例如，這可以以迭代方式通過采 用傳感器測量掩模上(或襯底水平面上)的聚焦遠(yuǎn)心并調(diào)整反射鏡分配方 案，然后重新測量聚焦遠(yuǎn)心等來實(shí)現(xiàn)。參照圖13c，在替代的反射鏡分配方案中，四極方式的上極60b和下 極60d接收來自反射鏡陣列33c的上半部165a的輻射，而左極60a和右 極60c接收來自反射鏡陣列的下半部165b的輻射。所述反射鏡分配方案可以在與被引導(dǎo)到上極60b和下極60d的輻射的 比例相比，需要控制被引導(dǎo)到左極60a和右極60c的輻射的比例時(shí)使用。被引導(dǎo)到上極60b和下極60d的輻射比例可以例如通過增加將輻射分配給 這些極的反射鏡的數(shù)量而被增加。例如，這可以通過重新分配反射鏡行、以使得它們將輻射引導(dǎo)到上極60b和下極60d而不是將輻射引導(dǎo)到左極 60a和右極60c而實(shí)現(xiàn)。例如，這可以是與反射鏡陣列63c的上半部164a 相鄰的反射鏡行。被重新分配的反射鏡的數(shù)量可以被基于一定的程度進(jìn)行 選擇，在所述程度上與存在于上極60b和下極60d中的輻射的比例相比， 需要修改存在于左極60a和右極60c中的輻射的比例。例如，如果采用光刻設(shè)備將水平線和垂直線(即沿著x和y方向延伸 的線)投影到襯底上，則結(jié)合圖13c所述的調(diào)整是有用的。可能是這種情 況，在沒有調(diào)整的情況下，例如由于輻射束的偏振，與垂直線相比，更多 的輻射被傳遞給水平線。這可能造成在襯底上形成比垂直線粗的水平線 (反之亦然，依賴于在襯底上提供的抗蝕劑的性質(zhì))。與上極60b和下極 60d相比較，被傳遞給左極60a和右極60c的輻射比例的調(diào)整可以被用于 去除或減小所述差異。于是，反射鏡分配的調(diào)整可以被用于減小被投影到 襯底上的水平和垂直線之間的強(qiáng)度(以及隨后的厚度)變化。反射鏡分配方案可以被以相同的方式用于除去單極或雙極方式之外 的照射方式。例如，參照圖14，引導(dǎo)來自反射鏡陣列的不同部分的輻射的 反射鏡分配方案可以被用于形成環(huán)形照射方式。在實(shí)現(xiàn)環(huán)形照射方式的情 況下，邊界66將在采用反射鏡陣列的不同部分而形成的照射方式的不同 部分67之間出現(xiàn)。如果需要，接近反射鏡陣列上的相對應(yīng)邊界68的一些 反射鏡可以被分配給相鄰的照射方式的區(qū)域。在以上步驟完成的情況下， 在照射方式的不同區(qū)域之間的邊界可能被抹掉(如圖14a所示)。在邊界 未被抹掉的情況下，在照射方式的不同區(qū)域之間將看到"硬"邊界(如圖 14b所示)。在一些情況下，可能需要在x方向上比y方向上長的反射鏡陣列。這 可能允許照射方式的屬性(例如聚焦遠(yuǎn)心)的更顯著的修改。如上所述，反射鏡分配方案可以被修改，以使得反射被從一極轉(zhuǎn)移到 另一極。這可以被用于去除或降低極間的不希望的強(qiáng)度差。將輻射引導(dǎo)到 強(qiáng)度更大的極的至少一個(gè)反射鏡可以被重新定向，以使得其將輻射引導(dǎo)到 強(qiáng)度較低的極。被重新定向的反射鏡的數(shù)量依賴于所述極的強(qiáng)度之差。在一些情況下，所測量到的極間強(qiáng)度之差大到足以被考慮成所不希望 的，但是也可能足夠小，以使得從一極到另一極的輻射轉(zhuǎn)換不能被用于修 正所述差別，這是因?yàn)橛擅總€(gè)反射鏡所反射的輻射量大于所述兩極之間的 差別。在這種情況下，在本發(fā)明的實(shí)施例中，至少一個(gè)反射鏡可以被設(shè)置， 以使得它們將更少的輻射量引導(dǎo)到所述方式。例如，參照圖15，衰減片 70位于反射鏡陣列33和用于將輻射束聚焦到反射鏡陣列上的(可選的)光學(xué)元件71之間。例如衰減片70可以將輻射衰減50°/。，以使得兩個(gè)反射 鏡將強(qiáng)度為正常強(qiáng)度的50%的輻射引導(dǎo)到所述照射方式。這些反射鏡可以 被用于例如對某種方式的特定的極的強(qiáng)度進(jìn)行小的調(diào)整，或者對其他方式 進(jìn)行另外的強(qiáng)度調(diào)整。盡管所示的衰減片具有50%的衰減，但是也可以采用提供其他衰減性 的衰減片。衰減片可以被提供給一個(gè)反射鏡、兩個(gè)反射鏡或任何其他數(shù)量 的反射鏡。反射鏡可以被置于彼此相鄰的位置上，或可以位于反射鏡陣列 33上的不同位置上。圖16示出采用分束器72代替衰減片70的布置。設(shè)置分束器72，以 使得入射輻射在反射鏡陣列33的兩個(gè)反射鏡上被接收，而不是在一個(gè)反 射鏡上被接收。 一些輻射通過分束器72，到達(dá)第一反射鏡上。其余的輻射 被分束器反射，并被反射鏡74引導(dǎo)到相鄰的反射鏡上。這些反射鏡可以 被用于將強(qiáng)度被降低的輻射引導(dǎo)成照射方式。所述布置不會向圖15所示 的布置那樣導(dǎo)致輻射損失。在每個(gè)反射鏡上被引導(dǎo)的輻射的比例可以通過 改變分束器的反射率而被修改。在另一個(gè)替代的布置中(未示出)，輻射束的強(qiáng)度分布可能在其邊緣 上逐漸減小。因此，相比接收來自輻射束的中心的輻射反射鏡，接收來自 輻射束的邊緣的輻射的反射鏡接收更少的輻射。