畫素結構及其修補方法

專利名稱：畫素結構及其修補方法
技術領域：
本發明是有關于一種畫素結構及其修補方法，且特別是有關于一種能改善液晶顯示面板的顯示品質的畫素結構及其修補方法。
背景技術：
現今社會多媒體技術相當發達，多半受惠于半導體元件或顯示裝置的進步。就顯示器而言，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的薄膜電晶體液晶顯示器(thin film transistor liquidcrystal display，TFT-LCD)已逐漸成為市場的主流。
一般的薄膜電晶體液晶顯示器主要是由一薄膜電晶體陣列基板、一對向基板以及一夾于兩基板之間的液晶層所構成。其中，薄膜電晶體陣列基板主要包括基板、陣列排列于基板上的薄膜電晶體、畫素電極(pixelelectrode)、掃描線(scan line)與資料線(date line)所構成。一般而言，掃描線與資料線可將信號傳輸至對應的畫素結構。
請同時參閱圖1A與圖1B所示，圖1A繪示現有習知一畫素結構局部示意圖，而圖1B繪示圖1A中沿剖面線A-A’的剖面示意圖。現有習知畫素結構120是制作于一基板110上，此畫素結構120主要包括一薄膜電晶體122、一畫素電極124、一掃描線126與一資料線128，其中薄膜電晶體122電性連接于畫素電極124，而薄膜電晶體122屬于底閘極(bottom gate)的結構。如圖1B中所示，位于基板110上的薄膜電晶體122主要包括一閘極122a、一通道層122b、一源極122c與一汲極122d，其中薄膜電晶體122的汲極122d是通過一接觸窗H與畫素電極124電性連接。由圖1A可知，掃描線126與資料線128可將適當電壓傳輸至薄膜電晶體122，并經由薄膜電晶體122將電壓傳送至畫素電極124。
值得留意的是，由于閘極122a與汲極122d之間有部分重疊，因此在閘極122a與汲極122d之間會形成一寄生電容(parasitic capacitancebetween the gate and the drain)Cgd。在圖1A中，汲極122d與閘極122a之間的重疊區域標示為10。此外，寄生電容Cgd的電容值與重疊區域10的面積成正相關，且寄生電容Cgd會導致電路延遲效應(RC delay)，使充電后的畫素電極124的饋通電壓(feed-th rough voltage)無法達到預定的電壓值。換言之，充電后的畫素電極124所具有的饋通電壓會隨著寄生電容Cgd的電容值而有所改變。
在畫素結構120的制作上，每一閘極122a與汲極122d重疊的面積應為相等。但在制造薄膜電晶體陣列基板時，由于光罩對位上的誤差或機臺震動等其他因素，因此各道光罩的微影制程間都會有所謂的重疊量偏移(overlay shift)產生，而這種重疊量偏移在大尺寸面板的制程中更容易發生。此外，當部份區域上的閘極122a與汲極122d間的重疊量偏移大太時，會使此區域的寄生電容Cgd的電容值與其他區域的寄生電容Cgd的電容值相差過多，以致于各區域的饋通電壓不均勻。如此將會造成局部區域的畫素電極124的饋通電壓未達到預定的電壓值，因而使得采用畫素結構120的液晶顯示面板將容易出現顯示不均(mura)的現象。
此外，在薄膜電晶體陣列基板的制造過程中，部分的畫素結構120難免會產生缺陷而無法正常運作。這些有缺陷的畫素結構120將會造成液晶顯示面板顯示畫面時出現亮點或亮線。

發明內容
有鑒于上述，本發明的目的是在提供一種能改善液晶顯示面板的顯示品質的畫素結構。
本發明的另一目的是提供一種畫素結構的修補方法，以修補有瑕疵的畫素結構。
本發明的再一目的是提供另一種能改善液晶顯示面板的顯示品質的畫素結構。
