利用液體形成涂層的方法以及半導體器件的制造方法

專利名稱：：利用液體形成涂層的方法以及半導體器件的制造方法
技術領域：
：本發明涉及一種利用液體形成涂層的方法以及半導體器件的制造方法，特別涉及一種利用例如抗蝕劑、旋涂玻璃(SOG)、聚酰亞胺等的液體，在例如半導體基板、光掩模、液晶示出(LCD)基板等的基板上形成涂層的方法，以及包括將涂布液涂布在基板上的步驟的半導體器件的制造方法。
背景技術：
：例如，在制造由硅、砷化鎵或其它類似物的半導體基板構成的半導體器件的工藝中，為圖案化在基板上形成的例如絕緣膜、半導體膜、金屬膜或其它類似物的膜，需要執行多個步驟操作。通過在例如掩模的膜上形成抗蝕劑圖案，以及隨后蝕刻未被抗蝕劑覆蓋的膜區域的方式來執行膜圖案化。在形成膜的基板上涂布抗蝕劑后，通過烘烤、曝光、顯影等來形成抗蝕劑圖案。通過依賴基板旋轉的離心力和抗蝕劑的濕性特性在基板上分配液體抗蝕劑和在該基板的整個表面上散布液體抗蝕劑，執行抗蝕劑的涂布。日本公開專利申請(KOKAI)Sho-63-313160-A，日本公開專利申請(KOKAI)Hei-10-275761-A和日本公開專利申請(KOKAI)Hei-ll-260717-A公開了當在旋轉的基板上放置并散布抗蝕劑時，旋轉速度應該分兩或三個階段改變。Sho-63-313160-A公開了在正方形的基板上的抗蝕劑涂布期間，正方形的基板的旋轉速度應該分成兩個階段，其中在第一階段中，在時段T,內保持轉數R，以及在第二階段中，在時段T2內保持轉數R2。將RpR2和T！的條件設置為Ri《2000rpm(轉數/分)，R2《1000rpm，R!>R2和R！XT！《10,000rpm秒。在第一階段將旋轉速度R,設置為小于等于2,000ipm的原因是防止在基板上分配的抗蝕劑液體變干。而在第二階段將旋轉速度R2設置為小于等于l，OOOrpm的原因是降低由旋轉導致的正方形的襯底的邊緣部分和中心部分之間的抗蝕劑膜的厚度變化。在這種情況下，T,是在第一階段期間加速和減速基板所需的時間。在第一階段和第二階段期間，停止或繼續旋轉正方形的襯底的條件與上述條件相同。與之對照，Hei-10-275761-A和Hei-ll-260717-A提出了半導體晶片的第一旋轉速度應該設定為3500rpm或4500rpm，其中半導體晶片為分配有抗蝕劑的基板。并且，在Hei-10-275761-A和Hei-ll-260717-A中還分別描述了在采用上述第一旋轉速度的抗蝕劑涂布方法中，半導體晶片的旋轉速度應該分三個階段連續地變化。Hei-10-275761-A提出以下幾點(i)應該在以4500rpm的第一旋轉速度旋轉的半導體晶片上分配抗蝕劑，(ii)隨之在停止抗蝕劑的分配后立即降低基板的旋轉速度至第二旋轉速度，(iii)隨后在預定時間內保持第二旋轉速度，以及(iv)隨后提升旋轉速度至介于第一旋轉速度和第二旋轉速度之間的第三旋轉速度。因此，根據Hei-10-275761-A的說明書內容，在整個半導體晶片的表面上抗蝕劑可以均勻地涂布至基板上，而不會留下波紋圖案或其它相似圖案。Hei-ll-260717-A也提出一種抗蝕劑液體涂布方法，其中在半導體晶片以第一旋轉速度旋轉前，將例如稀釋劑或類似物的液劑分配到半導體晶片地表面上。因此，根據Hd-ll-260717-A的說明書內容，可以減少抗蝕劑液體的分配量以及還可以一致地控制所產生的抗蝕劑涂層的厚度。Hei-ll-260717-A還提出在抗蝕劑滴落到半導體晶片上之前，稀釋劑應該在半導體晶片上分配，隨后半導體晶片應該以2,000rpm的速度轉動一秒鐘，之后在半導體晶片的旋轉速度增大到3500rpm的旋轉期間內，抗蝕劑應該在半導體晶片上分配，之后再降低旋轉速度至2,000rpm或100rpm，在這里，Hei-ll-260717-A的圖11和圖12對比分配的液體量設置為1.5cc的實例和分配的抗蝕劑液體量設置為0.5cc的實例。參見Hei-ll-260717-A的圖11和圖12，相比較抗蝕劑液體分配量設置為0.5cc，以及在抗蝕劑分配后將半導體晶片的旋轉速度降至100rpm的實例，分配的抗蝕劑液體量設置為1.5cc，以及在抗蝕劑分配后將半導體晶片的旋轉速度降至2,000rpm的實例可以獲得更佳的抗蝕劑膜厚度的一致性。根據Hei-ll-260717-A，可以理解的是，為了得到半導體晶片上的抗蝕劑涂布厚度的一致性，大量的抗蝕劑液體，例如1.5cc，應該供應到以3500rpm速度旋轉的半導體晶片上，在抗蝕劑液體分配后半導體晶片的旋轉速度應該降低至相對高的值，即2,000rpm，而不是100rpm。此外，根據Hei-ll-260717-A，供應的抗蝕劑液體量降低至0.5cc，在抗蝕劑液體分配后半導體晶片的旋轉速度降至100rpm的第一種情況，，與旋轉速度降低至2,000rpm的第二種情況相比，第一種情況可以提高抗蝕劑膜的平坦度。然而，上述第一種情況產生的抗蝕劑的平坦度與抗蝕劑的分配量設置為1.5cc的情況相比要差很多。盡管由分配1.5cc的抗蝕劑液體產生的抗蝕劑涂布的厚度變化可以被降低，但是離心力造成從半導體晶片散落掉比留在半導體晶片上更多的抗蝕劑液體。例如，Hei-ll-260717-A的圖11提供了在8英寸晶片上應用1.5cc的抗蝕劑液體，產生具有約7340埃至7360埃之間的相對均勻的厚度的抗蝕劑膜。因此，從基板上散落掉的抗蝕劑液體不能再次被用來涂布抗蝕劑膜。存在提出通過旋轉基板，利用例如抗蝕劑、旋涂玻璃(SOG)、聚酰亞胺或其它類似物的涂布液涂布基板的改進方法的需求，以使得在基板上以均勻的厚度來分布涂布液。