接收更少輻射的反射鏡可 以被用于為供給照射方式的不同區(qū)域的輻射強(qiáng)度提供小的調(diào)整。在另一個(gè)替代的布置中(未示出)，光學(xué)元件71可能包括用于保持濾 光片的狹槽。如圖15所示，光學(xué)元件71包括多個(gè)透鏡元件，其中每個(gè)透 鏡元件對應(yīng)于反射鏡陣列33的各個(gè)反射鏡。在至少一個(gè)反射鏡有故障的 情況下，就可能出現(xiàn)問題。有故障的反射鏡可能是被卡在固定位置上的反 射鏡和不再能夠圍繞X軸和Y軸旋轉(zhuǎn)的反射鏡，所述軸如圖5a所示。在存在至少一個(gè)這種有故障的反射鏡的情況下，每個(gè)有故障的反射鏡將輻射 束的子束沿著固定的方向反射。因此，在光瞳平面上的空間強(qiáng)度分布包括 不能橫跨所述光瞳平面移動的固定輻射斑。為了減輕至少一個(gè)有故障的反 射鏡的問題，濾光片可以被置于所述狹槽中，所述狹槽被設(shè)置用于透射用 于正常運(yùn)轉(zhuǎn)的反射鏡的輻射，而阻擋用于有故障的反射鏡的輻射。在更多 的反射鏡發(fā)生故障的情況下，這種濾光片可以被新的濾光片所替代。有故 障的反射鏡可以采用本說明書第10頁第3段所述的傳感器被確定。替代 地，所述狹槽可以與光學(xué)元件71獨(dú)立地設(shè)置。涉及采用輻射的環(huán)形構(gòu)造的上述本發(fā)明的實(shí)施例可以被用于形成任 意其他合適形狀。換句話說，在描述涉及形成環(huán)形照射方式的情況下，這 可以被任何其他合適的照射方式(例如雙極、四極等)所替代。如圖1所示的控制器CT可以被設(shè)置用于控制反射鏡陣列的反射鏡的 取向，例如將所需的反射鏡分配方案應(yīng)用到反射鏡上。在其中可提供本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備可能是允許在至少兩個(gè)掩 模之間(或者在設(shè)置在可控的圖案形成裝置的圖案之間)進(jìn)行快速轉(zhuǎn)換的 類型。每個(gè)掩模(或在圖案形成裝置上的圖案)可能需要不同的照射方式。 因此，本發(fā)明的實(shí)施例尤其適用于所述類型的光刻設(shè)備，這是因?yàn)樗鼈兡?夠在照射方式之間實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換。盡管涉及反射鏡陣列的本發(fā)明的實(shí)施例已經(jīng)在上面進(jìn)行了描述，但是 也可以使用任何其他合適的類型的獨(dú)立可控的元件陣列。盡管本發(fā)明的具體的實(shí)施例已經(jīng)在上面進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解， 本發(fā)明可以以與上述不同的方式實(shí)現(xiàn)。所述描述并不試圖限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種方法，所述方法包括采用照射系統(tǒng)提供輻射束；采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束；以及將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上，其中所述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件被設(shè)置用于將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式；以及其中分配方案用于將不同的獨(dú)立可控的元件分配給所述照射方式的不同部分，所述分配方案被選擇用于提供所述照射方式或所述輻射束的至少一種屬性的所需修改。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述分配方案包括采用位于陣 列的不同部分中的獨(dú)立可控的元件，將輻射引導(dǎo)到照射方式中的相鄰位置 上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述分配方案包括將所述獨(dú)立可 控的元件隨機(jī)地分配。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述分配方案包括分配一對獨(dú)立 可控的元件，以將輻射引導(dǎo)到照射方式中的給定位置上，所述一對獨(dú)立可 控的元件中的每個(gè)獨(dú)立可控的元件位于陣列的不同部分。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述分配方案包括選擇一定數(shù)量 的獨(dú)立可控的元件，所述獨(dú)立可控的元件將輻射引導(dǎo)到所述方式中的給定 位置上，所述選擇步驟依賴于從每個(gè)獨(dú)立可控的元件所提供的輻射的強(qiáng) 度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述選擇步驟基于所述獨(dú)立可控 的元件的反射率。