專利名稱：由印刷圖案進行印刷的方法及印刷該印刷圖案的生產設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種通過使用印刷圖案來印刷的方法和用于印刷該印刷圖案的生產設備，特別涉及一種制造液晶顯示(之后稱作LCD)設備的方法及其生產設備。
背景技術：
作為視聽(AV)機器和辦公自動化(OA)機器的顯示設備，LCD設備由于其薄厚度、輕重量、低消電等優點已經被廣泛地使用。
在LCD中，使用薄膜晶體管(TFT)作為開關元件的有源矩陣LCD已經被廣泛使用。
該有源矩陣LCD包括用于顯示信息的液晶面板、用于將光照射到液晶面板的背表面上的背光單元、用于支承并固定背光單元的背光底盤。液晶面板具有下述構造，該構造包括在其上以矩陣形式排列有諸如TFT的開關元件的有源矩陣基板(之后稱作TFT基板)、在其上形成有濾色器等的濾色器基板、以及夾在TFT基板與濾色器基板之間的液晶。
需要幾個工藝來形成上述的TFT基板。例如，除了在透明絕緣基板上形成柵極線、經由柵絕緣膜形成諸如無定形硅的半透明(translucent)半導體層、以及形成源極/漏極線的工藝之外，還需要在鈍化膜中形成接觸孔、形成像素電極等的工藝。
這里，為了減小LCD的最初成本，減小生產工時和提高產出百分比是很重要的，這是因為對每個上面的工藝都要進行抗蝕劑圖案形成。因此，為了減小生產工時，減小抗蝕劑圖案形成所需的生產工時數量是有效的。
通常，通過進行使用光致抗蝕劑和光掩模的曝光處理和顯影處理來形成該抗蝕劑圖案。然而，通過使用光致抗蝕劑和光刻方法來形成圖案的方法需要大量的生產工時，因此制造成本變得較高。因此，提出了能通過減少工藝數量來減小最初生產成本的印刷方法的簡化方法。
例如，日本公開未審申請No.2004-214593(第5-7頁，圖1)、日本公開未審申請No.2004-212985(第6-9頁，圖1)和日本公開未審申請No.2004-46144(第7-10頁，圖1)中分別公開了這些簡化的工藝。在公開的工藝中，將抗蝕劑涂布到印刷版(cliché)的上部，在所述印刷版中在與要在基板上形成圖案的位置對應的位置中形成有凹槽，從而將抗蝕劑填充到凹槽內部，然后將抗蝕劑轉印到在印刷版表面上旋轉的印刷輥上。之后，通過使轉印到印刷輥的表面上的抗蝕劑與形成在基板上的蝕刻目標層的表面接觸，來將抗蝕劑再次轉印到形成在基板上的蝕刻目標層。
通過使用上述的印刷方法，減小最初成本是可能的，因為與使用光刻方法的情形相比減小了工藝數量。然而，在該印刷方法中，當將抗蝕劑填充進凹槽時，不希望的抗蝕劑會殘留在印刷版的表面上，且當轉印抗蝕劑時，各片抗蝕劑會散開。因而，抗蝕劑容易粘附到除了要形成圖案的正確區域之外的區域，并且在其中不包括光刻方法中包含的顯影處理(等價于抗蝕劑蝕刻)。因此，粘附到除了正確區域之外的區域的抗蝕劑不能被去除，通過之后的蝕刻粘附的抗蝕劑下部中的底膜殘留下來。結果存在如下問題易于引起諸如線短路、由殘余的圖案導致的點缺陷等缺欠。