發明內容本發明描述了一種利用能夠在基板上形成具有均勻厚度的涂布液的涂布基板的方法，其可以降低例如抗蝕劑的涂布液的消耗量，以及一種利用此涂布步驟的半導體器件的制造方法。此種改進方法的一個實施例包括如下步驟在基板表面上分配溶劑；在以第一旋轉速度旋轉的基板的表面上分配涂布液；停止涂布液的分配；以及以大于30000rpm/秒的減速度停止該基板的旋轉。根據上述方法，與傳統方法相比可以提高涂布液的平坦度以及降低涂布液的消耗量。特別地，在抗蝕劑涂布的實施例中，通過提高抗蝕劑的平坦度，可以改善抗蝕劑曝光的精度以及相應地提高抗蝕劑圖案化的精度。本發明的其它系統、方法、特點以及優點將通過隨后的附圖和詳細描述使本領域技術人員清楚明了。應該理解所有這些包含于本發明說明書中的附加的系統、方法、特點以及優點均應該包括在本發明的范圍之內，并且受本發明權利要求的保護。包括在本發明說明書中的附圖示出本發明的優選實施例，并與上述的概括說明以及隨后給出的優選實施例的詳細說明一起用作解釋及教導本發明的精神。附圖中的部件不一定按比例繪制，而重點在于說明本發明的精神。在附圖中，在不同視圖中，附圖標號標示相應部件。然而，相似的部件不一定具有相似的附圖標號。并且，所有實例的目的是為了解釋原理，其中相對尺寸、形狀以及其它具體的屬性可以是示意性的，而并非字面的或嚴格的。圖1為示出根據本發明實施例可用于涂布涂布液的改進方法中的涂布單元的實例的側視圖；圖2為示出根據本發明實施例可用于涂布涂布液的改進方法中的涂布單元的實例的平面視圖；圖3為示出根據本發明實施例在利用涂布液形成涂層的方法中旋轉基板的旋轉速度和持續時間的實例的時序圖；圖4為示出根據本發明實施例在第一實例條件下利用改進的涂布液的方法形成的抗蝕劑的膜厚度分布的圖表；圖5為示出利用包括以30,000rpm/秒的減速度來停止基板的步驟的改進涂布液方法形成的i-線抗蝕劑涂層的膜厚度分布的圖表；圖6為示出根據基準實例在利用涂布液形成涂布的方法中旋轉基板的旋轉速度和持續時間的實例的時序圖；圖7為示出利用圖6的時序圖用涂布液形成抗蝕劑的方法涂布的i-線抗蝕劑的第一膜厚度分布的圖表；圖8為示出利用圖6的時序圖用涂布液形成抗蝕劑的方法涂布的i-線抗蝕劑的第二膜厚度分布的圖表；圖9A為示出利用圖3的時序圖用涂布液形成抗蝕劑的方法涂布的i-線抗蝕劑膜的平坦度的表格，以及圖9B為示出利用圖6的時序圖用涂布液形成抗蝕劑的方法涂布的i-線抗蝕劑的平坦度的表格；圖10為示出根據本發明實施例在第二實例條件下利用涂布液形成涂層的方法而形成的KrF抗蝕劑的膜厚度分布的圖表；圖11為示出利用包括以30,000rpm/秒的減速度減速停止基板的步驟的利用涂布液形成涂層的方法而形成的KrF抗蝕劑的膜厚度分布的圖表；圖12A為示出根據圖3中示出的時序圖利用涂布液形成涂層的方法形成的KrF抗蝕劑膜的平坦度的表格，以及圖12B為示出根據圖6中示出的時序圖利用涂布液形成涂層的方法形成的KrF抗蝕劑膜的平坦度的表格；圖13為示出根據本發明實施例在第三實例條件下利用涂布液形成涂層的方法而形成的ArF抗蝕劑的膜厚度分布的圖表；圖14為示出利用包括以30,000rpm/秒的減速度減速停止基板的步驟的利用涂布液形成涂層的方法形成的ArF抗蝕劑的膜厚度分布的圖表；圖15為示出根據圖6的時序圖利用涂布液形成涂層的方法形成的ArF抗蝕劑的第一膜厚度分布的圖表；圖16為示出利用圖6的時序圖的涂布液方法形成的ArF抗蝕劑的第二膜厚度分布的圖表；圖17A為示出根據圖3中示出的時序圖利用涂布液形成涂層的方法形成的ArF抗蝕劑膜的平坦度的表格，以及圖17B為示出根據圖6中示出的時序圖利用涂布液形成涂層的方法形成的ArF抗蝕劑膜的平坦度的表格；圖18為示出根據本發明實施例在第一實例條件下利用涂布液形成涂層的方法而形成的i-線抗蝕劑的基于停止時間的膜厚度分布的示意圖；圖19為示出根據本發明實施例在第二實例條件下利用涂布液形成涂層的方法而形成的KrF抗蝕劑的基于停止時間的膜厚度分布的圖表；圖20為示出根據本發明實施例在第三實例條件下利用涂布液形成涂層的方法而形成的ArF抗蝕劑的基于停止時間的膜厚度分布的圖表；圖21為根據本發明實施例在涂布液方法中的旋轉基板的旋轉速度和持續時間的時序圖的另一實例；以及圖22A至圖22P為示出根據本發明實施例的實例方法制造半導體器件的各步驟的剖面圖。具體實施方式在下文中，將參照附圖對本發明實施例進行詳細說明。在隨后的說明中，為解釋的目的，提出特定術語以提供對這里公開的各種發明概念的全面理解。然而，本領域技術人員可以明了的是為了實施這里公開的各種發明概念，并不一定需要這些具體細節。圖1和圖2為根據本發明實施例的使用在利用涂布液的改進方法中的涂布單元的實例的側視圖和平面視圖。在優選實施例中，提供關于用抗蝕劑作為涂布液的實例改進方法的詳細說明。當然，本發明并不限于抗蝕劑涂布液，且該方法也不限于通過實例涂布單元來實施。如圖1和圖2所示，馬達5裝配在涂布單元1的底板2的中心位置設置的開口部3處且可垂直移動。馬達5的頂部表面覆蓋有圓柱狀馬達夾持外殼(motorholdingcase)6。馬達夾持外殼6具有馬達5的轉動軸4從中間穿過的封閉端，以及位于馬達5的外側表面中心位置處的開口端。在馬達夾持外殼6的外圍上具有輪緣(也稱法蘭，flange)6f。裝配于底板2上的升降裝置7與輪緣6f相連。通過控制部件11來驅動/控制升降裝置7，使得整體地上下移動輪緣6f、馬達夾持外殼6以及馬達5。另外，用來限制輪緣6f橫向移動的升降導引裝置8裝配于底板2上。旋轉卡盤9的轉動軸9a裝配于馬達5的轉動軸4的一端，其中轉動軸4穿過馬達夾持外殼6。另外，通過控制馬達5旋轉的控制部件11來控制旋轉卡盤9的旋轉速度。控制部件ll可以是，例如可以是微處理器、微控制器、中央處理器(CPU)、算術邏輯單元(ALU)、數學協處理器、浮點式協處理器、圖形協處理器、硬件控制器、編程用作控制器的可編程序邏輯器件、或者其它控制邏輯器。控制部件11可以由無機材料、有機材料、或是兩者組合形成。控制部件11可以包括任何本發明所公開描述的或是電路設計領域技術人員所公知的處理單元。基板10，例如半導體基板可以分離地裝載至旋轉卡盤9上以及從旋轉卡盤9上卸載。通過臂驅動部件13驅動基板輸送臂12在涂布單元1中的水平方向上前后運動。通過臂驅動部件13驅動基板輸送臂12的移動位置受控制部件ll的控制。圍繞旋轉卡盤9設置有環形容器15，以及圍繞設置在旋轉卡盤9上的基板10的外圍形成有環形開口部15a。在環形容器15的底部設置廢液部15b。臂支撐柱17的高度通過升降部件16調整，臂支撐柱17在環形容器15的外部區域裝配至底板2。如圖2所示，在旋轉卡盤9的切線方向上延伸的導軌18裝配至臂支撐柱17的頂端。臂移動部件19裝配至導軌18上。