光學鄰近修正方法

文檔序號：2727522閱讀：298來源：國知局

專利名稱：光學鄰近修正方法
技術領域：
本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種光學鄰近修正方法。
技術背景傳統的制備半導體器件的工藝經常采用光刻工藝在半導體襯底上形成預期的圖形。在光刻工藝中，所謂曝光設備的分辨極限是指曝光設備能夠反復地曝光在半導體襯底上最細微的特征圖形。目前，對于最先進的光學曝光設備的分辨極限約為0.05微米，即接近于當前許多IC布線設計的臨界尺寸(CD )。因此曝光機的分辨率會對IC電路的最終大小和密度產生影響。代表最小圖形的尺寸分辨率R的極限通過如下公式(1)反映R:k鋒A ( 1 )1^是與光刻工藝有關的常數；X是曝光的光的波長；NA是曝光系統的數值孔徑。數值孔徑NA越高，分辨率R值越小，即分辨率越高。另一方面，曝光設備的另一重要特點在于其焦深(DOF, Depth-of-Focus)，曝光設備的焦深定義為空間圖像(該空間圖像具有接近其分辨率尺寸的特征圖形)能在焦點內的范圍。在圖形轉移到光刻膠層上的光刻工藝中需要有一最小的DOF。該最小的DOF能充分確保遍布在整個光刻膠層內的圖像保持在焦點內，所以最小DOF范圍通常大于或等于光刻膠層的厚度。焦深由下式(2)表示DOF = k2V(NA)2 (2)k2是與光刻工藝有關的常數。因此數值孔徑NA越大，分辨率iuy、，即分辨率越高。由(2)式看出，由于對工藝窗口的影響，分辨率R不可能僅通過增大數值孔徑NA來縮小，因為曝光設備DOF決定了曝光設備所設定的可用分辨率。例如，若一曝光設備具有分辨率0.4微米特征圖形的能力但具有的DOF小于所需要的能在遍布整個光刻膠層上將此特征圖形進行清晰聚焦的范圍，此種情況下就無法實現所設定的0.4微米的分辨率。可見若能延長曝光設備的DOF范圍，分辨率可得以縮小從而可印制更小的圖形。目前為了增大分辨率R同時不改變NA，主要通過添加輔助圖形，尤其是對于稀疏的線條或者空間來提高等焦距曲線以達到提高分辨率的目的。比如專利號為6983444的美國專利公開了一種光學鄰接修正的掩模版，該發明通過在布局主圖形之間加入第一輔助圖形以及在布局主圖形和第一輔助圖形之間加入第二輔助圖形，所述第一輔助圖形垂直于線狀的布局主圖形，寬度較大。所述第二輔助圖形具有尺寸小于曝光波長的2/5但大于曝光波長的1/4。采用此方法設計的輔助圖形在轉移至半導體襯底上的光刻膠層時候不會被解析出來，但是可以使得稀疏的布局圖形與高密的布局圖形具有相同的布局環境，不但可以增加光刻工藝窗口，也可以提高圖形的對比度。但是，隨著圖形臨界尺寸的縮小逐漸接近光刻設備的分辨率極限，掩模版上的輔助圖形與轉移至掩模版上的圖形的一致性大大降低。下面參照附圖加以說明，參照圖1A給出是德國捷歐公司(JEOL)的JBX30系列曝光機的偏移量與散射條的最小設計尺寸(4x )(注掩模版上所有圖形的尺寸為形成在半導體襯底上的圖形的4x )之間的關系曲線。可以看出，當散射條的最小尺寸大于200nm (4x )以上時，在掩模版上形成的散射條輔助圖形的臨界尺寸與設計的散射條輔助圖形之間的偏移量約為零；但是當散射條設計的最小尺寸小于200nm (4x )時，在掩模版上形成的散射條輔助圖形與設計的散射條輔助圖形之間的偏移量比較大，散射條輔助圖形的最小尺寸越小，偏移量越大，最大可達-48nm。散射條輔助圖形的最小尺寸的偏移可能導致形成在掩模版上的散射條輔助圖形的變形甚至缺失，下面參照附圖加以說明。圖1 B給出設計的布局主圖形與散射條輔助圖形，包括布局主圖形101 a、 101b、 101c、 101d及102，還包括散射條輔助圖形103a、 103b、 104a、 104b、 104c及104d。然后采用德國捷歐公司(正OL)的JBX30系列曝光機將設計的布局主圖形與散射條輔助圖形轉移至掩模版200上，如圖1C所示。掩模版200 上布局主圖形IOI a、 101 b、 101 c、 101 d及102分別與設計的圖1A所示的布局主圖形101a、 101b、 101c、 101d及102相對應;散射條輔助圖形103 a、 104 a、 104 b、 104 c及104 d分別與散射條輔助圖形103a、 104a、 104b、 104c及104d 相對應。可以看出，與"^殳計的矩形的散射條輔助圖形103a、 104a、 104b、 104c 及104d相比，圖形103a、 104 a、 104 b、 104 c及104 d尺寸有所縮小和變形，變形為橢圓形，更為嚴重的是，散射條輔助圖形103b在掩模版上缺失，沒有轉移上去，如圖1C中虛線所示。由于散射條輔助圖形的缺少，容易導致光刻工藝窗口的縮小。參照附圖2給出掩模版上沒有散射條輔助圖形條件下，布局主圖形的臨界尺寸與德國捷歐公司(JEOL)的JBX30系列曝光機的焦距的關系曲線。假設臨界尺寸為65nm，在縱坐標65nm處畫一橫線，與臨界尺寸與焦距的關系曲線相交于兩點，兩點之間的距離即為焦深DOF。可以看出，沒有散射條輔助圖形條件下，焦深DOF為0.15pm，一般的焦深DOF需要為0.25pm，如此小的焦深容易導致非常不穩定的曝光工藝和較差的布局主圖形的解析度。