專利名稱：形成電路圖案的光刻方法
技術領域：
本發明涉及一種用于形成電路圖案的光刻方法，且更特別地涉及一種能 夠在曝光工藝中抑制浮渣的形成電路圖案的光刻方法。
背景技術：
隨著例如半導體器件的集成電路器件變得越來越高度集成，已經實施了許多關于改善器件電學特性或確保工藝余量的研究。在例如NAND閃存或 者DRAM存儲器的半導體存儲器件的情況下，存儲容量變得更大且構造器 件的圖案的臨界尺寸(CD)在尺寸上迅速地減小。在光刻工藝中，將為器 件設計的電路圖案版圖轉移到晶片上變得越來越重要。由于半導體器件的圖案尺寸變得更小以及具有新結構的半導體器件的發展，分辨率增強技術頻繁地應用于曝光工藝中。對于其中一種分辨率增強 技術，例如偶極子照明系統的非對稱照明系統，已經被引入曝光工藝中。在 虧1入偶極子照明系統的情況下，在形成具有相對微小的線和空間的電路方面 具有優勢。不期望存在的光致抗蝕劑殘余物的浮渣，可能形成在較大圖案或 那些與線圖案相比具有相對較大的尺寸和空間的襯墊圖案的周圍。圖l至3示出了在曝光工藝中形成的浮渣。參照圖l所示，通過使用在 x-y坐標系統中x方向上的具有開口 11的孔徑結構，可引入偶極子照明系統 10以改善線圖案和空間圖案的分辨率。由于開口 11的位置靠近于邊緣且遠 離孔徑結構的中心，可實現更極限改進的偶極子照明系統。在應用如圖1中 所示的具備0.9NA的高數值孔徑(NA)的透鏡系統的極限偶極子照明系統 的情況下，可在晶片上實現具有更微小線寬的線和空間圖案的圖像。當利用此極限偶極子照明系統實現具有更微小線寬的圖案的時候，在較 大圖案周圍可形成浮渣。如圖2所示，通過設置用于布線的線圖案21和在 線圖案之間的空間兩者作為參考圖案，設計用于半導體器件的電路圖案的原 始版圖20。還需要與線圖案21相比具有相對大的線寬的例如用于互連布線 的襯墊23的大圖案以實現電路。襯墊23之間的空間25與線圖案21之間的另一空間26相比，還設置為相對大的間隔。因此，在通過使用如圖1所示的極限偶極子照明系統將此電路圖案的原始版圖20投映到晶片的光致抗蝕劑上的情況下，可實現如圖3所示的光致 抗蝕劑圖案的版圖30。沿著線圖案31和襯墊33的形狀，在襯墊之間的空間 35中可缺陷性地產生包括不期望的光致抗蝕劑剩余物的浮渣37。產生浮渣 37的區域可理解為曝光能量不足的區域。由于曝光干涉的發生取決于位于產 生浮渣37的區域周圍的圖2中襯墊23和其間的空間25，所以導致浮渣37 生成。因為光致抗蝕劑的浮渣37造成晶片上不期望的圖案形成，所以為了抑 制晶片上的缺陷圖案，需要一種抑制或者避免浮渣37的技術。為了避免浮 渣37,可嘗試多種光學鄰近修正技術或分辨率改進技術。發明內容本發明提供一種通過在電路圖案的原始版圖中形成自對準的輔助圖案 而能夠在曝光工藝中抑制浮渣的光刻方法。在本發明的一個實施例中，用于在半導體襯底上形成電路圖案的光刻方 法包括如下步驟設計包括線圖案和襯墊圖案的原始版圖；從原始版圖提取 襯墊圖案的版圖；獲得第一縮影版圖，其相對于提取的襯墊圖案的版圖縮小 了第一縮影寬度；獲得第二縮影版圖，其相對于襯墊圖案的版圖縮小了大于 第一縮影寬度的第二縮影寬度；通過從第一縮影版圖中除去第二縮影版圖， 獲得為襯墊圖案的版圖自對準的輔助圖案的版圖；通過從原始版圖除去輔助 圖案的版圖而在原始版圖中產生輔助圖案；以及通過曝光工藝在半導體襯底 上投映具有輔助圖案的版圖。