在垂直于導軌18的方向上被移動/控制的掃描臂20設置在臂移動部件19上。臂移動部件19在導軌18上的移動位置以及通過臂移動部件19移動的掃描臂20的移動位置均受控制部件11的控制。用來夾持抗蝕劑噴嘴21和溶劑噴嘴22于旋轉卡盤9之上的噴嘴夾具23裝配在掃描臂20的頂端。抗蝕劑供應管24與抗蝕劑噴嘴21的頂端相連，以及溶劑供應管25與溶劑噴嘴22的頂端相連。抗蝕劑供應部件26用來提供抗蝕劑液體至抗蝕劑噴嘴21，并與抗蝕劑供應管24相連。此外，用來提供溶劑至溶劑噴嘴22的溶劑供應部件27與溶劑供應管25相連。抗蝕劑供應部件26的抗蝕劑供應量，即由抗蝕劑噴嘴21滴落、供應或分配的抗蝕劑量，以及溶劑供應部件27的溶劑供應量，即由溶劑噴嘴22滴落、供應或分配的溶劑量分別受控制部件11的控制。在上述的涂布單元1中，當通過控制部件11的控制信號驅動臂驅動部件13時，基板輸送臂12上的基板10被輸送到旋轉卡盤9上。當升降裝置7基于控制部件發出的控制信號使馬達5向上移動時，則提升旋轉卡盤9的頂端至比環形容器15還高的位置。因此，旋轉卡盤9在其上接收并吸附基板10。隨后，利用臂驅動部件13使得基板輸送臂12從旋轉卡盤9后退。之后，升降裝置7通過馬達夾持外殼6帶動馬達5向下移動，直到基板10移動至其被環形容器15的環形開口部15a環繞的位置。通過臂驅動部件13使得基板輸送臂12的后退以及升降裝置7的降落均受控制部件11的控制信號的控制。控制基板旋轉速度，供應溶劑以及供應抗蝕劑的改進方法的實例性實施例將在下面分別描述。第一實施例在第一實施例中，進行控制以在基板10上分配溶劑以及按照如圖3所示的時序圖在基板10上涂布抗蝕劑。此外，基板10采用裸硅基板。隨后，通過控制部件11來旋轉馬達5，從而使得以第一旋轉速度Ru旋轉基板10。同時，通過抗蝕劑供應部件26控制供應至抗蝕劑供應管24的抗蝕劑液體量，在時段T內從抗蝕劑噴嘴21滴落抗蝕劑液體至基板10的中心位置上。首先，通過控制部件11停止馬達5和旋轉卡盤9。在此狀態下，溶劑供應部件27控制供應到溶劑供應管25的溶劑量，由此將溶劑(例如稀釋劑)從溶劑噴嘴22分配至基板10的中心位置。隨后，通過控制部件11來旋轉馬達5使得以第一旋轉速度R旋轉基板10。同時，抗蝕劑供應部件26控制供應至抗蝕劑供應管24的抗蝕劑液體量，由此在時段T內從抗蝕劑噴嘴21將抗蝕劑液體分配至基板10的中心位置上。作為任何一個實施例的可選處理，在啟動供應涂布液至基板10之后且在停止該基板10的旋轉之前，可以改變第一旋轉速度Ru。作為任何一個實施例的可選處理，在供應稀釋劑之后且在基板10以第一旋轉速度Ru旋轉之前，基板10可以以小于第一旋轉速度Ru的旋轉速度旋轉。換句話說，并非從零到第一旋轉速度Rn直接提升速度，一個選擇是將速度從零升至某旋轉速度(未示出)，在此期間分配溶劑，以及隨后提升速度從該旋轉速度至第一旋轉速度Rn,在此期間分配抗蝕劑。任何一個實施例的另一可選處理是在基板10以第一旋轉速度R旋轉之前，分配抗蝕劑至基板10上。隨后在時段T結束時刻，停止從抗蝕劑噴嘴21分配抗蝕劑液體。同時，在第一實施例中，通過控制馬達5的旋轉速度來以大于30000rmp/秒的減速度使基板10減速，停止基板10的旋轉。在此專利說明書全文中，術語"旋轉速度"是指非零的旋轉速度。隨后，例如，從基板10停止操作開始經過0.5秒至3.0秒的時段之后，基板10的旋轉速度在和第一旋轉速度Ru相同旋轉方向上提升至第二旋轉速度Rw然后保持此第二旋轉速度R,2預定時段T。。在第一實施例中，控制馬達5使得第二旋轉速度Ru小于第一旋轉速度Ru。基于抗蝕劑的粘度值，在適當的情況下第二旋轉速度Ru也可以大于第一旋轉速度Ru。如下表1示出當從第一旋轉速度Ru停止基板10的減速度設置為大于30000rpm/秒，例如40000rpm/秒、50000rpm/秒時，以各步驟的旋轉速度、加速率、經過時間、供應溶劑的時機，以及供應抗蝕劑的時機表示的的實例性方法。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>抗蝕劑粘度約40毫帕，秒如表1所示，在步驟1中，基板10不旋轉(0rpm)，分配的液體為稀釋劑，分配的經過時間為1.5秒。在步驟2中，繼續維持不旋轉l秒鐘。在步驟3中，基板10以10000rpm/秒的加速度旋轉，且需要0.1秒使基板從停止位置到以1000rpm的速度旋轉。在步驟4中，基板10以10000rpm/秒的加速度使其速度從1000rpm增大到2500rpm(R)，隨后保持2500rpm的旋轉速度不變，在此期間抗蝕劑分配到基板10上。在步驟5中，基板10以大于30000rpm/秒的減速率(例如40000rpm/秒或50000rpm/秒)減速使得在l秒后基板即停止旋轉。簡便起見，表中的加速度的正號表示正的加速率(accelerationrate)(即，增大基板的旋轉速度)，而負號表示減速率(decelerationrate)(即，減小基板的旋轉速度)。當上表中表示步驟5中的加速度為"一(大于30000)"時，負號表示為減速度，因此"一(大于30000)"表示為大于30000的減速度，例如40000rpm/秒。最后，在步驟6中，基板10以10000rpm/秒的減速度減速達到l卯0rpm(R12)的旋轉速度，以及在20的持續時間內保持1900rpm的旋轉速度不變。在第一實施例中，在表1中的步驟5之后，采用背面清洗(或類似工藝)來去除在基板10的背面的表面上多余的抗蝕劑。在本專利說明書的其它表格中描述的操作中也采用背面清洗。在第一實施例中使用的抗蝕劑為由JSR有限公司生產的i-線抗蝕劑，且其具有大于40毫帕，秒的粘度。這種i-線抗蝕劑分配到具有200mm直徑的基板10上。分配的i-線抗蝕劑量典型地設置為3.0ml以使產生的抗蝕劑膜的厚度處于可允許的范圍內，其中在具有200mm直徑的基板10上的i-線抗蝕劑膜的目標厚度為3600nm。按照表1所示的各步驟控制稀釋劑的分配、i-線抗蝕劑的分配、以及基板10的旋轉速度，隨后測量產生的抗蝕劑膜的厚度分布。基于在通過中心部的直線上的彼此距離4mm的49個分離點(包括中心部)采集的數據，測量抗蝕劑膜厚度。