專利名稱：發光二極管基板及其制造方法以及液晶顯示器裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及發光二極管裝置，具體地涉及發光二極管基板，其中薄膜光傳感器被集成在該基板上。
背景技術：
液晶顯示器(LCD)裝置利用液晶的光電特性來顯示圖像。特別地，LCD裝置包括LCD面板，用于通過像素矩陣來顯示圖像，還包括驅動電路，用于驅動LCD面板。由于LCD面板是非發光裝置，因此LCD裝置還包括背光單元，用于向LCD面板提供光。
背光單元典型地利用燈作為光源，但是近來，趨勢已經發生改變，開始利用具有高亮度的發光二極管(LED)作為點光源。由于點光源使用紅(R)、綠(G)、藍(B)三原色的LED，因此通過混合三原色可以產生多種顏色。
但是，當利用三原色LED時，色彩的均勻性小于所期望的。色彩均勻性低的原因是，不同顏色的點光源在發光效率和老化特性上是不同的。為了防止色彩均勻性降低，在LED驅動器中使用亮度控制電路，用于控制R、G、B LED的亮度，或者使用光傳感器，用于測量發光強度。這些附加的元件使電路結構復雜化，并提高了制造成本。
發明內容
本發明提供了一種LED基板，降低了制造成本并提高了色彩的均勻性，還提供了一種制造該基板的方法以及使用該基板的LCD裝置。薄膜光傳感器與LED驅動電路一起被集成在該基板上。
在一個方面中，本發明提供一種LED基板，該基板包括多個驅動TFT，該驅動TFT包括沉積在基板上的半導體層；分別安裝在多個驅動TFT上的多個LED，用于產生不同波長的光；在多個LED和該基板之間形成的多個薄膜傳感器，用于感應多個LED的發光強度；以及具有多個控制TFT的亮度控制電路，該控制TFT包括沉積在該基板上的半導體層，并與多個薄膜傳感器相連，從而控制驅動TFT。
按照本發明的另一方面，提供了一種制造LED基板的方法，具體如下在基板上形成多個驅動TFT，該驅動TFT包括半導體層；在多個驅動TFT上安裝多個LED，用于產生不同波長的光；在多個LED和該基板之間形成多個薄膜傳感器，用于感應多個LED的發光強度；形成亮度控制電路，該電路具有多個TFT，該TFT包括沉積在該基板上的半導體層，并與多個薄膜傳感器和多個驅動TFT相連。
按照本發明的另一方面，提供了一種LCD裝置，包括光源，該光源包括上述LED基板；以及LCD面板，用于通過該光源產生的光來顯示圖像。
當結合附圖時，通過以下的詳細描述，本發明的上述和其它目的、特征以及優點將變得更加顯著，其中圖1是按照本發明的典型實施例的LED基板的剖視圖。
圖2是圖1所示的LED基板的等效電路圖。
圖3是按照本發明的典型實施例，使用LED基板的LCD裝置的展開透視圖。
圖4是按照本發明的另一個典型實施例，使用LED基板的LCD裝置的展開透視圖。
具體實施例方式
下面參照圖1-圖4描述本發明的典型實施例。
圖1是按照本發明的典型實施例的LED基板的一部分的剖視圖。
圖1所示的LED基板包括第一至第三薄膜晶體管(TFT)T1、T2、T3，分別用于驅動R、G、B LED 20、30、40；第一至第三薄膜傳感器22、24、26，分別用于檢測R、G、B LED 20、30、40的發光強度；以及包含在亮度控制電路中的第四TFT T4，用于控制第一至第三TFT T1、T2、T3。第一至第四TFT T1-T4和第一至第三薄膜傳感器22、24、26可使用多晶硅、多晶硅-鍺、非晶硅、非晶硅-鍺薄膜中的任意一種。但是，為了說明簡便，描述將以多晶硅薄膜為例。
