專利名稱：：在基材上施加材料的方法在基材上施加材料的方法本發明涉及在基材上施加材料，優選地材料的圖案，的方法。在過去十年中，軟平版印刷術(softlithography)已經發展成用于化學制造微米結構和納米結構表面的通用技術[1,2]。在總起來被稱作軟平版印刷術的數種技術中，微接觸印刷術ocp)已經成為最常用的方法[i]。此技術最初是為轉移有機分子而開發的[3]，但后來也被廣泛用于轉移生物分子如蛋白質[4]。在^CP中起初聚二甲基硅氧烷(PDMS)被用作壓模(stamp)材料。由于在壓模和目標基材之間的小楊氏模量共形接觸，很容易實現用于成功圖案轉移的先決條件。然而，軟材料的缺點在于被稱為拼頁(pairing)、翹曲、流掛(sagging)或圖案完全坍塌的變形[5]。PDMS的楊氏模量為大約lMPa,因此并不允許轉移尺寸低于200nm的圖案。人們研究了其它PDMS混合物，以使其更硬并由此提高分辨率[6]。所謂的h-PDMS的楊氏模量為約8MPa,使得可以轉移特征尺寸小至80nm的標準圖案(quadraticpattern)。具有這些臨界尺寸的線結構未能證實。此外，人們還研究了更硬的材料如聚烯烴，例如Affinity[7]或嵌段共聚物SBS(聚(苯乙烯-嵌段-丁二烯-嵌段-苯乙烯)或SEBS(聚(苯乙烯-嵌段-乙烯-共-丁烯-嵌段-苯乙烯))[S]。它們的楊氏模量為約45MPa，和允許轉移100nm的線。但是，轉移圖案的質量遭受流掛效果。被用于轉移金屬及其它固體如CNT的另一轉移法領域為納米轉移印刷(nTP)[9,10]。其中，金屬薄層被蒸鍍到圖案化的彈性體壓模上，所述圖案化的彈性體壓模已經通過向圖案化的Si晶片上滴鑄(dropcasting)聚二曱基硅氧烷(PDMS)制造。使蒸鍍的金屬層與基材上的有機層產生共形接觸。由于金屬-有機界面處的化學鍵形成，金屬-有機粘合比金屬-PDMS粘合強，金屬層被從PDMS壓模轉移到有機層上。通過納米轉移印刷進行的金屬轉移遭受與微接觸印刷時的軟壓模相同的缺陷。聚合物壓模的制備以及隨后有機和無機結構的微接觸印刷技術已經得到了發展。對于好的圖案轉移來說，關鍵的是基材與壓模之間的共形接觸。不同楊氏模量的聚合物已被用于在小面積上轉移臨界尺寸小至~75nm的有機分子(蛋白質和鏈烷硫醇)和無機材料的圖案。對于臨界尺寸低于100nm的圖案轉移，要求有硬的基材和硬的壓模材料，至少就它們的接觸表面而言是硬的。US6,482,742[n]和Tan等人[12]公開了壓印平版印刷(imprintnthography)方法，涉及使用流體壓力來將模子壓制成基材負載的膜。根據此方法，該模子和/或基材是充分柔性的以在該流體壓力下提供大面積的接觸。其強調了，為用于此方法，基材和模自都需要具有充分的撓性和揉曲性。然而，現有技術的工藝都不允許并不能保證實現硬表面之間的共形接觸。因此，本發明的目的在于提供能夠用于在印刷過程中使用硬表面的方法。此外，本發明的目的在于提供允許使用硬表面以便能夠轉移材料、優選地尺寸《30nm的圖案化材料，的方法。本發明的目的還在于提供保證在大面積上均勻印刷的方法。本發明的目的通過在基材上施加材料、優選地材料圖案，的方法達到，其包括步驟a)提供具有第一表面的第一基材，b)提供具有第二表面、優選地圖案化表面，的第二基材，所述第二基材的楊氏模量>lOOMPa，c)提供待施加到、優選地圖案化在所述第一表面上的材料，和將所述材料施加在所述第二表面上，d)通過使所述第一表面與所述第二表面產生接觸，制造所述第一基材與所述第二基材的組件，其中所述材料被夾在所述表面之間，所述組件包括設置在所述第一和所述第二基材之間的容積，e)在所述組件上施加第一壓力條件從而在所述容積內建立起第一壓力條件，和f)封閉所述容積，g)在所述組件上施加第二壓力條件，其中所述第二壓力條件涉及比所述第一壓力條件更高的壓力，由此使所述第一表面與所述第二表面產生共形接觸，從而將所述材料優選地所述材料的圖案施加在所述第一表面上。在優選實施方案中，是所述第二表面具有楊氏模量>lOOMPa。