在隨后說明的第二和第三實例中也類似地分析這些測量點。在第一實施例中，作為實例，將在停止向基板10分配抗蝕劑之后使得基板IO停止旋轉的減速度設定為40000rpm/秒。此外，在分配的抗蝕劑量進行如下變化的情況下進行測試:90%(2.7ml)，80%(2.4ml)，70%(2.1ml)，50%(1.5ml)，其中將量3.0ml設定為100%。隨后，對每個抗蝕劑分配量(100%，90%，80%，70%，50%)分別檢測抗蝕劑膜的膜厚分布，檢測結果如圖4所示。如圖4所示，當抗蝕劑的分配量設置在90%至70%的范圍內時，基板lO的中心部及其周圍的抗蝕劑膜比目標厚度厚約lOnm或更小。因此，該方法可以形成接近目標厚度的i-線抗蝕劑膜厚度，其中最佳厚度為當i-線抗蝕劑分配量設置為70%時的厚度。以30000rpm/秒的減速度停止基板的旋轉，產生的i-線抗蝕劑膜的膜厚分布如圖5所示。在中心部及其鄰近區域內，如圖4和圖5所示，不同的減速度(40000rpm/秒和30000rpm/秒)導致抗蝕劑膜之間的厚度差，其中時序圖采用在第一旋轉速度和第二旋轉速度之間停止基板10的步驟。圖4中測量的抗蝕劑膜厚比圖5中測量的抗蝕劑膜厚更接近目標厚度。因此優選地，使將使得基板10停止旋轉的減速率設置為大于30000rpm/秒。為對比本實施例的改進方法，圖6的時序圖用來建立基準條件。在圖6中，首先基板10處于停止狀態。在此狀態中，供應至溶劑供應管25的溶劑量受溶劑供應部件27的控制，因此溶劑(例如稀釋劑)從溶劑噴嘴22分配至基板10的中心部。隨后在時段T21的起始時刻，通過控制部件11來旋轉馬達5使得基板10以第一旋轉速度Ru旋轉。同時，抗蝕劑供應部件26控制供應至抗蝕劑供應管24的抗蝕劑液體量以及從抗蝕劑噴嘴21分配至基板10的中心部的抗蝕劑液體量。隨后在時段丁21的結束時刻，停止從抗蝕劑噴嘴21分配抗蝕劑液體。同時，控制部件11控制馬達5的旋轉速度以預定減速率來減速基板10的旋轉至100rpm的第二旋轉速度R22，并將此第二旋轉速度1122保持預定時段。隨后在時段T22的結束時刻，例如，基板10的旋轉速度以10000rpm/秒的預定加速度增大到第三旋轉速度R23，并將此第三旋轉速度R23保持預定時段丁23。這里，圖6中的第三旋轉速度R23對應于圖3中的第二旋轉速度Ri2。表2提供了基準條件，其以旋轉速度、加速率、經過時間、供應溶劑的時機、以及供應抗蝕劑的時機表示利用表格2中的各步驟的實例性方法。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>43.02500(R21)10000抗蝕劑51.0100(R22)—(25000至40000)6201，CR23)10000抗蝕劑粘度約40毫帕-秒對如表2所示的基準條件的時序圖中的的加速率進行了實驗性變化。具體地，當基板10的旋轉速度由第一旋轉速度R21減速至第二旋轉速度R22，即100rpm/秒時，步驟5中的加速率在三個測試實例中被分別設置為25000rpm/秒、30000rpm/秒和40000rpm/秒。因此，表2中的加速度表項中的"25000至40000"包括測試加速率25000、30000以及40000。同樣，通過改變抗蝕劑的分配量進行了實驗;更具體地，抗蝕劑的分配量分別設置為90%(2.7ml)，80%(2.4ml)，70%(2.1ml)以及50%(1.5ml)時進行了分析，其中3.0ml被設置為100%。隨后，對這些實驗實例中產生的抗蝕劑的膜厚分布進行檢測，檢測結果于圖7和圖8中示出。如圖7和圖8所示，在基板10的中心部及其周圍區域，在表2的基準條件下形成的抗蝕劑膜厚度與通過如圖4所示的改進方法的實施例形成的抗蝕劑膜厚度相比，要遠離目標膜厚度很多。因此，在第一旋轉速度之后通過停止基板10的旋轉的步驟形成的抗蝕劑膜厚度(例如參見圖4)比當基板10的旋轉未被停止時形成的抗蝕劑膜厚度(例如參見圖7)要更接近目標厚度。當分別改變抗蝕劑的分配量以及在結束分配抗蝕劑后改變基板的加速度時，參照根據表1和表2所示的上述各步驟來進一步檢測膜厚度分布。隨后，當從膜厚度分布中導出標準偏差cr以及范圍即膜厚度的最大值和最小值之間的范圍(換句話說，膜厚范圍)時，獲得如圖9A和圖9B所示的結果。在圖9A中，標準偏差cr以及膜厚范圍與根據圖3和表1為停止基板10的旋轉而采用的減速度^和抗蝕劑的分配量相關。在這種情況下，為停止基板的旋轉而采用的減速度a,被分別設置為25000rpm/秒、30000rpm/秒、40000rpm/秒、以及50000rpm/秒。與之相對照，在圖9B中，標準偏差cr以及膜厚范圍與將基板的旋轉減速至第二旋轉速度R22而采用的減速度^和抗蝕劑的分配量相關。同時，在停止抗蝕劑的分配之后，基板10的旋轉速度被分別以25000rpm/秒、30000rpm/秒、40000rpm/秒、以及50000rpm/秒的減速度c^由第一旋轉速度R21減速至第二旋轉速度R22，即100rpm。接下來，比較圖9A和圖9B。當用于使得基板10的旋轉停止或減速的減速度a,，"2分別為25000卬m/秒、30000rpm/秒、40000rpm/秒、以及50000rpm/秒時，表1中的在分配抗蝕劑之后停止基板10的旋轉的步驟，與表2中在分配抗蝕劑之后減速基板10的旋轉而非停止其旋轉的步驟相比，獲得了更小的標準偏差o"以及更小的膜厚范圍。在圖9B中，當基板10的旋轉速度以減速率30000rpm/秒減速至100rpm時，標準偏差"和膜厚范圍變小，獲得了對比值的正結果。然而，在圖9B中的實例中，當基板10的旋轉速度以減速率30000rpm/秒減速至100rpm時(參見圖9B中的2.7/15.1和3.1/10.7各值)，在圖9B中它們的A行中標準偏差^T和膜厚范圍并未同時達到它們各自的最小值。與此相對照，當利用40000rpm/秒或50000rpm/秒的減速率來停止基板10的旋轉時，標準偏差"和膜厚范圍則同時達到它們各自的最小值。此外，利用基準條件以30000rpm/秒的減速率來減速基板的旋轉至100rpm與利用具有改進方法的本實施例相比，獲得目標抗蝕劑膜厚的能力較差。