用于分別驅動R、G、B LED 20、30、40的第一至第三TFT T1、T2、T3以及亮度控制電路的第四TFT T4包括使用多晶硅薄膜的半導體層12、14、16、18。特別地，第一至第四TFT T1-T4包括形成在基板2上的半導體層12、14、16、18，其間有緩沖層4；與半導體層12、14、16、18交迭的柵極52、54、56、58，其間有第一絕緣層6；與半導體層12、14、16、18的源極區相連的源極34、38、44、48；以及與半導體層12、14、16、18的漏極區相連的漏極32、36、42、46。半導體層12、14、16、18的源極區和漏極區摻雜有n型或p型雜質，從而具有導電性。源極34、38、44、48通過穿透至少一個絕緣層6而與半導體層12、14、16、18的源極區相連，類似地，漏極32、36、42、46通過穿透至少一個絕緣層6而與半導體層12、14、16、18的漏極區相連。第一至第三TFT T1-T3的源極34、38、44穿透第二絕緣層8，并延伸而分別與R、G、B LED 20、30、40的陽極60、64、68相連。
第一至第三TFT T1、T2、T3的柵極52、54、56與包括第四TFTT4的亮度控制電路相連，并從亮度控制電路接收亮度控制信號。第一至第三TFT T1、T2、T3的漏極32、36、42與電源的驅動電壓(VDD)供給線(未示出)相連，其源極34、38、44與R、G、B LED 20、30、40的陽極60、64、68相連，以提供LED驅動信號。第一至第三TFTT1、T2、T3按照亮度控制電路的控制信號，控制由VDD供給線提供給R、G、B LED 20、30、40的電流量，從而驅動R、G、B LED 20、30、40。亮度控制電路由多個開關TFT(下面將參考圖2進行描述)組成，例如第四TFT T4，并控制第一至第三TFT T1、T2、T3。
R、G、B LED 20、30、40使用半導體晶體而形成為片型結構，并具有在其下表面形成的陽極60、64、68和在其上表面形成的陰極63、65、67。R、G、B LED 20、30、40安裝在第二絕緣層8上，以便其陽極60、64、68分別與第一至第三TFT T1、T2、T3的源極34、38、44相連。R、G、B LED 20、30、40的陽極60、64、68通過導電粘合劑，例如各向異性導電膜(ACF)，分別與第一至第三TFT T1、T2、T3的源極34、38、44相連。形成在R、G、B LED 20、30、40上表面的陰極63、65、67分別與連接線72、74、76相連，并與形成在第二絕緣層8上的接地電極62相連。響應于通過第一至第三TFTT1、T2、T3施加的電流量，R、G、B LED 20、30、40發光，從而產生R、G、B顏色的光，每種光具有與所接收的電流成比例的亮度。覆蓋R、G、B LED 20、30、40的有機絕緣層10被涂覆在其上安裝有R、G、B LED 20、30、40的第二絕緣層8上。有機絕緣層10形成為凸面(或凹面)透鏡形狀，從而可提高R、G、B LED 20、30、40的發光效率。
用于感應R、G、B LED 20、30、40的發光強度的第一至第三薄膜傳感器22、24、26由R、G、B LED 20、30、40下方的多晶硅薄膜以及第一至第四TFT T1、T2、T3、T4的半導體層12、14、16、18構成。第一至第三薄膜傳感器22、24、26中的每一個形成為p-i-n型結構光電二極管，其中p型和n型雜質被注入使用多晶硅的本征半導體的兩端。注入p型雜質的第一至第三薄膜傳感器22、24、26的區域通過穿透第一絕緣層6和第二絕緣層8的接觸電極(未示出)，與形成在第二絕緣層8上的接地電極62相連，注入n型雜質的區域具有浮置(floated)結構。此外，注入p型雜質的第一至第三薄膜傳感器22、24、26的區域還通過另一個接觸電極(未示出)與包括第四TFT T4的亮度控制電路相連。第一至第三薄膜傳感器22、24、26通過穿透R、G、B LED 20、30、40的陽極60、64、68的通孔51、53、55，感應R、G、B LED 20、30、40的發光強度，產生與發光強度成比例的感應信號，并向亮度控制電路提供感應信號。