優選地，本發明的方法進一步包括以下步驟h)在所述組件上施加第三壓力條件，其中所述第三壓力條件不同于6所述第二壓力條件，i)接觸所述容積的密封，和g)從所述組件中除去所述第二基材。優選地，所述第二表面是具有突起和/或凹穴圖案的圖案化表面。在一個實施方案中，所述第二壓力條件通過能夠排空和/或加壓的室施加在所述組件上，其中，為了施加所述第二壓力條件，所述室被加壓，其時所述組件位于所述室中。在一個實施方案中，所述第一壓力條件為大氣壓或環境壓力，或者是低于大氣壓或環境壓力的壓力，優選地為0.1毫巴-900毫巴，更優選地為100毫巴-500毫巴。優選地，所述第三壓力條件為大氣壓或環境壓力，或者是低于大氣壓或環境壓力的壓力。在一個實施方案中，所述第二壓力條件涉及比所述第一和第三壓力條件更高的壓力，其中，優選地，所述第一和第三壓力條件相同并涉及大氣壓或環境壓力或者是低于大氣壓或環境壓力的壓力。在另一實施方案中，所述第一和第三壓力條件不相同且所述第三壓力條件涉及比所述第一壓力條件更高的壓力，其中所述第三壓力條件涉及大氣壓或環境壓力而所述第一壓力條件涉及低于大氣壓或環境壓力的壓力。在一個實施方案中，所述第一壓力條件涉及低于大氣壓或環境壓力的壓力，且其中所述第一壓力條件通過能夠排空和/或加壓的室施加在所述組件上，其中，為了施加所述第一壓力條件，所述室被排空，其時所述組件位于所述室中，其中，優選地，所述室是用于施加所述第二壓力條件的室。在一個實施方案中，所述第三壓力條件涉及大氣壓或環境壓力，且其中所述第三壓力條件通過能夠排空和/或加壓的室施加在所述組件上，其中，為了施加所述第三壓力條件，所述室被排空到大氣壓或環境壓力，其時所述組件位于所述室中，其中，優選地，所述室是用于施加所述第二和/或所述第一壓力條件的室。在一個實施方案中，所述第二壓力條件涉及施加高于大氣壓的壓力，其中，優選地，所述第二壓力條件涉及施加2巴-100巴，更優選地2巴-42巴范圍內的壓力。在一個實施方案中，所述第二壓力條件在5s到60分鐘的時間內施力口。在一個實施方案中，所述第二壓力條件涉及將壓力提高至在2巴-100巴，更優選地2巴-42巴范圍內的最大壓力。在一個實施方案中，所述最大壓力在1Os到59分鐘的時間內保持。在一個實施方案中，所述第二基材由楊氏模量>lOOMPa的材料制成，所述材料選自聚合物、金屬、半導體、晶體、非晶態固體及其復合材料，其中，優選地，所述聚合物選自聚烯烴、離聚物、聚曱基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、醋酸纖維素、聚酰胺、聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚甲醛和共聚物。在一個實施方案中，所述第一基材由楊氏才莫量》lOOMPa的材料制成，所述材料選自聚合物、金屬、半導體、晶體、及其復合材料，其中，優選地，所述聚合物選自包括聚烯烴、離聚物、聚乙烯-曱基丙烯酸酯-共聚物、聚曱基丙烯酸曱酯、聚碳酸酯、醋酸纖維素、聚酰胺、聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚曱醛和共聚物的熱固性塑料。在一個實施方案中，所述密封是通過如下發生向由所述第一基材與所述第二基材的所述組件施加密封材料，以包圍位于所述第一和所述第二基材之間的所述容積并將所述容積與所述組件的環境隔離，其中，優選地，所述密封材料為包圍所述組件的密封環或箔，或包圍所述組件的兩個箔。在一個實施方案中，所述第二壓力條件是在0-200。C,更優選地0-95°C范圍內的溫度施加的。優選地，步驟a)和b)按ab或ba的順序發生，或者它們相伴發生。在一個實施方案中，所述待施加優選地圖案化在所述第一表面上的材料選自如下組分子，如有機分子，金屬絡合物，蛋白質；無機固體的薄膜、納米顆粒，其中，優選地，所述無機固體選自金屬、金屬氧化物、半導體；以及諸如病毒之類的物體。