專利名稱：：用于制造鏡頭的材料和方法用于制造鏡頭的材料和方法關聯申請的交叉引用本申請要求2006年3月20日提交的序列號為60/784，394號的美國臨時申請的權益，其內容被全篇援引包含于此。
背景技術：
：鏡頭是一般由具有一定形狀的玻璃或塑料片形成的裝置，它使光匯聚和聚焦或發散。鏡頭的一個重要用途是用于校正例如近視、遠視和老花的視覺損傷的修復。其它用途涉及成像系統，例如單眼鏡、雙眼鏡、望遠鏡、單筒望遠鏡、可伸縮炮瞄準器、經緯儀、顯微鏡和照相機(照相鏡頭)。鏡頭不形成完美的圖象；鏡頭總會產生一定程度的失真或象差，這使圖象成為物體的不完美復制。因此，當光學系統誤導一些物體的光線時就會產生象差。存在若干種可能影響圖象質量的象差。一些象差發生在一個波長的電磁照射成像時(單色象差)，而其它象差發生在兩個或多個波長的電磁照射成像時(彩色象差)。由于光學系統中因象差引起的失真明顯降低該系統的圖象平面上的圖象質量，因此減少這些象差是有利的。經常使用各種技術來使象差最小化。其中一種技術涉及波陣面畸變器。波陣面畸變器尤為適用于用來校正人的視力的眼鏡或隱形眼鏡。美國專利6，989，938('938專利)記載波陣面畸變器及其制造方法。'938專利記載如何通過控制層的不同區域中的單體的固化程度跨單體層形成唯一的折射率分布，由此形成波陣面畸變器。'938專利記載了通過形成具有變化的固化程度的區域而使人獲得唯一的折射率分布的方法。盡管這種技術非常有用，然而它引起鏡頭穩定性的問題。由于改變固化程度，不同區域之間的單體存在濃度梯度，這導致單體隨著時間的流逝而擴散。隨著單體從一個區域擴散至另一區域，折射率分布改變。結果，較晚時間的折射率分布明顯不同于最初形成的理想原始折射率分布。此外，由于固化程度較低的區域和固化程度較高的區域之間的折射率的反差減少，在理想折射率分布形成后使固化程度較低的區域固化會導致分布曲線變化。固化程度較低的區域隨時間流逝的不合需固化會因為例如引發聚合誘因的過量(flood)光致聚合(或過量固化)而發生。過量固化是基本均一的照射(光)隨時間流逝而作用于未固化或部分固化的材料的過程。時間周期可長可短。這使先前未固化的單體交聯，并增加先前固化程度較低的區域中的折射率，使它們的折射率接近最初固化程度較高的區域的折射率。折射率反差的減少導致光學特征的變化。曝露在陽光下是折射率反差因為過量光致聚合而減小的一個情況的實例。這類問題中的某些問題可通過優化存貯條件以防止光學特征變化來解決。可將波陣面畸變器存Jfc在冷凍條件下以阻止(或至少明顯減慢)固化程度較低的區域和固化程度較高的區域之間的單體的擴散。低溫也會延緩熱聚合的速度。此外，可將波陣面畸變器存貯在黑暗環境下以防引發聚合誘因。遺憾的是，特定存貯條件的要求會限制波陣面畸變器的實踐應用的范圍。例如，波陣面畸變器的一種特定應用類似于用以校正人眼失真的眼鏡或隱形眼鏡的形式。由于人們在各種條件(熱/冷、濕潤/干燥、有陽光的/黑暗)下佩帶眼鏡，不是那么容易控制溫度和曝光程度的。因此，需要形成穩定折射率分布的其它方法。本發明成功地解決了前述與現有技術關聯的缺點并提供現有技術無法實現的某些特性和優點。發明簡述本發明提供產生對熱和/或日光曝露具有穩定的理想折射率分布的波陣面畸變器的方法。本發明還提供根據本文所述的方法制造的波陣面畸變器。通過產生對熱和日光曝露具有穩定的理想折射率分布的波陣面畸變器，該波陣面畸變器的實踐應用范圍明顯變寬。這些波陣面畸變器在本文中主要以眼鏡和隱形眼鏡為例予以闡述。在本文所給出的實施例中，本發明的波陣面畸變器包括一對透明鏡頭，這對鏡頭由含聚合物并表現出作為單體固化程度的函數的變化折射率的制劑層(formulationlayer)隔開。在一個實施例中，本發明的波陣面畸變器可使用"光掩模"通過含制劑層的有選擇照射的工藝制造而成。由光掩模的透光外形規定的固化圖案在波陣面畸變器中形成理想的折射率分布。在另一實施例中，制造本發明的波陣面畸變器的方法包括使用數字光投影儀(DLP)形成固化圖案。在通過使固化圖案曝光而形成中間折射率分布后，以一種方式加工本發明的波陣面畸變器，從而產生對熱和/或日光條件穩定的最終要求的折射率分布。在一較佳實施例中，在波陣面畸變器中形成中間折射率分布之后，使波陣面畸變器曝光于更高的溫度以誘發未固化單體的加速擴散，在本文中稱其為"擴散過程"。在波陣面畸變器經歷擴散步驟后，使其曝露于過量照射以基本固化所有先前未固化的單體。在過量照射步驟完成后，獲得波陣面畸變器的最終可變折射率分布。有利地，此時，幾乎使所有之前未固化的單體固化并幾乎使制劑層完全交聯。由于使所有單體交聯，波陣面畸變器中的結果折射率分布對熱和/或日光條件是穩定的。此后，由于單體作為交聯網絡的一部分而完全固化和固定不動，折射率分布不因為單體擴散或曝光而變化。本發明還提供一種預測和描繪由于擴散發生的折射率分布變化的方法。使用由本發明提供的方法的其它優點是能夠獲得材料的較大光程差(0PD)。0PD是通過將材料的折射率(n)乘以材料厚度而計算得到的。使用本發明方法(產生折射率分布，允許擴散，隨后過量照射)制造的波陣面畸變器提供的OPD值可以比使用現有技術(僅產生折射率分布)制造的波陣面畸變器的最大可得0PD高上數倍。能夠制造具有較大的OPD值的波陣面畸變器對于人的視力校正是非常有利的。本發明的具有大0PD值的波陣面畸變器有利于以比現有技術的波陣面畸變器明顯更高的波陣面誤差來校正患者的視力。附圖簡述圖1是示出鏡頭組件的橫截面圖。圖2是示出鏡頭組件的橫截面圖。圖3是模型眼的0PD圖。圖4示出具有最大OPD值的每個波陣面畸變器的固化曲線(OPD對時間)，以及在每個曲線的端部處標出獲得這些值所需的時間。圖5示出對于加速的熱老化測試的OPD變化對時間的百分比。圖6是適于將三葉草圖案寫在光學元件上的光掩模的攝影再現。