包括第四TFT T4的亮度控制電路通過從外部元件接收到的亮度控制信號和來自第一至第三薄膜傳感器22、24、26的發光強度感應信號，控制第一至第三TFT T1、T2、T3。因此，發光強度比變為常量，而不管R、G、B LED 20、30、40中的每一個的老化特性如何，并提高了色彩均勻性。
R、G、B LED 20、30、40中的每一個形成為多邊形片狀，其下表面的陽極60、64、68形成為多邊形帶狀或圓形帶狀，其中心的通孔51、53、55與第一至第三薄膜傳感器22、24、26中的每一個對準。基于第一至第三薄膜傳感器22、24、26中的每一個，第一至第三TFTT1、T2、T3的半導體層12、14、16、柵極52、54、56、源極34、38、44、漏極32、36、42也能形成為多邊形帶狀或圓形帶狀，圍繞第一至第三薄膜傳感器22、24、26的外圍部分。
下面描述制造具有上述結構的LED基板的方法。
緩沖層4形成在基板2上，通過使用多晶硅薄膜，將第一至第四TFT T1-T4的半導體層12、14、16、18和第一至第三薄膜傳感器22、24、26形成在緩沖層4上。基板2可由例如石英、玻璃、陶瓷、有機膜的絕緣基板或例如不銹鋼和鎢的金屬基板制成。利用沉積方法，例如等離子體增強型化學氣相沉積(PECVD)，通過在基板2上沉積無機絕緣材料，例如氧化硅，而形成緩沖層4。利用PECVD方法，通過在緩沖層4上形成非晶硅薄膜，利用激光退火使非晶硅薄膜結晶以形成多晶硅薄膜，并利用掩膜處理在多晶硅薄膜上形成圖案，而形成半導體層12、14、16、18和第一至第三薄膜傳感器22、24、26。其后，通過另一個掩膜處理將n型或p型雜質注入第一至第四TFT T1-T4的半導體層12、14、16、18中的每一個的兩端，從而形成源極區和漏極區，將n型或p型雜質注入第一至第三薄膜傳感器22、24、26中的每一個的兩端，從而形成陽極和陰極。在這種情況下，n型和p型雜質通過不同的掩膜處理被注入。
接下來，至少兩個絕緣層6和8、第一至第四TFT T1-T4的柵極52、54、56、58、源極34、38、44、48、漏極32、36、42、46以及接地電極62通過多個掩膜處理而形成在緩沖層4上，其中半導體層12、14、16、18和第一至第三薄膜傳感器22、24、26形成在緩沖層4上。第一至第四TFT T1-T4的漏極32、36、42、46至少部分地穿透第一絕緣層6，從而與半導體層12、14、16、18的漏極區相連，而第一至第三TFT T1-T3的源極34、38、44穿透第一和第二絕緣層6和8，從而與半導體層12、14、16的源極區相連。第四TFT T4的源極48穿透第一絕緣層6，從而與半導體層18的源極區相連。例如，包括接觸孔的第一絕緣層6通過一個掩膜處理而形成，而柵極52、54、56、58、漏極32、36、42、46以及第四TFT T4的源極48通過另一個掩膜處理而形成在第一絕緣層6上。其后，包括接觸孔的第二絕緣層8通過另外的掩膜處理而形成，而源極34、38、44和接地電極62通過又一個掩膜處理而形成在第二絕緣層8上。
接下來，將R、G、B LED 20、30、40分別安裝在第一至第三TFTT1-T3上。然后R、G、B LED 20、30、40的陽極60、64、68通過導電粘合劑與第一至第三TFT T1-T3的源極34、38、44相連。連接線72、74、76通過連接處理，將R、G、B LED 20、30、40的陰極63、65、67分別連接于接地電極62。其后，將覆蓋R、G、B LED 20、30、40的有機絕緣層10涂覆在其上形成有R、G、B LED 20、30、40的第二絕緣層8上。有機絕緣層10通過掩膜處理以凸面(或凹面)透鏡形狀形成在R、G、B LED 20、30、40的單元中，從而提高了R、G、B LED 20、30、40的發光強度。
如上所述，按照本發明的LED基板通過使用多晶硅薄膜、多個導電層和絕緣層，將以下部分集成在單個的基板2上用于驅動R、G、B LED 20、30、40的第一至第三TFT T1、T2、T3；由多個第四TFT T4組成的用于控制第一至第三TFT T1、T2、T3的亮度控制電路；以及感應R、G、B LED 20、30、40的發光強度的第一至第三薄膜傳感器22、24、26，從而節省了制造成本。