在一個實施方案中，所述待施加(優選地圖案化)在所述第一表面上的材料被通過選自接觸著墨和濕著墨的方法施加在所述第二表面上。受>2巴的壓力使)尋能夠使用硬表面:即被用作壓模的基材和/或目標基材。這進而又使得能夠轉移尺寸《30nm的圖案。本發明方法的原理在于，8在使基材(其之間具有待轉移的材料)彼此發生接觸之后，在基材與壓模之間包圍了容積，為此，在第一步驟中，建立了第一壓力條件。在優選實施方案中，這種第一壓力條件低于大氣壓，如100毫巴。這些第一壓力條件被通過密封并從而將壓模與基材之間的所述容積與環境隔離和劃界而得以保存。在隨后的步驟中，建立了高于所述第一壓力條件的第二壓力條件，其涉及直至100巴的壓力。這種第二壓力條件由此產生對基準壓力(即所述第一壓力條件)的差值，其中所述第一壓力條件是建立且仍存在于由壓模和基材及其周圍的密封所包圍的該容積之內。第二壓力條件，即高壓，被保持限定的一段時間。對于本領域技術人員來說，顯然這種第二壓力條件可以涉及變化的壓力，并且還可以涉及限定的壓力分布。典型地，第二壓力條件被施加5秒到60分鐘范圍內的一段時間。爾后，再次降低壓力，其可以為大氣壓或者可以是與曾被施加和確認為基準壓力的那些壓力條件相同的壓力。在該高壓步驟之后的這些壓力條件在這里有時也被稱為"第三壓力條件"。不希望受任何理論限制，本發明人目前相信通過施加高壓力條件，確保了均勻的印刷過程，因為基本上壓力條件以均勻的方式作用在壓模與基材的組件上。優選地，高壓力條件通過能夠排空和/或加壓的室施加在該組件上。這種室是其中可以通過室內的氣體或液體來施加壓力的室。同樣，可以通過排空所述室中的所述氣體或液體來施加真空。壓力，即由此建立的負壓，被再次均勻地施加在室內的物體例如基材與壓模的組件上。本發明的方法保證了壓模不能相對于目標基材移動。而且,本方法能夠利用可以精確調節的不同印刷壓力來進行。另外，甚至還可以執行壓力分布(pressureprofile),其可以包括壓力梯度，即壓力升高以及壓力下降。本發明的方法使得能夠使用極硬的基材和/或壓模，這進而又使得能夠轉移尺寸《30nm的圖案。如果，作為壓模，使用了聚合物材料，則這種聚合物壓模可以單步制造也容易制造。而且，整個工藝都是耐缺陷的(defect-tolerant)。可能例如落在壓模與基材之間的塵粒只導致很小區域的轉移和印刷受影響。如果要印刷三維壓模圖案，則該工藝不會對這種三維壓模圖案的均勻性提出高要求，因為高度上的起伏可以被抵消。術語"第一基材"在此一般是指目標基材，其上將要施加或印刷或圖案化材料。盡管本發明的方法使得能夠施加一般而言的材料，所述材料并不必需具有圖案，但本發明方法的優選實施方案涉及在這種第一基材9或目標基材上施加材料的圖案。這種第一基材具有第一表面，即將要在其上施加，優選地圖案化，材料的表面。術語"第二基材"在此一般是指用于本發明方法的壓模。在其最簡單的形式中，這種壓模可以具有光滑表面，但優選地其具有圖案化的表面，其是待最終施加到目標基材上的圖案。所述第二基材的所述第二表面，即所述壓模的表面，的圖案化可以通過本領域技術人員已知的多種工藝進行，例如平版印刷法、蝕刻法，如Nishi[13]和Levinson[14]中所公開的。術語"所述第一基材與所述第二基材的組件"在此是指如下設置其中第一基材即目標基材與第二基材即壓模已被放在一起，且它們的在轉移過程中所涉及的各自表面，也即第一表面和第二表面，已經彼此接觸，由此待從壓模轉移到目標基材的材料被夾在壓模與目標基材之間。待施加，優選地圖案化，在目標基材上的材料首先被通過任何可用于該目的的工藝施加到壓模上，例如通過接觸著墨或濕著墨，或通過蒸鍍待施加到壓模上的材料例如金屬，或借助于往返(shuttle)工藝。通常，在著墨工藝中，壓模，優選地圖案化的壓模，被待施加優選地待圖案化在目標基材上的分子油墨覆蓋。在接觸著墨中，在分子在油墨墊(inkpad)上自組裝的同時油墨的溶劑被減少到千燥狀態。通過使壓模與油墨墊產生共形接觸，分子在環境條件被轉移到壓模上。在濕著墨中，油墨被傾倒在壓模上然后在氣體例如氮氣流中被減少到千燥狀態。