發明內容本發明解決的問題是隨著臨界尺寸越來越小，用于增大膝光工藝窗口而設計的散射條輔助圖形臨界尺寸在小于200nm (4x )以下時，不容易轉移至掩模版上，造成曝光機的焦深減小以及散射條輔助圖形尺寸縮小甚至缺失。為解決上述問題，本發明提供一種光學鄰近修正方法，包括提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條的最小設計尺寸進行修正。所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸范圍為120至200nm。本發明還提供一種掩模版的形成方法，包括提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條的最小設計尺寸進行修正；將布局主圖形及修正后的散射條輔助圖形采用曝光機轉移至掩模版上。所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸范圍為120至200nm。所述曝光機的偏移量為布局主圖形的臨界尺寸的函數。所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者200nm;相應地，所述曝光機偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -2011111或者-1011111;修正后，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。本發明還提供一種圖形化方法，包括提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條的最小設計尺寸進行修正；將布局主圖形及修正后的散射條輔助圖形采用曝光機轉移至掩模版上；提供半導體襯底，在半導體襯底上形成光刻膠層；將掩模版上的布局主圖形轉移至半導體襯底上的光刻膠層上。所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸范圍為120至200nm。所述曝光機的偏移量為布局主圖形的臨界尺寸的函數。所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、180nm或者200nm;相應地，所述曝光機偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -201^1或者-1011111;修正后，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分另'J為170nm、 170nm、 190證、200腿或者210nm。本發明還提供一種掩模版，包括位于掩模版上的布局主圖形；位于布局主圖形的空白處的散射條輔助圖形；所述散射條輔助圖形的最小尺寸為將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量。所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸范圍為120至200nm。所述曝光機的偏移量為布局主圖形的臨界尺寸的函數。所述散射條輔助圖形的最小-沒計尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者200nm;相應地，所述曝光機偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -201 11或者-101 11;經過修正，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。與現有技術相比，本發明具有以下優點本發明通過將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條的最小設計尺寸進行修正，對于因光學鄰近效應造成的散射條輔助圖形的臨界尺寸的縮小進行光學鄰近修正。本發明還通過將散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機的偏移量對散射條的最小設計尺寸進行修正，使得轉移至掩模版上的散射條輔助圖形的尺寸與設計尺寸之間差異減小至零，防止了散射條輔助圖形最小尺寸的縮小甚至缺失，保證了足夠大的曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩定。本發明還對散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機的偏移量進行修正，將設計的圖形包括布局主圖形和散射條輔助圖形轉移至掩模版上，然后以掩模版為掩模，將掩模版上的布局主圖形轉移至半導體襯底上的光刻膠層上，采用本發明的圖形化方法增大了曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩定。

