專利名稱:用于制造柔性顯示器的方法和設備的制作方法
用于制造柔性顯示器的方法和設備 技術領域本公開涉及用于制造柔性顯示裝置的方法和設備。
背景技術:
在較廣泛使用類型的平板顯示裝置中,液晶顯示器(LCD)和有機發光 裝置(OLED)是普遍的。LCD通常包括兩個面板和位于這兩個面板之間的液晶材料層。每個面板 包括場發生電極,場發生電極包括像素電極和共電極。LCD通過用電極控制 穿過面板的光的偏振來形成圖像。即,對場發生電極施加電壓以在液晶層上 感生出電場,感生的電場控制液晶層分子的排列,從而控制入射光的偏振, 以顯示圖像。OLED通常包括空穴注入電極(陽極)、電子注入電極(陰極)和形成在 這兩個電極之間的有機發射層。OLED是通過使從陽極注入的空穴和從陰極 注入的電子在有機發射層中復合并消失來發光的自發射顯示裝置。這些顯示裝置通常采用重且易碎的玻璃基底,因此,這些顯示裝置在便 攜性和提供大屏幕顯示器方面存在限制。為了克服玻璃基底的限制,已經開 發了采用重量較輕、耐沖擊并且柔性的塑料基底的顯示裝置。然而,因為對塑料基底施加熱時塑料基底容易彎曲或延伸,所以難以在 塑料基底上形成薄膜圖案例如電極和信號線。為了努力克服這個缺點,引入 了下面這種方法,在該方法中,將塑料基底結合到玻璃支撐構件上,在結合 有玻璃支撐構件的塑料基底上形成薄膜圖案,然后將塑料基底與玻璃支撐構 件分離。在該方法中,利用粘合劑將塑料基底結合到玻璃支撐構件上。然而, 當采用粘合劑將塑料基底結合到玻璃支撐構件上時,粘合劑會容易損壞塑料 基底。因此,需要用于制造能夠使其柔性基底經歷多個制造工藝的同時防止柔 性基底彎曲、延伸或損壞的柔性顯示裝置的方法和設備。
根據這里描述的本發明的示例性實施例,提供了用于制造柔性顯示裝置 的方法和設備,所述方法和設備在制造柔性顯示裝置期間防止柔性顯示裝置 的柔性基底發生彎曲或損壞。在一個示例性實施例中, 一種用于制造柔性顯示裝置的設備包括支撐構 件主體、支架、真空通路和噴嘴。所述支架設置在所述支撐構件主體的表面 上并且包括多個溝槽,用于安放柔性母基底。所述真空通路穿透所述支撐構 件主體以與所述溝槽連通,每個真空通路具有與所述支撐構件主體的外部連 通的一端。所述噴嘴將所述真空通路與外部連通。示例性設備還可以包括塞子,所述塞子可旋轉地附于噴嘴的入口處, 以選擇性地執行打開和關閉操作;導向件,用于支持所述支撐構件主體;連 接件,連接到外部真空源,所述外部真空源可附于所述噴嘴并且與所述噴嘴 可分離。所述連接件可以滑動地設置在所述導向件上,用于滑動地附于所述 噴嘴和與所述噴嘴分離。所述設備還可以包括多個固定銷,用來將所述支撐構件主體固定在所述 導向件上。每個溝槽的橫截面可以具有V形形狀。所述溝槽可以設置為格子 形狀。所述支撐構件主體可以包含鋁。在另一示例性實施例中, 一種用于制造柔性顯示裝置的方法包括對柔性 母基底的一側施加靜電力。由于靜電而帶電的柔性母基底安放在支撐構件上 并且通過真空方式附于所述支撐構件。在所述柔性母基底上形成薄膜圖案。 在所述柔性母基底附于所述支撐構件的同時,穿透所述支撐構件的真空通路 可以連接到外部真空源,可以通過所述真空源在所述真空通路中產生真空。 ^接著,所述真空源可以與所述支撐構件分離。所述柔性母基底可以包含塑料。所述柔性母基底可以包括有機層、形成 在所述有機層的兩側上的下涂層、形成在所述下涂層上的阻擋層和形成在所 述阻擋層上的硬涂層。所述有機層可以為從由下列物質組成的組中選擇的一 種,所述物質包括聚乙烯醚鄰苯二曱酸酯、聚萘二酸乙二醇酯、聚碳酸酯、 多芳基化合物、聚醚酰亞胺、聚醚砜、聚酰亞胺和聚丙烯酸酯。所述下涂層 和所述硬涂層可以包含丙烯酰基樹脂。所述阻擋層可以包含Si02或者A1203。 所述支撐構件可以包含鋁。所述薄膜圖案可以包括非晶硅薄膜晶體管(TFT)。 所述薄膜圖案可以包括有機TFT。