當通過對基板10應用大于30000rpm/秒的減速度^來停止基板10的旋轉時，下文將解釋此種方法導致更小的抗蝕劑量(例如，70%)、抗蝕劑膜的平坦度的改進、以及獲得目標膜厚度或接近目標膜厚度的抗蝕劑膜的能力的原因。由于通過稀釋劑提高抗蝕劑的光滑性的作用以及抗蝕劑液體自身的流動性和慣性，從抗蝕劑噴嘴21中分配到基板10中心位置的抗蝕劑液體在基板10旋轉的圓周方向上散布。由于基板10旋轉的離心力，抗蝕劑從中心位置向外移動并會散落到外面。同時，由抗蝕劑粘性造成了基板10和抗蝕劑之間的摩擦，使得隨著從向基板10上分配抗蝕劑的時間的增加，抗蝕劑液體在圓周方向上的散布也變緩。相比而言，當停止從抗蝕劑噴嘴21的抗蝕劑分配之后立即停止基板10的旋轉時，由于第一旋轉運動施加的慣性造成基板10上的抗蝕劑在圓周方向上移動。但是，僅通過在第一旋轉運動之后將旋轉速度降低至約100rpm不足以充分散布抗蝕劑液體。通過以大于30000rpm/秒的減速率來停止基板，可以對抗蝕劑在圓周方向上施加非常大的慣性能量。通過大的慣性能量增加在基板10表面上流動的抗蝕劑量。因此，降低了抗蝕劑表面的不均勻，提高了抗蝕劑膜表面的平坦度。因此，可以認為散落到基板10外面的抗蝕劑量進一步增加，使得基板10上的抗蝕劑膜厚度可以調整為接近目標厚度的值。因此，可以認為突然停止基板10的旋轉提高了基板10上抗蝕劑膜的平坦度以及還可以優化抗蝕劑的膜厚，使得抗蝕劑膜厚通過后續的第二旋轉速度Ru被最終調整。如前所述，為了降低i-線抗蝕劑的分配量、改進i-線抗蝕劑膜的平坦度、以及增加i-線抗蝕劑膜厚度的精確度，可以理解理想的涂布條件是以大于30000rpm/秒的減速度^來快速地停止基板10的旋轉。在本例中，如圖4，圖5，圖7，圖8和圖9所示，優選地，在不改變從抗蝕劑噴嘴21的分配時間的前提下，通過改變每小時抗蝕劑的分配量來調整抗蝕劑液體的分配量。在下面的實施例中，也采用了與這種抗蝕劑分配量的調整方法類似的方法。第二實施例在第二實施例中使用的抗蝕劑是由東京OhkaKogyo有限公司生產的KrF抗蝕劑，其具有約15毫帕，秒的粘度。這種KrF抗蝕劑分配到直徑為200mm的基板10上面。當在直徑為200mm的基板10上的KrF抗蝕劑的目標厚度被設置為730nm時，KrF抗蝕劑的分配量典型地被設置為1.0ml以使抗蝕劑膜厚處于允許范圍之內。通過按照圖3所示的時序圖控制稀釋劑的分配、KrF抗蝕劑的分配、以及基板10的旋轉速度，將KrF抗蝕劑涂布到基板10上。隨后檢測抗蝕劑膜厚度分布。此外，基板10采用裸硅基板。表3示出當根據圖3示出的時序圖通過大于30000rpm/秒的減速度來停止基板10的旋轉時，基于表3中的旋轉速度、加速度、經過時間、供應溶劑的時機、供應抗蝕劑的時機形成抗蝕劑涂層的方法步驟的實例。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>抗蝕劑粘度約15毫帕，秒按照表3中的各步驟控制稀釋劑的分配、KrF抗蝕劑的分配、以及基板IO的旋轉速度，隨后對抗蝕劑膜厚的分布進行檢測。這里，在停止向基板10分配抗蝕劑之后停止基板10的旋轉的減速度被設定為例如40000rpm/秒。此外，抗蝕劑的分配量分別改變為如下不同值卯％(0.9ml)，80%(0.8ml)，70%(0.7ml)，50%(0.5ml)，其中將1.0ml設定為100%。隨后，對每個實例分別檢測抗蝕劑膜厚分布，檢測結果如圖10所示。如圖10所示，當抗蝕劑的分配量被設置在90%至70%的范圍內時，發現基板10的中心部及其附近區域的抗蝕劑膜厚分布的最大值為約732nm，比基板10的中心部的目標厚度厚約2nm。當在第一旋轉速度結束時以30000rpm/秒的減速度停止基板的旋轉時，獲得了如圖ll所示的KrF抗蝕劑的膜厚分布。膜厚比基板10的中心部的目標厚度要厚3.5nm。如圖IO所示的膜厚度比如圖11所示的膜厚度更接近目標厚度。當對比圖10和圖11時，如圖IO所示的膜厚度分布更接近目標厚度。增加減速度至大于30000rpm/秒來停止基板10的旋轉可以實現更接近于目標膜厚。圖6示出為對比改進方法的實施例而作為基準條件的實例的時序圖。表4示出其各步驟基于表4提供的旋轉速度、加速率、經過時間，供應溶劑的時機、供應KrF抗蝕劑的時機等基準條件的實例。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>抗蝕劑粘度約15毫帕-秒按照表3和表4所示的各步驟來進一步檢測膜厚度分布的平坦度，其中分別基于抗蝕劑的分配量的變化、以及結束抗蝕劑的分配之后基板加速度的變化來區分檢測結果。隨后，檢測作為平坦度的量度的標準偏差cr以及范圍，例如膜厚度的最大值和最小值之間的范圍，獲得的結果如圖12A和圖12B所示。圖12A示出按照表3所示各步驟形成的抗蝕劑膜的平坦度。標準偏差^r以及膜厚的范圍與為了停止基板10的旋轉而施加的減速度^和抗蝕劑的分配量相關。在這個實例中，為了停止基板的旋轉而施加的減速度^被分別設置為25000rpm/秒，30000rpm/秒，40000rpm/秒，以及50000rpm/秒。當設定分配量l.Oml為100%時，抗蝕劑的分配量分別改變為90%，80%，70%，50%。與此對照，圖12B示出按照表4所示各步驟形成的抗蝕劑膜的平坦度。標準偏差以及膜厚的范圍與為了將基板10減速至第二旋轉速度R22而施加的減速度《2、抗蝕劑的分配量相關。這里，基板10的旋轉速度從作為第一旋轉速度R21的4200rpm減速至作為第二旋轉速度R22的100rpm。減速至100rmp的第二旋轉速度1122而施加的減速度^被設定為50000rpm/秒。抗蝕劑的分配量設定為1.0ml(100%)。接下來，對比圖12A和圖12B。當用于停止基板10的旋轉的基板10的減速度^分別設定為50000rpm/秒和40000rpm/秒時，即使降低抗蝕劑的分配量至90%，如圖12A所示的在開始分配抗蝕劑之后停止基板10的旋轉的各步驟，與圖12B所示的基準條件的各步驟相比，可以獲得更小的標準偏差a以及更小的膜厚范圍。基于上述分析，為了降低KrF抗蝕劑的分配量，提高KrF抗蝕劑膜的平坦度，以及增加KrF抗蝕劑厚度的精確度，優選地，與第一實施例給出的理由相同，通過利用大于30000rpm/秒的減速度",來停止基板10的旋轉。