圖1A是曝光機的偏移量與設計的散射條尺寸(4x )之間的關系曲線；圖1B是現有技術設計的布局主圖形與散射條輔助圖形；圖1C是現有技術形成在掩模版上的布局主圖形與散射條輔助圖形；圖2是掩模版上沒有散射條輔助圖形條件下，臨界尺寸與膝光機的焦距的關系曲線；圖3A是本發明的光學鄰近修正方法實施例的對圖1A的散射條輔助圖形修正后結果；圖3B是本發明的掩模版形成方法實施例的采用曝光機轉移至掩模版上的布局主圖形與散射條輔助圖形；圖3C是本發明的掩模版形成方法實施例的散射條輔助圖形的尺寸偏移量與散射條設計尺寸(4x )之間的關系曲線；圖3D是本發明的圖形化方法實施例的半導體襯底以及形成在半導體襯底上的光刻膠層；圖3E是本發明的圖形化方法實施例的轉移至半導體襯底上的光刻膠層上的布局主圖形；圖4是本發明的掩模版上帶有散射條輔助圖形條件下，布局主圖形的臨界尺寸與曝光機的焦距的關系曲線。
具體實施方式
本發明的實質是提供一種光學鄰近修正方法，包括提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過將散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機的偏移量對散射條輔助圖形的最小設計尺寸進行修正。本發明首先提供一種光學鄰近修正方法實施例，包括提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過將散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機的偏移量對散射條輔助圖形的最小設計尺寸進行修正。繼續參照圖1B，為現有技術設計的布局主圖形與散射條輔助圖形，包括布局主圖形101a、 101b、 101c、 101d及102,還包括在相鄰的布局主圖形的間隙中形成的散射條輔助圖形103a、 103b、 104a、 104b、 104c及104d。參照圖3A，是本發明的光學鄰近修正方法實施例的對圖1A的散射條輔助圖形修正后結果。通過將散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機的偏移量對散射條輔助圖形的最小設計尺寸進行修正。修正后，散射條輔助圖形的最小尺寸比最小設計尺寸有所增大。作為本實施例的一個實施方式，本發明設計的散射條輔助圖形的最小尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者 200nm (4x ),根據圖1A的德國捷歐公司(JEOL)的JBX30系列的曝光機的偏移量曲線，偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -20nm或者-10nm，對散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機的偏移量進行修正，修正后散射條輔助圖形的最小尺寸分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。如圖 3A所示，為了便于對照，現有技術設計的散射條輔助圖形以虛線圖示于本實施例的散射條輔助圖形303a、 303b、 304a、 304b、 304c及304d中。圖3A中的布局主圖形101a、 101b、 101c及102與原來設計的布局主圖形一樣，未作改動。基于上述步驟完成本發明的對散射條輔助圖形的光學鄰近修正，本發明通過對設計的散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機的偏移量進行修正，對于因光學鄰近效應造成的散射條輔助圖形的歪曲進行了光學鄰近修正。本發明還提供一種掩模版的形成方法實施例，包括提供布局主圖形；在相鄰的布局主圖形的間隙中形成散射條輔助圖形；將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條輔助圖形的最小尺寸進行修正；將布局主圖形及修正后的散射條輔助圖形采用曝光機轉移至掩模版上。繼續參照1A，為提供的布局主圖形與散射條輔助圖形，包括布局主圖形 101a、 101b、 101c、 101d及102,還包括位于相鄰布局主圖形之間的散射條輔助圖形103a、 103b、 104a、 104b、 104c及104d。繼續參照圖3A，是本發明的光學鄰近修正方法實施例的對圖1A的散射條輔助圖形修正后結果。所述修正為將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條輔助圖形的最小尺寸進行修正。具體內容請見上述對圖3A的描述。參照圖3B，為本發明采用德國捷歐公司(JEOL)的JBX30系列曝光機轉移至掩模版上的布局主圖形與散射條輔助圖形。掩模版400上包括布局主圖形101 a、 101 b、 101 c、 101 d及102與設計的圖3A所示的布局主圖形 101a、 101b、 101c、 101d及102相對應；掩才莫版400上的散射條輔助圖形403a、 403b、 404a、 404b及404c與散射條輔助圖形與設計的圖3A的303a、 303b、 304a、 304b、 304c及304d相對應。可以看出，與設計的矩形的散射條輔助圖形303a、 303b、 304a、 304b及304c相比，散射條輔助圖形403a、 404a、 404b、 404c及404d經過修正的最小尺寸有所縮小，與轉移至掩模版400上的最小尺寸基本一致。同時可以看出，對最小尺寸修正后，形成在掩模版400上的散射條輔助圖形沒有發生變形。