圖7a—7f示出在擴散過程中的OPD生長以及用于照射鏡頭的紫外線圖案。圖8示出以對應于低0PD(波谷)的藍光區和對應于高OPD(波峰)的紅光區、通過焦度計測得的OPD圖案。圖9示出由干涉儀測得的鏡頭的表面分布。圖IO示出鏡頭的表面形態。圖11示出焦度計的OPD圖。圖12示出在DIC顯微鏡下的標志的外形。圖13示出含各自以略微不同的工藝制造而成的六個"iZon"標志的鏡頭。詳細公開本發明提供創建波陣面畸變器的方法，該波陣面畸變器具有耐熱和/或耐陽光的理想折射率分布。通過形成具有穩定耐熱和耐陽光的最終折射率分布的波陣面畸變器，波陣面畸變器的實踐應用的范圍變寬。根據本發明制造而成的畸變器的一個優點是，這些畸變器可用來制造鏡頭，這類鏡頭能校正人的視力并能夠在多種陽光和高溫條件下佩帶。美國專利No.6,989,938號(下文中稱其為'938專利，其全部內容被援引包含于此)記載了可以編程以具有特定和唯一的折射率分布的波陣面畸變器的各種應用。在一較佳實施例中，本發明的波陣面畸變器包括由制劑層分隔的一對透明鏡頭，所述制劑層包括聚合物材料。在一個實施例中，制劑層可含硫醇固化的環氧樹脂。制劑層表現出作為單體固化程度的函數的變化的折射率。中間折射率分布的制備'938專利中記載了有選擇地照射制劑層以形成跨環氧樹脂材料的具有不同固化程度(并因此具有變化的折射率)的區域的一些技術。這些技術利用，例如，LED、LCD和點光源。在一個實施例中，本發明的波陣面畸變器可通過包含用"光掩模"有選擇地照射制劑層的工藝制造而成。例如，使用噴墨印刷機將"光掩模"印在透明體上。墨的灰度在掩模的不同區域中變化，以在掩模的不同區域具有不同的透光水平。均一光源通過光掩模傳至制劑層，在制劑層給定區域中的固化程度是透過光掩模的相應區域的透光度以及曝光時間的函數。由掩模的透光度分布規定的固化圖案在波陣面畸變器中產生理想的折射率分布。在另一實施例中，形成本發明的波陣面畸變器的方法包括采用DLP形成固化圖案。在使用，例如，前述技術中的一種形成第一折射率分布后，本發明的波陣面畸變器以某種方式穩定下來，從而使其具有對熱和/或陽光條件穩定的最終的理想折射率分布。擴散折射率分布穩定過程中的第一步是在部分固化以形成中間折射率分布之后，允許未經固化的單體在波陣面畸變器的固化程度較低和固化程度較高的區域之間擴散。這是擴散過程。在較佳實施例中，波陣面畸變器被放置在升高的溫度下，以加速未經固化的單體的擴散。在擴散步驟期間，折射率分布從最初分布開始變化。可基于加熱溫度、加熱時間長度、先前的光學布圖、所處理的材料類型以及任何基底的類型和厚度來預測將會發生的擴散量。由于擴散處理的特性，強制未經固化的單體擴散所需的溫度取決于其中包夾有可光致固化的凝膠體(例如，其中散布有單體和聚合引發劑/抑制劑)的基底的硬度。在擴散過程中，材料沿固化程度較低的區域(較高單體濃度)至固化程度較高的區域(由之前光致固化的單體交聯產生的較低單體濃度)這一濃度梯度流過。隨著單體流入固化程度較高的區域的交聯網絡，單體透過這些網絡并使這些網絡膨脹。為了單體能使交聯網絡(位于制劑層中)膨脹，約束這些網絡的基底應具有足夠的撓度，可彎曲以允許膨脹。隨著基底彎曲以允許膨脹，每個基底的表面形狀在彎曲/膨脹發生的地方改變。此外，波陣面畸變器的總厚度在彎曲/膨脹發生的地方增加。由于表面彎曲和聚合物膨脹引起的基底表面形狀和波陣面畸變器厚度的變化將導致在單體擴散過程中波陣面畸變器的光學特性的變化。更具體地說，因擴散過程中彎曲/膨脹引起的基底表面曲率和波陣面畸變器厚度的增加將導致通過最初折射率分布的固化程度較高區的光的光程長度的增加。這反過來增加與最初折射率分布對應的光學特征值的大小。由較硬材料和/或較厚材料制成的基底更耐彎并因此更能忍受制劑層的膨脹。由于如果單體無法移動至交聯網絡而單體的擴散減弱，因此基底對膨脹的較高忍受性反過來導致對單體擴散的較高的阻撓性。當使用較硬和/或較厚材料制成的基底時，可用較高的溫度來提高基底的撓度，并由此提高單體的擴散速度。除了基底厚度/剛度，其它因素也影響擴散速度。這些因素中的一個是擴散單體的粘度。擴散單體的粘度越低，則單體越容易從未經固化的區域移動至固化程度較高的區域，并透過那些區域的交聯網絡。這導致具有較低粘度的單體的較高的擴散速度。影響擴散速度的另一因素是聚合物網絡的密度，單體通過聚合物網絡擴散。例如，如果凝膠體包含其中散布有單體的硫醇固化的聚合樹脂基質，，則相對于硫醇固化的環氧樹脂量的單體量會影響擴散速度。凝膠體中的硫醇固化的環氧樹脂(基質)的百分比越高，則凝膠體基質越稠密，且單體通過網絡擴散的難度越大。這使較高基質百分比的凝膠體具有較低的擴散速度。本發明的擴散過程的一個較優方面是它不需要連續曝露在高溫下以到達要求的終點。如果基底足夠堅韌/厚以忍受在室溫下的擴散/膨脹，則可通過不再使波陣面畸變器曝露于高溫，而是回到溫室，以終止擴散過程。可在給定時間內將波陣面畸變器存貯于室溫下而不會明顯改變光學特征，并且之后只需再次簡單地升高溫度就能使擴散過程繼續。由于這有助于消除正常工作日/工作周所造成的可能的約束，因此從制造角度看這是有利的。例如，如果擴散過程在周五的工作日結束時只完成了一半，則周末可將鏡頭存貯于室溫下，并在周一使波陣面畸變器重新處于高溫下，從而使擴散過程繼續。本發明還提供預測和描繪由擴散造成的折射率分布變化的方法，以制成理想的波陣面畸變器。iiillt在波陣面畸變器經歷擴散步驟后，可將其曝露于過量的照射以使先前未固化的單體固化。如果在擴散步驟中采用的擴散時間和溫度的結合足夠使單體充分擴散以形成具有理想OPD的波陣面畸變器，則在過量照射步驟中可以不顯著地改變折射率分布。在執行過量照射步驟后，實際上固化了所有先前未固化的單體，并且制劑層基本完全交聯。由此獲得波陣面畸變器的最終折射率分布。