圖2是圖1所示的LED基板的等效電路圖。
參照圖2，LED基板包括第一至第三TFT T1、T2、T3，用于在VDD供給線和R、G、B LED 20、30、40之間形成電流通路；陰極浮置(float)且陽極通過限流電阻R接地的第一至第三薄膜傳感器22、24、26，用于檢測R、G、B LED 20、30、40的發光強度；具有連接于第一至第三薄膜傳感器22、24、26和第一至第三TFT T1、T2、T3之間的多個放大器A1-A4和比較器C1、C2的亮度控制電路。
亮度控制電路基于具有最小發光強度比的B LED 40，均勻地控制G LED 30和R LED 20的發光強度比，以便提高色彩的均勻性。用于驅動B LED 40的第三TFT T3受接收整體亮度控制信號的第一放大器A1控制。通過使第一比較器C1將第三薄膜傳感器26的B發光強度感應信號與第二薄膜傳感器24的G發光強度感應信號進行比較，用于控制G LED 30的第二TFT T2控制G發光強度，使其與B發光強度基本相等。通過使第二比較器C2將第三薄膜傳感器26的B發光強度感應信號與第一薄膜傳感器22的R發光強度感應信號進行比較，用于驅動R LED 20的第一TFT T1控制R發光強度，使其與B發光強度基本相等。亮度控制電路由多個TFT組成，例如圖1所示的第四TFT T4，并與第一至第三TFT T1-T3以及第一至第三薄膜傳感器22、24、26一起集成在基板2上。
特別地，第三TFT T3受從外部元件接收整體亮度控制信號的第一放大器A1控制，并通過控制從VDD供給線提供給B LED 40的電流量，驅動B LED 40。第三薄膜傳感器26產生與B LED 40的發光量成比例的發光強度感應信號，并通過第二放大器A2將該感應信號提供給第一比較器C1。第二TFT T2受第一比較器C1控制，并通過控制從VDD供給線提供給G LED 30的電流量，驅動G LED 30。第一比較器C1將第三薄膜傳感器26通過第二放大器A2提供的B發光強度感應信號與第二薄膜傳感器24通過第三放大器A3提供的G發光強度感應信號進行比較，并調整第二TFT T2的控制信號，以使G LED 30的發光強度約等于B LED 40的發光強度。第三放大器A3可由外部元件的相對亮度控制信號進行控制。第一TFT T1受第二比較器C2控制，并通過控制從VDD供給線提供給R LED 20的電流量，驅動R LED 20。第二比較器C2將第三薄膜傳感器26通過第二放大器A2提供的B發光強度感應信號與第一薄膜傳感器22通過第四放大器A4提供的R發光強度感應信號進行比較，并調整第一TFT T1的控制信號，以使RLED 20的發光強度約等于B LED 40的發光強度。第四放大器A4可由外部元件的相對亮度控制信號進行控制。
如上所述，按照本發明，用于感應R、G、B LED 20、30、40的發光強度的薄膜傳感器22、24、26以及亮度控制電路被安裝在LED基板上。通過這種設置，可通過保持發光強度比恒定來提高色彩的均勻性，而與R、G、B LED 20、30、40的不同的發光效率和老化特性無關。LED基板可用于使用LED的各種設備，例如LED顯示器裝置或LCD裝置的背光單元。下面將說明應用LED基板的LCD裝置的背光單元的實例。
圖3是按照本發明的典型實施例，使用LED基板的LCD裝置的展開透視圖。
參照圖3，LCD裝置包括LCD面板120，用于顯示圖像；邊緣型背光單元180，用于從LCD面板120的背面發光；頂部和底部托盤110和170，用于固定LCD面板120和背光單元180。