具體地說，如圖1A中所示，在透明絕緣基板1上形成要蝕刻的蝕刻膜2。如果通過該印刷方法在蝕刻膜2上形成抗蝕劑3，在一些情形中，粘附到除了要形成圖案的正確區域之外的區域的抗蝕劑4會殘留下來。如圖1B中所示，如果當粘附的抗蝕劑4殘留在其上時進行蝕刻，則在粘附的抗蝕劑4的下部中的蝕刻膜2作為殘余物2a保留下來，而沒有被蝕刻。該殘余物2a導致了一個問題，即引起例如線短路或點缺陷的缺欠，從而降低生產百分比。
發明內容
鑒于前面的問題進行了本發明。因此，本發明的目的是提供一種使用印刷圖案的處理方法和用于印刷該印刷圖案的生產設備，特別提供一種抑制了缺欠的產生的制造液晶面板的方法及其生產設備。
為了實現上面的目的，在一個方面中，本發明涉及一種處理方法，該方法至少包括印刷工藝，通過使用印刷方法在基板上形成的蝕刻膜上形成由抗蝕成分制成的印刷圖案；減薄工藝，通過干蝕刻或濕蝕刻來減薄印刷圖案；以及蝕刻工藝，通過使用減薄的印刷圖案作為掩模來蝕刻蝕刻膜。
在本發明中，抗蝕成分是光敏抗蝕劑或非光敏抗蝕劑。
在另一個方面中，本發明涉及一種處理方法，該方法至少包括印刷工藝，通過使用印刷方法在基板上形成由包含導電顆粒的導電成分制成的印刷圖案；以及減薄工藝，通過干蝕刻或濕蝕刻來減薄印刷圖案。
在另一個方面中，本發明涉及一種構造，其包括烘焙工藝，用于在至少印刷工藝與減薄工藝之間或者在減薄工藝之后，給印刷圖案加熱。
在另一個方面中，本發明涉及一種構造，其包括在粘附到除了形成印刷圖案的區域之外的區域的抗蝕成分或導電成分能夠被去除、或者被減小尺寸的條件下，來執行減薄工藝。
在另一個方面中，本發明涉及干蝕刻和濕蝕刻，其分別優選地包括等離子體灰化和顯影處理。
在另一個方面中，本發明涉及一種通過使用上述方法中的至少一個方法來制造液晶顯示設備或有機EL顯示設備的方法。
在另一個方面中，本發明涉及生產設備，其中在基板上形成由包含抗蝕成分或導電顆粒的導電成分制成的印刷圖案，該設備包括通過干蝕刻或濕蝕刻來減薄印刷圖案的減薄處理裝置。
在另一個方面中，本發明涉及一種用于給印刷圖案加熱的烘焙裝置。
因而，根據本發明的構造，可有效去除粘附到不希望區域上的抗蝕成分或導電成分，或者減小其尺寸，由此抑制了諸如線短路、由殘余圖案導致的點缺陷等缺欠。
如上所述，在本發明中，因為在通過使用諸如抗蝕劑的抗蝕成分來形成印刷圖案之后以及在通過使用印刷圖案作為掩模進行蝕刻工藝之前，添加了用于減薄抗蝕成分的減薄處理，諸如等離子體灰化或顯影處理，所以可以去除抗蝕成分或減小其尺寸，從而即使當抗蝕成分粘附到不希望的區域時，蝕刻膜也可完全從粘附的抗蝕成分的下部去除，或減小其尺寸。
此外，因為在通過使用包含導電顆粒的導電成分來形成印刷圖案之后添加了用于減薄導電成分的減薄處理，如等離子體灰化或顯影處理，所以即使當導電成分粘附到不希望的區域時，粘附的導電成分也可被去除，或減小其尺寸。
根據本發明，抑制了諸如線短路、由殘余圖案產生的點缺陷等缺欠，同時實現了減小生產工時數量并提高了產出百分比。