在兩種情形下，分子在隨后被轉移到目標基材上之前都已被放置在壓模上。在目標基材與壓模的組件中，在壓模與目標基材之間圍起了容積，其包含待施加到所述目標基材的材料，和，如果存在，在目標基材上設置了突起和/或凹穴圖案，在所述圖案上將施加所述材料。術語"在所述組件上施加第n個(即第一、第二等等)壓力條件"在此是指在組件上施加均勻的壓力，比如例如通過調節組件周圍介質的壓力到特定數值或數值范圍實現。該術語在下述意義上還指特定的壓力分布的性能即，周圍介質的壓力可以在多個步驟升高和/或在多個步驟減小。這種壓力分布可以根據各個實驗的需要和要求來定義。然而，在其最簡單的形式中，術語"在所述組件上施加壓力"是指達到特定的壓力值并將此壓力值維持給定的一段時間。在本發明的上下文內，被施加在所述組件上的"第一壓力條件"用于在組件上和在組件之內，特別是在被壓模與目標基材圍起的容積中，建立基準壓力。這種基準壓力通過隨后密封所10述容積和將其與組件的環境隔離而被保留。被施加在所述組件上的''第二壓力條件"為高壓力條件，其用于以均勻的方式向所述組件上施加壓力并由此使笫二基材即壓模與第一基材即目標基材彼此共形接觸。術語"使與...產生共形接觸"在此是指兩個實體，例如表面，之間的接觸，從而允許在接觸前位于一個實體上的分子轉移到另一個實體上。在本發明的某些實施方案中，要產生這種轉移需要施加壓力，在這些情形下，術語"使與...產生共形接觸"也可以等同于"壓在(壓到)...上"。被施加在所述組件上的"第三壓力條件"在此是指在施加第二即高壓力條件之后的壓力條件。在其最簡單的形式下，這種第三壓力條件可以為大氣壓或環境壓力，或者它們可以為低于大氣壓或環境壓力的壓力。術語"施加第n個壓力條件"在此是指如下的任何過程借此過程，將這種壓力條件以均勻的方式，即通過調節所述組件周圍介質施加在所述組件上的壓力，施加和施用在該組件上。在典型的實施方案中，這種壓力條件的施加是通過可加壓或排空的室實現的。術語"密封所述容積"在此是指如下過程借此過程，通過將所述容積與環境隔離而保存已經在容積內建立的壓力條件。同樣，術語"去除所述容積的密封"在此是指如下過程其中，這種密封被除去，作為結果，容積內的壓力條件可以與環境平衡并達到和環境相同的值。術語"壓力條件涉及某壓力"(例如更高壓力)在此是指如下事實這種壓力條件可能包括被保持給定的一段時間的單個壓力值，或者可能包括被隨后達到的多個壓力值。在任何情況下，術語"壓力條件"在此都是指在某一具體時間點占優勢的壓力值，這種壓力值被均勻地施加到組件上。術語"楊氏模量"或拉伸模量用于定義材料的硬度。楊氏模量被定義為線性應力對線性應變的比(單位為Nm^或Pa)。其例如使用ASTMD638或IS0527來測量。在本申請中，有時提到具有給定數值楊氏模量的基材。優選地，楊氏模量的這種提及是指在轉移過程/印刷過程中實際涉及的該基材的那些部分，如各自的表面(第一表面、第二表面)。在本發明的方法中，執行多個步驟，所述步驟是用單個字母打頭的。除非另外指出，執行這些步驟的順序為各個字母在字母表中出現的順序，即步驟"a"出現在步驟"b"之前，步驟"b"出現在步驟V'之前等等。在這點上，應當注意本發明方法的步驟"a"和步驟"b"可以按ab或ba的順序發生，或者它們可以相伴地發生。在這里，術語"相伴地"是指其中兩個步驟同時進行的情況，即它們具有相同的開始和結束，或者兩個步驟之間可以有重疊。此外，還應注意步驟h和"i"可以按hi或ih的順序發生，或者它們可以相伴地發生。在下文中記述了所述工藝的優選實施方案。優選實施方案的過程描述過程(也參見圖l):優選實施方案的工藝步驟涉及提供硬基材(稱作目標基材)，其應被圖案化/覆蓋有分子提供有或者沒有圖案的硬壓模提供用于封裝基材和壓模材料的密封材料提供可以排空和設置在壓力下的室排空所述室密封基材/壓模界面在封裝的容積與外部容積之間產生壓差，以通過氣體壓力產生基材與壓模之間的共形接觸施加所述壓力一段時間t使所述室回到大氣壓，打開所述密封和從基材上移除壓模優選的材料作為基材，可以使用尺寸多達12英寸的任何硬表面。