從下面對本發明的一些示例性實施例的詳細描述進行考慮,具體地講, 如果結合附圖考慮,則可以獲得對本發明的新穎方法和設備的上述和許多其 它特征及優點的更好地理解,其中,相同的標號用來表示在本發明的一幅圖 或多幅圖中示出的相同的元件。
圖1是用于制造根據本發明的柔性顯示裝置的設備的示例性實施例的局部透4見圖;圖2是沿著從圖1中截取的截面II-II的線觀察的圖1的示例性設備的剖視圖;圖3至圖6是示出制造根據本發明的柔性顯示裝置所包括的順序工藝的 剖^L圖;圖7是才艮據本發明的LCD的示例性實施例的示出LCD的一個像素區的 局部俯視平面圖;圖8A和圖8B分別是沿著從圖7中截取的截面Vffla-VIDa和Vinb-WIb的線觀 察的圖7的示例性LCD的剖視圖;圖9、圖11、圖13和圖15是示出根據本發明的制造圖7至圖8B中的 LCD的下面板的示例性方法的順序階段的局部俯視平面圖;圖IOA和圖IOB分別是沿著從圖9中截取的截面Xa-Xa和Xb-Xb的線 觀察的圖9的下面^1的剖^L圖;圖12A和圖12B分別是沿著從圖11中截取的截面XEa-Xna和XIIb-Xnb的 線觀察的圖11的下面板的剖視圖;圖14A和圖14B分別是沿著從圖13中截耳又的截面XIVa-XIVa和 XIVb-XIVb的線觀察的圖13的下面板的剖^L圖;圖16A和圖16B分別是沿著從圖15中截取的截面XVIa-XVIa和 XVIb-XVIb的線觀察的圖15中的下面板的剖視圖;圖17A至圖17D是示出用于制造根據本發明的柔性顯示裝置的上面板的 方法的示例性實施例的順序步驟的剖視圖。
具體實施方式
圖1是用于制造根據本發明的柔性顯示裝置的設備的示例性實施例的局 部透視圖,圖2是沿著從圖1中截取的截面II-II的線觀察的圖1的示例性設 備的剖^L圖。參照圖1,示例性設備包括支撐構件主體50;導向件(guide) 60,用 于支持支撐構件主體50;連接件70,將支撐構件主體50連接到外部真空源 80。支撐構件主體50通過在顯示裝置的工藝期間以基本平面的狀態支持柔 性母基底10 (在圖1和圖2中未示出)來防止柔性母基底10在該工藝期間 彎曲。因此,支撐構件主體50的尺寸大于柔性母基底10的尺寸,并且支撐 構件主體50的尺寸大得足以能夠充分地支持柔性母基底10。在一個有利的 示例性實施例中,支撐構件主體50由鋁形成。如圖1和圖2中所示,支架51設置在支撐構件主體50的上表面上。柔 性母基底10 (在圖1和圖2中未示出)直接安放在支架51的上表面上,因 此,支架51具有與柔性母基底10的長度和寬度對應的長度和寬度。多個溝槽52形成在支架51中。溝槽52設置為格子形狀,每個溝槽52 的橫截面為V形。如下面更詳細地描述,柔性母基底10包括由從下列物質組成的組中選擇 的至少一種材料形成的有機層,所述物質為聚乙烯醚鄰苯二曱酸酯(polyethylene ether phthalate )、聚萘二酉吏乙二西享酉旨(polyethylene naphthalate )、 聚碳酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亞胺、聚醚石風、聚酰亞胺或者聚丙烯酸酯。 柔性母基底10還可以包括順序形成在有機層的兩側上的由丙烯酰基樹脂(acryl-based resin)形成的下涂層、由SiCb或A1203形成的阻擋層和由丙烯 酰基樹脂形成的硬涂層。