由于所有單體均已交聯，因此所得到的波陣面畸變器的折射率分布對于熱和陽光條件是穩定的。此后，由于單體作為交聯網絡的一部分是完全固化和非運動的，因此折射率分布不會因為單體的進一步擴散而改變。在過量照射步驟中單體的完全固化也防止單體在獲得最終折射率分布后(例如因為陽光/UV曝露)進一步光致固化。最終波陣面畸變器的光學特征對于加速的天氣變化/熱/陽光曝露測試、商用AR和硬鍍膜操作以及涉及將光學元件浸入非腐蝕性水合溶液(染色、UV染色等)是穩定的。OPD增加使用本發明提供的方法的進一步的優點是可獲得更大的光程差(OPD)。從使用本發明的方法(形成折射率分布，允許擴散，然后過量照射)制成的波陣面畸變器得到的OPD值明顯高于使用現有技術(只形成折射率分布)的方法制造的波陣面畸變器的最大可得OPD。能夠制造具有更大OPD值的波陣面畸變器對于人視力校正領域而言是非常有利的。本發明的具有大OPD值的波陣面畸變器有利于用比現有技術的波陣面畸變器高得多的波陣面誤差來校正患者的視力。通過其它方法制成的波陣面畸變器的最大可得OPD值可能較低，這些波陣面畸變器的OPD增加僅因為折射率的變化(例如增加)而實現。此外，隨著單體光致固化，凝膠體的折射率增加，凝膠體由于交聯的稠密化特性而收縮。如果基底具有足夠的撓度/薄度，這使約束凝膠體的基底隨著凝膠體收縮而向內彎曲，造成厚度減小并因此造成光程的減小。盡管通過折射率增加所獲得的OPD超過由于收縮引起的較小的厚度減小，但仍然能通過減小的厚度來限定最大OPD。在本文所描述的方法中，可通過光致固化來獲得一些OPD，以形成最初的折射率分布。然后，隨著單體擴散入這些區域，擴散步驟通過凝膠體在這些區域的膨脹而使基底向外彎曲。由此通過因膨脹引起的波陣面畸變器厚度增加和基底表面曲率增加來使OPD增加。這樣，由于本方法將折射率的增加、基底表面曲率和厚度作為增加OPD的模(與僅利用折射率增加的方法相比)，可通過本發明的方法來獲得高得多的OPD值。,,卩;，(1)包夾在兩個基底之間(2)在曝露于刺激物的區域內的凝膠體，單體未固化的光致固化刺激物交聯單體。折射率在曝露區域增加。(3)單體從高單體濃度的未固化(4)固化區隨著單體的擴散入而膨脹。區域擴散至低單體濃度的固化區基底向外彎曲以順應凝膠體的膨脹。厚度增加。表面曲率增加。可通過參照本發明下面的化合物、組合物和方法的實例來獲得對本發明更為詳盡的理解。下面的實例示出實現本發明的步驟。這些實例不應當作限制性解釋。本領域內技術人員可以清楚知道，這些實例包括從已知資源(例如藥店)商用地獲得的材料和試劑的應用，因此不再給出它們的細節。實例l一波陣面畸變器樣本制備成份I:在500mL的燒瓶中，將IOO克的多聚物[(苯乙二醇醚)一共一蟻醛]、49.42克的二烯丙醚雙酚A、0.2761克的光引發劑(Irgacure184)以及0.0552克的N-PAL溶解在丙酮中。隨后通過0.211111的針筒過濾器過濾將該混合物，并使其流入另一干凈的500mL燒瓶。將濾液在6(TC下旋轉蒸發2小時以蒸發掉所有的丙酮。成份II:在另一500mL的燒瓶中，將3.27克的四丁基溴化銨和150克的三羥甲基丙垸三(3—疏基甲酸甲脂)溶解在丙酮中。然后通過0.2um的針筒過濾器過濾該混合物，并流入另一干凈的500mL燒瓶。將濾液在50'C下旋轉蒸發2小時以蒸發掉所有的丙酮。分別將成份I和成份II的一部分以1.157:1的比例混合。在20mL閃爍瓶中仔細地稱量成份I混合物。基于成份I制劑的量，將計算得到的成份II的量添加至同一閃爍瓶。使用玻璃攪拌棒用手徹底混合這兩種混合物。將大約2.6克的這種混合物轉移至配有取間隔器220(設置在罩鏡頭的凹進側上的邊周圍的具有20密耳厚度的多片粘合帶)的SamsungEyeTechUV-Clear1.6罩210的凹表面(在圖1中以橫截面圖示意地示出)。使罩210上的混合物230脫氣以去除陷入的空氣。在罩鏡頭上仔細地設置具有5.0基曲線的SamsungUV-Clear1.6的基鏡頭240，并且使這些鏡頭牢固地壓合在一起，使脫氣的混合物230包夾在中間以制成鏡頭組件250(在圖2中示意地表示為橫截面圖)。將該鏡頭組件250在75"C下保持5.5小時以將包夾的混合物230固化成凝膠體。該凝膠體230中散布有硫醇固化的環氧樹脂，該環氧樹脂包括二烯丙醚雙酚A(diallyletherBisphenolA)和三羥甲基丙烷三(3—疏基甲酸甲脂)。在鏡頭組件250冷卻至室溫后，將基鏡頭240研磨成"平"(plano)的，以形成不具有凈光功率的光學元件。實例2—光學系統的畸變的校正如實例1所述那樣制備平功率光學元件。在85C下用鏡頭固定器將該光學元件放置在隔熱箱中。用具有方形橫截面混合棒的EXFO全向固化UV燈來產生紫外線照射的均一光束(強度"9.5mW/cm2)，它照射DLP微鏡陣列。鏡頭組件中包夾的凝膠體的中央區域曝露于與模型眼(見圖3)的畸變對應的DLP再次成像的紫外線照射圖案達100秒。用波陣面焦度計來測量作為紫外線曝光結果的包夾于其中的凝膠體230中產生的OPD圖案。測得OPD圖案的波峰一波谷距離為0.446微米。將隔熱箱溫度調整至105C并將鏡頭放置在隔熱箱中達額外的4小時，以迫使未固化的單體擴散到單體因紫外線照射而耗盡的區域。波陣面焦度計再次用來測量OPD圖案，并確定OPD圖案的波峰一波谷距離已從0.446微米增加至1.565微米(增加350%)。將鏡頭從設定于105C的隔熱箱中取出，并放置在設定為85C的另一隔熱箱內。具有方形橫截面混合棒的DymaxUV燈用來產生紫外線照射的均一光束(強度"30mW/cm2)，并使光學元件過量固化以鎖定在OPD圖案中。波陣面焦度計用來測量在過量固化后的鏡頭的OPD圖案，并發現OPD圖案的波峰一波谷距離己從1.565微米變為1.460微米(減少6.7%)。