本發明的又一目的是提供一種畫素結構的修補方法，其可利用于修復上述的另一種畫素結構，以避免液晶顯示面板出現亮點。
本發明的又一目的是提供一種畫素結構的修補方法，其可利用于修復上述的另一種畫素結構，以避免液晶顯示面板出現亮線。
為達上述目的與其他目的，本發明提出一種畫素結構，此畫素結構包括一掃描線、一閘極、一第一介電層、一通道層、一源極、一汲極、一資料線、一第二介電層以及一畫素電極。其中，閘極與掃描線電性連接，且此閘極具有一第一凹口(notch)。第一介電層覆蓋掃描線與閘極。通道層配置于閘極上方的第一介電層上，且此通道層暴露出第一凹口。源極與汲極配置在通道層上，其中部分汲極位于第一凹口上方。資料線配置在第一介電層上且與源極電性連接。第二介電層覆蓋源極、汲極與資料線。畫素電極配置于第二介電層上且與汲極電性連接。
依照本發明一實施例，其中通道層可以是具有一第二凹口，第二凹口位于第一凹口上方且暴露出第一凹口。
依照本發明一實施例，畫素結構更可以包括一共用配線，此共用配線適于電性連接至一共用電壓，且共用配線部份位于畫素電極下方，而此共用配線的另一部份位于資料線下方。
依照本發明一實施例，畫素結構更可以包括一歐姆接觸層，此歐姆接觸層配置于通道層、源極與汲極之間。
本發明提出一種畫素結構的修補方法，適于修補上述的畫素結構，此畫素結構的修補方法包括下列步驟。首先，切斷在第一凹口至畫素電極之間的汲極，以使畫素電極與閘極及源極電性絕緣。接著，連接共用配線與資料線。連接共用配線與畫素電極。然后，切斷共用配線，使資料線與畫素電極電性絕緣于共用電壓。
依照本發明一實施例，其中切斷汲極的方法可以是雷射切割。
依照本發明一實施例，其中連接共用配線與資料線的方法可以是雷射熔接。
依照本發明一實施例，其中連接共用配線與畫素電極的方法可以包括雷射熔接。
依照本發明一實施例，其中切斷共用配線的方法可以包括雷射切割。
本發明再提出一種畫素結構，此畫素結構包括一掃描線、一閘極、一第一介電層、一通道層、一源極、一汲極、一資料線、一第二介電層以及一畫素電極。其中，閘極與掃描線電性連接，且此閘極具有一第一開口。第一介電層覆蓋掃描線與閘極。通道層配置于閘極上方的第一介電層上，且此通道層暴露出第一開口。源極與汲極配置在通道層上，其中部分汲極位于第一開口上方。資料線配置在第一介電層上且與源極電性連接。第二介電層覆蓋源極、汲極與資料線。畫素電極配置于第二介電層上且與汲極電性連接。
依照本發明一實施例，畫素結構更可以包括一共用配線，適于電性連接至一共用電壓，此共用配線部份位于畫素電極下方，且此共用配線的另一部份位于資料線下方。
依照本發明一實施例，其中源極可以是具有一第三凹口，此第三凹口位于第一開口上方，且汲極的一端位于第三凹口中。
依照本發明一實施例，畫素結構更可以包括一延伸線，連接于資料線與源極之間，且延伸線、資料線與源極形成一第三開口。此外，掃描線部份位于第三開口中。
依照本發明一實施例，其中通道層可以是具有一第二開口，第二開口位于第一開口上方且暴露出第一開口。
依照本發明一實施例，畫素結構更可以包括一歐姆接觸層，此歐姆接觸層配置于通道層、源極與汲極之間。
本發明又提出一種畫素結構的修補方法，適于修補上述另一種畫素結構，此畫素結構的修補方法包括下列步驟。首先，切斷閘極與畫素電極之間的汲極，以使畫素電極與閘極及源極電性絕緣。接著，連接共用配線與資料線。連接共用配線與畫素電極。然后，切斷共用配線，使資料線與畫素電極電性絕緣于共用電壓。
依照本發明一實施例，其中切斷汲極的方法可以包括雷射切割。
依照本發明一實施例，其中連接共用配線與資料線的方法可以包括雷射熔接。
依照本發明一實施例，其中連接共用配線與畫素電極的方法可以包括雷射熔接。
依照本發明一實施例，其中切斷共用配線的方法可以包括雷射切割。