現在將參照附圖，以舉例的方式來描述本發明，其中圖1A是工藝的橫截面圖，示出了使用常規印刷圖案的處理方法；圖1B是工藝的橫截面圖，示出了使用常規印刷圖案的、圖1A之后的處理方法；圖1C是工藝的橫截面圖，示出了使用常規印刷圖案的、圖1B之后的處理方法；圖2A是工藝的橫截面圖，示出了使用根據本發明實施例的印刷圖案的處理方法；圖2B是工藝的橫截面圖，示出了使用根據本發明實施例的印刷圖案的、圖2A之后的處理方法；圖2C是工藝的橫截面圖，示出了使用根據本發明實施例的印刷圖案的、圖2B之后的處理方法；圖2D是工藝的橫截面圖，示出了使用根據本發明實施例的印刷圖案的、圖2C之后的處理方法；圖3是示出了根據本發明第一實施例制造TFT基板的方法的工藝的橫截面圖；圖4是示出了根據本發明第一實施例制造TFT基板的方法的工藝的橫截面圖；圖5是示出了根據本發明第一實施例制造TFT基板的方法的工藝的橫截面圖；圖6是示出了根據本發明第一實施例制造TFT基板的方法的工藝的橫截面圖；圖7是示出了根據本發明第一實施例制造TFT基板的方法的工藝的橫截面圖；
圖8是示出了根據本發明第一實施例制造TFT基板的方法的工藝的橫截面圖；圖9是示出了根據本發明第一實施例制造TFT基板的方法的工藝的橫截面圖；圖10是示出了根據本發明第一實施例制造TFT基板的方法的工藝的橫截面圖；以及圖11是示出了根據本發明第二實施例的包含減薄處理單元的印刷設備的構造圖。
具體實施例方式
現在將參照說明性的實施例在此描述本發明。本領域技術人員將認識到，使用本發明的講述可以完成許多可選實施例，并且本發明不限于為解釋目的而說明的實施例。
首先，在本發明中，在蝕刻膜上形成印刷圖案，諸如抗蝕劑圖案。接下來，在通過使用印刷圖案作為掩模進行諸如蝕刻的處理之前，通過使用干蝕刻(例如，等離子體灰化)或者濕蝕刻(例如，顯影處理)進行減薄處理，以使抗蝕劑在其厚度方向上減薄。因此，基本上減小了在使用印刷方法時導致的缺欠。
具體地說，如圖2A中所示，通過濺射方法淀積具有大約140nm厚度的鉻(Cr)作為蝕刻膜2。接下來，通過諸如膠印(off-set printing)或噴墨印刷的印刷方法來印刷具有2μm厚度的抗蝕劑3。此時，如上所述，當轉印抗蝕劑時，印刷方法容易使抗蝕劑粘附到不希望的區域上，由此在后面的工藝中產生缺欠。
因此，如圖2B中所示，在印刷抗蝕劑之后，通過進行由等離子體灰化、顯影處理、或其他蝕刻方法將抗蝕劑減薄的處理來去除粘附的抗蝕劑4。該抗蝕劑減薄處理的條件(時間、溫度、處理的類型)沒有特別限制。就是說，各條件僅需能使粘附的抗蝕劑4在后面的工藝中不會導致問題即可，且各條件可根據抗蝕劑4的尺寸、抗蝕劑3的厚度等來適當設定。此外，抗蝕劑3可以是光刻工藝中使用的光致抗蝕劑(對光、紫外線、電子射線等敏感的抗蝕劑，統稱作光致抗蝕劑)。此外，代替所述抗蝕劑，還可使用除了光敏劑的抗蝕劑(之后稱作非光敏抗蝕劑)以及其他成分，如能通過印刷方法印刷的、對后面的工藝有抵抗性的、且能通過干蝕刻或濕蝕刻去除的樹脂。
接下來，如圖2C中所示，在通過使用干蝕刻或濕蝕刻去除暴露的蝕刻膜2之后去除抗蝕劑3。因而，如圖2D中所示，能夠形成優選的圖案，在該圖案中去除了應被蝕刻掉的原始區域中的蝕刻膜2。
應注意到，上述工藝僅僅是例子，根據情況可以在減薄處理之前或在蝕刻掉蝕刻膜2之前進行烘焙處理。
(本發明的第一典型實施例)為了進一步詳細地描述本發明上面的實施例，將參照圖3到9描述根據本發明的制造液晶面板的方法。圖3到9是示出了制造LCD的TFT基板的工藝的橫截面圖，其中應用了根據本發明的減薄處理。在本實施例中應注意到，描述了將根據本發明的減薄處理應用于LCD的TFT基板的制造方法的情形，但根據本發明的減薄處理可以應用于包括如下工藝的任何制造方法，該工藝中由印刷方法形成的印刷圖案用于蝕刻。