LCD面板120具有如下結構，即其上形成有顏色過濾器的上部基板121與其上形成有TFT的下部基板122相連，其間設置有液晶。LCD面板120包括由TFT獨立驅動的子像素，這些子像素以矩陣格式排列以顯示圖像。由于LCD面板120是非發光裝置，因此它使用背光單元180的光。驅動器125與LCD面板120的下基板122相連。驅動器125包括其上安裝有驅動芯片127的電路膜126，用于驅動形成在LCD面板120的下基板122上的數據線和柵極線。電路膜126的一側與下基板122相連，另一側與印刷電路板(PCB)128相連。在圖3中，支撐驅動芯片127的電路膜126被示為具有薄膜上芯片(COF)或載帶封裝(TCP)結構。但是在其它實施例中，驅動芯片127可通過玻璃上芯片(COG)方法直接安裝在下基板122上，或者在TFT形成過程中形成在下基板122上。
背光單元180包括與光導板156分離設置的邊緣型光源150；以及設置在光導板156上部和下部的多個光學片130和反射板160，以提高發光效率。
邊緣型光源150通過使用R、G、B LED 154而發光。邊緣型光源150具有如下結構，即R、G、B LED 154安裝在基板152上，基板152上集成有用于驅動R、G、B LED 154的驅動電路、用于感應R、G、B LED 154的發光強度的薄膜傳感器以及亮度控制電路。亮度控制電路利用從外部元件接收的亮度控制信號和從薄膜傳感器接收的發光強度感應信號，控制驅動電路，以便使R、G、B LED 154的發光強度恒定。通過補償R、G、B LED 154的不同發光效率和老化特性，邊緣型光源150產生具有基本相等的發光強度比的R、G、B光。因此，顏色沒有變化，穩定了亮度特征，從而提高了色彩的均勻性。
光導板156將從邊緣型光源150產生的點光源形式的光學分布的光轉換為表面光源形式的光學分布的光，以使光向LCD面板120行進。多個光學片130包括散射片131、棱鏡片132和保護片133。光學片130散射并匯聚從光導板156向LCD面板120行進的光，使之具有均勻的光分布，從而提高效率。反射板160向LCD面板120反射朝向光導板156的背部(對應于圖3的底部)行進的光，從而提高發光效率。
LCD面板120和背光單元180固定在通過使底部托盤170和頂部托盤110接合而形成的內部空間中。可附加設置容納LCD面板120和背光單元180的外圍部件的模型框架(未示出)。
圖4是按照本發明的另一個典型實施例，使用LED基板的直接型LCD裝置的展開透視圖。
除了背光單元280之外，圖4所示的直接型LCD裝置具有與圖3所示的邊緣型LCD裝置基本相同的結構，因此任何重復的描述均被省略。
圖4所示的直接型背光單元280包括直接型光源140以及位于直接型光源140和LCD面板120之間的多個光學片130。反射板(未示出)設置在直接型光源140的背部，或者底部托盤170的內表面涂覆有反射材料。直接型光源140通過使用行列設置的R、G、B LED 144而發光。直接型光源140具有如下結構，其中R、G、B LED 144安裝在基板142上，基板142上集成有用于驅動R、G、B LED 144的驅動電路、用于感應R、G、B LED 144的發光強度的薄膜傳感器、以及亮度控制電路。亮度控制電路利用從外部元件接收的亮度控制信號和從薄膜傳感器接收的發光強度感應信號，控制驅動電路，以使R、G、BLED 144的發光強度恒定。通過補償R、G、B LED 144的不同發光效率和老化特性，直接型光源140產生具有恒定強度比的R、G、B光。因此，穩定了顏色的變化和亮度特征，從而提高了色彩的均勻性。
通過以上描述可以明顯看到，由于用于驅動R、G、B LED的驅動電路、用于感應發光強度的傳感器、以及亮度控制電路集成在一個基板上，因此無論R、G、B LED的不同的發光效率和老化特性如何，制造成本降低并獲得了均勻的發光強度比。因此，可提高色彩的均勻性。
按照本發明的LED基板可應用于使用LED的各種設備，并可用于LCD裝置的背光單元中，以提高圖像質量，并改善色彩的均勻性。