它們可以是平的，甚至可以具有任意其它形狀或者是不規則的。它們可以預先圖案化有三維結構或其它分子。作為壓模，可以使用任何楊氏模量>100MPa的硬材料。理想的候選材料是聚合物材料，如熱塑性材料。但同樣可以使用具有合適性能的任何其它固體。聚合物壓模可以通過熱壓花或鑄造來制備。其它硬壓模可以通過能夠形成三維圖案的任何其它方法制備。同樣，未圖案化的材料可被用于該轉移。壓模的著墨可以通過任何傳統方法來完成，如濕著墨或接觸著墨，或通過蒸鍍或往返(shuttle)工藝。可以使用任何分子油墨。所述工藝也可應用于金屬或具有合適性能的任何其它固體材料的轉移。優選的工藝參數主要的工藝參數為基材/壓模和室之間的"高壓力條件"(即第二壓力條件)與"低壓條件"(即第一壓力條件)之間的壓力差。因此，必須通過任何有用的手段將壓模密封到基材。此外，在下文中參照了附圖，其中圖l顯示了流體壓力工藝的示意圖。圖2顯示了用Surlyn在25巴印刷的細胞色素c的SEM圖像。圖3顯示的位于轉移圖案之內的塵粒的SEM圖像。圖4顯示了用Surlyn在17巴印刷的細胞色素c的SEM圖像。圖5顯示了用Surlyn在42巴印刷的細胞色素c的SEM圖像。圖6顯示了用Surlyn在25巴印刷的十八烷硫醇的SEM圖像。圖7顯示了用Plexiglas在42巴印刷的細胞色素c的SEM圖像。圖8顯示了用Zeonex在42巴印刷的細胞色素c的SEM圖像。圖9顯示了用Topas在42巴印刷的細胞色素c的SEM圖像。圖IO顯示了用具有25nm圖案的Topas在42巴印刷的細胞色素c的SEM圖像。圖ll顯示了用不同尺寸的Topas印刷的細胞色素c的SEM圖像。此外，還參考了以下實施例，其用于說明而非限制本發明。實施例對于所有實施例，都用掃描電子顯微術研究了附圖中所示的轉移的圖案。在這些實施例中，使用了以下聚合物材料<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>Surlyn1702共聚物190DupontPlexiglas99530曱基丙烯酸酯2000Roehm,Degussa實施例l:使用了基于[ll,12]的NanonexNX-2000工具來執行本工藝。因此，lcmxlcm的覆有金層的硅芯片被用作基材。具有臨界尺寸為5inm-75nm的特征的Surlyn1702壓模使用濕著墨方法用細胞色素c的蛋白質溶液著墨2h。之后將壓模在氮氣流下干吹。將基材放置到硅樹脂箔上。隨后，將壓模放置到基材上，和將裝在展幅機內的第二硅樹脂箔放在頂端，由此兩個硅樹脂箔不彼此接觸。將此組件放入NX-2000的壓力室中。在10s的時間內排空所述室，余壓為100毫巴。隨后，通過使展幅機與下面的箔接觸使兩個硅樹脂箔發生接觸。由此，基材與壓模被對著室密封。為保證良好的密封，真空步驟是必需的。將2巴的第一壓力充入所述室中15s。由于壓模與基材被密封，這在壓模和基材上施加基準壓力。然后將壓力提高到25巴1分鐘。然后釋放壓力并在分離所述箔后，分離母版和壓模。由于硅樹脂箔的密封，在轉移過程中壓模不相對于基材移動。SEM圖像(圖2)顯示了所有特征的極好轉移。蛋白質的覆蓋是均勻的。圖案的保真度極好。SEM圖像(圖3)顯示了碰巧為灰塵的情況，所述灰塵可能在表面上存在。由于壓力均勻，所以僅僅極小的區域被影響。實施例2:如實施例l中一樣，使用Surlyn1702進行實馬全，施加18巴的最大壓力。SEM圖像(圖4)表明轉移并不如(圖2)完美。這表示圖案轉移的質量取決于所施加的壓力。實施例3:如實施例l中一樣，使用Surlyn1702進行實驗，施加42巴的最大壓力。SEM圖像(圖5)顯示發生了某些流掛。這表示如果壓力超出臨界值，硬壓模材料也產生流掛。預計2巴-100巴，優選地2巴-42巴范圍內的壓力產生好的結果。在任何情況下，本領域技術人員都將能通過使用不同的壓力值進行一系列實驗為任何給定的材料確定可接受的最高壓力。流掛產生低于60nm的圖案，其并不是壓模圖案的一部分。