本實施例通過將散射條輔助圖形的最小尺寸減去德國捷歐公司(JEOL)的JBX30系列曝光機的偏移量進行修正，使得轉移至掩模版上的散射條輔助圖形的尺寸與設計尺寸之間差異減小至零，阻止散射條輔助圖形最小尺寸的縮小甚至缺失。保證了足夠大的曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩定。圖3C是本發明的掩模版形成方法實施例的散射條輔助圖形的尺寸偏移量與散射條設計尺寸(4x )之間的關系曲線。圖3C中曲線A為形成在掩模版上的散射條輔助圖形與設計的散射條輔助圖形之間的偏移量，曲線B為補償曲線，曲線C為經過補償修正后的散射條輔助圖形的尺寸偏移量，可以看出修正后的形成于掩模版上的散射條輔助圖形的臨界尺寸與原始設計的臨界尺寸之差即偏移量基本為零，防止了散射條輔助圖形最小尺寸的縮小甚至缺失，保證了足夠大的曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩定。基于上述步驟實施后，形成本發明的掩模版，包括位于掩模版上的布局主圖形；位于相鄰的布局主圖形的間隙中的散射條輔助圖形；所述散射條輔助圖形的最小尺寸為根據曝光機的偏移量曲線進行修正過。本發明還提供一種圖形化方法實施例，包括提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條輔助圖形的最小尺寸進行修正；將布局主圖形及修正后的散射條輔助圖形采用曝光機轉移至掩模版上；提供半導體襯底，在半導體襯底上形成光刻膠層；以掩模版為掩模，將掩模版上的布局主圖形轉移至半導體襯底上的光刻膠層上。繼續參照1A，為提供的布局主圖形與散射條輔助圖形，包括布局主圖形 101a、 101b、 101c、 101d及102，還包括位于相鄰布局主圖形之間的散射條輔助圖形103a、 103b、 104a、 104b、 104c及104d。繼續參照圖3A,是本發明根據圖1A對圖3A的散射條輔助圖形修正后結果。所述修正為將散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機的偏移量進行修正。具體內容請參見上述對圖3A的描述。參照圖3B，是本發明的掩^^版形成方法實施例的采用曝光機轉移至掩模版上的布局主圖形與散射條輔助圖形。掩模版400上包括布局主圖形101 a、 101 b、 101 c、 101 d及102與圖3A所示的布局主圖形101a、 101b、 101c、101d及102相對應；掩模版400上的散射條輔助圖形403a、 403b、 404a、 404b 及404c與散射條輔助圖形與圖3A的303a、 303b、 304a、 304b、 304c及304d 相對應。可以看出，與設計的矩形的散射條輔助圖形303a、 303b、 304a、 304b 及304c相比，散射條輔助圖形403a、 404a、 404b、 404c及404d經過修正的最小尺寸有所縮小，與移至掩模版400上的最小尺寸基本一致。同時可以看出，對最小尺寸修正后，形成在掩模版400上的散射條輔助圖形沒有發生變形。本實施例通過將散射條輔助圖形的最小尺寸減去德國捷歐公司(JEOL) 的JBX30系列曝光機的偏移量進行修正，使得轉移至掩模版上的散射條輔助圖形的尺寸與設計尺寸之間差異減小至零，防止了散射條輔助圖形最小尺寸的縮小甚至缺失，保證了足夠大的曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩定。參照圖3D,提供半導體襯底500,在半導體襯底500上形成光刻膠層501, 所述光刻膠層501為通過旋涂方法制備。形成光刻膠層501為本領域技術人員公知技術。參照圖3E，以掩模版為掩模，將掩模版上的布局主圖形轉移至半導體襯底上的光刻膠層501上。光刻膠層501上的布局主圖形包括101 a、 101 b、 101 c、 101 d及102 。所述布局主圖形101 a、 101 b、 101 c、 101 d 及102與掩才莫版上的布局主圖形101 a、 101 b、 101 c、 101 d及102以及設計的布局主圖形101a、 101b、 101c、 101d及102相對應。掩模版上的散射條散射條輔助圖形403a、 403b、 404a、 404b及404c未^皮解析形成在光刻膠層 501上。參照附圖4給出本發明的掩模版上帶有散射條輔助圖形條件下，布局主圖形的臨界尺寸與曝光機的焦距的關系曲線，假設臨界尺寸為65nm,在縱坐標 65nm處畫一橫線，與臨界尺寸與焦距的關系曲線相交于兩點，兩點之間的距離即為焦深DOF,可以看出，沒有散射條輔助圖形條件下，焦深DOF約為 0.25pm，與現有技術的在65nm處的焦深為0.15nm相比，有所增大。本發明通過將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條輔助圖形的最'J、尺寸進行修正，將設計的圖形包括布局主圖形和散射條輔助圖形轉移至掩模版上，然后以掩模版為掩模，將掩模版上的布局主圖形轉移至半導體襯底上的光刻膠層上，采用本發明的圖形化方法增大了曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩定，使得曝光工藝比較穩定，布局主圖形的解析度較高。雖然本發明己以較佳實施例披露如上，但本發明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