盡管已經參照某些優選實施例示出并描述了本發明，但本領域技術人員可以理解，在形式和細節上可進行各種改變而不偏離由所附權利要求限定的本發明的精神和范圍。
權利要求
1.一種發光二極管基板，包括多個驅動薄膜晶體管，包括沉積在基板上的半導體層；多個發光二極管，分別安裝在多個驅動薄膜晶體管上，用于產生不同波長的光；多個薄膜傳感器，形成在多個發光二極管和基板之間，用于感應多個發光二極管的發光強度；以及亮度控制電路，具有多個控制薄膜晶體管，控制薄膜晶體管包括沉積在基板上的半導體層，并且亮度控制電路與多個薄膜傳感器相連，以控制驅動薄膜晶體管。
2.如權利要求1的發光二極管基板，其中多個驅動薄膜晶體管和亮度控制電路的控制薄膜晶體管中的每一個都包括半導體層；與半導體層交迭的柵極，其中半導體層與柵極之間設置有絕緣層；與半導體層的兩端相連的源極和漏極。
3.如權利要求2的發光二極管基板，其中多個驅動薄膜晶體管中每一個的柵極與亮度控制電路相連，源極與每一個發光二極管的一個電極相連，漏極與用于從外部施加驅動電壓的驅動電壓供給線相連。
4.如權利要求3的發光二極管基板，其中半導體層和多個薄膜傳感器由多晶硅、多晶硅-鍺、非晶硅和非晶硅-鍺薄膜中的任一種構成。
5.如權利要求4的發光二極管基板，其中多個薄膜傳感器中的每一個均位于穿透每一個發光二極管的一個電極的通孔下方，并形成為光電二極管類型，其陽極和陰極通過注入p型和n型雜質而形成。
6.如權利要求5的發光二極管基板，其中多個薄膜傳感器中的每一個的陽極和陰極中的一個電極是浮置的，并且另一個電極通過限流電阻與接地電極相連，并且接地電極與每一個發光二極管的另一個電極相連。
7.如權利要求6的發光二極管基板，其中每一個發光二極管中的另一個電極通過連接線與接地電極相連。
8.如權利要求7的發光二極管基板，進一步包括覆蓋其上安裝有多個發光二極管的基板的有機絕緣層。
9.如權利要求8的發光二極管基板，其中多個驅動薄膜晶體管中的每一個的半導體層、柵極、源極、和漏極形成為多邊形帶狀或圓形帶狀，包圍薄膜傳感器的外圍部件。
10.如權利要求9的發光二極管基板，其中多個發光二極管包括第一至第三發光二極管，用于分別產生紅、綠、藍光，多個驅動薄膜晶體管包括第一至第三驅動薄膜晶體管，用于分別驅動第一至第三發光二極管，多個薄膜傳感器包括第一至第三薄膜傳感器，用于分別感應第一至第三發光二極管的發光強度。
11.如權利要求10的發光二極管基板，其中亮度控制電路包括第一放大器，用于根據亮度控制信號而控制第三驅動薄膜晶體管；第一比較器，用于通過將第三薄膜傳感器的藍色亮度感應信號與第二薄膜傳感器的綠色亮度感應信號進行比較，控制第二驅動薄膜晶體管；以及第二比較器，用于通過將藍色亮度感應信號與第一薄膜傳感器的紅色亮度感應信號進行比較，控制第一驅動薄膜晶體管。
12.如權利要求11的發光二極管基板，其中亮度控制電路進一步包括第二至第四放大器，用于放大第一至第三薄膜傳感器的亮度感應信號，并且根據相對亮度控制信號而控制第二至第四放大器中的至少一個。
13.一種制造發光二極管基板的方法，包括形成多個驅動薄膜晶體管，其包括沉積在基板上的半導體層；在多個驅動薄膜晶體管上安裝多個發光二極管，用于產生不同波長的光；在多個發光二極管和該基板之間形成多個薄膜傳感器，用于感應多個發光二極管的發光強度；以及形成亮度控制電路，其具有多個控制薄膜晶體管，控制薄膜晶體管包括沉積在該基板上的半導體層，亮度控制電路與多個薄膜傳感器以及多個驅動薄膜晶體管相連。
14.如權利要求13的方法，其中多個驅動薄膜晶體管和亮度控制電路的控制薄膜晶體管中的每一個都包括半導體層；與半導體層交迭的柵極，半導體層與柵極之間設置有絕緣層；以及與半導體層的兩端相連的源極和漏極。
15.如權利要求14的方法，其中多個驅動薄膜晶體管中的每一個的柵極與亮度控制電路相連，源極與每一個發光二極管中的一個電極相連，漏極與用于從外部施加驅動電壓的驅動電壓供給線相連，并且每一個發光二極管的另一個電極通過連接線與接地電極相連。