本發明另提出一種畫素結構的修補方法，適于修補上述的另一種畫素結構，此畫素修結構的補方法包括在掃描線的兩側切斷資料線，使資料線經由延伸線與源極導通。其中，于掃描線的兩側切斷資料線的方法可以包括雷射切割。
綜上所述，在本發明的畫素結構中，由于閘極具有凹口或開口，且部分汲極位于閘極的凹口或開口中，因此當光罩出現對位誤差而產生重疊量偏移(overlay shift)時，汲極與閘極之間的重疊面積可以保持相同。換言之，在發生重疊量偏移(overlay shift)時，汲極與其下方的閘極間的寄生電容依然保持相同的電容值。當此畫素結構制作成一液晶顯示面板，則液晶顯示面板的顯示不均現象將可獲得改善并具有較佳顯示品質。此外，本發明的畫素結構的修補方法也可以修補有瑕疵的畫素結構，以避免在液晶顯示面板上形成亮點或亮線。
為讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。


圖1A繪示現有習知一畫素結構局部示意圖。
圖1B繪示圖1A中沿剖面線A-A’剖面線的剖面示意圖。
圖2A繪示本發明第一實施例的畫素結構的局部放大圖。
圖2B繪示圖2A中沿剖面線B-B’的剖面示意圖。
圖3A繪示本發明第二實施例的畫素結構的局部放大圖。
圖3B繪示圖3A中沿剖面線C-C’的剖面示意圖。
圖4A繪示本發明第三實施例的畫素結構的局部放大圖。
圖4B繪示圖4A中沿剖面線D-D’的剖面示意圖。
圖5A繪示本發明第四實施例的畫素結構的局部放大圖。
圖5B繪示圖5A中沿剖面線E-E’的剖面示意圖。
10、S10、S20、S30重疊區域
110玻璃基板120、200、300、400、500畫素結構122薄膜電晶體122a、220、320、520閘極122b、240、340、540通道層122c、250、350、550源極122d、260、360汲極124、290畫素電極126、210掃描線128、270資料線H接觸窗220a第一凹口230第一介電層240通道層240a第二凹口280第二介電層Cs共用配線L1、L2、L3、L4、L5、L6切割線m1、m2歐姆接觸層W1、W2、W3、W4熔接點320a第一開口340a第二開口350a第三凹口410延伸線410a第三開口具體實施方式
第一實施例圖2A繪示本發明第一實施例的畫素結構的局部放大圖，而圖2B繪示圖2A中沿剖面線B-B’的剖面示意圖。請同時參閱圖2A與圖2B，本實施例的畫素結構200制作于一基板110上，此基板110例如為一玻璃基板、石英基板或其他適當材料的基板。此畫素結構200包括一掃描線210、一閘極220、一第一介電層230、一通道層240、一源極250、一汲極260、一資料線270、一第二介電層280以及一畫素電極290。以下將就各構件之間的配置關系進行說明。
閘極220與掃描線210電性相連，且閘極220具有一第一凹口220a。第一介電層230覆蓋掃描線210與閘極220。通道層240配置于閘極220上方的第一介電層230上，且通道層240暴露出第一開口220a。源極250與汲極260配置于通道層240上，其中部份汲極260位于第一凹口220a的上方。資料線270配置于第一介電層230上且與源極250電性連接。第二介電層280覆蓋源極250、汲極260以及資料線270。畫素電極290配置于第二介電層280上，且畫素電極290與汲極260電性連接。