權利要求
1. 一種光學鄰近修正方法，其特征在于，包括提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條的最小設計尺寸進行修正。
2. 根據權利要求2所述的光學鄰近修正方法，其特征在于所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸范圍為120至200nm。
3. —種掩;^莫版的形成方法，其特征在于，包括提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條的最小設計尺寸進行修正；將布局主圖形及修正后的散射條輔助圖形采用曝光機轉移至掩模版上。
4. 根據權利要求3所述的掩模版的形成方法，其特征在于所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸范圍為120至200nm。
5. 根據權利要求3所述的掩模版的形成方法，其特征在于所述爆光機的偏移量為布局主圖形的臨界尺寸的函數。
6. 根據權利要求5所述的掩模版的形成方法，其特征在于所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者200nm; 相應地，所述爆光才幾偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -20nm或者-10nm; 修正后，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。
7. —種圖形化方法，其特征在于，包括提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量對散射條的最小設計尺寸進行修正；將布局主圖形及修正后的散射條輔助圖形采用曝光機轉移至掩模版上；提供半導體襯底，在半導體襯底上形成光刻膠層；將掩模版上的布局主圖形轉移至半導體襯底上的光刻膠層上。
8. 根據權利要求7所述的圖形化方法，其特征在于所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸范圍為120至200nm。
9. 根據權利要求7所述的圖形化方法，其特征在于所述曝光機的偏移量為布局主圖形的臨界尺寸的函數。
10. 根據權利要求9所述的圖形化方法，其特征在于所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者200nm;相應地，所述曝光機偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -20nm或者-10nm; 修正后，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。
11. 一種掩模版，包括位于掩^=莫版上的布局主圖形；位于布局主圖形的空白處的散射條輔助圖形；其特征在于，所述散射條輔助圖形的最小尺寸為將散射條輔助圖形的最小設計尺寸減去曝光機的偏移量。
12. 根據權利要求11所述的掩模版，其特征在于所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸范圍為120至200nm。
13. 根據權利要求11所述的掩模版，其特征在于所述曝光機的偏移量為布局主圖形的臨界尺寸的函數。
14. 根據權利要求13所述的掩模版，其特征在于所述散射條輔助圖形的最小設計尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者200nm;相應地，所述曝光機偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -20nm或者-10nm;經過修正，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。
全文摘要
本發明提供一種光學鄰近修正方法，包括提供布局主圖形；在相鄰的布局主圖形的間隙中形成散射條輔助圖形；對散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機的偏移量進行修正。本發明還提供一種掩模版、其形成方法以及圖形化方法。本發明通過對設計的散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機的偏移量進行修正，使得轉移至掩模版上的散射條輔助圖形的尺寸與設計尺寸之間差異減小至零，防止散射條輔助圖形最小尺寸的縮小甚至缺失，保證了足夠大的曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩定。
文檔編號G03F1/36GK101246306SQ20071003744
公開日2008年8月20日申請日期2007年2月12日優先權日2007年2月12日
發明者王謹恒申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司

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