感光化合物、感光組合物、光刻膠圖案形成方法和元件制造方法

            文檔序號(hào):2729964閱讀:299來(lái)源:國(guó)知局
            專(zhuān)利名稱(chēng):感光化合物、感光組合物、光刻膠圖案形成方法和元件制造方法
            技術(shù)領(lǐng)域
            本發(fā)明涉及感光化合物、含有溶于溶劑中的感光化合物的感光組合物、使用感光組合物形成光刻膠圖案的方法,以及通過(guò)形成光刻膠圖案的方法制造元件的方法。
            背景技術(shù)
            近年來(lái),半導(dǎo)體和其它電子元件工業(yè)的精細(xì)加工需要在元件中更高的密度和更高的集成。在半導(dǎo)體元件生產(chǎn)過(guò)程中,光刻法為精細(xì)圖案形成的重要技術(shù)。
            光刻法基本上使用精度為100納米或更高的穩(wěn)定精細(xì)操作技術(shù)。因此,光刻法中使用的光刻膠應(yīng)能夠形成精度為100納米或更高的圖案。
            重氮萘醌-酚醛清漆類(lèi)光刻膠廣泛應(yīng)用,其使用重氮萘醌化合物對(duì)酚醛樹(shù)脂的溶解抑制作用(US 4,859,563)。
            由低分子酚醛樹(shù)脂構(gòu)成的重氮萘醌-酚醛樹(shù)脂清漆類(lèi)光刻膠不能受到萘醌化合物的溶解抑制作用的影響,導(dǎo)致曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域之間較低的顯色對(duì)比度。
            最近,化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠用作高分辨率光刻膠而非重氮萘醌-酚醛樹(shù)脂清漆類(lèi)光刻膠。在化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠中,使用活性射線輻射產(chǎn)生酸(H+),并且產(chǎn)生的酸催化酸可分解的保護(hù)基保護(hù)的堿增溶基脫保護(hù)反應(yīng)以使得光刻膠溶于堿(Journal of Photopolymer Science andTechnology 17,435,(2004))。
            在化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠的光刻膠圖案的形成中,為了加速在曝光區(qū)域產(chǎn)生的酸催化的脫保護(hù)反應(yīng),光刻膠在顯色之前進(jìn)行熱處理。
            在此熱處理中,酸通過(guò)加熱擴(kuò)散到約10納米的距離(“Proc.SPIE”,6154,710,2006)。酸的這種擴(kuò)散導(dǎo)致在圖形的邊緣部分產(chǎn)生微小的凹凸,亦即線邊緣粗糙度(LER),以降低分辨率。
            LER還取決于堿化合物的分子量。此處堿化合物表示在光刻膠組合物中的具有堿增溶基的化合物或具有保護(hù)的堿增溶基的化合物。
            由于堿化合物一個(gè)分子一個(gè)分子地溶解到顯影液中,較大分子量的堿化合物導(dǎo)致較大的LER。
            低分子量堿化合物具有較低玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和較低熔點(diǎn)。當(dāng)化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠在顯影處理之前在高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度加熱時(shí),形成的酸擴(kuò)散到更遠(yuǎn)的距離以降低分辨率。
            因此在酸催化條件下,化學(xué)增強(qiáng)光刻膠的堿化合物應(yīng)具有比脫保護(hù)反應(yīng)溫度更高的玻璃轉(zhuǎn)變溫度。通過(guò)使用較低分子量的光刻膠,這種要求限制了化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠對(duì)較低LER(線邊緣粗糙度)的設(shè)計(jì)。
            本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在近場(chǎng)曝光形成的圖案中,當(dāng)使用有機(jī)溶劑稀釋的化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠以10納米的厚度施加時(shí),所得光刻膠圖案的LER不期望地增大。
            J.Org.Chem.2003,68,9100(2003)公開(kāi)了通過(guò)硝基芐基醚化辣椒素的酚羥基形成的具有潛在生理活性的籠狀化合物。該化合物不是意欲作為圖案形成材料使用。
            J.Appl.Polym.Sci.,33,1763(1987)公開(kāi)了具有硝基芐基的感光聚酰亞胺光刻膠。通過(guò)光輻射從聚酰亞胺除去硝基芐基,該光刻膠可產(chǎn)生堿溶性。通過(guò)消除硝基芐基以形成羧基(COOH),該光刻膠的聚合物溶解。然而,由于羧酸與堿性顯影液反應(yīng)所引起的光刻膠聚合物的溶脹,該光刻膠產(chǎn)生低至微米級(jí)的分辨率。

            發(fā)明內(nèi)容
            本發(fā)明涉及在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(1)所示結(jié)構(gòu)單元的感光化合物
            其中R1為氫原子或烷基;R2、R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)為硝基,并且其它為選自下組的基團(tuán)氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基和部分或全部氫原子被氟原子取代的烷基;并且R7為取代或未取代的亞苯基或亞萘基。