這些層防止柔性母基底IO在顯示器的制造期間被物 理損壞和化學損壞。如圖2中所示,真空通路53形成在支撐構件主體50內部,完全穿透支 撐構件主體50。真空通路53與溝槽52物理連通。如圖1和圖2中所示,每 個真空通路53的一端形成與支撐構件主體50的外部連通的噴嘴(nipple )54。 每個噴嘴54包括塞子55,塞子55可旋轉地設置在噴嘴54中,從而通過旋 轉塞子55選擇性地關閉與噴嘴54有關的真空通路53。導向件60用來固定支撐構件主體50和連接件70的相對豎直的位置。具 體地講,導向件60包括第一平面區域(A)和設置得比第一平面區域(A) 低的第二平面區域(B)。支撐構件主體50設置在導向件60的第一平面區域 (A)上,連接件70設置在導向件60的第二平面區域(B)上。多個固定銷62設置在導向件60的第一平面區域(A)上,以防止在導向件60上支撐構件主體50移動。連接件70包括多個腿狀件71,固定在導向件60的第二平面區域(B)上;本體72,設置在腿狀件71上;多個連接管73,從本體72向支撐構件主體50延伸。本體72可滑動地附于腿狀件71上。連接管73的數量等于噴嘴54的數 量,每個連接管73具有與支撐構件主體50的噴嘴54的形狀對應的形狀。可 以通過在腿狀件71上將本體72向著噴嘴54滑動來將連接管73附于噴嘴54, 并且可以通過在腿狀件71上將本體72遠離噴嘴54滑動來將連接管73與噴 嘴54分離。如上所述,由于導向件60包括分別設置成不同高度的第一平面區域A 和第二平面區域B,所以支撐構件主體50的每個噴嘴54的各自的位置可以 與位于連接件70的一端的相應的連接管73的位置匹配。真空源80 (例如, 壓縮機)連接到連接件70的另 一端。下面參照圖3至圖6來詳細描述示例性設備的操作,其中,圖3至圖6 是示出在根據本發明的柔性顯示裝置的制造過程中包括的順序工藝的剖視 圖。參照圖3,利用靜電發生器90對柔性母基底10 (例如,塑料母基底)的 一側施加靜電力。接著,將被靜電充電的柔性母基底IO放置在支撐構件主體 50的支架51上,此后,支架51設置在該設備的導向件60上。當柔性母基 底10被放置在適當的位置時,接收靜電力的那側與支撐構件主體50的支架 51接觸。如圖5中所示,接著,與真空源80連接的連接件70的本體72沿著圖4 中的箭頭方向向著支撐構件主體50滑動,使得對應的連接管73和噴嘴54彼 此接合并連接,向上旋轉噴嘴54的入口處的塞子55,從而打開塞子55。結 果,支撐構件主體50的真空通路53通過連接件70與真空源80處于流體連 通狀態。接著,啟動真空源80,從而在真空通路53和與真空通路53連接的溝槽 52中產生真空,從而將柔性母基底10穩固地向下吸到支撐構件主體50的支 架51上。
接著,如圖5中所示,連接件70的本體72脫離支撐構件主體50,使得 對應的連接管73和噴嘴54彼此分開,向下旋轉噴嘴54的入口處的塞子55, 從而關閉塞子55。此后,真空通路53和溝槽52中余留的真空足以維持將支 撐構件主體50保持在柔性母基底10上。最后,如圖6中所示,將支撐構件主體50與導向件60分開,在柔性母 基底IO上形成薄膜圖案15。在這個過程中,由于柔性母基底IO通過支撐構 件主體50中余留的真空穩固地固定到支撐構件主體50,所以柔性母基底10 不會彎曲或延伸。另外,由于在支撐構件主體50和柔性母基底IO之間不使 用粘合劑,所以不會發生由于使用粘合劑而引起的基底10的劣化。應該注意到,在支撐構件主體50的真空通路53和溝槽52中產生真空之 后,真空源80與支撐構件主體50連接不是必需的,所以可以對獨立于真空 源80的柔性顯示裝置執行后續工藝例如,上述在柔性母基底10上形成薄膜 圖案15的工藝。