在表1中以澤爾尼克系數的形式給出對OPD圖案每次焦度計測量的更詳細的說明。在過量固化完成后，在模型眼圖案的位置處將鏡頭切成兩半。將鏡頭的一半放置在測微計座上，并在顯微鏡下觀察。使用側微計，可確定(SamsungEyeTech1.6鏡頭)上基底層的厚度為0.38毫米，所包夾的凝膠層的厚度為0.57微米，而(SamsungEyeTech1.6鏡頭)下基底層的厚度為0.63毫米。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表1<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>實例3—擴散速度和OPD生長速度控制如例1所述制備兩個平功率光學元件。每個光學元件用鏡頭固定器放置在85C下的隔熱箱中。例2的DLP系統用來將每個光學元件的制劑層曝露于與模型眼的畸變對應的紫外線照射圖案。第一光學元件曝露于圖案達60秒，而第二光學元件曝露于圖案達120秒。波陣面焦度計用來測量每個光學元件中所得到的OPD圖案。第一光學元件中的波峰一波谷距離為0.235微米，而第二光學元件的波峰一波谷距離為0.473微米。把鏡頭隔熱箱的溫度調整至105C。將第一光學元件在105C下保持在鏡頭隔熱箱內達4小時8分鐘，并將第二光學元件在105C下保持3小時32分鐘，以迫使未固化的單體擴散入單體已因紫外線照射而耗盡的區域。波陣面焦度計用來測量每個光學元件當保持在105C狀態下各個時間的OPD圖案，并且每個光學元件的波峰一波谷生長速度經觀察為線性的。第一光學元件的OPD圖案的最終波峰一波谷距離為0.873微米，而第二光學元件的波峰一波谷距離為1.530微米。計算出第一光學元件的波峰一波谷生長速度為0.154微米/小時，并計算出第二光學元件的波峰一波谷生長速度為0.299微米/小時。第二光學元件的波峰一波谷生長速度為第一光學元件的將近兩倍。用于第二光學元件的紫外線曝露時間是第一光學元件的兩倍。紫外線曝光時間的翻倍導致在曝光于UV圖案的區域內固化百分比的翻倍。這使單體因UV固化而耗盡的曝光區域和未曝光區域之間的單體濃度梯度翻倍。這反過來導致單體從未曝光區域至單體因UV固化而耗盡的曝光區域的擴散速度翻倍，這導致第二光學元件的波峰一波谷生長速度的翻倍。實例4一現有技術可能得到的OPD在實例1中描述四個平光學元件的制備，并將它們標示為2830、2831、2833和2866。每個光學元件具有將近1.5毫米的中央厚度。與實例2中的描述類似的DLP系統用來在85C的鏡頭隔熱箱中以三葉草圖案照射這四個波陣面畸變器。在波陣面畸變器的制劑層處的UV光強度為大約31mW/cm2。貫穿照射過程，通過焦度計在各個時間對產生在波陣面畸變器中的OPD進行測量，直到獲得最大OPD為止。圖4示出每個具有最大OPD值的波陣面畸變器的固化曲線(OPD對時間)，并且在每條曲線的末端標示出獲得這些值所需的時間。四個波陣面畸變器所獲得的平均最大OPD值為2.75微米。實例5—用本發明的方法獲得增加的OPD如例1所述制備三個平功率光學元件。每個光學元件用鏡頭固定器保持在85C的隔熱箱中。例2中描述的DLP系統用來使每個光學元件曝光于與G，一3)三葉草形畸變對應的紫外線照射圖案達140秒。波陣面焦度計用來測量每個光學元件中所得到的OPD圖案。發現光學元件的OPD圖案的波峰一波谷距離為0.793微米、0.587微米和0.581微米，它們分別具有0.130微米、0.090微米和0.088微米的(3,—3)澤爾尼克系數。然后將光學元件以105C的溫度保持在烘箱內達額外的16小時，以迫使未固化的單體擴散入單體已因紫外線照射而耗盡的區域。在擴散步驟之后，用波陣面焦度計來測量每個光學元件中所得到的OPD圖案。發現光學元件的OPD圖案的波峰一波谷距離為8.189微米、7.823微米和7.725微米，它們分別具有1.853微米、1.755微米和1.719微米的(3,—3)澤爾尼克系數。將光學元件從105C的烤爐中取出并將其放置在設定為85C的隔熱箱內。用具有方形橫截面的混合棒的DymaxUV燈來產生均一的紫外線照射光束(強度"30mW/cm2)，并過量固化每個光學元件以將其鎖定于OPD圖案。波陣面焦度計用來測量過量固化后的鏡頭的OPD圖案。發現光學元件的OPD圖案的波峰一波谷距離為7.974微米、7.856微米和7.586微米，它們分別具有1.837微米、1.750微米和1.707微米的(3,—3)澤爾尼克系數。對于這三個光學元件而言，過量固化期間OPD圖案的波峰一波谷距離的平均變化僅為一1.33%。這三個光學元件中的OPD圖案的平均最終波峰一波谷距離為7.805微米。這約為通過例4確定的現有技術方法獲得的2.75微米的最大波峰一波谷距離的2.84倍。實例6—加速熱老化期間光學元件的穩定性將實例5中的兩個光學元件放置在123C的烘箱內達85.5小時，以加速老化并模擬在標準溫度(23C)附近長達IO年的熱老化(假設每IOC溫度的增加就會使老化速度翻一倍)。在執行加速老化前，光學元件中的OPD圖案的波峰一波谷距離為7.974微米和7.856微米。在加速老化后，用焦度計來測量光學元件的OPD圖案。OPD圖案的波峰一波谷距離分別為7.838微米和7.389微米，它們分別對應于加速老化期間僅3.8%的平均波峰一波谷距離變化。實例7—在加速熱老化過程中現有技術光學元件的不穩定性。如實例1所述那樣制備四個平功率光學元件。每個光學元件用鏡頭固定器放置在85C的隔熱箱內。用例2中記載的DLP系統使每個光學元件曝露于與(3，一3)三葉草形畸變對應的紫外線照射圖案。用波陣面焦度計來測量每個光學元件中所得到的OPD圖案。每個光學元件曝露于照射圖案，直到使用現有技術的方法獲得將近1.5微米的OPD為止。然后將樣本放置在73C的烘箱內，以加速熱老化。