第三實施例使用的抗蝕劑是由東京OhkaKogyo有限公司生產的ArF抗蝕劑，其具有約2毫帕，秒的粘度。這種ArF抗蝕劑被分配到直徑為200mm的基板10上面。當在直徑為200mm的基板10上的KrF抗蝕劑的目標厚度被設置為250nm時，KrF抗蝕劑的分配量典型地被設置為1.0ml以使抗蝕劑膜厚處于允許范圍之內。通過按照圖3所示的時序圖控制稀釋劑的分配、ArF抗蝕劑的分配、以及基板10的旋轉速度，形成抗蝕劑膜。隨后檢測抗蝕劑膜厚度分布。此外，基板10采用裸硅基板。表5示出當根據圖3示出的時序圖通過大于30000rpm/秒的減速度來停止基板IO的旋轉時，基于如表5所示的旋轉速度，加速率，經過時間，供應溶劑的時機、供應抗蝕劑的時機形成抗蝕劑涂層的方法步驟的實例。表5步驟時間旋轉速度加速度分配的液體No.(秒)(rpm)(rpm/秒)11.50稀釋劑21.0030.15001000041.03000(Ru)10000抗蝕劑1.50—(大于30000)6202900(R12)10000抗蝕劑粘度約2毫帕-秒按照表5中的各步驟控制稀釋劑的分配、ArF抗蝕劑的分配、以及基板IO的旋轉速度，隨后對抗蝕劑膜厚的分布進行檢測。這里，在停止向基板10分配抗蝕劑之后停止基板10的旋轉的減速度被設定為例如40000rpm/秒。此外，當設定分配量1.0ml為100%時，抗蝕劑的分配量分別改變為如下不同值90%(0.9ml)，80%(0.8ml)，70%(0.7ml)，50。％(0.5ml)。隨后，對每個實例分別檢測ArF抗蝕劑膜厚分布，檢測結果如圖13所示。如圖13所示，當ArF抗蝕劑的分配量被設置在90%至70%的范圍內時，抗蝕劑膜厚分布在基板10的中心部的位置處獲得250nm的目標厚度。當ArF抗蝕劑的分配量被分別設置在80%和70%時，在基板10的中心部周圍位置處的抗蝕劑膜厚分布獲得了目標厚度。當以30000rpm/秒的減速度將第一旋轉速度減速為零而停止基板10時，獲得了如圖14所示的ArF抗蝕劑的膜厚分布。該膜厚與目標厚度近似一致。該膜厚度比基板的中心部的目標厚度要厚0.5nm至1.0nm。當對比圖13和圖14時，如圖13所示的膜厚比圖14所示的膜厚更接近目標厚度。當時序圖采用停止基板旋轉的步驟時，增加減速度至大于30000rpm/秒來停止基板10的旋轉可以獲得更接近于目標膜厚的膜厚。作為對比改進方法的實施例的基準條件，采用了圖6所示的時序圖。表6示出其各步驟基于表6提供的旋轉速度，加速率，經過時間，供應溶劑的時機，供應ArF抗蝕劑的時機等基準條件的實例。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>抗蝕劑粘度約2毫帕-秒首先，在如表6所示的基準條件下的時序圖中，當基板10的旋轉速度從第一旋轉速度R2i減速至第二旋轉速度R22，即100rpm時，將減速度分別設定為3000rpm/秒和4000rpm/秒。此外，當設定分配量1.0ml為100%時，抗蝕劑的分配量分別改變為如下不同值90%(0.9ml)，80%(0.8ml)，70%(0.7ml)，50%(0.5ml)。隨后，對每個實例分別檢測抗蝕劑膜厚分布，檢測結果如圖15和圖16所示。利用基準條件，如圖15和圖16所示在基板10的中心區域及其附近區域中形成的抗蝕劑膜厚比目標厚度厚約1.0nm至2.0nm。因此，通過在第一旋轉速度之后停止基板10的步驟來形成抗蝕劑膜的厚度比通過在第一旋轉速度之后不停止基板10的步驟來形成抗蝕劑膜的厚度要更接近目標膜厚。此外，當改變抗蝕劑分配量以及在停止分配抗蝕劑之后改變基板10的減速度時，按照表5和表6中所示的各步驟進一步檢測抗蝕劑厚度分布。隨后，標準偏差cT以及膜厚度的范圍作為平坦度量度被檢測。獲得了如圖17A和圖17B所示的結果。圖17A示出了按照表5所示各步驟形成的抗蝕劑膜的平坦度。標準偏差cr以及膜厚的范圍與為了停止基板10的旋轉而施加的減速度^和抗蝕劑的分配量相關。在各個測試實例中，為停止基板的旋轉而施加的減速度^被分別設置為25000rpm/秒，30000rpm/秒，40000rpm/秒，以及50000rpm/秒。當設定分配量1.0ml為100%時，抗蝕劑的分配量分別改變為90%，800%，70%，50%。另一方面，圖17B示出按照表6所示各步驟形成的抗蝕劑膜的平坦度。標準偏差CT以及膜厚的范圍與將為了基板10減速至第二旋轉速度R22而施加的不同減速度^、抗蝕劑的不同分配量相關。這里，基板10的旋轉速度從作為第一旋轉速度R21的3000rpm減速至作為第二旋轉速度R22的100rpm。減速第二旋轉速度1122至100rmp而施加的減速度^被設定為50000rpm/秒。抗蝕劑的分配量設定為1.0ml。接下來，對比圖17A和圖17B。當用于停止基板10的旋轉的基板10的減速度^設定為50000rpm/秒時，即使降低抗蝕劑的分配量至90。％，如圖17A所示的在分配抗蝕劑之后停止基板10的旋轉的各步驟，與圖17B作為基準條件的各步驟相比，可以獲得更小的標準偏差CT以及更窄的膜厚范圍。此外，當減速度A被設定為40000rpm/秒時，即使降低抗蝕劑的分配量至70%，如圖17A所采用的各步驟，與圖17B作為基準條件的各步驟相比，可以獲得更小的標準偏差cx以及更小的膜厚度范圍。為了降低ArF抗蝕劑的分配量，提高ArF抗蝕劑的平坦度，以及增加ArF抗蝕劑膜厚度的精度，可以理解的是，優選地，與第一實施例提出的相同理由，以大于30000rpm/秒的減速度^來停止基板10的旋轉。以下解釋在改進方法的第一、第二和第三實施例中，在分配抗蝕劑之后基板的停止時間和抗蝕劑膜厚度分布的關系。在改進方法的第一實施例的i-線抗蝕劑涂布步驟中，抗蝕劑膜厚分布根據在根據圖18中所示的實例分配抗蝕劑之后基板被停止的持續時間(例如，分別為1.5秒，3.0秒，5.0秒禾卩10秒)而改變。在基板10的停止時間分別設置為圖19和圖20所示的值的條件下形成抗蝕劑膜之后，分別檢測在第二實施例中使用的KrF抗蝕劑膜的厚度分布以及在第三實施例中使用的ArF抗蝕劑膜的厚度分布。