襯墊圖案優選地具有比線圖案相對大的線寬和 空間。第一縮影版圖優選地在x方向和y方向等量的縮小第一縮影寬度，或 者在x方向和y方向不同量的縮小第一縮影寬度。第二縮影寬度優選地在x 方向和y方向其中之一大于第一縮影寬度且在另 一方向等于第一縮影寬度， 由此導致散射條形式的輔助圖案。可選地，第二縮影寬度在x方向和y方向 都大于第一縮影寬度，因此導致散射環形式的輔助圖案。獲得輔助圖案的版 圖的步驟優選地包括執行布爾運算的步驟，其中圖案信息被包括在第 一縮影 版圖的數據中但不包括在第二縮影版圖的數據中。在原始版圖中產生輔助圖 案的步驟優選地包括執行布爾運算的步驟，其中圖案信息被包括在原始版圖的數據中而不包括在輔助圖案的版圖的數據中。該光刻方法優選地還包括在 原始版圖中產生輔助圖案時提取小于參考尺寸的錯誤圖案和去除錯誤圖案 的步驟。而且，該光刻方法優選地還包括對其中產生了輔助圖案的版圖執行 光學鄰近修正的步驟。曝光工藝優選地通過非對稱修正照明系統而執行。在本發明另一實施例中，用于在半導體襯底上形成電路圖案的光刻方法包括如下步驟設計包括線圖案和襯墊圖案的原始版圖；從原始版圖提取襯 墊圖案的版圖；獲得第一縮影版圖，其相對于提取的襯墊圖案的版圖縮小了 第一縮影寬度；獲得第二縮影版圖，其相對于第一縮影版圖的版圖縮小了第 二縮影寬度；通過從第一縮影版圖中除去第二縮影版圖，獲得為襯墊圖案的 版圖自對準的輔助圖案的版圖；通過從原始版圖除去輔助圖案的版圖而在原 始版圖中產生輔助圖案；以及通過曝光工藝在半導體襯底上投映具有輔助圖 案的版圖。在本發明又一實施例中，用于在半導體襯底上形成電路圖案的光刻方法 包括如下步驟設計包括線圖案和襯墊圖案的原始版圖；設置用于曝光工藝 的非對稱修正照明系統，通過其可在半導體襯底上投映版圖；從原始版圖提 取襯墊圖案的版圖；獲得第一縮影版圖，其相對于提取的襯墊圖案的版圖縮 小了第一縮影寬度；獲得第二縮影版圖，其對于襯墊圖案的版圖縮小了根據 修正照明系統的非對稱方向在一個方向上大于第一縮影寬度的第二縮影寬 度；通過從第一縮影版圖中除去第二縮影版圖，獲得為襯墊圖案的版圖自對 準的散射條形式的輔助圖案的版圖；通過從原始版圖除去輔助圖案的版圖而 在原始版圖中產生輔助圖案；以及通過曝光工藝在半導體襯底上投映具有輔 助圖案的版圖。該非對稱修正照明系統優選地包括在x方向具有孔徑結構的 偶極子照明系統，在該孔徑結構中開口位于x-y坐標系統中的x方向且第二 縮影寬度設置在x方向，使得輔助圖案以條狀的形式在y方向延伸。在又一實施例中，本發明提供用于在半導體襯底上形成電路圖案的光刻 方法，包括如下步驟設計包括線圖案和襯墊圖案的原始版圖；設置用于曝 光工藝的非對稱修正照明系統，通過其可在半導體襯底上投映版圖；從原始 版圖提取襯墊圖案；獲得第一縮影版圖，其相對于提取的襯墊圖案的版圖縮 小了第一縮影寬度；獲得第二縮影版圖，其相對于第一縮影版圖的版圖根據 修正照明系統的非對稱方向在一個方向上縮小了第二縮影寬度；通過從第一 縮影版圖中除去第二縮影版圖，獲得為襯墊圖案的版圖自對準的散射條形式的輔助圖案的版圖；通過從原始版圖除去輔助圖案的版圖而在原始版圖中產 生輔助圖案；以及通過曝光工藝在半導體襯底上投映具有輔助圖案的版圖。