承上述，畫素結構200的掃描線210例如為鋁合金導線或是其他適當導體材料所形成的導線。閘極220例如為鉻金屬電極、鋁合金電極或是其他適當導體材料所形成的電極。第一介電層230的材料例如為氮化硅、氮氧化硅或其他適當的材料。通道層240例如為非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(poly silicon)或其他適當材料的膜層。源極250與汲極260例如為鋁合金電極或是其他適當導體材料所形成的電極。資料線270例如為鋁合金導線或是其他適當導體材料所形成的導線。第二介電層280的材料例如為氮化硅、氮氧化硅或其他適當的材料。畫素電極290例如為一透明電極(transmissive electrode)、反射電極(reflective electrode)或是半穿透半反射電極(transflective electrode)，而畫素電極290的材質可為銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、金屬或是其他導電材料。
在本實施例中，畫素結構200的通道層240具有一第二凹口240a，此第二凹口240a位于第一凹口220a的上方且暴露出第一凹口220a。在本實施例中，畫素結構200也可以包括一歐姆接觸層m1，而此歐姆接觸層m1例如為N型摻雜非晶硅(N type doped amorphous silicon)或其他適當材料的膜層，且此歐姆接觸層ml配置于通道層240、源極250與汲極260之間。此外，畫素結構200也可以包括一共用配線Cs，此共用配線Cs施加有一共用電壓(未繪示)，且共用配線Cs例如為鋁合金導線或是其他適當導體材料所形成的導線。此共用配線Cs的一部份位于畫素電極290下方，且共用配線Cs的另一部份位于資料線270下方。
如圖2A中所示，汲極260與閘極220有部份重疊，此重疊區域標示為S10與S20。由于汲極260與閘極220之間有部分重疊，因此在汲極260與閘極220之間會有一寄生電容Cgd的產生。此外，寄生電容Cgd的電容值與重疊區域S10和S20的面積總和成正相關。由于汲極260部份位于閘極220的第一凹口220a中，因此在畫素結構200的制造過程中，即使光罩對位有些許誤差或是機臺有輕微震動，而造成汲極260與閘極220間有重疊量偏移產生。然而，重疊區域S10與S20的面積總和依然可以保持相同。換言之，汲極260與下方閘極220間的寄生電容Cgd依然保持相同的電容值。如此，各區域的電路延遲效應相近，使各畫素電極290充電后的饋通電壓可以大致相同。當此薄膜電晶體陣列基板更進一步制作成液晶顯示面板時，液晶顯示面板的顯示不均現象將可獲得改善。換言之，具有此畫素結構200的液晶顯示面板將具有較佳顯示品值。
若在畫素結構200的制造過程中，畫素結構200因產生某些缺陷而無法正常運作，則具有此畫素結構200的液晶顯示面板可能會出現亮點，此時，可以對于有瑕疵的畫素結構200進行修補。
請繼續參閱圖2A所示，此畫素結構200的修補方法包括下列步驟。首先，切斷位于第一凹口220a至畫素電極290之間的汲極260(即沿著切割線L1切斷汲極260)，使畫素電極290與閘極220及源極250電性絕緣。接著，在熔接點W1與W2分別將共用配線Cs連接至資料線270與畫素電極290。然后，切斷共用配線Cs(即沿著切割線L2切斷共用配線Cs)，因此共用電壓將不會影響資料線270與畫素電極290。
值得注意的是，在畫素結構200的修補方法中，切斷汲極260與共用配線Cs的方法包括雷射切割或其他適當方法，而連接共用配線Cs與資料線270的方法以及連接共用配線Cs與畫素電極290的方法包括雷射熔接或其他適當方法。