            所述感光化合物在分子中可具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(2)所示的結(jié)構(gòu)單元 感光化合物可在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(3)所示的結(jié)構(gòu)單元 感光化合物可在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元 感光化合物可在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(5)所示的結(jié)構(gòu)單元
            本發(fā)明涉及感光化合物,其在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(6)所示的結(jié)構(gòu)單元 其中R1為氫原子或烷基;R2、R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)為硝基,并且其它為選自下組的基團(tuán)氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基和部分或全部氫原子被氟原子取代的烷基;并且R7為取代或未取代的亞苯基或亞萘基。
            感光化合物在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(7)所示的結(jié)構(gòu)單元 感光化合物可在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(8)所示的結(jié)構(gòu)單元 感光化合物可在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(9)所示的結(jié)構(gòu)單元
            感光化合物可在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(10)所示的結(jié)構(gòu)單元 本發(fā)明涉及聚(羥基苯乙烯),其中兩個(gè)或更多個(gè)羥基的氫原子被通式(11)或通式(12)所示取代基取代 其中R1為氫原子或烷基;R2、R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)為硝基,并且其它為選自下組的基團(tuán)氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基和部分或全部氫原子被氟原子取代的烷基。
            本發(fā)明涉及杯芳烴,其中兩個(gè)或更多個(gè)酚羥基的氫原子被通式(11)或通式(12)所示取代基取代
            其中R1為氫原子或烷基;R2、R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)為硝基,并且其它為選自下組的基團(tuán)氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基和部分或全部氫原子被氟原子取代的烷基。
            本發(fā)明涉及酚醛清漆樹(shù)脂,其中兩個(gè)或更多個(gè)酚羥基的氫原子被通式(11)或通式(12)所示取代基取代 其中R1為氫原子或烷基;R2、R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)為硝基,并且其它為選自下組的基團(tuán)氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基和部分或全部氫原子被氟原子取代的烷基。
            本發(fā)明涉及含有溶于有機(jī)溶劑中的至少一種上述化合物的感光組合物。
            本發(fā)明涉及形成光刻膠圖案的方法,包括以下步驟向襯底上施加上述感光組合物以形成感光性光刻膠層,使用放射線選擇性輻照光刻膠層,并且使放射線輻照的部分顯影以形成光刻膠層圖案。
            在形成光刻膠圖案的方法中,可將能通過(guò)等離子體蝕刻除去的光刻膠層和另外的抗等離子體蝕刻的光刻膠層層合,從而光刻膠層可形成在抗等離子體蝕刻的層上。
            在形成光刻膠圖案的方法中,形成的感光性光刻膠層厚度可以不超過(guò)20納米。
            在形成光刻膠圖案的方法中,射線的輻照可使用近場(chǎng)光進(jìn)行。
            本發(fā)明涉及制造元件的方法,其中元件通過(guò)上述形成光刻膠圖案的方法形成在襯底上。
            在形成光刻膠圖案的過(guò)程中,曝光后,本發(fā)明的感光化合物無(wú)須加熱。因此,可以不考慮本發(fā)明玻璃轉(zhuǎn)變溫度和熔點(diǎn)的限制,無(wú)須加熱而使用低分子酚化合物。本發(fā)明感光化合物能夠形成具有較低LER的光刻膠圖案。
            本發(fā)明的其它特點(diǎn)將通過(guò)以下參考附圖的示例性實(shí)施方案說(shuō)明而顯而易見(jiàn)。


            圖1為說(shuō)明本發(fā)明感光化合物光化反應(yīng)的圖。
            圖2A和2B為描述常規(guī)化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠的光化反應(yīng)的圖。
            圖3說(shuō)明感光化合物溶入顯影液的速率與感光化合物中引入硝基芐基醚的比例的關(guān)系。
            圖4說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例4中感光化合物A-D和PHS(聚羥基苯乙烯)涂層的消光系數(shù)。
            圖5A為使用感光組合物M的節(jié)距(pitch)為90納米的光刻膠圖案的原子力顯微照片。
            圖5B為使用感光組合物A的節(jié)距為90納米的光刻膠圖案的原子力顯微照片。
            圖6為使用感光組合物M的膜厚度為30納米并且節(jié)距為160納米的1平方微米光刻膠圖案的原子力顯微照片。
            圖7為使用感光組合物M的膜厚度為20納米并且節(jié)距為160納米的1平方微米光刻膠圖案的原子力顯微照片。
            圖8為使用感光組合物M的膜厚度為10納米并且節(jié)距為160納米的1平方微米光刻膠圖案的原子力顯微照片。
            圖9為使用感光組合物A的膜厚度為20納米并且節(jié)距為160納米的1平方微米光刻膠圖案的原子力顯微照片。
            圖10為使用感光組合物A的膜厚度為10納米并且節(jié)距為160納米的1平方微米光刻膠圖案的原子力顯微照片。