如圖18，圖19和圖20所示，停止時間的增加會增加基板10的外圍部分中產生的抗蝕劑膜的膜厚，這造成了抗蝕劑膜的翹曲。在供應抗蝕劑之后，基板處于停止狀態的時間應該設定為小于3.0秒以使得形成的抗蝕劑膜在目標厚度的允許值±1%之內，如圖18，圖19和圖20所示的抗蝕劑厚度分布。另一方面，當基板10的停止時間被設置為小于0.5秒時，在各個涂布方法中抗蝕劑膜的平坦度較差。原因如下所述。當在分配抗蝕劑之后基板10的停止時間小于0.5秒時，抗蝕劑不能沿著基板10的圓周方向充分散布，因此形成的抗蝕劑厚度的平坦度不均勻且較差。在另一方面，當停止時間大于3.0秒時，抗蝕劑在基板10上的散布完全停止，因此使得在基板10的第二旋轉速度的開始時難以使得抗蝕劑在基板IO上移動。因此在基板10結束第一旋轉速度后，優選地，基板10的停止時間To被設置為介于0.5秒至3秒之間。通過改變單位時間內抗蝕劑的分配量以及改變單位時間內抗蝕劑的分配時間來調整分配的抗蝕劑的量。例如，當0.8ml的抗蝕劑的量被供應至基板10之上時，從抗蝕劑噴嘴21中以0.8ml/秒的速度分配抗蝕劑l秒，或以0.4ml/秒的速度分配抗蝕劑2秒，或采用其它相似條件。當單位時間內從抗蝕劑噴嘴21分配的抗蝕劑量被設置為較低的值時，優選地，在如圖21所示的時序圖中提高基板10的旋轉速度，而不用從最初開始時刻就以例如3000rpm的高旋轉速度來旋轉基板10。更具體地，在分配抗蝕劑的期間內可以采用如圖21所示的兩個子步驟方法來達到基板10的第一旋轉速度Rn。例如，首先，基板10以非常低的旋轉速度來旋轉，之后將溶劑分配到基板10上；其次，在分配抗蝕劑的時段Tm的開始時刻，基板10以較高但仍為低速度的速度，例如1000rpm旋轉；以及其三，在分配抗蝕劑的時段Tn2的結束時刻，基板10以更高的速度，例如3000rpm旋轉。因此，在基板10的外圍部分分配的抗蝕劑變得平穩定，以及形成的抗蝕劑膜的厚度均勻。在圖21中，向基板10供應抗蝕劑的時刻指的是從控制部件11向抗蝕劑供應部件26傳送信號的時刻。因此，供應抗蝕劑液體的開始時刻可能相對時段Tm的開始時刻有輕微的延遲。在圖21中，基板10在供應稀釋劑后以低于1000rpm的速度旋轉。而在供應抗蝕劑之前，基板10可以不旋轉。接下來，參照圖22A至圖22P解釋按照圖3所示的時序圖涂布抗蝕劑膜的半導體器件的制造步驟實例。首先，如圖22A所示，通過硅氧化物膜(未示出)在作為基板10的硅基板51的表面上形成氮硅化物膜(SiNj莫)52。隨后，從溶劑噴嘴22中分配例如稀釋劑的溶劑至氮硅化物膜52上，以及從抗蝕劑噴嘴21中分配粘度為2.2毫帕.秒的ArF抗蝕劑53至氮硅化物膜52之上。在表5給出的條件下執行抗蝕劑膜的涂布。如上所述，即使從抗蝕劑噴嘴21中的抗蝕劑分配量減為小于1.0ml時，也會獲得均勻的膜厚分布。如圖22B所示，通過利用波長為193nm的光源對硅基板51上ArF抗蝕劑53進行曝光、以及顯影，在淺槽區域形成開口部54。隨后，如圖22C所示，通過蝕刻從開口部54露出的氮硅化物膜52以及硅氧化物膜(未示出)形成各個凹槽55，隨后通過反應性離子蝕刻工藝蝕刻硅基板51，去除ArF抗蝕劑53。如圖22D所示，去除ArF抗蝕劑53。如圖22E所示，硅氧化物膜埋入在硅基板51中的凹槽55內，由此形成淺槽隔離56。這里，例如，在通過磷酸去除硅基板51上形成的氮硅化物膜52、氮硅化物膜52上的硅氧化物膜之后，，隨后去除氮硅化物膜52下面的硅氧化物膜。如圖22F所示，通過離子注入n-型或p-型雜質至硅基板51內來形成n-型或p-型阱57。隨后，通過熱氧化硅基板51的表面來形成柵極絕緣膜58。如圖22G所示，多晶硅膜59形成于柵極絕緣膜58之上。隨后，通過表5給出的方法供應溶劑至多晶硅膜之上，以及隨后在其上涂布ArF抗蝕劑60。如圖22H所示，通過曝光/顯影ArF抗蝕劑60形成柵極圖案。利用圖案化的ArF抗蝕劑60作為掩模蝕刻多晶硅膜59，以及隨后移除ArF抗蝕劑60。相應地，如圖22I所示，經由柵極絕緣膜58在阱57上形成由多晶硅膜59形成的柵極59g。如圖22J所示，在柵極59g的兩側的硅基板51內分別形成作為源極/漏極的n-型或p-型雜質擴散區域61a，61b。當形成n-型或p-型雜質擴散區域61a，61b時，可以多于一次的多次進行雜質離子注入步驟。在這些離子注入步驟之間在柵極59g的每個側面上分別形成絕緣側壁50。在例如硅氧化物膜或類似物的絕緣膜形成于柵極59g上之后，通過回蝕刻硅氧化物或類似物來形成絕緣側壁50。如圖22k所示，通過化學氣相沉積(CVD)方法在柵極59g以及硅基板51上形成作為第一層層間絕緣膜62的硅氧化物膜。在第一層層間絕緣膜62中形成與雜質擴散區域61a，61b相連的導電塞63。隨后，在第一層層間絕緣膜62上形成由鎢制成的導電膜64。在導電膜64上分配溶劑，以及隨后在其上涂布KrF抗蝕劑65。例如，根據表3中給出的條件來涂布KrF抗蝕劑65。如圖22L所示，利用波長為248nm的光源通過曝光/顯影工藝形成多個布線圖案。如圖22M所示，通過利用KrF抗蝕劑65的圖案作為掩模來蝕刻導電膜64，剩余的導電膜64組成第一層布線64a。在布線64a和第一層層間絕緣膜62上形成硅氧化物膜，之后通過回蝕刻保留第一層布線64a周圍的絕緣膜62作為絕緣側壁66。如圖22N所示，形成第二層層間絕緣膜67，導電塞(未示出)，布線(未示出)，以及類似物。隨后，在第n層層間絕緣膜68上形成由鋁合金制成的最上層導電膜69。隨后，在最上層導電膜上涂布溶劑，以及隨后在導電膜69上涂布i-線抗蝕劑70。例如根據表1所給出的條件執行i-線抗蝕劑70的涂布。如圖220所示，通過利用波長為365nm的曝光光源(未示出)來曝光i-線抗蝕劑70，以及隨后顯影該抗蝕劑，形成布線圖案。如圖22P所示，禾U用圖案化的i-線抗蝕劑70作為掩模，通過蝕刻最上層導電膜69形成最上層布線69a。以此種方式，利用由較佳波長的光源曝光來分別對多層上的抗蝕劑53，60，65，70進行曝光可以形成半導體器件實例。根據改進方法的本發明實施例，用來形成多層抗蝕劑53，60，65，70的抗蝕劑量可以比現有技術減少的更多，以及抗蝕劑的消耗量可以被減少。