另外,由于如上所述在對柔性母基底IO施加靜電力之后將 柔性母基底10真空附于支撐構件主體50,所以柔性母基底10和支撐構件主 體50之間的粘附力進一步增加。在形成薄膜圖案15之后,將柔性母基底10與支撐構件主體50分開,通 過將分開的柔性母基底10與另一個其上形成有薄膜圖案的柔性基底(未示 出)組裝在一起來制造柔性顯示裝置。在后面的描述中,通過示例的方式描述采用柔性母基底的LCD顯示器。 然而,應該理解,這里描述的柔性母基底IO也可以用作LED、 OLED或者其 它類型顯示器中的基底。圖7是才艮據本發明的LCD的示例性實施例的示出LCD的一個像素區的 局部俯視平面圖,圖8A和圖8B分別是沿著從圖7中截取的截面VDIa-Wla和 WIb-Vinb的線觀察的圖7的示例性LCD的剖視圖。參照圖7至圖8B,示例性LCD包括下面板100、面對下面板100的上 面板200和位于兩個面》反之間的液晶層3。下面板100包括形成在柔性基底110上的多條柵極線121和多條存儲電 極線131。柵極線121傳輸柵極信號,并且在圖7中,柵極線121基本上在水平方 向上延伸。每條柵極線121包括向下突出的多個柵電極124和用于連接到其 它層或者外部驅動電路的寬端部129。用于產生柵極信號的柵極驅動電路(未
示出)可以安裝在附于基底110的柔性印刷電路膜(未示出)上、可以直接安裝在基底110上或者可以與基底110集成。在柵極驅動電路與基底110集 成的情況下,柵極線121可以延伸為與柵極驅動電路直接連接。存儲電極線131接收選擇電壓。每條存儲電極線131包括基本與柵極線 121平行延伸的支線和從支線分出的多對存儲電極133a和133b。每條存儲電 極線131設置在兩條相鄰的柵極線121之間,支線更靠近兩條柵極線121中 的下面的那條柵極線。每個存儲電極133a和133b包括自由端和連接到支線 的固定端。存儲電極133b的固定端比存儲電極133b的中間部分寬,自由端 被分為直線部分和彎曲部分。除了描述和示出的示例性實施例的形狀和布置 之外,存儲電極線131可以具有各種其它形狀和布置。柵極線121和存儲電極線131可以由鋁系金屬(例如,鋁(Al)或鋁合 金)、銀系金屬(例如,銀(Ag)或銀合金)、銅系金屬(例如,銅(Cu)或 銅合金)、鉬系金屬(例如,鉬(Mo)或鉬合金)、鉻(Cr)、鉭(Ta)和鈦 (Ti)制成。柵極線121和存儲電極線131也可以具有包括物理性質彼此不 同的兩個導電層(未示出)的多層結構。例如,導電層中的一個可以包含低 電阻率的金屬,例如,鋁系金屬、銀系金屬或者銅系金屬,以降低信號延遲 或者電壓降。另一導電層可以由不同材料制成,具體地講,可以由與氧化銦 錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)結合時具有優良的物理、化學和電接觸特性的 材料制成。例如,另一導電層可以由鉬系金屬、鉻、鈦或者鉭制成。這種多 層結構的良好的示例包括鉻下層和鋁(合金)上層、鋁(合金)下層和鉬(合 金)上層。然而,柵極線121和存儲電極線131還可以由除了上述這些材料 之外的各種其它金屬和導電材料制成。柵極線121和存儲電極線131的側表面相對于基底110的表面傾斜,期 望的是,柵極線121和存儲電極線131的側表面以從大約30。至大約80°的角 度傾斜。在柵極線121和存儲電極線131上形成由氮化硅SiNx或者氧化硅SiOx 制成的柵極絕緣層140。在柵極絕緣層140上形成由氫化非晶硅a-Si、多晶硅或者有機半導體制 成的多個半導體帶151。