            具體實(shí)施例方式
            本發(fā)明提供用于形成具有低LER(線邊緣粗糙度)甚至具有小的膜厚度的光刻膠圖案的感光化合物,含有所述感光化合物的感光組合物,形成光刻膠圖案的方法,以及制造元件的方法。
            本發(fā)明中,LER定義為線條圖案寬度的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍(3σ)。為了評(píng)價(jià)LER,沿著線條長(zhǎng)度的方向以10納米的恒定間隔在0.5-2微米長(zhǎng)的線條圖案中取樣的50或更多個(gè)點(diǎn)測(cè)量線條寬度。由測(cè)量的線條寬度作為總體計(jì)算LER。該寬度通過(guò)掃描電鏡、原子力顯微術(shù)等測(cè)量。
            本發(fā)明含有兩個(gè)或更多個(gè)上述通式(1)或(6)所示的結(jié)構(gòu)單元的感光化合物可通過(guò)以下式(21)或(22)所示硝基芐醇衍生物和分子中含有兩個(gè)或更多個(gè)酚羥基的化合物(以后簡(jiǎn)稱(chēng)多酚化合物)的已知縮合反應(yīng)制備。
            其中R1-R6定義如上,并且X為羥基或鹵素原子。
            其中R1-R6定義如上,并且Y為羥基或鹵素原子。
            上述縮合反應(yīng)中使用的多酚化合物大致分為聚合物、分子量不高于2000的化合物和由一種或多種單體構(gòu)成的低分子化合物。多酚化合物優(yōu)選低分子化合物、或重均分子量(Mw)為1000-100000、更優(yōu)選3000-50000并且分子量分布(Mw/Mn)為1.0-3.0、優(yōu)選1.0-1.5、更優(yōu)選1.0-1.2的聚合物。分子量分布越窄,所得LER(線邊緣粗糙度)越小。特別優(yōu)選的是重均分子量為3000-50000并且分子量分布為1.0-1.2的羥基苯乙烯均聚物。
            通過(guò)上述縮合反應(yīng),酚基被硝基芐基醚化或被硝基芐基碳酸酯化以得到通式(1)或(6)所示的單元結(jié)構(gòu)。
            在上述縮合反應(yīng)中,并非多酚化合物中的所有酚基都可被硝基芐基醚化或被硝基芐基碳酸酯化。分子中的兩個(gè)或更多個(gè)酚基優(yōu)選被硝基芐基醚化或被硝基芐基碳酸酯化,并且硝基芐基醚化度或硝基芐基碳酸酯化度優(yōu)選為10-90%,更優(yōu)選10-50%。比90%更高的硝基芐基醚化程度或硝基芐基碳酸酯化度需要用于形成光刻膠圖案的更大量的曝光,由于較低的極性降低了光刻膠在加工襯底上的粘合性。比10%更低的硝基芐基醚化度降低了光刻膠圖案對(duì)顯影液的抗性。
            縮合反應(yīng)可根據(jù)已知方法進(jìn)行,例如J.Org.Chem.68,9100(2003)中所述方法或J.Am.Chem.Soc,110,301,(1988)中所述方法。
            式(21)所示化合物具體包括以下化合物2-硝基芐醇、2-硝基芐基氯、2-硝基芐基溴、2-甲基-2-硝基芐醇、2-甲基-2-硝基芐基氯、2-甲基-2-硝基芐基溴、3-甲基-2-硝基芐醇、3-甲基-2-硝基芐基氯、3-甲基-2-硝基芐基溴、5-甲基-2-硝基芐醇、5-甲基-2-硝基芐基氯、5-甲基-2-硝基芐基溴、3-氯-2-硝基芐醇、3-氯-2-硝基芐基氯、3-氯-2-硝基芐基溴、4-氯-2-硝基芐醇、4-氯-2-硝基芐基氯、4-氯-2-硝基芐基溴、5-氯-2-硝基芐醇、5-氯-2-硝基芐基氯、5-氯-2-硝基芐基溴、4,5-二甲氧基-2-硝基芐醇、4,5-二甲氧基-2-硝基芐基氯、4,5-二甲氧基-2-硝基芐基溴、5-(3-碘代丙氧基)-2-硝基芐醇、5-(3-碘代丙氧基)-2-硝基芐基氯和5-(3-碘代丙氧基)-2-硝基芐基溴。
            式(22)所示化合物具體包括以下化合物2-硝基芐基甲酸酯、2-硝基芐基氯甲酸酯、2-硝基芐基溴甲酸酯、2-甲基-2-硝基芐基甲酸酯、2-甲基-2-硝基芐基氯甲酸酯、2-甲基-2-硝基芐基溴甲酸酯、3-甲基-2-硝基芐基甲酸酯、3-甲基-2-硝基芐基氯甲酸酯、3-甲基-2-硝基芐基溴甲酸酯、5-甲基-2-硝基芐基甲酸酯、5-甲基-2-硝基芐基氯甲酸酯、5-甲基-2-硝基芐基溴甲酸酯、3-氯-2-硝基芐基甲酸酯、3-氯-2-硝基芐基氯甲酸酯、3-氯-2-硝基芐基溴甲酸酯、4-氯-2-硝基芐基甲酸酯、4-氯-2-硝基芐基氯甲酸酯、4-氯-2-硝基芐基溴甲酸酯、5-氯-2-硝基芐基甲酸酯、5-氯-2-硝基芐基氯甲酸酯、5-氯-2-硝基芐基溴甲酸酯、4,5-二甲氧基-2-硝基芐基甲酸酯、4,5-二甲氧基-2-硝基芐基氯甲酸酯、4,5-二甲氧基-2-硝基芐基溴甲酸酯、5-(3-碘代丙氧基)-2-硝基芐基甲酸酯、5-(3-碘代丙氧基)-2-硝基芐基氯甲酸酯和5-(3-碘代丙氧基)-2-硝基芐基溴甲酸酯。
            高分子多酚化合物例如酚和醛的縮合反應(yīng)產(chǎn)物、酚和酮的縮合產(chǎn)物、乙烯基酚型聚合物例如聚(羥基苯乙烯),以及異丙烯基酚類(lèi)聚合物。
            酮包括丙酮、甲乙酮、二乙基甲酮和二苯甲酮。
            酚包括一元酚例如苯酚、甲酚、二甲酚、乙基苯酚、丙基苯酚、丁基苯酚和苯基苯酚;多元酚例如間苯二酚、鄰苯二酚、對(duì)苯二酚、雙酚A和鄰苯三酚。
            醛包括甲醛、乙醛、苯甲醛和對(duì)苯二甲醛。
            酮包括丙酮、甲乙酮、二乙基甲酮和二苯甲酮。
            酚與醛的縮合反應(yīng)可通過(guò)常規(guī)方法進(jìn)行。酚和醛的縮合反應(yīng)產(chǎn)物例如苯酚-酚醛清漆樹(shù)脂、甲酚-酚醛清漆樹(shù)脂和杯芳烴。通過(guò)使用這種酚醛清漆樹(shù)脂或杯芳烴作為高分子多酚化合物的縮合反應(yīng),其兩個(gè)或更多個(gè)酚羥基的氫原子被上述式(11)或(12)的取代基取代以形成本發(fā)明的酚醛樹(shù)脂清漆或杯芳烴。
            乙烯基酚類(lèi)聚合物選自乙烯基苯酚(羥基苯乙烯)的均聚物及其與可共聚組分的共聚物。可共聚組分包括丙烯酸、甲基丙烯酸、苯乙烯、馬來(lái)酐、馬來(lái)酰亞胺、醋酸乙烯酯和丙烯腈,以及其衍生物。
            異丙烯基酚類(lèi)聚合物選自異丙烯基酚的均聚物及其與可共聚組分的共聚物??晒簿劢M分包括丙烯酸、甲基丙烯酸、苯乙烯、馬來(lái)酐、馬來(lái)酰亞胺、醋酸乙烯酯和丙烯腈,以及其衍生物。