圖1至3闡述曝光工藝中產生的浮渣。圖4是闡述在半導體襯底上形成電路圖案的曝光工藝中抑制浮渣的光刻 方法的示意流程圖表。圖5至12是闡述在半導體襯底上形成電路圖案的曝光工藝中抑制浮渣 的光刻方法的示意版圖。圖13至17示出依照本發明實施例的光刻方法抑制浮渣的效果。圖18是闡述依照本發明實施例的輔助圖案修正實例的示意版圖。
具體實施方式
本發明實施例提供一種產生和插入輔助圖案(或輔助特征)的方法，其 能通過利用半導體器件的電路圖案的原始版圖在原始版圖中自裝配。為了抑 制在曝光時由光干涉而導致的光致抗蝕劑浮渣而引入輔助圖案。因為輔助圖 案基于原始版圖而對準和生成，所以它們能夠基于原始版圖通過在電腦上的 數據處理技術自動地產生。這時，由于輔助圖案是基于電路圖案版圖本身的 形狀而產生，所以可為包括多種形狀的電路圖案的復雜電路版圖自動生成輔 助圖案。參考圖4和5,在步驟401 (圖4)中對將被投映到半導體襯底或晶片上 并體現出來的電路圖案的圖5中原始版圖500進行設計。該原始版圖500可 以包括用于布線的線圖案501和圖案版圖，該圖案版圖包括耦合到線圖案 501的襯墊圖案505。這時，可以基于用于設計電路的原始版圖500的設計規則而設計線圖案 501和線圖案501之間的空間。而且，襯墊圖案505可以大于線圖案501。 在線圖案501之間的第一空間511可以小于襯墊圖案505之間的第二空間 512。線圖案501可以是用于布線的圖案版圖，且襯墊圖案505可以是例如 用于電互連的連接襯墊。襯墊圖案505可以是電容器的電極或例如大于線圖 案501的另一布線的圖案。可以考慮在光掩模上執行和晶片上投映時使用的曝光工藝來設計原始版圖500。例如，在圖1中提出的曝光工藝中引入偶極子照明系統的情況下， 考慮到非對稱修正照明系統的方向，可設置線圖案501的延伸方向。例如， 圖1所示在開口 11位于x方向的情況下，可對準線圖案501以在y方向上 延伸。參考圖6，在圖4的步驟402中，襯墊圖案605的版圖600從圖5中的 原始版圖500中提取。圖6中，襯墊圖案605與圖5中的襯墊圖案505相對 應，且用實線圍繞的區域代表。圖6中虛線范圍的區域與圖5中的線圖案501 的區域相對應，但不是版圖600的部分。可通過利用電路設計裝置和電腦的 數據處理技術實現這樣的數據提取。參考圖7，在圖4的步驟403中，獲得圖6中提取的襯墊圖案605的第 一縮影版圖700，其相對于圖6中版圖600縮小了第一縮影寬度。這時，例 如第一縮影寬度可以在x方向和y方向設置為常數數值。第一縮影寬度可考 慮到將產生的輔助圖案的散射而設置。第一縮影寬度在x方向和y方向可以 不同的設置，但是其也可設置成相同數值，從幾個納米到幾十個納米，例如 大約3nm到大約90nm。因此，第一縮影版圖700包括遵循圖6中襯墊圖案 605的形狀的縮小形狀的圖案705。參考圖8，在圖4的步驟404中，獲得第二縮影版圖800，其相對于提取 的襯墊圖案的圖6中版圖600縮小第二縮影寬度。這時，第二縮影寬度例如 可以_沒置為具有比第一縮影寬度大的縮影寬度。例如，第二縮影寬度可以相 對于第一縮影寬度而設置為一個數字值(即，第一縮影寬度+a )。