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述選擇步驟基于入射到所述獨(dú) 立可控的元件時(shí)的輻射束的強(qiáng)度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述分配方案包括與被分配以將輻射引導(dǎo)至輻射束的中心部分的獨(dú)立可控的元件的數(shù)量相比，分配更多 的獨(dú)立可控的元件以將輻射引導(dǎo)到輻射束的外部，從而在將圖案化的輻射 束投影到襯底上的過程中，減弱輻射束的變跡效應(yīng)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述分配方案包括順序采用不 同的獨(dú)立可控的元件將輻射引導(dǎo)到照射方式中的給定位置上，所述獨(dú)立可 控的元件選自所述陣列的不同部分，以便減弱輻射束中的強(qiáng)度變化的效 應(yīng)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述分配方案包括采用獨(dú)立可 控的元件的陣列的不同部分，將輻射引導(dǎo)到照射方式的不同區(qū)域上，所述 陣列的所述部分被選擇，以便應(yīng)用輻射束的能量分布的所需修改。
11. 根據(jù)權(quán)利要求io所述的方法，其中所述能量分布的修改是輻射束的聚焦遠(yuǎn)心或橢圓率的修改。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述部分的形狀被選擇用于應(yīng) 用輻射束的能量分布的所需修改。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述部分的位置被選擇用于應(yīng) 用輻射束的能量分布的所需修改。
14. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述分配方案包括采用獨(dú)立可 控的元件的陣列的不同部分，將輻射引導(dǎo)到所述照射方式的不同區(qū)域上， 所述陣列的所述部分被選擇用于將所需比例的輻射束引導(dǎo)到所述照射方 式的不同部分上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述部分的尺寸被修改用于對被引導(dǎo)到所述照射方式的不同部分的輻射束的比例進(jìn)行修改。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中邊界存在于所述照射方式的不 同區(qū)域之間，所述照射方式的不同部分通過采用獨(dú)立可控的元件的陣列的 不同部分而被形成，且位于所述陣列的這些部分的邊界附近的獨(dú)立可控的 元件被用于將輻射引導(dǎo)到所述照射方式的相鄰區(qū)域上。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述分配方案考慮與大多數(shù)反 射鏡相比引導(dǎo)較少輻射的反射鏡，所述分配方案采用這些反射鏡中的至少 一個(gè)為被引導(dǎo)到所述照射方式的不同部分的輻射束的比例提供精細(xì)調(diào)整。
18. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中入射到各個(gè)獨(dú)立可控的元件上的輻射被選擇性地阻擋。
19. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述獨(dú)立可控 的元件被設(shè)置用于進(jìn)行平移運(yùn)動。
20. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述獨(dú)立可控的元件是反射鏡。
21. —種方法，所述方法包括采用照射系統(tǒng)提供輻射束，所述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列 以及相關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件被設(shè) 置用于將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式；采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束;將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上；采用所述獨(dú)立可控的元件的陣列將所述輻射束轉(zhuǎn)換成第一照射方式， 然后采用所述獨(dú)立可控的元件的陣列將所述輻射束轉(zhuǎn)換成第二照射方式， 所述陣列根據(jù)分配方案被控制，以使得將輻射引導(dǎo)到第一照射方式中的位 置上的所述獨(dú)立可控的元件被用于將輻射引導(dǎo)到第二照射方式中的位置 上，選擇所述位置，以使得在兩種照射方式之間轉(zhuǎn)換時(shí)所需的獨(dú)立可控的 元件的運(yùn)動少于采用隨機(jī)的分配方案時(shí)所需的運(yùn)動。