            低分子多酚化合物包括杯芳烴衍生物以及以下式(31)至(36)所示化合物 其中R31為1-4個(gè)碳原子的烷基、苯基或1-萘基;多個(gè)R31可以相同或不同;p為1或更大的整數(shù),q為0或整數(shù),并且p+q≤6。
            其中符號(hào)與式(31)中相同;Z為單鍵、-S-、-O-、-CO-、-COO-、-SO-、-SO2-或-C(R32)2-(其中R32為氫原子、1-6個(gè)碳原子的烷基、2-11個(gè)碳原子的?;?、苯基、或萘基,并且多個(gè)R32可以彼此相同或不同),或下式(33)所示基團(tuán) (其中R31與式(31)中相同;t為0-4的整數(shù))
            其中R31與式(31)中相同,并且R32與式(32)中相同;p、q、r、s、u和v分別為0或更大的整數(shù),并且p+q≤5,r+s≤5,u+v≤5,p+r+u≥1。
            其中R31與式(31)中相同;R32和Z與式(32)中相同;多個(gè)R31彼此相同或不同;多個(gè)R32彼此相同或不同;p、q、r、s、u、v、w和x分別為0或更大的整數(shù),并且p+q≤5,r+s≤5,u+v≤5,w+x≤5,p+r+u+w≥1。
            其中R31與式(31)中相同;R32與式(32)中相同;多個(gè)R31彼此相同或不同;多個(gè)R32彼此相同或不同;p、q、r、s、u、v、w和x分別為0或更大的整數(shù),且p+q≤5,r+s≤5,u+v≤5,w+x≤4,p+r+u+w≥1。
            本發(fā)明感光化合物直接通過(guò)如化學(xué)反應(yīng)式(1)或(2)所示的光化反應(yīng)制備酚羥基、堿增溶基。由此感光化合物作為正抗蝕劑其曝光部分通過(guò)顯影液溶解。
            反應(yīng)式(1)表示硝基芐基苯基醚的光化反應(yīng)過(guò)程,并且反應(yīng)式(2)表示硝基芐基苯基碳酸酯的光化反應(yīng)方法。
            反應(yīng)式(1) 反應(yīng)式(2)
            本發(fā)明感光化合物可以2-50重量%的固體濃度溶于溶劑中以用作感光組合物。感光組合物優(yōu)選使用孔徑約0.1-0.2微米的過(guò)濾器過(guò)濾。
            上述溶劑沒(méi)有具體限制并且可以在可以溶解感光化合物并且不與感光化合物反應(yīng)的溶劑范圍內(nèi)任意選擇。溶劑可為單一溶劑或?yàn)槿軇┗旌衔铩T撊軇┌?、酯、醚酯、酮、酮酯、酰胺、酰胺酯、?nèi)酰胺、內(nèi)酯、烴和鹵代烴。更具體而言,所述溶劑包括乙二醇單烷基醚、二乙二醇二烷基醚、乙二醇單烷基醚乙酸酯、丙二醇單烷基醚乙酸酯、丙二醇單烷基醚、丙二醇二烷基醚、乙酸酯、羥基乙酸酯、乳酸酯、烷氧基乙酸酯、環(huán)狀或非環(huán)酮、乙酰乙酸酯、丙酮酸酯、丙酸酯、N,N-二烷基甲酰胺、N,N-二烷基乙酰胺、N-烷基吡咯烷酮、γ-內(nèi)酯、(鹵代)脂肪烴和鹵代芳香烴。
            更具體的溶劑的實(shí)例如下乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單正丙醚、乙二醇單正丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二正丙醚、二乙二醇二正丁醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單正丙醚乙酸酯、乙酸異丙烯基酯、丙酸異丙烯基酯、甲苯、二甲苯、甲乙酮、環(huán)己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丁酸酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸正丁酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺和N,N-二甲基乙酰胺。
            考慮到安全性,優(yōu)選使用丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、乙基-2-羥基丙酸酯和環(huán)己酮。
            根據(jù)需要,上述溶劑中可含有一種或多種高沸點(diǎn)溶劑。高沸點(diǎn)溶劑包括芐基乙基醚、二正己基醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、丙酮基丙酮、異佛爾酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、芐醇、乙酸芐酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、馬來(lái)酸二乙酯、γ-丁內(nèi)酯、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯和乙二醇單苯醚乙酸酯。
            基于感光化合物的總重量(100份),本發(fā)明感光組合物可含有不超過(guò)0.2重量份,優(yōu)選0.001-0.05份,更優(yōu)選0.003-0.02重量份的表面活性劑。
            表面活性劑包括氟類(lèi)表面活性劑;硅氧烷型表面活性劑;聚氧乙烯烷基醚,例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚和聚氧乙烯油基醚;聚氧乙烯芳基醚,例如聚氧乙烯辛基苯基醚和聚氧乙烯壬基苯基醚;聚氧乙烯二烷基酯,例如聚氧乙烯二月桂酸酯和聚氧乙烯二硬脂酸酯。
            市場(chǎng)上可買(mǎi)到的表面活性劑包括BM-1000和BM-1100(BM ChemieCo.);Megafack F142D、F144D、F171、F172、F173、F177、F178A、F178K、F179、F183、F184和F191(Dainippon Ink&Chemicals Inc.);Florard FC-135、FC-170C、FC-171、FC-176、FC-430和FC-431;Megafack RS-1、RS-7、RS-9、RS-15和R-08(Sumitomo 3M Ltd.);Surflon S-112、S-113、S-131、S-141、S-145、S-382、SC-101、SC-102、SC-103、SC-104、SC-105和SC-106(Asahi Glass Co.);F-Top EF301、EF303和EF 352(Shin Akita Kasei K.K.);SH-28PA、SH-190、SH-193、SZ-6032、SF-8428、DC-57和DC-190(Dow Corning Toray SiliconeCo.);有機(jī)硅氧烷聚合物KP341(Shin-Etsu Chemical Co.);(甲基)丙烯酸酯類(lèi)共聚物Polyflow No.57、No.95(Kyoeisha KagakuK.K.);Ftargent FT-250、FT-251和FTX-218(Neosu K.K.)。