16.如權利要求15的方法，其中半導體層和多個薄膜傳感器由多晶硅、多晶硅-鍺、非晶硅和非晶硅-鍺薄膜中的任一種構成。
17.如權利要求16的方法，其中p型和n型雜質被注入多個薄膜傳感器中的每一個的兩端，以形成陽極和陰極，并且多個薄膜傳感器中的每一個的陽極和陰極中的一個電極是浮置的，另一個電極通過限流電阻與接地電極相連。
18.如權利要求17的方法，進一步包括在其上安裝有多個發光二極管的基板上形成有機絕緣層。
19.如權利要求18的方法，其中多個驅動薄膜晶體管中的每一個的半導體層、柵極、源極、和漏極形成為多邊形帶狀或圓形帶狀，包圍薄膜傳感器的外圍部件。
20.一種液晶顯示器裝置，包括光源，包括形成在基板上的多個驅動薄膜晶體管，多個發光二極管，分別安裝在多個驅動薄膜晶體管上，用于產生不同波長的光，多個薄膜傳感器，形成在多個發光二極管和基板之間，用于感應多個發光二極管的發光強度，以及亮度控制電路，具有形成在基板上的多個控制薄膜晶體管，并與多個薄膜傳感器和多個驅動薄膜晶體管相連；以及液晶顯示器面板，用于利用光源產生的光而顯示圖像。
21.如權利要求20的液晶顯示器裝置，其中多個驅動薄膜晶體管和亮度控制電路的控制薄膜晶體管中的每一個都包括半導體層；與半導體層交迭的柵極，半導體層與柵極之間設置有絕緣層；以及與半導體層的兩端相連的源極和漏極，并且多個驅動薄膜晶體管中的每一個的柵極與亮度控制電路相連，源極與每一個發光二極管中的一個電極相連，漏極與用于接收驅動電壓的驅動電壓供給線相連。
22.如權利要求21的液晶顯示器裝置，其中半導體層和多個薄膜傳感器由多晶硅、多晶硅-鍺、非晶硅和非晶硅-鍺薄膜中的任一種構成，并且多個薄膜傳感器中的每一個均位于穿透每一個發光二極管的一個電極的通孔下方，并形成為光電二極管類型，其陽極和陰極通過注入p型和n型雜質而形成。
23.如權利要求22的液晶顯示器裝置，其中多個薄膜傳感器中的每一個的陽極和陰極中的一個電極是浮置的，另一個電極通過限流電阻與接地電極相連，接地電極通過連接線與每一個發光二極管的另一個電極相連。
24.如權利要求23的液晶顯示器裝置，進一步包括覆蓋其上安裝有多個發光二極管的基板的有機絕緣層。
25.如權利要求24的液晶顯示器裝置，其中多個發光二極管包括第一至第三發光二極管，用于分別產生紅、綠、藍光，多個驅動薄膜晶體管包括第一至第三驅動薄膜晶體管，用于分別驅動第一至第三發光二極管，多個薄膜傳感器包括第一至第三薄膜傳感器，用于分別感應第一至第三發光二極管的發光強度。
26.如權利要求25的液晶顯示器裝置，其中亮度控制電路包括第一放大器，用于根據亮度控制信號而控制第三驅動薄膜晶體管；第一比較器，用于通過將第三薄膜傳感器的藍色亮度感應信號與第二薄膜傳感器的綠色亮度感應信號進行比較，控制第二驅動薄膜晶體管；第二比較器，用于通過將藍色亮度感應信號與第一薄膜傳感器的紅色亮度感應信號進行比較，控制第一驅動薄膜晶體管；以及第二至第四放大器，用于放大第一至第三薄膜傳感器的亮度感應信號，其中根據相對亮度控制信號而控制第二至第四放大器中的至少一個。
全文摘要
提供了一種亮度控制電路，用于控制不同顏色光源的亮度級別，便于與顯示器裝置結合在一起。發光二極管(LED)基板包括多個驅動薄膜晶體管(TFT)，驅動薄膜晶體管包括沉積在基板上的半導體層。用于產生不同波長的光的多個LED分別安裝在多個驅動TFT上。用于感應多個LED的發光強度的多個薄膜傳感器形成在多個LED和該基板之間。用于控制驅動TFT的亮度控制電路具有多個控制TFT，控制TFT包括沉積在該基板上的半導體層，并且亮度控制電路與多個薄膜傳感器相連。
文檔編號G02F1/1362GK101067698SQ20071012663
公開日2007年11月7日 申請日期2007年2月25日 優先權日2006年2月23日
發明者上本勉 申請人:三星電子株式會社