這種效果被稱為過14壓pCP[15]。實施例4:如實施例l中一樣，使用Surlyn1702進行實驗，施加25巴的最大壓力。使用十八烷硫醇(ODT)溶液而非細胞色素c溶液作為油墨。SEM圖像(圖6)表明此轉移工藝產生可與傳統的pCP工藝相比的結果。實施例5:如實施例l中一樣進行實驗。使用Plexiglas99530而非Surlyn1702作為壓模材料。SEM圖像(圖7)表明轉移的圖案可與使用Surlyn轉移的圖案相比。實施例6:如實施例l中一樣進行實驗。使用ZeonexE48R而非Surlyn1702作為壓模材料。SEM圖像(圖8)表明轉移的圖案可與使用Surlyn轉移的圖案相比。實施例7:如實施例l中一樣進行實驗。使用Topas8007而非Surlyn1702作為壓模材料。SEM圖像(圖9)表明轉移的圖案可與使用Surlyn轉移的圖案相比。實施例8:如實施例7中一樣使用T叩as8007作為壓模材料進行實驗。使用具有400nm到25nm之間圖案的設計而非使用5^im到75nm的圖案。SEM圖像(圖IO)表明該25nm也被轉移了。對25nm粗線而言明顯的邊緣粗糙主要是由于下面的金的結構，因為圖案遵循著金的域。與較大的蛋白質圖案和壓模邊緣的SEM圖像(圖1l)比較表明，對于大的圖案存在相同的邊緣粗糙，雖然壓模邊緣的粗糙度要小得多。上述工藝使得能夠用不同的硬壓模材料印刷低至臨界尺寸《30nm的分子。此工藝的主要優點為1.此工藝可以采用不同的印刷壓力進行。2.壓力可以精確調節，甚至可以輕易執行具有不同壓力的梯度。3.此工藝可以從小的基材和壓模擴大到直至12英寸的直徑。4.此工藝使得能夠使用極硬的聚合物，這又使得能夠轉移具有《30nm的極小臨界尺寸的圖案。5.此工藝確保了在大面積上的均勻印刷。6.此工藝自動保證了壓模不能相對于基材移動。7.用于此工藝的聚合物壓模可以單步制造且容易制造。8.此工藝是耐缺陷的。例如塵粒只會導致很小區域的轉移受影響。9.此工藝對三維壓模圖案的均勻性沒有很大要求。例如高度的起伏可被補償。10.此工藝可被用于所述第一基材、所述第二基材的任一或兩者同時的各種小塊。參考文獻1.Xia,Y.;WWtesides,G,M.;Annu.Rev,Mater,Sci,28(1$鄰)，153-184.2.Michd,B.etal.;IBMJ.Res.&Dev.45(2001)，697-719,3.Kumar,A.;Whitcsides,G.M.;Appl.Phys.Ut.i14(1992),9188-9189.4.Bernard,A;Dearaarche,E.;Schmid,H.;Michel,B.;Bosshard,H,R.;BiebuycbR;Langrauir14(1998)，2225-22295.Hui,C.Y,;Jagota,A,;Lin,Y.Y.;Kr咖er，E丄；Langrauir18(2002),139一麗.6.Schmid，H,;Michel,B.;Macroraolecules33(2000),3042-3049,7.Csucs,G.;Ktinzler，T.;Fddtnan，K.;Robin,F.;Spencer,N,D,;L加gmuir19(2003),168.Trimbach，D,;Feldm幼,K.;Spencer,N,D.;Broer,D丄；Basti咖sen，C.W.M.;Langmuir19(2003),10957-10961.9.Loo,Y.-L.，Willett,R上.Baldwin,K.W.,J.A,Rogers,Appl.Phys.Lett.