這時'"a" 可以根據隨后的輔助圖案的線寬設置。考慮到輔助圖案的散射，"a"可以 設置為從幾個納米到幾十個納米，例如大約3nm到大約90nm。同時，雖然可以設置第二縮影寬度以應用在x方向和y方向，但是視情 況而定，其也可以只設置在x方向且在y方向具有"0"縮影寬度。該第二 縮影寬度可以根據曝光工藝中的照亮方向而設置。如圖l所示，在引入例如偶極子照明系統的非對稱修正照明系統的情況 下，在x方向中，在y方向上延伸的線圖案501在x方向的分辨率被加強。 與此相比，實際上在y方向的圖案的分辨率很弱。因此，x方向上襯墊圖案 505之間的空間807的浮渣形成概率變高且y方向上襯墊圖案505之間的空 間808的浮渣發生概率相對變低。就此考慮，無需產生導致在y方向散射的 光散射輔助圖案。根據^>對稱修正照明系統的方向，輔助圖案的產生可以限制到特定的方 向。也就是說，如圖l所示，在X方向的偶極子照明的情況下，第二縮影寬 度可以選擇性地僅僅設置于X方向。但是，在例如四極子照明或常規照明的 對稱修正照明的情況下，第二縮影寬度可以同時在x方向和y方向設置。同時，在考慮到從襯墊圖案的版圖600提取的情況下，雖然第二縮影寬 度可以設置為相對的數值(即第一縮影寬度+a ),但是第二縮影版圖800可 以直接從如圖7中所示的第一縮影版圖700中提取。例如，第二縮影版圖800 可以通過借由相對于第一縮影版圖700設置第三縮影寬度"a"而減小第一 縮影版圖700來提取。在這種情況下，提取的第二縮影版圖800也作為第一 縮影寬度和相對于襯墊圖案的版圖.600縮小"a"的總寬度的版圖而獲得。參照圖9,通過從圖7中的第一縮影版圖700除去圖8中的第二縮影版 圖800,在圖4的步驟405中^:取輔助圖案版圖900。可以通過使用布爾運 算的數據處理技術，執行這樣的輔助圖案版圖900的提取。例如，通過執行 以第一縮影版圖700而不是第二縮影版圖800為條件的布爾運算，可獲得關 于輔助圖案版圖卯0的數據。因為圖9示出根據選擇相對于第一縮影寬度在y方向相同但是在x方向 增大的第二縮影寬度的結果的輔助圖案版圖900 (即，在y方向a-O且在x 方向aX)),所以輔助圖案905具有在y方向延伸的條狀形式的版圖。當第 二縮影寬度相對于第一縮影寬度同時在x方向和y方向增大時，輔助圖案版 圖以矩形環的形式生成，具有在x方向延伸的附加條(未示出)以連接輔助 圖案。參照圖10，通過從圖5中的原始版圖500除去圖9中的輔助圖案版圖 900,在圖4的步驟406中生成輔助圖案915。輔助圖案915生成為位于原始 版圖500的圖5中襯墊圖案505內的空間。形成選擇襯墊圖案515,(即，生 成輔助圖案915的那些)，使得散射條基本包括在內。同時，可以通過使用布爾運算的數據處理技術，執行從原始版圖500除 去輔助圖案版圖900的工藝。例如，可以通過執行以原始版圖500而不是輔 助圖案版圖900為條件的布爾運算，獲得關于生成了輔助圖案915的版圖550 的數據。在生成輔助圖案915的工藝中，可以生成以小的空間形成所以實質上不 能作為輔助圖案起作用的錯誤圖案917。通過執行錯誤去除工藝來去除這樣的錯誤圖案917,可以得到如圖11所示包括除去了錯誤圖案917的輔助圖案 915的電路版圖555。