LCD的TFT基板一般設置有在預定方向上延伸的多條柵極線、和經由柵絕緣膜在基本與柵極線垂直的方向上延伸的多條漏極線。此外，LCD的TFT基板設置有構造在柵極線和漏極線的交點附近的TFT、和經由形成在鈍化膜中的接觸孔與TFT的源極線相連的像素電極。下面將通過參照圖3到9給出制造TFT基板的方法的詳細描述。
圖3是示出了形成柵極線的工藝的橫截面圖。根據圖3，在由玻璃、塑料等制成的透明絕緣基板10上，通過濺射方法布置要成為具有大約200nm厚度的柵極線11的金屬，如Cr。之后，通過印刷方法形成抗蝕劑，并烘焙，隨后通過圖2B中所示的減薄處理去除或在尺寸上減小粘附到除柵極線11之外的區域的抗蝕劑。接下來，通過濕蝕刻或干蝕刻來蝕刻掉暴露的Cr，并去除抗蝕劑，由此形成柵極線11。應注意到，柵極線11還可通過印刷包含導電金屬顆粒的膠體并在對該膠體進行本發明的減薄處理之后烘焙該膠體而形成。此外，從對基板的粘附性、可加工性和可靠性的的觀點看，適宜的抗蝕劑是用于光刻工藝的光致抗蝕劑，此外除了光敏劑之外的抗蝕劑在價格方面有優勢。此外，減薄的抗蝕劑的厚度優選為印刷厚度的80％或更小。如果去除抗蝕劑超過上面的百分比，則經常導致圖案破裂，由此最佳值是在50％附近。
圖4是示出了用于形成通過濺射方法或化學氣相淀積(CVD)方法布置的柵絕緣膜的工藝的橫截面圖，該柵絕緣膜具有大約100nm厚度的氧化硅和大約400nm厚度的氮化硅(SiN)。
圖5是示出了用于形成半導體層的工藝的橫截面圖。首先，通過低壓(LP)-CVD方法在柵絕緣膜上布置具有大約250nm厚度的無定形硅(之后稱作a-Si)13。類似地，通過LP-CVP方法布置具有50nm厚度的n+a-Si 14。應注意到，通常，在相同的設備中連續布置作為柵絕緣膜的一部分的SiN、a-Si 13和n+a-Si 14。
圖6是示出了用于形成半導體層的圖案的工藝的橫截面圖。首先，通過使用印刷方法來印刷抗蝕劑15，并執行圖2B中所示的減薄處理，從而去除粘附到不希望區域上的抗蝕劑或減小它們的尺寸。接下來，通過反應離子蝕刻(RIE)來蝕刻掉暴露的a-Si 13/n+a-Si 14，并通過去除抗蝕劑來形成島狀半導體層。應注意到，與形成柵極線的工藝類似，在能夠使用非光敏抗蝕劑時，可以使用用于光刻工藝的光致抗蝕劑。換句話說，減薄的抗蝕劑的優選厚度為印刷厚度的80％或更小，并優選在50％附近。
圖7是示出了用于形成源極/漏極線(之后稱作S/D線)的工藝的橫截面圖。通過濺射方法把作為S/D線的金屬，諸如Cr，布置成具有大約140nm的厚度，并通過印刷方法形成具有大約2μm厚度的抗蝕劑。在烘焙抗蝕劑之后，通過抗蝕劑減薄處理去除或在尺寸上減小粘附到不希望區域上的抗蝕劑，從而使殘余抗蝕劑為大約1μm。再次烘焙抗蝕劑后，通過濕蝕刻或干蝕刻以去除抗蝕劑，來蝕刻暴露的Cr，由此形成S/D線16。
圖8是示出了通過使用S/D線16作為掩模來蝕刻大約130nm的n+a-Si的溝道蝕刻的工藝的橫截面圖。該蝕刻可通過RIE方法進行，但從TFT特性的觀點看更優選等離子體CVD。