半導體帶151基本上在圖7中的豎直方向上延伸, 每個半導體帶151包括向4冊電極124突出的多個突出部分154。在柵極線121 和存儲電極線131周圍,半導體帶151的相應的寬度加寬,從而大范圍地覆蓋柵極線121和存儲電極線131。在半導體帶151上形成多個歐姆接觸帶和歐姆接觸島(歐姆接觸件)161 和165。歐姆接觸件161和165可以由如下材料例如,具有n-型雜質(高濃 度摻雜的磷)的n+氫化非晶硅和硅化物制成。歐姆接觸帶161包括多個突出 部分163。與歐姆接觸島165成對對應的每個突出部分163設置在對應一個 半導體帶151的突出部分154上。如圖8A中所示,半導體帶151和154、歐姆接觸件161、 163和165的 側表面也相對于基底110以從大約30°到大約80。的角度傾斜。在歐姆接觸件161、 163和165以及柵極絕緣層140上形成多條數據線 171和多個漏電極175。數據線171傳輸數據信號并且在圖7中基本上在豎直方向上延伸,從而 與柵極線121基本上正交交叉。每條數據線171與存儲電極線131交叉,并 且在相鄰的成組的存儲電極133a和133b之間延伸。每條數據線171包括向 著柵電極124延伸的多個源電極173和用于連接到另一層或者外部驅動電路 的加寬端部179。用于產生數據信號的數據驅動電路(未示出)可以安裝在 柔性印刷電路膜(未示出)上并且附于基底110上、可以直接安裝在基底110 上或者可以與基底110集成。在數據驅動電路與基底110集成的情況下,數 據線171可以延伸為直接與數據驅動電路連接。漏電極175與數據線171分開,以柵電極124為中心面向源電極173。 每個漏電極175包括寬端部和相對的棒形端部。寬端部與存儲電極線131的 支線疊置,棒形端部具有三側被彎曲為J形的相鄰源電極173圍繞的部分。一個柵電極124、 一個源電極173和一個漏電極175與半導體帶151的 一個突出部分154—起形成薄膜晶體管(TFT),薄膜晶體管的溝道形成在源 電極173和漏電極175之間的突出部分154中。如果半導體帶151是有機半 導體,則該薄膜晶體管被稱作有機薄膜晶體管。期望的是,數據線171和漏電極175由難熔金屬例如鉬、鉻、鉭和鈦或 者它們相應的合金制成,或者如上所述數據線171和漏電極175具有包括難 熔金屬層和低電阻率導電層的多層結構(未示出)。這種多層結構的示例包括 雙層結構和三層結構,其中,雙層結構包括鉻或鉬(或合金)的下層和鋁(或 合金)的上層,三層結構包括鉬(或合金)的下層、鋁(或合金)的中間層 和鉬(或合金)的上層。然而,數據線171和漏電極175可以由除了上述材 料之外的各種其它金屬或者導體制成。數據線171和漏電極175的側面也相對于基底110的上表面傾斜,優選 地,以從大約30°至大約80。的角度傾斜。歐姆接觸件161、 163和165僅設置在半導體帶151和154上面以及數據 線171和漏電極175下面,用來減小這些元件之間的對應的接觸電阻。半導 體帶151的寬度通常小于數據線171的寬度。如上所述,半導體帶151的寬 度在柵極線121附近增加,從而使表面輪廓平滑并且防止數據線171短路。 半導體帶151和154包括由于未被數據線171和漏電極175覆蓋而暴露的部 分例如,位于源電才及173和漏電才及175之間的部分。如圖8A中所示,在數據線171、漏電極175及半導體帶151和154的暴 露部分上形成鈍化層180。鈍化層180可以由無機絕緣體或者有機絕緣體制 成,并且可以具有平坦的上表面。無機絕緣體可以包含例如氮化硅或者氧化 硅。有機絕緣體可以具有感光性,期望的是,有機絕緣體的介電常數為大約 4.0。