(2002)，8，562-564,10.Loo改al.,US6,946,332B2.11.Chou'S.Y.;USpatent6,482,74212.T幼,H,;Kong,L.;Li,M.;Steere，C.;Koecher,L,;SPIB'sTheInternaticmalSocietyforOpticalEngineering:EmergingLithographicTechnologiesVHI2004，213-221.13.XNishi，Y.Hanbdookofsemiconductormanufacturingtechnology,NewYork,NY:Dekker,200014.YLevinson,H丄Principlesoflithography,Bellingham,Wash.:SPEEPress,200115.Guo，Q.;Teng,X,;Y幼培,H,;NanoLett.4(2004)，1657-1662.在說明書、權利要求書和/或附圖中公開的本發明的特征單獨地、和以其任意組合，可以對于實現各種形式的本發明而言是重要的。權利要求1.在基材上施加材料優選材料圖案的方法，包括如下步驟a)提供具有第一表面的第一基材，b)提供具有第二表面優選圖案化表面的第二基材，所述第二基材的楊氏模量≥100MPa，c)提供待施加在，優選地圖案化在，所述第一表面上的材料，和將所述材料施加在所述第二表面上，d)通過使所述第一表面與所述第二表面產生接觸，制造所述第一基材與所述第二基材的組件，其中所述材料被夾在所述表面之間，所述組件包括設置在所述第一和所述第二基材之間的容積，e)在所述組件上施加第一壓力條件，從而在所述容積內建立第一壓力條件，和f)密封所述容積，g)在所述組件上施加第二壓力條件，其中所述第二壓力條件涉及比所述第一壓力條件更高的壓力，由此使所述第一表面與所述第二表面共形接觸，從而將所述材料、優選地所述材料的圖案，施加在所述第一表面上。2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟h)在所述組件上施加第三壓力條件，其中所述第三壓力條件不同于所述第二壓力條件，i)去除所述容積的密封，和g)從所述組件中除去所述第二基材。3.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述第二表面是具有突起和/或凹穴圖案的圖案化表面。4.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述第二壓力條件通過能夠排空和/或加壓的室施加在所述組件上，其中，為了施加所述第二壓力條件，所述室被加壓，其時所述組件位于所述室中。5.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述第一壓力條件為大氣壓或環境壓力，或者是低于大氣壓或環境壓力的壓力，優選地為0.1毫巴-900毫巴，更優選地為100亳巴-500毫巴。6.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述第三壓力條件為大氣壓或環境壓力，或者是低于大氣壓或環境壓力的壓力。7.根據權利要求2-6中任意一項所述的方法，其中所述第二壓力條件涉及比所述第一和第三壓力條件更高的壓力。8.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一和第三壓力條件相同并涉及大氣壓或環境壓力或者是低于大氣壓或環境壓力的壓力。9.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一和第三壓力條件不相同且所述第三壓力條件涉及比所述笫一壓力條件更高的壓力，其中所述第三壓力條件涉及大氣壓或環境壓力而所述第一壓力條件涉及低于大氣壓或環境壓力的壓力。10.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述第一壓力條件涉及低于大氣壓或環境壓力的壓力，且其中所述第一壓力條件通過能夠排空和/或加壓的室施加在所述組件上，其中，為了施加所述第一壓力條件，所述室被排空，其時所述組件位于所述室中。11.根據權利要求10所述的方法，其中所述室是根據權利要求4所述的室。12.