在熱老化開始前，樣本具有1.37、1.43、1.40和1.44微米的OPD值，其平均值為1.41微米。在不同時刻將樣本從烘箱中取出并重新測量。在73C下老化84小時后(假設在溫度高于23C時每增加10C就會導致老化速度的加倍，這模擬在接近標準溫度下的16星期的老化)，四個現有技術的波陣面畸變器的OPD值分別為2.25、2.18、2.10和2.08微米，其平均值為2.15微米。圖5示出例6所述的本發明的兩個波陣面畸變器與本例中四個現有技術的波陣面畸變器的平均OPD百分比變化對烘箱時間的曲線圖。顯然，使用本發明的方法制成的樣本及時在更為劇烈的加速老化條件下也表現出比現有技術樣本好得多的熱穩定性。實例8—在硬鍍膜和AR期間本發明的穩定性如實例1所描述那樣制備四個平功率光學元件。用鏡頭固定器將每個光學元件放置在85C的隔熱箱內。用例2的DLP系統使每個光學元件的制劑層曝光于與模型眼的畸變對應的紫外線照射圖案達150秒。然后將光學元件在105C的烘箱內放置4小時以迫使未固化的單體擴散入單體己因導致固化的紫外線照射而耗盡的區域。將光學元件從105C的烘箱中取出并將其放置在設定為85C的另一隔熱箱內。用具有方形橫截面的混合棒的DymaxUV燈產生均一的紫外線照射光束(強度^30mW/cm2)，并過量固化每個光學元件以將其鎖定于OPD圖案。用波陣面焦度計來測量過量固化后光學元件的OPD圖案。OPD圖案的波峰一波谷距離為2.591微米、2.351微米、2.272微米和2.363微米，其平均值為2.39微米。以當前技術水平的硬鍍膜和抗UV底漆涂覆光學元件。用波陣面焦度計測量在硬鍍膜操作后光學元件的OPD圖案。OPD圖案的波峰一波谷距離為2.498微米、2.204微米、2.137微米和2.271微米，其平均值為2.28微米。OPD圖案的平均波峰一波谷距離在硬鍍膜操作過程中僅改變4.9%。然后用當前技術水平的AR鍍膜處理光學元件。用波陣面焦度計測量AR鍍膜操作后光學元件的OPD圖案。OPD圖案的波峰一波谷距離為2.456微米、2.213微米、2.149微米和2.264微米，其平均值為2.27微米。OPD圖案的平均波峰一波谷距離在硬鍍膜和AR鍍膜操作期間總量僅改變5.2%。實例9一在硬鍍膜和AR期間現有技術的不穩定性如例1所描述那樣制備三個平功率光學元件。用鏡頭固定器將光學元件保持在85C的隔熱箱內。用具有方形橫截面的混合棒的DymaxUV燈產生均一的紫外線照射光束(強度"15mW/cm2)。光學元件250中包夾的凝膠體230的中央區域通過從光掩模(圖6)再次成像的三葉草形圖案曝露于紫外線照射達5分鐘。用ZYGO干涉計來測量形成在所包夾的凝膠體內的OPD圖案。OPD圖案的波峰一波谷距離為1.33微米、1.39微米、1.31微米，其平均值為1.34微米。然后用當前技術水平的AR鍍膜處理光學元件。用ZYGO干涉計來測量在AR鍍膜后形成在光學元件所包夾的凝膠體內的OPD圖案。OPD圖案的波峰一波谷距離為3.91微米、4.08微米、3.70微米，其平均值為3.90微米。光學元件中的OPD圖案的平均波峰一波谷距離在AR鍍膜操作過程中增加了190%。相反，在加速老化前的例8中的光學元件中觀察出的平均OPD圖案在當前技術水平的硬鍍膜和AR鍍膜操作過程中總共僅改變5.2%。實例10-在加速的天氣變化測試中現有技術的不穩定性如例1所描述那樣制備四個平功率光學元件。用鏡頭固定器將光學元件保持在85C的隔熱箱內。用例2中記載的DLP系統使每個光學元件曝露于與(3，一3)三葉草形畸變對應的紫外線照射圖案。使用波陣面焦度計來測量每個光學元件中所得到的OPD圖案。每個光學元件曝露于照射圖案，直到使用現有技術的方法獲得將近1.5微米的OPD為止。然后將樣本放置在QUV腔室內IO天以加速天氣變化并模擬兩年的天氣變化。由于不同樣本的百分比OPD從一55.3%改變至+59.6%，樣本表現出對加速天氣變化條件的嚴重的不穩定性。樣本的數據概括于表2中。表2—加速的氣候變化<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>實例ll一在加速的天氣變化過程中本發明的穩定性如例1所描述那樣制備三個平功率光學元件。用鏡頭固定器將每個光學元件保持在85C的隔熱箱內。用例2的DLP系統使每個波陣面畸變器的制劑層曝露于與模型眼的畸變對應的紫外線照射圖案達240秒。然后將光學元件放置在105C的烘箱內達4小時，以迫使未固化單體擴散入單體已因紫外線照射而耗盡的區域。將光學元件從105C的烘箱內取出并將其置于設定為85C的另一隔熱箱內。用具有方形橫截面的混合棒的DymaxUV燈產生均一的紫外線照射光束(強度"30mW/cm2)，并過量固化每個光學元件以將其鎖定于OPD圖案。用波陣面焦度計測量過量固化后光學元件的OPD圖案。OPD圖案的波峰一波谷距離為3.747微米、3.545微米和3.946微米，其平均值為3.75微米。然后將光學元件放置在QUV腔室內IO天以加速天氣變化，并模擬2年的天氣變化。用波陣面焦度計測量在QUV腔室內加速老化后的光學元件的OPD圖案。OPD圖案的波峰一波谷距離為3.853微米、3.745微米和4.186微米，其平均值為3.93微米。OPD圖案的平均波峰一波谷距離在QUV腔室內的加速老化過程中總共僅變化4.9%。實例12—在過量照射過程中現有技術的不穩定性如例1所描述那樣制備一個平功率光學元件。用鏡頭固定器將光學元件保持在85C的隔熱箱內。用具有方形橫截面的混合棒的DymaxUV燈產生均一的紫外線照射光束(強度"31mW/cm2)，它照射含三葉草形圖案的灰度再現的光掩模。光學元件250中包夾的凝膠體230的中央區域通過從光掩模(圖6)再次成像的三葉草形圖案曝露于紫外線照射達30秒。用波陣面焦度計測量在所包夾的凝膠體中形成的OPD圖案。