然而,在可選實施例中,4屯化層180可以具有由下無才幾層和上有機層形 成的雙層結構,使得鈍化層不會對半導體帶151和154的暴露部分產生不利 影響并且仍顯示出優良的絕緣特性。如圖7和圖8A中所示,在鈍化層180中形成多個接觸孔182和185,以 暴露數據線171的端部179和漏電極175。在鈍化層180和柵極絕緣層140 中形成多個接觸孔形成多個接觸孔181,用來暴露柵極線121的端部129; 形成多個接觸孔183a,用來暴露存儲電極133b的固定端的選4^部分;形成多 個接觸孔183b,用來暴露存儲電極133b的自由端的直部分。如圖7中所示,在鈍化層180上形成多個像素電極191、多個橋部83、 多個接觸輔助件81和82。像素電極191通過對應的接觸孔185物理連接并 且電連接到對應的漏電才及175 ,每個像素電極191 乂人對應的漏電極175接收 相應的數據電壓。在像素電極191接收數據電壓之后,像素電極191與上面 板200的接收共電壓的共電極一起感生出電場,從而控制位于兩個電極之間 的液晶層(未示出)中的分子的方向。穿過液晶層的光的偏振根據液晶分子 的方向發生變化。另外,疊置的像素電極191和共電極形成電容器,即,液 晶電容器,操作該液晶電容器,從而在薄膜晶體管截止之后維持施加到像素 電極的電壓。如圖7中所示,像素電極191與存儲電極133a、 133b和存儲電極線131
疊置。像素電極191和與像素電極191電連接的漏電極175與存儲電極線131 疊置,從而形成另一個電容器,該電容器被稱作存儲電容器。存儲電容器提 高液晶電容器的維持像素電極電壓的性能。接觸輔助件81和82通過接觸孔181和182連接到柵極線121的端部129 和數據線171的端部179。接觸輔助件81和82增加柵極線121的端部129 和數據線171的端部179與外部裝置之間的粘附性,并且還用來保護端部129 和179。橋部83與4冊才及線121交叉,并且通過位于柵才及線121的相對側的接觸孔 183a和183b連接到存儲電極線131的暴露部分和存儲電極133b的自由端的 暴露的端部,其中,柵極線121位于接觸孔183a和183b之間。包括存儲電 極133a和133b的存儲電極線131可以用橋部83來》務復4冊極線121、數據線 171或者薄膜晶體管的缺陷。如圖8A中所示,示例性顯示器的上面板200包括形成在柔性基底210 上的光阻擋構件220。光阻擋構件220有時被稱作黑矩陣并且限定面向像素 電極191的多個開口 。光阻擋構件220阻擋相鄰像素電極191之間的光泄漏。在基底210上設置多個濾色器230,每個濾色器230設置在光阻擋構件 220的對應開口中。濾色器230沿著像素電極191在豎直方向上延伸,從而 形成帶狀。每個濾色器230可以表現一種原色例如,紅色、綠色或藍色。在濾色器230和光阻擋構件220上形成保護體250。保護體250可以由 絕緣材料制成,用來保護濾色器230,防止濾色器230被暴露,并且在基底 上提供平坦的表面。在保護體250上形成共電4及270。優選地,共電才及270由透明導體例如 ITO或者IZO制成。在顯示面板100和200的內側上形成取向層(未示出),以使液晶層3 的分子取向,在顯示面板100和200的外側上形成至少一個偏振器(未示出)。下面是參照圖9至圖16B和圖7至圖8B對根據本發明的用于制造圖7 至圖8B中的下面板100的方法的示例性實施例的描述。圖9、圖11、圖13和圖15是示出制造圖7至圖8B中的LCD的下面板 的示例性方法的順序階段的局部俯視平面圖;圖IOA和圖IOB分別是沿著從 圖9中截取的截面Xa-Xa和Xb-Xb的線觀察的面板的剖視圖;圖12A和圖12B分別是沿著從圖ii中截取的截面xna-xna和xnb-xnb的線觀察的面板的剖