如圖11中所示，通過識別/選擇一尺寸，低于該尺寸時 圖10所示的特定圖案可被歸類為錯誤圖案917且被去除，可以從版圖(圖 10中的參考數字550)中去除錯誤圖案917。參照圖12，對生成圖11中的輔助圖案915的圖11中的版圖555執行光 學鄰近修正(OPC)，以便在圖4的步驟407中獲得經過光學鄰近修正的版 圖556。考慮到在實際的曝光工藝中產生的光學鄰近修正效應，為了促使更 準確的圖案形狀投映到半導體襯底上而執行光學鄰近修正。之后，通過在透 明石英掩模襯底上投映作為掩模圖案的光學鄰近修正版圖556,形成光掩模 和之后用該光掩模執行曝光工藝，于圖4的步驟408在半導體襯底上投映版 圖556。因此，在半導體襯底上形成抑制浮渣形成的光致抗蝕劑圖案。這時， 光掩模可以形成半色調掩模結構、二元掩模結構或相移掩模結構。圖13至17是闡述依照本發明實施例的光刻方法的浮渣抑制的效果圖表。參照圖13，可以得到用于圖12中提出的光學鄰近修正版圖556的圖13 中的模擬圖像557。考慮到在如圖1中提出的在曝光工藝中采用偶極子照明 的情況得到該用于光學鄰近修正版圖556的模擬圖像。圖13中得到的模擬 圖像557表明通過引入圖11中的輔助圖案915而有效的抑制了浮渣。圖14中的頭頂圖像(overhead image)558可以通過模擬圖12中所示的光 學鄰近修正版圖556而得到。當引入圖11中的輔助圖案915時，穿過本來 預期會出現浮渣的長度A沒有觀察到浮渣。參考圖15，頭頂圖像50，通過 對圖5中所示的原始版圖500沒有引入輔助圖案的情形下執行光學鄰近修正 之后模擬光學鄰近修正版圖而獲得，在穿過等長B的點觀測到浮渣51。圖16的圖表闡述穿過圖14的觀測長度A測量的曝光強度，以及圖17 的圖表闡述穿過圖15的觀測長度B測量的曝光強度。比較圖16和圖17， 其結果與圖14和圖15中觀測到的頭頂圖像558和50的結果相同。在圖17 中，觀測到低曝光強度導致圖15的浮渣51的點170。然而，圖16中，觀測 到緩解曝光強度不足由此防止浮渣形成的點160。測量在曝光強度弱的點160 處的強度，作為實際上光致抗蝕劑曝光程度的強度，例如，強度高于參考曝 光強度線"0.5"。因此，可以理解在圖14中充分地防止了形成在圖15中的 浮渣51。圖18闡述依照本發明實施例的改進的輔助圖案實例。如圖5至8所示，通過對獲得的襯墊圖案的圖6版圖600在x方向和y方向縮小第二縮影寬度 而獲得第三縮影版圖890,從圖7中第一縮影版圖700中除去第三縮影版圖 890的圖案以及從圖5中原始版圖500中除去它，參考圖18,可在連接線圖 案591的襯墊圖案595內生成具有環形(例如，矩形環)的輔助圖案599。 在此情況下，具有環狀形式的輔助圖案599可以通過x方向和y方向的第二 縮影而生成。在生成具有環狀形式的輔助圖案599的情況下，本發明實施例 可以有效地應用于利用例如常規照明系統的對稱照明系統或例如四極子照 明系統的對稱修正照明系統的曝光工藝。依照本發明的以上描述，由于產生了在電路原始版圖中自對準的輔助圖 案，所以更有效地抑制曝光工藝導致的浮渣。由于在原始版圖中輔助圖案自 對準，所以可以抑制電路版圖中生成的不利效應的發生。而且，因為輔助圖 案基于原始版圖而應用，所以它們的自動生成是可能的，以便可以迅速和容 易地在設計工具設備中實現生成輔助圖案的工藝。