圖9是示出了用于形成接觸孔的工藝的橫截面圖。在通過濺射方法或CVD方法將具有大約200nm厚度的SiN形成為鈍化膜18后，通過印刷方法來印刷抗蝕劑20。再次烘焙抗蝕劑之前，執行圖2B中所示的抗蝕劑減薄處理，從而去除粘附到不希望區域上的抗蝕劑，或減小其尺寸。然后，通過濕蝕刻和RIE方法形成與源極線連接的接觸孔19。應注意到，鈍化膜18可以是諸如丙稀的有機膜，或具有無機膜和有機膜的層疊結構。此外，因為在形成接觸孔19的工藝期間經常殘留抗蝕劑，所以可通過使用光致抗蝕劑和光掩模的一般光刻工藝來形成接觸孔19，該情形中印刷機的單件產品生產時間(tact time)較長。
圖10是示出了形成像素電極的工藝的橫截面圖。通過濺射方法將具有大約40nm厚度的ITO膜布置為像素電極20，并通過印刷方法印刷抗蝕劑。在烘焙抗蝕劑后，通過圖2B中所示的減薄處理去除或在尺寸上減小粘附到不希望區域的抗蝕劑。然后再次烘焙抗蝕劑，并使像素電極20經過濕蝕刻。因為形成像素電極20的該工藝經常殘留抗蝕劑，所以與用于形成接觸孔19的工藝類似，可通過使用光致抗蝕劑和光掩模的一般光刻工藝來形成像素電極20。
在印刷取向膜后，將通過上述方法完成的TFT基板與形成有密封劑和間隔器的區域的濾色器基板粘結。在向其注入液晶后，將孔密封，并粘附諸如偏振板的光學膜，從而完成液晶顯示面板。此外，在TFT基板上形成有濾色器的情形中，代替濾色器基板，將形成有透明電極的對向基板與COT基板粘結。
這樣，對于諸如蝕刻的工藝需要重復形成抗蝕劑的情形中，通過由印刷方法形成抗蝕劑可減小工藝數量。此外，在印刷抗蝕劑后，通過執行減薄處理，可去除粘附到不希望區域的抗蝕劑或將尺寸減小到不產生問題的范圍。此外，在通過包括導電金屬顆粒的膠體形成線圖案的情形中，膠體也通過印刷方法形成，并進行減薄處理，從而去除粘附到不希望區域的抗蝕劑或將其尺寸減小到不產生問題的范圍。換句話說，根據這些效果，可抑制缺欠的產生，從而提高產出百分比。
應注意到，盡管在上面的描述中，將減薄處理應用于通過使用印刷方法形成抗蝕劑的整個工藝，但其可僅應用于各工藝中的至少一個工藝。
(本發明的第二典型實施例)接下來，下面通過參照圖11來描述根據本發明的第二實施例的液晶面板的生產設備。圖11是示出了根據第二實施例的印刷設備的構造的示意圖。
在上述第一實施例中，在抗蝕劑經過諸如等離子體灰化、顯影處理或其他蝕刻方法的減薄處理之前，通過公知的印刷設備來印刷抗蝕劑。如果在相同的設備中進行通過印刷方法來印刷抗蝕劑的工藝和將抗蝕劑減薄的工藝，則可進一步減小工藝數量。
圖11是示出了根據第二實施例的印刷設備的例子的視圖。在圖11中，將從涂布裝置101噴出的抗蝕劑經由硅片102涂布到硅毯(siliconblanket)108，并將抗蝕劑從硅毯108轉移到基板片105，通過基板片105，硅毯108的抗蝕劑被具有與下述位置相對應的圖案的凸部110部分地去除，在所述位置處圖案沒有殘留在基板片105上。
通過常規的印刷設備可進行這些工藝。然而，在根據本發明的印刷設備中，如果有需要，可進一步設置印刷膜減薄單元113以及烘焙單元112和114。