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述第三壓力條件涉及大氣壓或環境壓力，且其中所述第三壓力條件通過能夠排空和/或加壓的室施加在所述組件上，其中，為了施加所述第三壓力條件，所述室被排空到大氣壓或環境壓力，其時所述組件位于所述室中。13.根據權利要求12所述的方法，其中所述室是根據權利要求4和11中任意一項所述的室。14.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述第二壓力條件涉及施加高于大氣壓的壓力。15.根據權利要求14所述的方法，其中所述第二壓力條件涉及施加2巴-100巴，更優選地2巴-42巴范圍內的壓力。16.根據權利要求14-15中任意一項所述的方法，其中所述第二壓力條件在5s到60分鐘的時間內施加。17.根據權利要求14-16中任意一項所述的方法，其中所述第二壓力條件涉及將壓力提高至在2巴-100巴，更優選地2巴-42巴范圍內的最大壓力。18.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述第二基材由楊氏模量》100MPa的材料制成，所述材料選自包括聚合物、金屬、半導體、晶體、非晶態固體及其復合材料的組。19.根據權利要求18所述的方法，其中所述聚合物選自包括聚烯烴、離聚物、聚甲基丙烯酸曱酯、聚碳酸酯、醋酸纖維素、聚酰胺、聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚曱醛和共聚物的組。20.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述第一基材由楊氏模量》100MPa的材料制成，所述材料選自包括聚合物、金屬、半導體、晶體、及其復合材料的組。21.根據權利要求20所述的方法，其中所述聚合物選自包括聚烯烴、離聚物、聚乙烯-甲基丙烯酸酯-共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、醋酸纖維素、聚酰胺、聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚甲醛和共聚物在內的熱固性塑料的組。22.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述密封是通過向所述第一基材與所述第二基材的所述組件施加密封材料，以包圍位于所述第一和所述第二基材之間的所述容積并將所述容積與所述組件的環境隔離來實現的。23.根據權利要求22所述的方法，其中所述密封材料為包圍所述組件的密封環或箔，或包圍所述組件的兩個箔。24.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述第二壓力條件是在0-20(TC,更優選地0-95°C范圍內的溫度施加的。25.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中步驟a)和b)按ab或ba的順序發生，或者它們相伴發生。26.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述待施加在優選圖案化在所述第一表面上的材料選自分子，如有機分子，金屬絡合物，蛋白質；無機固體的薄膜、納米顆粒，其中，優選地所述無機固體選自包括金屬、金屬氧化物、半導體和絕緣體；以及諸如病毒之類的物體的組。27.根據前面任意一項權利要求所述的方法，其中所述待施加在，優選地圖案化在所述第一表面上的材料被通過選自接觸著墨和濕著墨的工藝施加在所述第二表面上。全文摘要本發明涉及在基材上施加材料，優選地材料的圖案，的方法。文檔編號G03F7/00GK101501569SQ200780029135公開日2009年8月5日申請日期2007年6月15日優先權日2006年8月4日發明者A·奧芬霍瑟,D·施瓦布,D·邁耶,J·韋塞爾斯,安田章夫申請人:索尼德國有限責任公司;于利奇研究中心有限公司