            感光組合物中此外還可包括已知添加劑,例如著色劑、輔助粘合劑、儲(chǔ)存穩(wěn)定劑和消泡劑。
            本發(fā)明感光組合物溶液可通過(guò)已知施加裝置通過(guò)已知方法施加,例如旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)、浸漬涂布機(jī)和輥式涂布機(jī)。根據(jù)其用途,施加的薄膜預(yù)焙燒后通常具有0.01-5微米的厚度。
            感光組合物的襯底材料包括金屬、半導(dǎo)體、玻璃、石英、BN和有機(jī)材料。襯底可涂布有光刻膠、旋壓玻璃(spin-on-glass)材料、有機(jī)物質(zhì)、金屬、氧化物、氮化物等薄膜。
            涂有多種涂層薄膜的襯底例如涂有對(duì)等離子體蝕刻敏感的光刻膠層和抗等離子體蝕刻的另外的光刻膠層的層合體的襯底。優(yōu)選實(shí)例為涂有按此順序形成的對(duì)氧氣干蝕刻敏感的光刻膠下層和抗氧氣等離子體蝕刻的層的襯底。
            下層光刻膠包括熱固化酚樹(shù)脂,但不限于此。
            耐氧氣等離子體層可由SiO2、TiO2或旋壓玻璃材料形成,但不限于此。
            光刻膠下層形成的厚度范圍優(yōu)選為0.01-1微米。耐氧氣等離子體蝕刻層的形成厚度范圍優(yōu)選為0.001-1微米。
            根據(jù)溶劑的沸點(diǎn)或感光組合物的其它性質(zhì),施加的感光組合物涂層宜于在50-150℃、優(yōu)選80-110℃預(yù)焙燒。預(yù)焙燒可通過(guò)熱板、熱風(fēng)干燥器或類(lèi)似加熱方法進(jìn)行。
            為了形成圖像,施加的感光組合物層通過(guò)已知曝光系統(tǒng)、利用掩模選擇性地暴露于成像輻照。曝光的輻照射線包括可見(jiàn)光、紫外線、遠(yuǎn)紫外線、X射線、電子束、γ射線、分子束和離子束。合適地選擇射線。優(yōu)選汞燈束(波長(zhǎng)436納米、365納米、254納米)、KrF受激準(zhǔn)分子激光束(波長(zhǎng)248納米)、ArF受激準(zhǔn)分子激光束(波長(zhǎng)193納米)、F2受激準(zhǔn)分子激光束(波長(zhǎng)157納米)、遠(yuǎn)紫外線束例如極端紫外線束(EUV,波長(zhǎng)13納米)和電子束??墒褂靡环N或多種輻照射線。
            此外,曝光可通過(guò)近場(chǎng)光進(jìn)行,所述近場(chǎng)光通過(guò)具有開(kāi)口寬度小于曝光光源波長(zhǎng)的濾光器(light absorber)的光掩模產(chǎn)生。對(duì)于近場(chǎng)曝光,上述輻照射線可用。輻照還可通過(guò)單一射線或組合的兩種或多種射線進(jìn)行。近場(chǎng)曝光通過(guò)使濾光器接近輻照目標(biāo)進(jìn)行,以使得近場(chǎng)光可到達(dá)輻照目標(biāo)(例如與目標(biāo)緊密接觸)。
            對(duì)于精細(xì)光刻膠圖案,特別優(yōu)選暴露于較短波長(zhǎng)波束,例如ArF受激準(zhǔn)分子激光束、F2受激準(zhǔn)分子激光束、EUV射線、電子束和不受衍射限制影響的近場(chǎng)光。
            如下所述,本發(fā)明感光組合物的光化反應(yīng)與常規(guī)化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠不同。在圖1和2B中,一個(gè)光子可誘發(fā)脫保護(hù)反應(yīng)的區(qū)域定義為光致反應(yīng)點(diǎn)103。在常規(guī)方法中,引入到光刻膠層204的一個(gè)光子hv產(chǎn)生一分子酸,該酸作為催化劑在顯色之前通過(guò)加熱促進(jìn)擴(kuò)散,引發(fā)通過(guò)酸可分解的保護(hù)基保護(hù)的多個(gè)堿增溶基201的脫保護(hù)反應(yīng),以得到多個(gè)堿增溶基102。因此,化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠的一個(gè)光致反應(yīng)點(diǎn)具有約10納米的大小。另一方面在本發(fā)明中,顯色之前的熱處理并非必要,以使一個(gè)光子誘發(fā)在本發(fā)明感光化合物分子中一個(gè)基團(tuán)脫保護(hù)。換句話說(shuō),引入到光刻膠層的一個(gè)光子hv由光可分解的保護(hù)基保護(hù)的一個(gè)堿增溶基101產(chǎn)生一個(gè)游離堿增溶基102。因此,本發(fā)明的光致反應(yīng)點(diǎn)具有分子尺度的大小(0.1-1納米)。這能夠降低光刻膠圖案的LER。
            曝光后,感光光刻膠層的曝光部分(輻照部分)顯影并除去,并且光刻膠被洗滌和干燥以得到想要的光刻膠圖案。
            對(duì)于顯影,含有以下示例化合物的堿性水溶液作為顯影液氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、硅酸鈉、偏硅酸鈉、氨、乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺、甲基二乙胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、吡咯、哌啶、膽堿、1,8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]-7-十一碳烯和1,5-二氮雜雙環(huán)[4.3.0]-5-壬烯。顯影液還可含有適量的水溶性有機(jī)溶劑,例如甲醇和乙醇或表面活性劑。特別優(yōu)選2.38重量%的氫氧化四甲銨水溶液。
            顯影通過(guò)浸漬、噴霧、刷涂、拍打或類(lèi)似方法進(jìn)行。