OPD圖案的波峰一波谷距離為0.910微米。用具有方形橫截面的混合棒的DymaxUV燈產生均一的紫外線照射光束(強度"30mW/cm2)，并且過量固化光學元件。OPD圖案的波峰一波谷距離為0.216微米。光學元件中的OPD圖案的波峰一波谷距離在過量固化過程中減少76.3%。相反，允許單體擴散入單體在過量固化前因UV固化而耗盡的區域內的例2中的光學元件的波峰一波谷距離在過量固化過程中僅減小6.7%。實例13—基片撓度的溫度依存性和擴散速度/0PD變化的效果如例1所描述那樣制備六個平功率光學元件。用鏡頭固定器將光學元件保持在85C的隔熱箱內。用具有方形橫截面的混合棒的DymaxUV燈產生均一的紫外線照射光束(強度"15mW/cm2)，它照射含三葉草形圖案的灰度再現的光掩模。光學元件250中包夾的凝膠體230的中央區域通過從光掩模(圖6)再次成像的三葉草形圖案曝露于紫外線照射達5分鐘。用ZYGO干涉計測量在所包夾的凝膠體中形成的OPD圖案。第一組的三個鏡頭的OPD圖案的波峰一波谷距離為134微米、1.39微米和1.40微米，其平均值為1.38微米。第二組的三個鏡頭的OPD圖案的波峰一波谷距離為1.37微米、1.43微米和1.40微米，其平均值為1.40微米。將第一組的三個鏡頭在室溫(23C)下存貯102天，然后使用ZYGO干涉計對其進行測量。波峰一波谷距離為1.38微米、1.39微米和1.40微米，其平均值為1.39微米。因此，存貯于室溫下的鏡頭的平均波峰一波谷距離在102天內僅改變大約1%。將第二組的三個鏡頭在73C下存貯23天，然后使用ZYGO干涉計再次進行測量。波峰一波谷距離為3.25微米、3.21微米和3.06微米，其平均值為3.17微米。因此，存貯于73C下的鏡頭的平均波峰一波谷距離在23天內改變大約140%。顯然，作為基片的SamsungEyeTech1.6鏡頭的撓度不足以使包夾的凝膠體在室溫下(23C)因單體的擴散而膨脹，但在73C下具有足夠的撓度。實例14一在擴散過程中OPD生長的可見實例如例1所描述那樣制備一個平功率光學元件。用鏡頭固定器將光學元件保持在85C的隔熱箱內。用例2的DLP結構使光學元件的制劑層曝露于由微鏡陣列再次成像的正弦曲線形(周期二6mm)紫外線照射圖案(圖7A)達140秒。在照射時間內，使用波陣面焦度計測量各個時間的OPD圖案。在照射結束后，鏡頭隔熱箱的溫度上升至105C,并將鏡頭保存在其中達8小時，以迫使未固化的單體擴散入單體尚未因紫外線照射而耗盡的區域。使用波陣面焦度計來完成在擴散過程中各個時間的OPD圖案測量。圖7B-7F示出在擴散進行時OPD生長以及用來照射鏡頭的紫外線圖案的圖例。實例15—擴散過程中制劑層膨脹和基片形態的變化的演示如例1所描述那樣制備一個平功率光學元件。用鏡頭固定器將光學元件保持在85C的隔熱箱內。用具有方形橫截面的混合棒的DymaxUV燈產生均一的紫外線照射光束(強度"31mW/cm2)，它照射含三葉草形圖案(圖6)的光掩模。光學元件250中包夾的凝膠體230的中央區域曝露于從光掩模再次成像的紫外線照射達20秒。用波陣面焦度計測量所包夾的凝膠體中產生的OPD圖案。OPD圖案的波峰一波谷距離為1.30微米。圖8示出由焦度計測得的0PD圖案，其中藍色區域對應于低OPD(波谷)而紅色區域對應于高OPD(波峰)。然后在使用基準透射球面的ZYGO干涉計上測量鏡頭的前表面。通過將超平整的黑漆涂覆于該表面，只使用來自鏡頭前表面的干涉帶而去除歸因于后表面的干涉帶。圖9中示出由ZYGO測得的鏡頭表面分布。確定前表面分布的波峰一波谷距離為0.73微米。表面形態的波峰由藍色區域(低OPD)表示而波谷由紅色區域(高OPD)表示。由于表面在波峰處向ZYGO突出，并且ZYGO和鏡頭表面之間具有較短的距離，因此表面形態的波峰實際上具有較低的OPD(當使用透射球面僅測量表面時通過ZYGO觀察出)。相反，表面形態的波谷更遠離ZYGO，使得在這些區域中測得更高的OPD。表面形態的圖形顯示出在ZYGO表面數據的頂部具有波谷，這表示表面在這里抬高，產生對干涉計較短的光程和較低的OPD。在表面底部，在ZYGO表面數據中存在波峰，這表示表面在這里凹陷，給出更大的光程長度。將得自ZYGO的表面OPD圖與焦度計OPD圖(對應于通過整個光學元件的總OPD)進行比較，表面OPD抵消總OPD。如前面提到的那樣，在所包夾的凝膠體因固化而使其折射率增加的區域中，隨著凝膠體收縮并使基片彼此更靠近而厚度減小。然而，因折射率增加引起的OPD增加遠大于因厚度減小造成的OPD損失。在使用ZYGO干涉計執行表面測量之后，將鏡頭放在105C的烘箱中7.5個小時，以使單體從高單體濃度的未固化區擴散至單體濃度已因UV照射耗盡的固化區。這種擴散由于菲克法則而發生。使鏡頭回到室溫，且再次在使用基準透射球面的ZYGO干涉計上測量其前表面形態(圖10所示)。前表面形態的極性翻轉，并且表面波峰一波谷距離為1.95微米。現在波峰處于ZYGO圖象的頂部，而波谷處于ZYGO圖象的底部，這表示在實際表面上波谷(或凹陷)處于頂部而波峰(抬升)處于底部。用丙酮將底表面上的黑漆去除，并在焦度計上測量透過整個光學元件的OPD圖案。波峰—波谷的透射長度為7.5微米。將得自ZYGO的表面OPD圖(圖io)與焦度計OPD圖(圖11)進行比較，表面的波峰和整個OPD圖現在對齊。由該表面產生的OPD如今增強通過透射測得的OPD。這證實單體從未固化區擴散至固化區已造成這些區域內的凝膠體的膨脹，造成基片向外隆起并增加這些區域中的光學元件的厚度。本領域內技術人員應當理解，后表面形態在整個試驗中可能表現為非常類似于前表面形態，但這是無法監測的。實例16—用本發明將永久性商標寫入光學元件如例1所描述那樣制備一個平功率光學元件。用紫外線激光器以與商標"iZon"標志對應的圖案照射所包夾的凝膠體層。