22. —種方法，所述方法包括采用照射系統(tǒng)提供輻射束，所述照射系統(tǒng)包括獨(dú)立可控的元件陣列以 及相關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的元件陣列以及相關(guān)的光學(xué)部件被設(shè)置 用于將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式；采用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束；將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上；采用檢測器檢測輻射束的束指向的變化；以及調(diào)整所述獨(dú)立可控的元件以至少部分地修正所述束指向的變化。
23. —種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)配置用于提供輻射束，所述照射系統(tǒng)包括 獨(dú)立可控的元件陣列和相關(guān)的光學(xué)部件，所述獨(dú)立可控的元件陣列和相關(guān)的光學(xué)部件設(shè)置用于將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式，以及控制器，設(shè)置用于根據(jù)分配方案將不同的獨(dú)立可控的元件分配給所述照射方式的不同部分，所述分配方案被選擇以提供所述照射方式或輻射束的至少一種屬性的所需修改；支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)配置用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束； 襯底臺，用于保持襯底；以及投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部 分上。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，還包括分束器或衰減片，所述分束 器或衰減片被設(shè)置用于在獨(dú)立可控的元件處引導(dǎo)比例被減弱的輻射。
25. —種器件制造方法，所述方法包括 采用照射系統(tǒng)調(diào)節(jié)輻射束，所述調(diào)節(jié)包括控制照射系統(tǒng)的獨(dú)立可控的元件陣列和相關(guān)的光學(xué)部件，以將輻射束 轉(zhuǎn)換成所需的照射方式，所述控制包括根據(jù)分配方案將不同的獨(dú)立可控的 元件分配給照射方式的不同部分，所述分配方案被選擇用于提供照射方 式、輻射束或照射方式與輻射束兩者中的至少一種屬性的所需修改；用圖案在輻射束的橫截面上對輻射束進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的輻射束；以及將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。
26. —種器件制造方法，所述方法包括 采用照射系統(tǒng)調(diào)節(jié)輻射束，所述調(diào)節(jié)包括控制照射系統(tǒng)的獨(dú)立可控的元件陣列，以根據(jù)分配方案將輻射束轉(zhuǎn)換 成第一照射方式和第二照射方式，以使得將輻射引導(dǎo)到在第一照射方式下 的位置上的獨(dú)立可控的元件被用于將輻射引導(dǎo)到在第二照射方式下的位 置上，所述位置被選擇，以使得在第一和第二照射方式之間轉(zhuǎn)換時(shí)所述獨(dú) 立可控的元件的運(yùn)動少于隨機(jī)分配方案所需的運(yùn)動；用圖案在輻射束的橫截面上對輻射束進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的輻 射束；以及將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻裝置及其方法。本發(fā)明還公開了一種器件制造方法，所述方法包括采用照射系統(tǒng)調(diào)節(jié)輻射束。所述調(diào)節(jié)包括控制照射系統(tǒng)的獨(dú)立可控的元件的陣列和相關(guān)的光學(xué)部件，以將輻射束轉(zhuǎn)換成所需的照射方式，所述控制包括將不同的獨(dú)立可控元件根據(jù)分配方案分配給所述照射方式的不同部分，所述分配方案被選擇用于對照射方式、輻射束或照射方式與輻射束兩者的至少一個(gè)屬性提供所需的修正。所述方法也包括以圖案在輻射束的橫截面上對輻射束進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的輻射束；以及將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。
文檔編號G02B27/00GK101276154SQ200810085879
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者亨德瑞卡斯·羅伯特斯·瑪麗·范格林溫布洛克, 保羅·范德文, 威爾弗萊德·愛德伍德·恩登迪基克, 帕特瑞卡斯·阿洛伊修斯·雅克布斯·蒂內(nèi)曼斯, 海涅·麥利·馬爾德, 約翰尼斯·雅克布斯·曼塞阿斯·卑斯?fàn)柭? 艾德瑞納斯·弗朗西斯克斯·皮卓斯·恩格倫, 馬卡斯·弗朗西斯克斯·安東尼斯·歐林斯 申請人:Asml荷蘭有限公司