            在光刻膠圖案薄膜形成在具有下部光刻膠層和以該順序形成在其上的抗氧等離子體層的襯底上的情形,抗氧等離子體層首先通過(guò)上述作為掩模的光刻膠圖案蝕刻。蝕刻可通過(guò)濕蝕刻或干蝕刻進(jìn)行。干蝕刻適于精細(xì)圖案生成并優(yōu)選。濕蝕刻的蝕刻劑根據(jù)蝕刻目的選擇,包括氫氟酸水溶液、氟化銨水溶液、磷酸水溶液、乙酸水溶液、硝酸水溶液和硝酸銨鈰水溶液。干蝕刻的氣體包括CHF3、CF4、C2F6、SF6、CCl4、BCl3、Cl2、HCl、H2和Ar,以及其混合物。
            然后,氧等離子體蝕刻通過(guò)作為掩模的圖案化的抗氧等離子體層進(jìn)行。用于氧等離子體蝕刻的含氧氣體包括單一氧氣、氧氣與惰性氣體例如氬氣的混合物、氧氣與一氧化碳、二氧化碳、氨、一氧化二氮或二氧化硫的混合物。
            通過(guò)上述兩步蝕刻,可以得到具有比通過(guò)曝光和顯影得到的光刻膠圖案更高縱橫比的光刻膠圖案。
            使用上述形成的作為掩模的光刻膠圖案,例如硅、鍺等的半導(dǎo)體襯底的襯底進(jìn)行干蝕刻或濕蝕刻。襯底進(jìn)一步通過(guò)金屬氣相沉積、浮脫、鍍敷等處理以在襯底上形成想要的元件。例如,可以制備如下所示的半導(dǎo)體元件。
            首先設(shè)計(jì)半導(dǎo)體元件電路。然后制備掩模,其具有對(duì)應(yīng)于想要的電路的電路圖。另外制備元件襯底,在其上層壓本發(fā)明感光組合物。
            然后,使用掩模和常規(guī)曝光系統(tǒng)通過(guò)光刻技術(shù)將電路形成在襯底上。形成電路的方法包括氧化物膜形成、蝕刻、絕緣膜形成、導(dǎo)電布線膜形成和圖案形成。然后,具有電路的襯底進(jìn)行安裝過(guò)程(切割和結(jié)合)、包裝等,然后切片。
            實(shí)施例本發(fā)明參考以下實(shí)施例具體說(shuō)明。
            實(shí)施例1感光化合物的合成在100毫升反應(yīng)器中,將4.0克聚(羥基苯乙烯)(PHS)(折算為33.3毫摩爾羥基苯乙烯單體,定義為1.0摩爾當(dāng)量)溶于40毫升N,N-二甲基甲酰胺中。聚(羥基苯乙烯)(PHS)具有4100的重均分子量(Mw)和1.1的分子量分布(Mw/Mn)。
            在室溫(23℃)下向此溶液中加入0.21克氫化鈉(8.75毫摩爾,0.265摩爾當(dāng)量)并將混合物攪拌30分鐘,并在50℃進(jìn)一步攪拌2小時(shí)。
            向此液體懸浮液中一次加入2.15克(7.8毫摩爾,0.235摩爾當(dāng)量)4,5-二甲氧基-2-硝基芐基溴,并將混合物在50℃攪拌1小時(shí)。
            向此溶液中再次加入0.21克氫化鈉(8.75毫摩爾,0.265摩爾當(dāng)量)并將混合物攪拌1小時(shí)。
            然后,向此液體懸浮液中一次加入2.15克(7.8毫摩爾,0.235摩爾當(dāng)量)4,5-二甲氧基-2-硝基芐基溴,并將混合物在50℃攪拌2小時(shí)。
            所得溶液在室溫下無(wú)須加熱攪拌18小時(shí)。
            向此溶液中加入100毫升10%氯化銨水溶液。水相用100毫升乙酸乙酯萃取3次。合并有機(jī)相部分并用100毫升水洗滌8次,用100毫升飽和氯化鈉水溶液洗滌1次。洗滌過(guò)的有機(jī)相通過(guò)無(wú)水硫酸鎂干燥并濃縮。
            向溶液中加入甲苯以沉淀想要的聚合物。除去上清液并向其中再次加入甲苯,聚合物懸浮。保持靜置后,除去上清液。
            將粘稠聚合物溶于80毫升乙酸乙酯。將溶液緩慢滴加到1.2升己烷中。再次沉淀的晶體用己烷洗滌,高真空干燥以得到感光化合物A的淺黃色固體(硝基芐基醚基引入度38%)。
            以下反應(yīng)式(3)說(shuō)明感光化合物A的合成路徑
            其中m和n均為0或更大的整數(shù)。
            通過(guò)與上述感光化合物A的相同合成路徑,通過(guò)改變氫化鈉和4,5-二甲氧基-2-硝基芐基溴的加入量進(jìn)行合成以得到感光化合物。結(jié)果得到感光化合物B(硝基芐基醚基引入度26%)、感光化合物C(硝基芐基醚基引入度20%)和感光化合物D(硝基芐基醚基引入度16%)。
            實(shí)施例2感光組合物的制備感光化合物A-D分別以10重量%的濃度溶于丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)中以得到感光組合物A′-D′。
            感光化合物A-D分別以1.25重量%的濃度溶于PGMEA中以得到感光組合物A″-D″。
            實(shí)施例3感光化合物抗顯影液的評(píng)價(jià)感光化合物A′-D′和在PGMEA中10重量%的PHS溶液(PHS的重均分子量Mw為4100,分子量分布Mw/Mn為1.1)分別通過(guò)旋涂施加到已經(jīng)使用六甲基二硅氮烷(HMDS)處理的Si襯底上。
            然后涂有組合物的襯底在熱板上在90℃加熱90秒,以得到形成在襯底上的感光化合物A-D和聚羥基苯乙烯(PHS)的五個(gè)涂膜。
            將五個(gè)襯底浸于2.38重量%氫氧化四甲銨水溶液中。通過(guò)光譜橢偏儀測(cè)量浸漬前后的膜厚度,以估算溶解到顯影液中的速度(納米/秒)。
            圖3說(shuō)明溶入顯影液的速率與感光化合物中硝基芐基醚引入程度的關(guān)系。感光化合物A(硝基芐基醚引入程度38%)以小于0.001納米/秒的溶解速率溶解,該速率位于圖3之外。
            通常,正光刻膠未曝光部分的顯影速度優(yōu)選不超過(guò)0.1納米/秒。因此,發(fā)現(xiàn)感光組合物A和B(硝基芐基醚引入程度分別為38%和26%)適于作為正光刻膠。
            感光化合物A在顯影劑浸入試驗(yàn)中膜厚度的改變小于光譜橢偏儀的測(cè)定極限,這樣妨礙了顯影速度的測(cè)量。
            實(shí)施例4感光化合物消光系數(shù)的測(cè)量實(shí)施例3中形成的感光化合物A-D涂層的消光系數(shù)通過(guò)光譜橢偏儀測(cè)定。圖4說(shuō)明感光化合物A-D和PHS涂層在200-500納米波長(zhǎng)范圍的消光系數(shù)。發(fā)現(xiàn)感光化合物A-D在420納米以下的波長(zhǎng)范圍吸收光線。