激光器是光譜物理J20E-BL8-355Q、Q—切換的Nd:YV04(摻釹的釔釩氧化物)激光器。這種激光器是全固態的并且是二極管泵激的。輸出波長為355nm。輸出名義上為8納秒脈沖的25kHz脈沖串。盡管在下面的例子中僅采用23mW，典型的平均輸出功率大約為500mW。輸出光束是垂直偏振的，直徑為lmm±10%，在聚焦前具有少于0.7毫拉德的發散。激光書寫器的高分辨率使人將標志作為一系列均勻分隔的40微米寬的線進行書寫。使用兩種不同的工藝書寫商標"iZon"標志。這些工藝被稱為工藝A和工藝B。工藝A和工藝B各自在三個不同位置在一塊鏡片毛坯上書寫總共6個標志。在一個位置，做一次激光照射圖案。在第二位置，做兩次激光照射圖案，以提供較大的紫外線劑量。在第三位置，激光照射圖案重復三次以提供這次測試的最大UV劑量。激光功率為23mW。之后，將鏡片毛坯在85C下保持30分鐘以迫使未固化單體擴散至固化程度較高的區域，在那里單體因UV固化而耗盡。用具有方形橫截面混合棒的DymaxUV燈產生均一的紫外線照射光束(強度"30mW/cm2)，并過量固化光學元件。如果省去擴散步驟，則通過過量固化步驟擦除標志。圖12中示出在DIC顯微鏡下的標志的外形。工藝A書寫40微米寬的線，這些線之間的間距大致為40微米。工藝B書寫無間距的線。激光束的脈沖特性對于IX書寫來說是尤為明顯的，而多次書寫傾向于使線看上去更為連續。較大的UV劑量傾向于使標志字母具有更高的對比度，因此進一步固化伴隨更多UV的通過而發生。在擴散和過量固化步驟后，所有標志在DIC顯微鏡下表現為更淡。然而，它們仍為裸眼所見。由于來自書寫字母的平行線的衍射效果，當以某角度投射光時，標志尤為清晰。圖13示出含六個"iZon"標志的鏡頭，每個標志由略為不同的工藝形成。本文所參照或引用的所有專利、專利申請、臨時申請和公布均全文包含援引于此，包括所有圖和表格，只要它們不與本說明書的外在教義相悖。應當理解，本文所述的例子和實施例僅以示例為目的，并且受此啟發，本領域內技術人員可提出各種修改和變化并且這些修改和變化均落在本申請的精神和范圍內。權利要求1.一種波陣面畸變器，其包括兩塊透明的板和在所述透明板之間的聚合物材料層，其中所述聚合物材料層的折射率是變化的，由此形成一折射率分布，并且當所述畸變器曝露于熱或光時，所述聚合物材料層的折射率分布是穩定的。2.如權利要求1所述的波陣面畸變器，其特征在于，所述聚合物材料包括硫醇固化的環氧樹脂。3.如權利要求1所述的波陣面畸變器，其特征在于，所述變化的折射率分布是通過將材料曝露于光而實現的。4.如權利要求1所述的波陣面畸變器，其特征在于，所述變化的折射率是單體固化程度的函數。5.如權利要求1所述的波陣面畸變器，其特征在于，制造成眼睛鏡片或隱形眼鏡鏡片。6.—種制造對熱和/或陽光曝露具有增加的穩定性的波陣面畸變器的方法，所述方法包括a.在兩透明板之間形成一層聚合材料，所述聚合材料包括至少一種聚合物以及一種或多種的單體，其中所述聚合材料具有最初的折射率；b.同時將熱和可變的光刺激物提供給所述聚合材料，以使所述聚合材料(i)經歷可變的聚合圖案而不完全耗盡所述一種或多種單體，以及(ii)獲得第一中間可變折射率分布；c.通過加熱(b)的部分固化的聚合材料來促進擴散過程，以使未固化的單體從固化程度較低的區域擴散至固化程度較高的區域，從而獲得第二中間可變折射率分布；以及d.同時將熱和均一的光刺激物提供給(c)的所述部分固化的聚合材料，以基本固化所有剩下的一種或多種單體，從而獲得最終的可變折射率分布；藉此，所述波陣面畸變器對熱和/或陽光條件是穩定的。7.如權利要求6所述的制造波陣面畸變器的方法，其特征在于，所述加熱持續預定的時間段。8.如權利要求6所述的制造波陣面畸變器的方法，其特征在于，通過波陣面畸變器的實時測量來監測所述擴散過程。9.如權利要求6所述的制造波陣面畸變器的方法，其特征在于，以描繪在所述擴散過程發生的折射率分布變化的方式形成所述最初折射折射率分布，以獲得所述最終的可變折射率分布。10.如權利要求6所述的制造波陣面畸變器的方法，其特征在于，所述最初折射率分布相比擴散過程后的所述最終折射率分布具有更小的光程差。11.如權利要求6所述的制造波陣面畸變器的方法，其特征在于，在所述最初折射率分布中包含與所述最終可變折射率分布中要求的那些成為諧波的澤爾尼克多項式項，以描述發生在所述擴散過程中的折射率分布的變化。12.如權利要求6所述的制造波陣面畸變器的方法，其特征在于，包括使用光掩模有選擇地照射聚合材料。13.如權利要求6所述的制造波陣面畸變器的方法，其特征在于，包括使用DLP系統有選擇地照射聚合材料。14.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述加熱是在85。或更高的溫度下進行的。15.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在擴散過程后，所述OPD至少為擴散過程前的OPD的兩倍。16.—種制造具有可變折射率分布和大約0.01微米以上的光程差(OPD)的波陣面畸變器的方法，其中所述方法包括a.在兩透明板之間形成一層聚合材料，所述聚合材料包括一種或多種的單體，其中所述聚合材料具有最初的折射率；b.同時將熱和可變的光刺激物提供給所述聚合材料，以使所述聚合材料(i)經歷可變的聚合圖案而不完全耗盡所述一種或多種單體，以及(ii)獲得第一中間可變折射率分布；c.促進(b)的部分固化的聚合材料中的擴散過程，以使未固化的單體從固化程度較低的區域擴散至固化程度較高的區域，從而獲得第二中間可變折射率分布；以及d.同時將熱和均一的光剌激物提供給(c)的所述部分固化的聚合材料，以基本固化所有剩下的一種或多種單體，從而獲得最終的可變折射率分布；藉此，所述波陣面畸變器具有大于約0.01微米的OPD。