第二實施例請參閱圖3A所示，繪示本發明第二實施例的畫素結構的局部放大圖，而圖3B繪示圖3A中沿剖面線C-C’的剖面示意圖。請同時參閱圖3A與圖3B，本實施例的畫素結構300包括一掃描線210、一閘極320、一第一介電層230、一通道層340、一源極350、一汲極360、一資料線270、一第二介電層280以及一畫素電極290。其中，掃描線210、第一介電層230、資料線270、第二介電層280以及畫素電極290與第一實施例中所述相同。閘極320與掃描線210電性連接，且閘極320具有一第一開口320a。通道層340配置于閘極320上方的第一介電層230上，并暴露出第一開口320a。源極350與汲極360配置于通道層340上，其中部份汲極360位于第一開口320a的上方。
在本實施例中，源極350具有一第三凹口350a，此第三凹口350a位于第一開口320a上方，且汲極360的一端位于此第三凹口350a中。通道層240具有一第二開口340a，此第二開口340a位于第一開口320a的上方且暴露出第一開口320a。更詳細而言，第三凹口350a位于第二開口340a上方。此外，畫素結構300還包括一歐姆接觸層m2，此歐姆接觸層m2例如為N型摻雜非晶硅或其他適當材料的膜層，且此歐姆接觸層m2配置于通道層340、源極350與汲極360之間。
值得一提的是，畫素結構300亦包括一共用配線Cs，此共用配線Cs施加有一共用電壓。共用配線Cs的一部份位于畫素電極290下方，而共用配線Cs的另一部份位于資料線270下方。
類似于第一實施例，由于汲極360與閘極320有部分重疊，因此在汲極360與閘極320之間會有一寄生電容Cgd產生。在畫素結構300的制造過程中，若汲極360與閘極220間有重疊量偏移產生，由于部份汲極360是位于閘極320的第一開口320a中，因此重疊區域S30面積依然可以保持相同。由于寄生電容Cgd的電容值與重疊區域S30的面積成正相關，因此在汲極360與閘極220間有重疊量偏移產生的情況下，汲極360與閘極320之間的寄生電容Cgd仍舊可以保持不變。當具有此畫素結構300的薄膜電晶體陣列基板更進一步制作成一液晶顯示面板時，此液晶顯示面板的顯示不均現象將可獲得較大的改善。換言之，應用畫素結構300所制作的液晶顯示面板亦具有較佳顯示品質。
請繼續參閱圖3A，畫素結構300的修補方法類似于上述畫素結構200的修補方法。此畫素結構300的修補方法包括下列步驟。首先，在閘極320至畫素電極290之間切斷汲極360(即沿著切割線L3切斷汲極360)，使畫素電極290與閘極320及源極350電性絕緣。接著，在熔接點W3與W4分別將共用配線Cs連接至資料線270與畫素電極290。然后，切斷共用配線Cs(即沿著切割線L4切斷共用配線Cs)，因此共用電壓(未繪示)將不會輸入至資料線270與畫素電極290中。換言之，共用電壓不會影響到資料線270與畫素電極290。
類似畫素結構200的修補方法，在畫素結構300的修補方法中，切斷汲極360與共用配線Cs的方法包括雷射切割或其他適當方法，而連接共用配線Cs與資料線270的方法以及連接共用配線Cs與畫素電極290的方法包括雷射熔接或其他適當方法。
第三實施例請同時參閱圖4A與圖4B所示，圖4A繪示本發明第三實施例的畫素結構的局部放大圖，而圖4B繪示圖4A中沿剖面線D-D’的剖面示意圖。本實施例的畫素結構400為畫素結構300的變形。不同之處在于畫素結構400更包括一延伸線410，此延伸線410連接于資料線270與源極350之間。延伸線410的材料例如與資料線270或源極350相同，且延伸線410、資料線270以及源極350形成一第三開口410a。此外，掃描線210部分位于此第三開口410a中。
本實施例的畫素結構400的優點以及修補方法與第二實施例所述相同，在此不再贅述。然而，對于畫素結構400，本實施例提出另一種修補方法，利用此種修補方法，可用以修復資料線270的在掃描線210上方的斷線瑕疵以及修復資料線270與掃描線210短路的缺陷。以下將說明此種修補方法。