            實(shí)施例5通過(guò)近場(chǎng)曝光形成光刻膠圖案(1)通過(guò)旋涂順序在硅襯底上層合100納米厚的熱固性酚醛樹(shù)脂(AR2455,Rohm&Haas Co.)和20納米厚的旋壓玻璃材料(T-03AS,Honeywell Co.)。
            旋壓玻璃材料層的表面用六甲基二硅氮烷(HMDS)處理。
            如下所述制備了用于比較的感光組合物M。向用于KrF受激準(zhǔn)分子激光曝光的由聚(羥基苯乙烯)組成的100重量份化學(xué)增強(qiáng)的正光刻膠(TDUR-P308EM,Tokyo Ohka Co.)中加入5重量份光酸產(chǎn)生劑(PAG)(CGI1397,Ciba Specialty Chemicals Co.)。將混合物用丙二酸單甲醚乙酸酯(PGMEA)稀釋以得到感光組合物M。
            感光組合物A″或感光組合物M分別通過(guò)旋涂以加熱后20納米的厚度施加在上述制備的襯底上,并在加熱板上在90℃加熱90秒以制備涂有光刻膠的襯底。
            制備了近場(chǎng)曝光用光掩模,其包括50納米厚的作為濾光器的圖案化無(wú)定形硅薄膜和400納米厚的載體氮化硅薄膜(透明襯底),圖案化無(wú)定形硅薄膜具有90納米距離和約30納米空間寬度的線和空間圖案。光掩模具有膜結(jié)構(gòu)濾光器和氮化硅薄膜可以彈性變形以接近(例如接觸)涂有光刻膠的襯底。
            光掩模與涂有光刻膠的襯底相對(duì)放置,以使得濾光器與襯底以50微米的間距平行放置。通過(guò)由透明襯底側(cè)施加壓力,光掩模通過(guò)薄膜變形與涂有光刻膠的襯底直接接觸。
            在這種狀態(tài)下,超高壓汞燈的i-線光(波長(zhǎng)365納米,照度250毫瓦/平方厘米)通過(guò)i-線通帶濾光片(i-line band pass filter)由透明襯底側(cè)投射。由于開(kāi)開(kāi)口寬度約為30納米并且小于投射光的波長(zhǎng),傳播光被截取并且僅僅近場(chǎng)光(波長(zhǎng)365納米)引入到光刻膠膜中與濾光器直接接觸。
            近場(chǎng)光曝光后,涂布了感光組合物A″的涂有光刻膠的襯底立即浸漬在2.38重量%氫氧化四甲銨水溶液中10秒鐘,然后用蒸餾水漂洗20秒以形成距離為90納米的光刻膠圖案。
            另一方面,涂有光刻膠的用感光組合物M涂布的襯底,近場(chǎng)曝光后在110℃的加熱板上加熱90秒,并進(jìn)行如上所述的浸漬和漂洗。
            通過(guò)改變投射光量形成幾種光刻膠圖案。圖5A和圖5B為在各自襯底上最高分辨率的光刻膠圖案的原子力顯微照片(AFM)。圖5A為使用感光組合物M的距離為90納米的光刻膠圖案的原子力顯微照片。圖5B為使用感光組合物A″的距離為90納米的光刻膠圖案的原子力顯微照片。
            如上所述,與感光組合物M相比,感光組合物A″能夠形成具有足夠小LER的光刻膠圖案。
            實(shí)施例6通過(guò)近場(chǎng)曝光形成光刻膠圖案(2)以實(shí)施例5中所述相同的方法制備了膜厚度為20納米或10納米的涂有感光組合物A″的兩個(gè)涂有光刻膠的襯底,以及膜厚度為30納米、20納米或10納米的涂有感光組合物M的三個(gè)涂有光刻膠的襯底。
            除了無(wú)定形濾光器上的圖案具有160納米的距離和約60納米的空間寬度外,使用的光掩模與實(shí)施例5相同。與光掩模緊密附著的涂有光刻膠的襯底曝光于近場(chǎng)光線。
            曝光后,涂有光刻膠的襯底加熱并顯影,以形成160納米距離的光刻膠圖案。
            在各個(gè)涂有光刻膠的襯底上,通過(guò)改變光量形成光刻膠圖案。圖6-圖10為具有各個(gè)圖案最高分辨率的光刻膠圖案的原子力顯微照片。
            如原子力顯微照片中所示,感光化合物M易于在30-10納米的較小膜厚范圍內(nèi)得到較大LER。感光化合物A″即便是在10納米的膜厚也得到較小的LER的光刻膠圖案。
            很可能是由于使用PGMEA稀釋由多組分組成的感光組合物M以得到較小的膜厚引起施加到襯底的組成比例的偏差,感光組合物M在10納米的膜厚得到較大的LER。
            此外,由于通過(guò)周?chē)諝庵写嬖诘膲A組分中和在表面上曝光區(qū)域產(chǎn)生的酸,化學(xué)增強(qiáng)的光刻膠通常已知產(chǎn)生圖案的異常。這種影響在10納米或更低的膜厚變得顯著。
            如上所述,本發(fā)明提供了通過(guò)使用能夠形成具有較小LER的光刻膠圖案的感光組合物形成光刻膠圖案的方法,并且還提供了使用光刻膠圖案制造元件的方法。
            雖然本發(fā)明已經(jīng)根據(jù)示例性實(shí)施方案說(shuō)明,應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明并不限于公開(kāi)的示例性實(shí)施方案。權(quán)利要求的范圍將賦予最廣泛的解釋?zhuān)园ㄋ羞@些改變和等價(jià)結(jié)構(gòu)和功能。
            權(quán)利要求
            1.在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(1)所示結(jié)構(gòu)單元的感光化合物 其中R1為氫原子或烷基;R2、R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)為硝基,其它為選自下組的基團(tuán)氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基和部分或全部氫原子被氟原子取代的烷基;并且R7為取代或未取代的亞苯基或亞萘基。
            2.根據(jù)權(quán)利要求1的感光化合物,其中感光化合物在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(2)所示結(jié)構(gòu)單元 其中R7具有與權(quán)利要求1相同的定義。
            3.根據(jù)權(quán)利要求1的感光化合物,其中感光化合物在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(3)所示結(jié)構(gòu)單元 其中R7具有與權(quán)利要求1相同的定義。