然后，印刷有抗蝕劑的基板片105被運輸裝置(沒有示出)運輸到烘焙單元112并當抗蝕劑固化到一定程度時被運輸到印刷膜減薄單元113。隨后，使抗蝕劑經過通過等離子體蝕刻、顯影或其他蝕刻方法的減薄處理，使得抗蝕劑的膜厚度變為一半。接下來，將基板片105運輸到烘焙單元114，在其中去除通過顯影處理粘附的水等，隨后進行蝕刻處理的工藝。
在該印刷膜減薄處理單元113是等離子體灰化裝置等的情況中，可以省略烘焙單元112和114。圖11是用于印刷四色濾色器的抗蝕劑的設備的例子，但不僅僅用于濾色器，該設備還可用于印刷用于TFT生產工時的光致抗蝕劑、除了光敏劑之外的非光敏抗蝕劑、包含金屬顆粒的導電膠等。此外，該印刷設備不限于噴墨印刷、膠印、絲網印刷等。
應注意到，在上面的每個實施例中，通過將蝕刻作為使用印刷圖案的處理的例子給出了描述，還可以進行能使用印刷圖案作為掩模的其他方法(例如離子注入)。
本發明上述的結構并不限于應用于制造形成LCD的基板，而是還能夠應用于制造形成電致發光顯示設備的基板、制造形成半導體器件的基板等。
首先，通過部分地使用本發明的印刷方法，這里將給出制造構成LCD的基板的方法。
部分地使用本發明的印刷方法的制造構成LCD的基板的方法，包括下面的步驟中的至少任意一個步驟印刷工藝，用于通過該印刷方法，在基板上形成的蝕刻膜上形成由抗蝕成分制成的印刷圖案；減薄工藝，用于通過干蝕刻或濕蝕刻來減薄印刷圖案；蝕刻工藝，用于通過使用減薄的印刷圖案作為掩模來蝕刻蝕刻膜；烘焙工藝，用于在至少印刷工藝與減薄工藝之間或者在減薄工藝之后，給印刷圖案加熱。
此外，在減薄處理的上述工藝中，可以在下面的情況下執行減薄處理，即去除或在尺寸上減小粘附到除了形成印刷圖案的區域之外的區域的蝕刻成分或導電成分。此外，干蝕刻可包括等離子體灰化，濕蝕刻可包括顯影處理。
此外，部分地使用本發明的印刷方法的制造構成LCD的基板的方法，包括下面的步驟印刷工藝，用于通過該印刷方法，在基板上形成由包含導電顆粒的導電成分制成的印刷圖案；減薄工藝，用于通過干蝕刻或濕蝕刻來減薄印刷圖案；以及烘焙工藝，用于在至少印刷工藝與減薄工藝之間或者在減薄工藝之后，給印刷圖案加熱。
接下來，通過部分使用本發明的印刷方法，將描述制造構成有機EL顯示設備的基板的方法。
部分地使用本發明的印刷方法的制造構成有機EL顯示設備的基板的方法，包括下面的步驟印刷工藝，用于通過該印刷方法，在基板上形成的蝕刻膜上形成由抗蝕成分制成的印刷圖案；減薄工藝，用于通過干蝕刻或濕蝕刻來減薄印刷圖案；以及蝕刻工藝，用于通過使用減薄的印刷圖案作為掩模來蝕刻該蝕刻膜。
此外，部分地使用本發明的印刷方法的制造構成有機EL顯示設備的基板的方法，包括下面的步驟印刷工藝，用于通過該印刷方法，在基板上形成由包含導電顆粒的導電成分制成的印刷圖案；以及減薄工藝，通過干蝕刻或濕蝕刻來減薄印刷圖案。
如上所述，在根據本發明的使用印刷圖案的處理中，通過使用諸如抗蝕劑的抗蝕成分來形成印刷圖案，且通過使用印刷圖案作為掩模，來執行在蝕刻之前添加的處理，諸如等離子體灰化、顯影處理等，用于減薄抗蝕成分。
因此，即使當抗蝕成分粘附到不希望的區域時，也能將粘附的抗蝕成分去除或減小尺寸，從而蝕刻膜不會殘留在粘附的抗蝕成分的下部，或可以將它們減小到充分小。