一般而言，資料線270在跨過掃描線210上方的位置處常因為坡度太陡而造成資料線270斷線。此種資料線270斷線即稱為爬坡斷線(an opensource line caused on the taper of the gate line)。此外，在畫素結構400的制造過程中，也可能會有異物掉落而造成資料線270與掃描線210短路。當爬坡斷線發生或是資料線270與掃描線210之間產生短路，可在掃描線210的兩側切斷資料線270(即沿著切割線L5、L6切斷資料線270)，以使資料線270經由延伸線410以及源極350而導通。此外，于掃描線210的兩側切斷資料線270的方法包括雷射切割或其他適當方法。
第四實施例請同時參閱圖5A與圖5B所示，圖5A繪示本發明第四實施例的畫素結構的局部放大圖，而圖5B繪示圖5A中沿剖面線E-E’的剖面示意圖。本實施例的畫素結構500為畫素結構300的變形。不同之處在于部分源極550未覆蓋閘極510。如此的設計可減小源極550與閘極510間的寄生電容Csd，降低驅動畫素結構500時的信號失真。
本實施例的畫素結構500的優點以及修補方法與第二實施例所述相同，在此不再贅述。
綜上所述，在本發明的畫素結構與畫素結構的修補方法至少具有下列優點一、由于部分汲極位于閘極的凹口或開口中，因此在畫素結構的制造過程中，即使光罩對位有些許誤差或是機臺有輕微震動，而造成汲極與閘極間有重疊量偏移產生。然而，汲極與閘極之間的重疊面積總和依然可以保持相同。換言之，各汲極與其下方的閘極間的寄生電容Cgd依然保持相同的電容值。如此，各區域的電路延遲效應相近，使各畫素電極充電后的饋通電壓可以大致相同。
二、本發明的畫素結構的修補方法可將修補有瑕疵的畫素結構，以避免在液晶顯示面板上形成亮點或亮線。如此可提高液晶顯示面板的零輝點率，進而降低液晶顯示面板的生產成本。
三、本發明的畫素結構的制作與畫素結構的修補方法與現行制程相容，除了變更其中數道光罩的設計以外，不需添購額外的制程設備。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視前述的申請專利范圍所界定的技術方案為準。
權利要求
1.一種畫素結構，其特征在于其包括一掃描線；一閘極，與該掃描線電性連接，且該閘極具有一第一凹口；一第一介電層，覆蓋該掃描線與該閘極；一通道層，配置于該閘極上方的該第一介電層上，且該通道層暴露出該第一凹口；一源極與一汲極，配置在該通道層上，其中部分該汲極位于該第一凹口上方；一資料線，配置在該第一介電層上，且與該源極電性連接；一第二介電層，覆蓋該源極、該汲極與該資料線；以及一畫素電極，配置于該第二介電層上，且與該汲極電性連接。
2.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于其中所述的通道層具有一第二凹口，該第二凹口位于該第一凹口上方且暴露出該第一凹口。
3.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于其進一步包括一共用配線，適于電性連接至一共用電壓，該共用配線部份位于該畫素電極下方，且該共用配線的另一部份位于該資料線下方。
4.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于其進一步包括一歐姆接觸層，配置于該通道層、該源極與該汲極之間。
5.一種畫素結構，其特征在于其包括一掃描線；一閘極，與該掃描線電性連接，且該閘極具有一第一開口；一第一介電層，覆蓋該掃描線與該閘極；一通道層，配置于該閘極上方的該第一介電層上，且該通道層暴露出該第一開口；一源極與一汲極，配置在該通道層上，其中部分該汲極位于該第一開口上方；一資料線，配置在該第一介電層上，且與該源極電性連接；一第二介電層，覆蓋該源極、該汲極與該資料線；以及一畫素電極，配置于該第二介電層上，且與該汲極電性連接。