在上述實施例中，解釋了在基板的表面上涂布抗蝕劑的實例性方法。然而，上述涂布方法可以應用于在光掩模基板或LCD基板上涂布抗蝕劑的實例。此外，上述涂布方法不限于在基板上涂布抗蝕劑的實例，還可以應用于在基板上涂布SOG(旋涂式玻璃)，聚酰亞胺樹脂，或類似物等實例。在上述說明當中，參照本發明的具體實施例描述了本發明。然而，在不脫離本發明的廣義精神和范圍之下可以對其進行各種修改和變化。例如，讀者可以明了的是，這里描述的方法步驟的具體順序和組合僅為了說明，而本發明可以通過不同或附加的步驟，或不同組合或步驟順序的工藝方法來執行。作為另一實施例，一個實施例中每個特征都可以組合以及與其它實施例中所示的其它特征配合。此外，明顯地，這些特征還可以根據需要被增加或減少。因此，本發明的范圍以所附的權利要求及其等效方案所保護的范圍為準。權利要求1.一種半導體器件的制造方法，包括如下步驟供應溶劑至基板的表面；在以第一旋轉速度旋轉該基板的同時，開始供應涂布液至該基板的表面，其中該基板以該第一旋轉速度旋轉第一預定時間；以大于30000rpm即每分鐘轉數/秒的減速度停止該基板的旋轉；在該基板停止之后，以第二旋轉速度旋轉該基板第二預定時間。2.如權利要求1所述的方法，還包括如下步驟在停止供應該涂布液至該基板之后，停止該基板的旋轉。3.如權利要求1所述的方法，還包括如下步驟在已經開始供應涂布液至該基板之后、且在停止該基板的旋轉之前，改變該第一旋轉速度。4.如權利要求3所述的方法，其中該第一旋轉速度具有起始速度和終止速度，且該終止速度快于該起始速度。5.如權利要求l所述的方法，其中該減速度為至少40000rpm/秒。6.如權利要求1所述的方法，還包括如下步驟在供應該溶劑至該基板之后、且在以該第一旋轉速度旋轉該基板之前，以第三旋轉速度旋轉該基板。7.如權利要求6所述的方法，其中該第三旋轉速度慢于該第一旋轉速度。8.如權利要求1所述的方法，其中該第二旋轉速度慢于該第一旋轉速度。9.如權利要求1所述的方法，其中該第二旋轉速度快于該第一旋轉速度。10.如權利要求5所述的方法，其中該第二旋轉速度慢于該第一旋轉速度。11.如權利要求7所述的方法，其中該第二旋轉速度慢于該第一旋轉速度。12.如權利要求l所述的方法，其中在停止該基板的步驟中，停止該基板的時間長于0.5秒且短于3.0秒。13.如權利要求5所述的方法，其中在停止該基板的步驟中，停止該基板的時間長于0.5秒且短于3.0秒。14.如權利要求7所述的方法，其中在停止該基板的步驟中，停止該基板的時間長于0.5秒且短于3.0秒。15.—種形成涂層的方法，包括如下步驟供應溶劑至基板的表面；在以第一旋轉速度旋轉該基板的同時，開始供應涂布液至該基板的表面，其中該基板以該第一旋轉速度旋轉第一預定時間；以大于30000rpm即每分鐘轉數/秒的減速度停止該基板的旋轉；在該基板停止之后，以第二旋轉速度旋轉該基板第二預定時間。16.如權利要求15所述的方法，還包括如下步驟在停止供應該涂布液至該基板之后，停止該基板的旋轉。17.如權利要求15所述的方法，其中該減速度為至少40000rpm/秒。18.如權利要求15所述的方法，還包括如下步驟在供應溶劑至該基板之后、且在以該第一旋轉速度旋轉該基板之前，以第三旋轉速度旋轉該基板。19.如權利要求18所述的方法，其中該第三旋轉速度慢于該第一旋轉速度。20.如權利要求15所述的方法，其中該第二旋轉速度慢于該第一旋轉速度。21.如權利要求15所述的方法，其中在停止該基板的步驟中，停止該基板的時間大于0.5秒且小于3.0秒。22.如權利要求1所述的方法，其中在開始供應該涂布液的步驟中，供應少于1毫升的涂布液，且涂布液的粘度小于等于25毫帕-秒。23.如權利要求1所述的方法，其中該第一旋轉速度的范圍為1000rpm至3000rpm。24.如權利要求23所述的方法，其中該第二旋轉速度的范圍為1500rpm至3000rpm。25.如權利要求1所述的方法，其中該第二旋轉速度的范圍為1500rpm至3000rpm。26.如權利要求6所述的方法，其中該第三旋轉速度的范圍為100rpm至2500rpm。27.如權利要求23所述的方法，其中該減速度為至少40000rpm/秒。28.如權利要求24所述的方法，其中該減速度為至少40000rpm/秒。29.如權利要求25所述的方法，其中該減速度為至少40000rpm/秒。30.如權利要求26所述的方法，其中該減速度為至少40000rpm/秒。31.如權利要求1所述的方法,其中在停止該基板之后，以至少5000rpm/秒的加速度將該基板加速至該第二旋轉速度。32.如權利要求1所述的方法，還包括如下步驟在該基板以該第一旋轉速度旋轉之前，在該基板上分配該涂布液。33.—種形成涂層的方法，該方法包括如下步驟分配溶劑至基板的表面；在以第一旋轉速度旋轉該基板的同時，開始供應涂布液至該基板的表面，其中該基板以該第一旋轉速度旋轉第一預定時間；以第二旋轉速度旋轉該基板第二預定時間，其中該第二旋轉速度快于該第一旋轉速度；在該第二旋轉速度旋轉期間內，在該基板上分配該涂布液；以第三旋轉速度旋轉該基板第三預定時間，其中該第三旋轉速度快于該第二旋轉速度；在該基板以該第三旋轉速度旋轉之前結束該涂布液在該基板上的分配；以大于30000即每分鐘轉數rpm/秒的減速度停止該基板的旋轉；以及在該基板停止之后，以第四旋轉速度旋轉該基板第四預定時間。全文摘要本發明提供一種利用液體形成涂層的方法以及半導體器件的制造方法。根據本發明的在基板上形成液體涂布的方法可以減少涂布液的消耗量以及獲得更均勻的液體涂布膜的厚度分布。該方法可以包括如下步驟供應溶劑至基板的表面，開始供應涂布液至以第一旋轉速度旋轉的基板的表面；在停止供應該涂布液的時刻，通過以大于30000rpm/秒的減速度使得基板旋轉減速來停止該基板的旋轉；以及隨后以第二旋轉速度旋轉該基板。因此，減少了涂布液的分配量以及使得該涂布液的膜厚度變得平坦。文檔編號G03F7/16GK101226336SQ200710141040公開日2008年7月23日申請日期2007年8月16日優先權日2007年1月19日發明者小俁一郎,開元裕子,村松智明申請人:富士通株式會社