專利名稱：金屬層電路版圖形預修正的方法
技術領域：
本發明涉及一種光學臨近修正方法。
技術背景在先進光刻工藝中，因曝光圖形尺寸的縮小，須對光掩模圖形進行預 先的光學臨近修正，來彌補由光學系統的有限分辨率造成的光學臨近效 應。之前的大尺寸工藝中，直接按照電路設計版圖文件決定的電路版圖形 制作光掩膜圖形。而在尺寸縮小后，通常采用電路設計版圖文件作為光學 臨近修正軟件的輸入文件，對由該電路設計版圖文件決定的電路版圖形 (見圖l，其中外輪廓為金屬層圖形，有填充圖案的方塊區域為引線孔層 圖形)進行光學臨近修正，通過光學模型仿真對圖形進行修正，得到光掩模圖形(見圖2)。但受光學系統有限分辨率的限制，和光學系統高階光 學信號的丟失，使光掩膜圖形中的二維圖形，即相鄰的修正片斷不在同一 直線上，構成角的圖形(可分為內角和外角，內角即拐點朝向圖形內部， 外角即拐點朝向圖形外部)，無法通過光學臨近修正在光刻工藝后得到和 電路版圖形完全相同的圖形，而一維圖形是可以的。如果原有電路版圖形 中金屬層和引線孔層交迭空間不足，光刻工藝后金屬層中二維圖形處的引 線孔會有部分露出而不能被金屬層完全覆蓋(見圖3)，使得最終的金屬 層與孔線層的接觸面積變小，從而影響電路性能。現有技術中，有采用把引線孔的電路版圖形放大，再與金屬層的電路
版圖形做或的布爾運算，得到的圖形作為新的金屬層電路版圖形的方法(見圖4)，來解決光刻后金屬層和引線孔層交迭空間不足的問題。但是，這種方法不光對金屬層電路版圖形中的二維圖形進行擴大，也會使原來的 一維圖形改變成二維圖形，故這樣對原有版圖設計改變較多，會增加修正片斷的數量和二維圖形的數量(見圖5),從而影響光學臨近修正的收斂速 度，增加了運行時間。同時，這種方法修正后得到了光掩模二維圖形大量增 加，也會增加光掩模版的制作時間和制作難度。 發明內容本發明要解決的技術問題是金屬層電路版圖形的預修正方法，其通過 放大金屬層電路版圖形中的二維圖形，增加用光學臨近修正后的掩膜版進 行光刻后的金屬層與引線孔層之間二維交迭空間。為解決上述技術問題，本發明的金屬層電路版圖形的預修正方法，該 金屬層電路版圖形中包括一維圖形和二維圖形，在用光學臨近修正軟件對 金屬層電路版圖形作常規的光學臨近修正步驟之前，將所述的金屬層電路 版圖形中的二維圖形放大。本發明的方法，在不改變金屬層電路版圖形的一維圖形的基礎上，只 對邊緣上有引線孔層圖形的二維圖形進行放大，這樣可盡量小的改變原有 版圖設計，不增加修正片斷的數量和二維圖形的數量，也未影響光學臨近 修正的時間，使光刻后的金屬層與引線孔層之間二維交迭空間變大。同時， 一維圖形的交迭空間如需增大，可用規則式光學修正方法進行放大，放大 量可自由調整。而在原有的引線孔放大的方法中， 一維圖形的放大量必須 與二維圖形的放大量相同。
下面結合附圖與具體實施方式
對本發明作進一步詳細的說明 圖1為金屬層電路版圖形的一實例；圖2為圖1的圖形經常規光學臨近修正后的金屬層光掩膜圖形； 圖3為使用圖2所述的制備光掩膜圖形的光刻模擬； 圖4為常規引線孔放大后的金屬層電路版圖形；圖5為用圖4的圖形經常規光學臨近修正后的光掩膜圖形光刻模擬； 圖6為本發明的方法處理后的金屬層電路版圖形；圖7為圖6中的圖形經光刻臨近修正后的光掩膜圖形光刻模擬。
具體實施方式
本發明的金屬層電路版圖形預修正的方法，用于光學臨近修正軟件對 金屬層電路版圖形作常規的光學臨近修正步驟之前，該金屬層電路版圖形中包括一維圖形和二維圖形，通過將其中的二維圖形放大處理(見圖6)， 以增加實際光刻后金屬層和引線孔層的交迭空間(見圖7)。將金屬層電路版圖中的二維圖形預放大可通過以下操作將與金屬層相鄰的引線孔層的電路版圖形信息輸入光學臨近修正軟件中進行匹配，使 金屬層電路版圖形和弓I線孔層電路版圖形進行疊加，通過光學臨近修正軟 件確定的金屬層電路版圖形中的二維圖形的目標修正片斷(該目標修正片 斷是所有光學臨近修正軟件根據相關光學原理設定的)，向疊加后的電路版圖形內部垂直搜索一定距離，可用d表示(d〈50nm)，如在此距離內找到 所述引線孔層電路版圖形，則將目標修正片斷由原來的位置垂直向圖形外 部移動一定距離，可用t表示(t〈50nm)，如未找到所述引線孔層電路版圖形
則不移動所述修正片斷，從而完成金屬層電路版圖形中的二維圖形的放大。 上述的方法中，還可以用規則式光學修正方法對金屬層電路版圖形中的一維圖形進行放大，即將整個圖形向外部移動一定距離，可用a表示， 這里a —般要小于上述二維圖形向外部移動的距離t。
權利要求
1、一種金屬層電路版圖形預修正的方法，所述金屬層電路版圖形經光學臨近修正后為金屬層光掩膜圖形，該金屬層電路版圖形中包括一維圖形和二維圖形，其特征在于在用光學臨近修正軟件對所述金屬層電路版圖形作常規的光學臨近修正步驟之前，將所述的金屬層電路版圖形中的二維圖形放大。
2、 按照權利要求l所述的方法，其特征在于，所述二維圖形放大方法 為將與所述金屬層相鄰的引線孔層的電路版圖形信息輸入所述光學臨近 修正軟件中進行匹配，使兩層電路版圖形進行疊加，將通過所述光學臨近 修正軟件確定的金屬層電路版圖形中的二維圖形的目標修正片斷向疊加后的電路版圖形內部垂直搜索距離d，距離d小于50nm，如在所述距離內找到 所述引線孔層電路版圖形，則將所述目標修正片斷由原來的位置垂直向圖 形外部移動距離t，距離t小于50nm，如未找到所述引線孔層電路版圖形則不 移動所述修正片斷。
3、 按照權利要求2所述的方法，其特征在于還包括用規則式光學修 正方法對所述金屬層電路版圖形中的一維圖形向圖形外部移動距離a，所述 距離a小于所述距離t。
全文摘要
本發明公開了一種金屬層電路版圖形預修正的方法，該金屬層電路版圖形中包括一維圖形和二維圖形，其特征在于在用光學臨近修正軟件對所述金屬層電路版圖形作常規的光學臨近修正步驟之前，將金屬層電路版圖形中的二維圖形放大。經本發明的方法預修正，最終得到的該金屬層光掩膜圖形光刻后，增加了金屬層與相鄰的引線孔層的交迭空間，同時本發明的方法中修正片斷與常規的光學臨近修正中的修正片斷一致，并未增加太多的光學臨近修正程序運行的時間，可用于所有的金屬層電路版圖形光學臨近修正前的預修正中。
文檔編號G03F1/36GK101398613SQ20071009412
公開日2009年4月1日 申請日期2007年9月29日 優先權日2007年9月29日
發明者芳 魏 申請人:上海華虹Nec電子有限公司