17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述OPD大于3微米。18.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述OPD大于10微米。19.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述OPD大于50微米。20.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述OPD大于100微米。21.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述波陣面畸變器是眼鏡或隱形眼鏡的鏡片。22.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述聚合物材料包括硫醇固化的環氧樹脂。23.如權利要求15所述的方法，其特征在于，通過將聚合材料加熱至至少85r而促進所述擴散過程。24.如權利要求16所述的方法，其特征在于，在擴散過程后，所述OPD至少為擴散過程前的OPD的兩倍。25.—種制造具有穩定光程差(OPD)的波陣面畸變器的方法，所述方法包括a.在兩透明板之間形成一層聚合材料，所述聚合材料包括至少一種聚合物以及一種或多種的單體，其中所述聚合材料具有最初的折射率；b.將可變的光刺激物提供給所述聚合材料，以使所述聚合材料(i)經歷可變的聚合圖案而不完全耗盡所述一種或多種單體，以及(ii)獲得第一中間可變折射率分布；c.通過加熱(b)的部分固化的聚合材料來促進擴散過程，以使未固化的單體從固化程度較低的區域擴散至固化程度較高的區域，從而獲得第二中間可變折射率分布；以及d.將均一的光刺激物提供給(c)的所述部分固化的聚合材料，以基本固化所有剩下的一種或多種單體，從而獲得最終的可變折射率分布；藉此，所述波陣面畸變器具有穩定的OPD。26.在含第一基片、第二基片和包夾在所述兩基片之間的聚合物層的波陣面畸變器中，其中從部分固化以橫跨所述聚合物層形成可變的折射率分布的一種或多種單體得到所述聚合物層，所述改進包括(a)使部分固化的聚合物層有效地擴散，形成促使未固化的單體從固化程度較低的區域擴散至固化程度較高的區域擴散的條件，以形成具有理想的可變折射率分布的聚合物層；以及此后(b)使波陣面畸變器處于有效的固化條件下，藉此所述聚合物層中的基本所有未固化單體固化以鎖定在所要求的可變折射率分布中，并形成穩定的波陣面畸變器。27.如權利要求26所述的方法，其特征在于，所述波陣面畸變器是眼鏡或隱形眼鏡的鏡片。28.如權利要求26所述的方法，其特征在于，所述聚合物材料包括硫醇固化的環氧樹脂。29.如權利要求26所述的方法，其特征在于，通過將聚合材料加熱至至少85。C而促進所述擴散過程。30.如權利要求26所述的方法，其特征在于，在擴散過程后，所述OPD至少為擴散過程前的OPD的兩倍。31.—種穩定的波陣面畸變器，所述波陣面畸變器是通過從下面組中選取的過程制成的A.—種方法，包括a.在兩透明板之間形成一層聚合材料，所述聚合材料包括至少一種聚合物以及一種或多種的單體，其中所述聚合材料具有最初的折射率；b.將可變的光刺激物提供給所述聚合材料，以使所述聚合材料(i)經歷可變的聚合圖案而不完全耗盡所述一種或多種單體，以及(ii)獲得第一中間可變折射率分布；c.通過加熱(b)的部分固化的聚合材料來促進擴散過程，以使未固化的單體從固化程度較低的區域擴散至固化程度較高的區域，從而獲得第二中間可變折射率分布；以及d.將均一的光刺激物提供給(c)的所述部分固化的聚合材料，以基本固化所有剩下的一種或多種單體，從而獲得最終的可變折射率分布；藉此，所述波陣面畸變器對熱和/或陽光條件是穩定的；B.—種方法，包括a.在兩透明板之間形成一層聚合材料，所述聚合材料包括一種或多種的單體，其中所述聚合材料具有最初的折射率；b.將可變刺激物提供給所述聚合材料以使所述聚合材料(i)經歷可變的聚合圖案而不完全耗盡所述一種或多種單體，以及(ii)獲得第一中間可變折射率分布；c.促進(b)的部分固化的聚合材料中的擴散過程，以使未固化的單體從固化程度較低的區域擴散至固化程度較高的區域，從而獲得第二中間可變折射率分布；以及d.將刺激物提供給(c)的所述部分固化的聚合材料以基本固化剩下的一種或多種單體的全部，從而獲得最終可變的折射率分布；藉此，所述波陣面畸變器具有大于約3微米的OPD;以及C.一種方法，包括e.在兩透明板之間形成一層聚合材料，所述聚合材料包括至少一種聚合物以及一種或多種的單體，其中所述聚合材料具有最初的折射率；f.將可變的光剌激物提供給所述聚合材料，以使所述聚合材料(i)經歷可變的聚合圖案而不完全耗盡所述一種或多種單體，以及(ii)獲得第一中間可變折射率分布；g.通過加熱(b)的部分固化的聚合材料來促進擴散過程，以使未固化的單體從固化程度較低的區域擴散至固化程度較高的區域，從而獲得第二中間可變.折射率分布；以及h.將均一的光刺激物提供給(c)的所述部分固化的聚合材料，以基本固化所有剩下的一種或多種單體，從而獲得最終的可變折射率分布；藉此，所述波陣面畸變器具有穩定的OPD。全文摘要本發明提供一種制造具有要求的折射率分布的波陣面畸變器的方法，這種畸變器對熱和/或陽光曝露而言是穩定的。本發明還提供根據本文所述方法制成的波陣面畸變器。文檔編號G02B1/04GK101416095SQ200780009729公開日2009年4月22日申請日期2007年3月20日優先權日2006年3月20日發明者A·W·德瑞赫,J·M·杰斯馬拉尼,J·S·喬米恩,L·H·斯弗德魯普,L·沃登申請人:歐弗搜尼克斯股份有限公司