另外，因為在例如偶極子修正照明系統的非對稱照明系統中可以抑制浮 渣缺陷，所以可以保證曝光工藝效率、穩定性和余量。因為生成輔助圖案之 后的額外設計規則檢驗可以省略，當輔助圖案以散射空間的形式生成時，可 以簡化在生成輔助圖案之后的檢驗版圖的工藝。雖然本發明已經通過特定的實施例描述，但是在不背離所附的權利要求 所定義的本發明的范圍和精神的情況下，可以做多種改變和修正。本申請要求于2007年3月23日提交的韓國專利申請第10-2007-0028623 號的權益，其公開的全文引入作參考。
權利要求
1、一種形成電路圖案的光刻方法，包括如下步驟設計包括線圖案和襯墊圖案的原始版圖；從所述原始版圖提取襯墊圖案版圖；獲得相對于所述襯墊圖案版圖縮小第一縮影寬度的第一縮影版圖；獲得相對于所述襯墊圖案版圖縮小大于所述第一縮影寬度的第二縮影寬度的第二縮影版圖；通過從所述第一縮影版圖中除去所述第二縮影版圖獲得與所述襯墊圖案版圖自對準的輔助圖案版圖；通過從所述原始版圖中除去所述輔助圖案版圖而在所述原始版圖中產生輔助圖案；以及通過曝光工藝在半導體襯底上投映包括所述輔助圖案的版圖。
2、 權利要求1的光刻方法，其中所述襯墊圖案具有比所述線圖案的線 寬和空間相對大的線寬和空間。
3、 權利要求l的光刻方法，其中所述第一縮影版圖在x方向和y方向 以相等數量縮小所述第一縮影寬度。
4、 權利要求l的光刻方法，其中所述第一縮影版圖在x方向和y方向 以不同數量縮小所述第 一縮影寬度。
5、 權利要求l的光刻方法，其中所述第二縮影寬度在x方向和y方向 其中之一的方向上大于所述第一縮影寬度且在另一方向等于所述第一縮影 寬度，從而得到散射條形式的輔助圖案。
6、 權利要求1的光刻方法，其中所述第二縮影寬度在x方向和y方向 都大于所述第一縮影寬度，從而得到散射環形式的輔助圖案。
7、 權利要求1的光刻方法，其中獲得輔助圖案版圖的步驟包括執行圖 案信息被包括在所述第一縮影版圖的數據中而不是在所述第二縮影版圖的 數據中的布爾運算的步驟。
8、 權利要求1的光刻方法，其中在原始版圖中生成輔助圖案的步驟包 括執行圖案信息被包括在所述原始版圖的數據中而不在所述輔助圖案版圖 的數據中的布爾運算的步驟。
9、 權利要求1的光刻方法，還包括當在原始版圖中生成輔助圖案時提取小于選擇的參考尺寸的錯誤圖案和去除所述錯誤圖案的步驟。
10、 權利要求l的光刻方法，還包括在其中生成了所述輔助圖案的所述 原始版圖上執行光學鄰近修正的步驟。
11、 權利要求1的光刻方法，包括用非對稱修正照明系統執行曝光工藝。
12、 權利要求1的光刻方法，包括用偶極子修正照明系統執行曝光工藝。
13、 一種形成電路圖案的光刻方法，包括如下步驟 設計包括線圖案和襯墊圖案的原始版圖； 從所述原始版圖提取襯墊圖案版圖；獲得相對于所述襯墊圖案版圖縮小第一縮影寬度的第一縮影版圖； 獲得相對于所述第一縮影版圖縮小第二縮影寬度的第二縮影版圖； 通過從所述第一縮影版圖中除去所述第二縮影版圖獲得與所述襯墊圖案版圖自對準的輔助圖案版圖；通過從所述原始版圖中除去所述輔助圖案版圖而在所述原始版圖中產生輔助圖案；以及通過曝光工藝在半導體襯底上投映具有所述輔助圖案的版圖。