6.根據權利要求5所述的畫素結構，其特征在于其進一步包括一共用配線，適于電性連接至一共用電壓，該共用配線部份位于該畫素電極下方，且該共用配線的另一部份位于該資料線下方。
7.根據權利要求5所述的畫素結構，其特征在于其中所述的源極具有一第三凹口，該第三凹口位于該第一開口上方，且該汲極的一端位于該第三凹口中。
8.根據權利要求7所述的畫素結構，其特征在于其進一步包括一延伸線，連接于該資料線與該源極之間，該延伸線、該資料線與該源極形成一第三開口。
9.根據權利要求8所述的畫素結構，其特征在于其中所述的掃描線部份位于該第三開口中。
10.根據權利要求5所述的畫素結構，其特征在于其中所述的通道層具有一第二開口，該第二開口位于該第一開口上方且暴露出該第一開口。
11.根據權利要求5所述的畫素結構，其特征在于其進一步包括一歐姆接觸層，配置于該通道層、該源極與該汲極之間。
12.一種畫素結構的修補方法，適于修補如權利要求3所述的畫素結構，其特征在于其中所述的畫素修補方法包括在該第一凹口至該畫素電極之間切斷該汲極，以使該畫素電極與該閘極及該源極電性絕緣；連接該共用配線與該資料線；連接該共用配線與該畫素電極；以及切斷該共用配線，使該資料線與該畫素電極電性絕緣于該共用電壓。
13.根據權利要求12所述的修補方法，其特征在于其中切斷該汲極的方法包括雷射切割。
14.根據權利要求12所述的修補方法，其特征在于其中連接該共用配線與該資料線的方法包括雷射熔接。
15.根據權利要求12所述的修補方法，其特征在于其中連接該共用配線與該畫素電極的方法包括雷射熔接。
16.根據權利要求12所述的修補方法，其特征在于其中切斷該共用配線的方法包括雷射切割。
17.一種畫素結構的修補方法，適于修補權利要求6所述的畫素結構，其特征在于其中所述的畫素修補方法包括在該閘極與該畫素電極之間切斷該汲極，以使該畫素電極與該閘極及該源極電性絕緣；連接該共用配線與該資料線；連接該共用配線與該畫素電極；以及切斷該共用配線，使該資料線與該畫素電極電性絕緣于該共用電壓。
18.根據權利要求17所述的修補方法，其特征在于其中切斷該汲極的方法包括雷射切割。
19.根據權利要求17所述的修補方法，其特征在于其中連接該共用配線與該資料線的方法包括雷射熔接。
20.根據權利要求17所述的修補方法，其特征在于其中連接該共用配線與該畫素電極的方法包括雷射熔接。
21.根據權利要求17所述的修補方法，其特征在于其中切斷該共用配線的方法包括雷射切割。
22.一種畫素結構的修補方法，適于修補權利要求9所述的畫素結構，其特征在于其中所述的畫素修補方法包括在該掃描線的兩側切斷該資料線，使該資料線經由該延伸線與該源極導通。
23.根據權利要求22所述的修補方法，其特征在于其中于該掃描線的兩側切斷該資料線的方法包括雷射切割。
全文摘要
一種畫素結構，此種畫素結構包括一掃描線、一閘極、一第一介電層、一通道層、一源極、一汲極、一資料線、一第二介電層以及一畫素電極。其中，閘極與掃描線電性連接且具有一第一凹口。第一介電層覆蓋掃描線與閘極。通道層配置于閘極上方的第一介電層上，且此通道層暴露出第一凹口。源極與汲極配置在通道層上，其中部分汲極位于第一凹口上方。資料線配置在第一介電層上且與源極電性連接。第二介電層覆蓋源極、汲極與資料線。畫素電極配置于第二介電層上且與汲極電性連接。
文檔編號G02F1/13GK101059630SQ200610076739
公開日2007年10月24日 申請日期2006年4月18日 優先權日2006年4月18日
發明者王明宗, 張明瑄, 柳智忠, 戴孟杰 申請人:中華映管股份有限公司