視圖;圖14A和圖14B分別是沿著從圖13中截取的截面X IVa-X IVa和 XIVb-XIVb的線觀察的面板的剖視圖;圖16A和圖16B分別是沿著從圖15 中截取的截面X Via- X Via和X VIb- X VIb的線觀察的面板的剖視圖。參照圖9至圖10B,柔性基底110附于支撐構件主體50上。接著,通過 濺射在基底IIO上順序堆疊金屬層,然后執行光刻,從而形成具有柵電極124 和端部129的多條4冊極線121和具有存儲電極133a和133b的多條存儲電極 線131。參照圖11至圖12B,在基底上順序堆疊柵極絕緣層140、本征非晶硅層 和非本征非晶硅層。接著,通過將上面的兩個層圖案化來在基底上形成多個 線性的雜質半導體164和其上具有突出部分154的多個線性本征半導體151。參照圖13至圖14B,通過'踐射堆疊金屬層,通過光刻形成具有源電極 173和端部179的多條數據線171和多個漏電極175。然后,通過去除雜質半導體164的沒有被數據線171和漏電極175覆蓋 的暴露部分來完整地形成其上具有突出部分163的多個歐姆接觸帶161和多 個歐姆接觸島165,并且同時暴露本征半導體151的突出部分154。在這個工 藝過程中,期望的是,連續執行氧等離子體處理,以使本征半導體151的暴 露部分的表面穩定。參照圖15至圖16B,通過化學氣相沉積在基底上堆疊無機絕緣體,或者 可選地,在基底上涂覆感光有機絕緣體,從而形成鈍化層180。然后,選擇 性地蝕刻鈍化層180和柵極絕緣層140,從而形成接觸孔181、 182、 183a、 183b和185。最后,參照圖7至圖8B,通過濺射在基底上堆疊ITO層或者IZO層, 執行光刻,從而形成多個像素電極191和多個接觸輔助件81和82。另外, 還可以在基底上形成取向層(未示出)。接下來是參照圖17A至圖17D對根據本發明的圖7至圖8B中的LCD 的上面板200的制造方法的示例性實施例的描述。參照圖17A,柔性基底210通過上述的真空方式附于支撐構件主體50 上。然后,在柔性基底210上堆疊具有優良光阻擋特性的材料,用掩模執行 光刻工藝,以將堆疊的材料圖案化,從而形成光阻擋構件220。如圖17B中所示,在柔性基底210上涂覆感光組份,從而形成顯示三種 顏色的多個濾色器230。 接著,如圖17C中所示,在濾色器上形成保護體250;如圖17D中所示, 在保護體250上堆疊共電極270。在形成共電極270之后,將下面板100組裝到上面板200。接著,在下 面板100和上面板200之間注入液晶材料。可選地,可以在組裝下面板100 和上面板200之前注入液晶。最后,從支撐構件主體50去除下面板100和上面板200。接著根據待制 造的顯示裝置的尺寸切割并分開與上面板200組裝在一起的下面板100。在圖3至圖6中的示例性方法中,薄膜圖案15可以包括含有有機半導體 的有機薄膜晶體管。示例性方法不僅可以用于制造LCD,也可以用于制造 OLED。根據這里公開的示例性方法和設備,在一個真空附著工藝中將柔性基底 附于支撐構件,此后,在獨立于用來產生最初的真空附著的真空源的由此制 造柔性顯示裝置的整個工藝中防止柔性基底彎曲。現在,本領域技術人員應該清楚,在不脫離本發明的精神和范圍的情況 下,可以對本發明的方法和設備進行許多修改、替換和改變。據此,本發明 的范圍不應該限于這里示出和描述的具體實施例的范圍,因為這些實施例僅 是本發明的示例,而且相反,本發明的范圍應該完全與權利要求及其功能等 同物的范圍等同。