此外，在通過使用包含導電金屬顆粒的導電成分來形成印刷圖案之后，添加用于減薄導電成分的處理，諸如等離子體灰化和顯影處理。因此，即使當導電成分粘附到不希望的區域時，也可去除粘附的導電成分或減小尺寸。
因而，根據使用本發明的印刷圖案的處理，可抑制缺欠的產生，諸如線短路、由圖案殘余導致的點缺陷等，且同時能夠實現減少生產工時數量和提高產出百分比。
應當清楚，本發明不限于上面的實施例，而是在不脫離本發明的范圍和精神的情況下可以做修改和變化。
權利要求
1.一種用于印刷印刷圖案的方法，包括下面的步驟印刷工藝，通過使用印刷方法在基板上形成的蝕刻膜上形成由抗蝕成分制成的印刷圖案；減薄工藝，通過干蝕刻或濕蝕刻來減薄印刷圖案；以及蝕刻工藝，通過使用減薄的印刷圖案作為掩模來蝕刻蝕刻膜。
2.根據權利要求1所述的印刷印刷圖案的方法，其中抗蝕成分是光敏抗蝕劑或非光敏抗蝕劑。
3.一種用于印刷印刷圖案的方法，包括下面的步驟印刷工藝，通過使用印刷方法在基板上形成由包含導電顆粒的導電成分制成的印刷圖案；以及減薄工藝，通過干蝕刻或濕蝕刻來減薄印刷圖案。
4.根據權利要求1所述的印刷印刷圖案的方法，其中至少在印刷工藝與減薄工藝之間或者在減薄工藝之后，添加用于給印刷圖案加熱的烘焙工藝。
5.根據權利要求2所述的印刷印刷圖案的方法，其中至少在印刷工藝與減薄工藝之間或者在減薄工藝之后，添加用于給印刷圖案加熱的烘焙工藝。
6.根據權利要求3所述的印刷印刷圖案的方法，其中至少在印刷工藝與減薄工藝之間或者在減薄工藝之后，添加用于給印刷圖案加熱的烘焙工藝。
7.根據權利要求1所述的印刷印刷圖案的方法，其中在粘附到除了形成印刷圖案的區域之外的區域的抗蝕成分或導電成分能夠被去除、或者被減小尺寸的條件下，來執行減薄工藝。
8.根據權利要求3所述的印刷印刷圖案的方法，其中在粘附到除了形成印刷圖案的區域之外的區域的抗蝕成分或導電成分能夠被去除、或者被減小尺寸的條件下，來執行減薄工藝。
9.根據權利要求1所述的印刷印刷圖案的方法，其中干蝕刻包括等離子體灰化，濕蝕刻包括顯影處理。
10.根據權利要求3所述的印刷印刷圖案的方法，其中干蝕刻包括等離子體灰化，濕蝕刻包括顯影處理。
11.一種用于形成印刷圖案的生產設備，包括在基板上形成由包含抗蝕成分或導電顆粒的導電成分制成的印刷圖案的裝置；以及通過干蝕刻或濕蝕刻來減薄印刷圖案的減薄處理裝置。
12.根據權利要求11所述的用于形成印刷圖案的生產設備，其中抗蝕成分是光敏抗蝕劑或非光敏抗蝕劑。
13.根據權利要求11所述的用于形成印刷圖案的生產設備，其中還包括烘焙裝置。
14.根據權利要求11所述的用于形成印刷圖案的生產設備，其中干蝕刻包括等離子體灰化，濕蝕刻包括顯影處理。
全文摘要
一種用于印刷印刷圖案的方法，包括下面的步驟印刷圖案形成工藝，在基板上形成的蝕刻膜上形成諸如由抗蝕成分制成的抗蝕劑的印刷圖案；以及此后的減薄工藝，在通過使用印刷圖案作為掩模進行蝕刻之前，通過諸如等離子體灰化的干蝕刻，或諸如顯影處理的濕蝕刻，在厚度方向上減薄抗蝕劑；以及蝕刻工藝，通過使用減薄的印刷圖案作為掩模來蝕刻蝕刻膜。
文檔編號G03F7/00GK1818744SQ200610006458
公開日2006年8月16日 申請日期2006年1月20日 優先權日2005年1月20日
發明者高橋美朝 申請人:Nec液晶技術株式會社