14、 一種形成電路圖案的光刻方法，包括如下步驟設計包括線圖案和襯墊圖案的原始版圖；為曝光工藝構建在指定方向上非對稱修正的照明系統，通過該曝光工藝 能夠在半導體襯底上投映版圖；從所述原始版圖提取襯墊圖案版圖；獲得相對于所述襯墊圖案版圖縮小第一縮影寬度的第一縮影版圖；獲得相對于所述襯墊圖案版圖縮小了第二縮影寬度的第二縮影版圖，所 述第二縮影寬度根據所述非對稱修正照明系統的所述方向在一個方向上大 于所述第一縮影寬度；通過從所述第一縮影版圖除去所述第二縮影版圖，獲得自對準所述襯墊 圖案版圖的散射條形式的輔助圖案版圖；通過從所述原始版圖中除去所述輔助圖案版圖而在所述原始版圖中產 生輔助圖案；以及通過曝光工藝在半導體襯底上投映具有所述輔助圖案的版圖。
15、 權利要求14的光刻方法，其中所述襯墊圖案具有相對大于所述線 圖案的線寬和空間的線寬和空間。
16、 權利要求14的光刻方法，其中所述非對稱修正系統包括在X方向 具有孔徑結構的偶極子照明系統，在該孔徑結構中開口位于x-y坐標系統中的X方向且所述第二縮影寬度設置在X方向使得所述輔助圖案以條狀的形式在y方向延伸。
17、 權利要求14的光刻方法，其中所述第一縮影寬度在x方向和y方 向相同。
18、 權利要求17的光刻方法，其中所述第一縮影寬度在x方向和y方 向不同。
19、 權利要求14的光刻方法，其中獲得輔助圖案版圖的步驟包括執行 圖案信息被包括在所述第一縮影版圖的數據中而不是所述第二縮影版圖的 數據中的布爾運算的步驟。
20、 權利要求14的光刻方法，其中在原始版圖中生成輔助圖案的步驟 包括執行圖案信息被包括在所述原始版圖的數據中而不是所述輔助圖案版 圖的數據中的布爾運算的步驟。
21、 權利要求14的光刻方法，還包括在其中生成了輔助圖案的版圖上 執行光學鄰近修正的步驟。
22、 一種形成電路圖案的光刻方法，包括如下步驟 設計包括線圖案和襯墊圖案的原始版圖；為曝光工藝構建在指定的方向上非對稱修正的照明系統，通過該曝光工 藝能夠在半導體襯底上^:映版圖；從所述原始版圖中提取襯墊圖案版圖；獲得相對于所述襯墊圖案版圖縮小第一縮影寬度的第一縮影版圖；獲得根據所述非對稱修正照明系統的所述方向在一個方向上相對于所 述第一縮影版圖縮小第二縮影寬度的第二縮影版圖；通過從所述第 一縮影版圖中除去所述第二縮影版圖，獲得自對準所述襯 墊圖案版圖的散射條形式的輔助圖案版圖；通過從所述原始版圖中除去所述輔助圖案版圖而在所述原始版圖中產 生輔助圖案；和通過曝光工藝在半導體襯底上投映具有所述輔助圖案的版圖。
全文摘要
本發明公開了一種形成電路圖案的光刻方法，用于抑制抗蝕浮渣，包括設計具有線圖案和襯墊圖案的原始版圖，從原始版圖提取襯墊圖案版圖，相對于襯墊圖案版圖縮小第一縮影寬度來獲得第一縮影版圖，相對于襯墊圖案版圖縮小大于第一縮影寬度的第二縮影寬度來獲得第二縮影版圖，通過從第一縮影版圖中除去第二縮影版圖，獲得與襯墊圖案版圖自對準的輔助圖案版圖，通過從原始版圖中除去輔助圖案版圖而在原始版圖中產生輔助圖案，并通過曝光工藝在半導體襯底上投映包括輔助圖案的版圖。
文檔編號G03F1/68GK101271280SQ200710199929
公開日2008年9月24日 申請日期2007年9月14日 優先權日2007年3月23日
發明者文載寅 申請人:海力士半導體有限公司