            4.根據(jù)權(quán)利要求1的感光化合物,其中感光化合物在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(4)所示結(jié)構(gòu)單元 其中R7具有與權(quán)利要求1相同的定義。
            5.根據(jù)權(quán)利要求1的感光化合物,其中感光化合物在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(5)所示結(jié)構(gòu)單元 其中R7具有與權(quán)利要求1相同的定義。
            6.在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(6)所示結(jié)構(gòu)單元的感光化合物 其中R1為氫原子或烷基;R2、R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)為硝基,其它為選自下組的基團(tuán)氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基和部分或全部氫原子被氟原子取代的烷基;并且R7為取代或未取代的亞苯基或亞萘基。
            7.根據(jù)權(quán)利要求6的感光化合物,其中感光化合物在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(7)所示結(jié)構(gòu)單元 其中R7具有與權(quán)利要求6相同的定義。
            8.根據(jù)權(quán)利要求6的感光化合物,其中感光化合物在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(8)所示結(jié)構(gòu)單元 其中R7具有與權(quán)利要求6相同的定義。
            9.根據(jù)權(quán)利要求6的感光化合物,其中感光化合物在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(9)所示結(jié)構(gòu)單元 其中R7具有與權(quán)利要求6相同的定義。
            10.根據(jù)權(quán)利要求6的感光化合物,其中感光化合物在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)通式(10)所示結(jié)構(gòu)單元 其中R7具有與權(quán)利要求6相同的定義。
            11.聚(羥基苯乙烯),其中兩個(gè)或更多個(gè)羥基的氫原子被通式(11)或通式(12)所示取代基取代 其中R1為氫原子或烷基;R2、R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)為硝基,并且其它為選自下組的基團(tuán)氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基和部分或全部氫原子被氟原子取代的烷基。
            12.杯芳烴,其中兩個(gè)或更多個(gè)酚羥基的氫原子被通式(11)或通式(12)所示取代基取代 其中R1為氫原子或烷基;R2、R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)為硝基,其它為選自下組的基團(tuán)氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基和部分或全部氫原子被氟原子取代的烷基。
            13.酚醛清漆樹(shù)脂,其中兩個(gè)或更多個(gè)酚羥基的氫原子被通式(11)或通式(12)所示取代基取代 其中R1為氫原子或烷基;R2、R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)為硝基,并且其它為選自下組的基團(tuán)氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基和部分或全部氫原子被氟原子取代的烷基。
            14.包含溶于有機(jī)溶劑中的至少一種權(quán)利要求1-13所述化合物的感光組合物。
            15.形成光刻膠圖案的方法,包括以下步驟在襯底上施加權(quán)利要求14所述感光組合物以形成感光光刻膠層,使用放射線選擇性輻照光刻膠層,和使射線輻照的部分顯影以形成感光光刻膠層圖案。
            16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的形成光刻膠圖案的方法,其中將可通過(guò)等離子體蝕刻除去的光刻膠層和抗等離子體蝕刻的其它光刻膠層層合,感光光刻膠層形成在抗等離子體蝕刻的層上。
            17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的形成光刻膠圖案的方法,其中形成的感光光刻膠層的厚度不超過(guò)20納米。
            18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的形成光刻膠圖案的方法,其中放射線的輻照使用近場(chǎng)光進(jìn)行。
            19.制造元件的方法,其中元件通過(guò)權(quán)利要求15所述的形成光刻膠圖案的方法形成在襯底上。
            全文摘要
            本發(fā)明涉及形成光刻膠圖案的方法,包括以下步驟在襯底上施加含有至少一種溶于有機(jī)溶劑中的感光化合物的感光組合物以形成光刻膠層,感光化合物在分子中具有兩個(gè)或更多個(gè)C
            文檔編號(hào)G03F7/00GK101086618SQ20071011031
            公開(kāi)日2007年12月12日 申請(qǐng)日期2007年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月9日
            發(fā)明者伊藤俊樹(shù), 山口貴子 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社
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