權利要求
1、 一種用于制造柔性顯示裝置的設備,所述設備包括 支撐構件主體;支架,設置在所述支撐構件主體的表面上,所述支架包括多個溝槽并安 放柔性母基底;真空通路,形成在所述支撐構件主體中,并且與所述溝槽以流體連通, 每個真空通路具有與所述支撐構件主體的外部連通的端部; 噴嘴,設置在每個真空通路的與外部連通的端部中。
2、 根據權利要求1所述的設備,還包括塞子,每個塞子可旋轉地設置在 對應噴嘴的入口處,并且操作所述塞子以響應所述塞子的旋轉來選擇性地打 開和關閉所述噴嘴。
3、 根據權利要求1所述的設備,還包括用于支持所述支撐構件主體的導 向件。
4、 根據權利要求3所述的設備,還包括連接件,所述連接件連接到外部 真空源并且選擇性地可附于所述噴嘴和與所述噴嘴可分離。
5、 根據權利要求4所述的設備,其中,所述連接件可滑動地設置在所述 導向件上,用于滑動地附于所述噴嘴和與所述噴嘴分離。
6、 根據權利要求3所述的設備,還包括多個固定銷,用于固定所述支撐 構件主體,防止所述支撐構件主體在所述導向件上運動。
7、 根據權利要求1所述的設備,其中,每個溝槽具有V形橫截面。
8、 根據權利要求1所述的設備,其中,所述溝槽設置為格子形狀。
9、 根據權利要求1所述的設備,其中,所述支撐構件主體包含鋁。
10、 一種用于制造柔性顯示裝置的方法,所述方法包括以下步驟 對柔性母基底的一側施加靜電力; 將所述柔性母基底安放在支撐構件上; 通過真空方式將所述柔性母基底附于所述支撐構件; 在所述柔性母基底上形成薄膜圖案。
11、 根據權利要求IO所述的方法,其中,將所述柔性母基底附于所述支 撐構件的步驟包括將穿透所述支撐構件的真空通路連接到外部真空源; 利用所述真空源在所述真空通路中產生真空; 將所述真空源與所述支撐構件分開。
12、 根據權利要求IO所述的方法,其中,所述柔性母基底包含塑料。
13、 根據權利要求IO所述的方法,其中,所述柔性母基底包括 有機層;下涂層,形成在所述有機層的兩側上; 阻擋層,形成在所述下涂層上; 硬涂層,形成在所述阻擋層上。
14、 根據權利要求13所述的方法,其中,所述有機層包含從由下列物質 組成的組中選擇的至少一種,所述物質包括聚乙烯醚鄰苯二曱酸酯、聚萘 二酸乙二醇酯、聚碳酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亞胺、聚醚砜、聚酰亞胺 或聚丙烯酸酯。
15、 根據權利要求14所述的方法,其中,所述下涂層和所述硬涂層包含 丙烯酰基樹脂。
16、 根據權利要求14所述的方法,其中,所述阻擋層包含Si02或者A1203。
17、 根據權利要求IO所述的方法,其中,所述支撐構件包含鋁。
18、 根據權利要求IO所述的方法,其中,所述薄膜圖案包括非晶硅薄膜 晶體管。
19、 根據權利要求IO所述的方法,其中,所述薄膜圖案包括有機薄膜晶 體管。
全文摘要
本發明公開了一種用于制造柔性顯示裝置的方法和設備。用于制造柔性顯示裝置的方法和設備包括支撐構件主體、支架、真空通路和具有塞子的噴嘴。支架設置在支撐構件主體的表面,并且包括多個溝槽。柔性母基底安放在支架上。真空通路穿透支撐構件主體,從而與溝槽連通。每個真空通路的一端通過一個噴嘴與支撐構件主體的外部連通,并且可附于外部真空源并且與外部真空源可分離。該方法和設備能夠使待處理的柔性母基底不彎曲或者延伸并且沒有因使用粘合劑引起劣化。
文檔編號G02F1/13GK101144928SQ20071014783
公開日2008年3月19日 申請日期2007年8月30日 優先權日2006年9月12日
發明者洪旺秀 申請人:三星電子株式會社