專利名稱：納米光刻術和微光刻術用物質組合物的制作方法
技術領域：
本發明一般涉及物質組合物。更具體而言，本發明涉及這樣的物質組合物，其被用于使用常規的接觸式曝光工具(contact exposure tool)或其他簡單設備，在納米光刻術和微光刻術中制造納米結構和微結構。
背景技術：
納米圖案成形技術(Nanopatteming)是用于制造納米結構的納米技術研究的基本部分。對于這些具有重要的實際價值的納米結構和納米圖案成形技術而言，低成本和高通量納米圖案成形技術是不可缺少的。在許多目的在于降低成本和增加通量的新出現的技術中，納米壓印光刻技術(nanoimprint lithography)(NIL)被認為是有前途的技術。NIL具有形成10nm以下結構圖案的能力，而僅僅需要簡單的設備裝置和容易的操作。因此，NIL已經被應用在眾多電子和光學器件的制造中，以及也被應用于晶片規模處理中。
然而，存在著這樣的障礙，其阻止NIL成為下一代納米結構光刻術所需求的全能解決方案。在壓印過程中，常規NIL需要高溫和高壓，而這樣的條件特別不適合微電子學制造。步進快閃式壓印光刻技術(Step-and-Flash Imprint Lithography)(S-FIL)是基于機械壓印的另一種技術，但使用紫外可固化液體物質作為液體抗蝕劑(liquid resist)。對于S-FIL，液體抗蝕劑以小滴形式被分配到基板上，然后使模板與基板接觸并且壓按該基板以展開液體抗蝕劑，從而形成液體抗蝕劑的膜。然后通過暴露于紫外光固化該膜。S-FIL可以在室溫下進行，因此，不像常規NIL那樣需要高溫。然而，S-FIL仍舊不是理想的，因為抗蝕劑和所形成的剩余層的厚度和均勻性難于控制，原因在于該液體抗蝕劑的膜是通過在壓力下展開而形成的。在壓力下的展開可能是不一致的。另外，在S-FIL中所使用的紫外可固化液體物質一般基于涉及丙烯酸功能性單體和低聚物的自由基聚合的機理。該機理一般在固化之后表現出大面積收縮，并且在氧清除自由基種類時也易于對氧敏感，因此抑制了在抗蝕劑表面的聚合，這使得S-FIL在所形成的納米結構中易產生缺陷。最后，為了達到用于低壓壓印的低粘度，通常需要反應性單體，并且現有技術的常規物質組合物一般依賴于具有低分子量(例如＜300道爾頓)的反應性單體，因此，其是揮發性的，并且放出令人不愉快的氣味。
因此，對這樣的物質組合物存在需要，其對常規NIL和S-FIL技術中通常依賴的常規物質組合物做出改進，并且在低溫和低壓下使用常規工具和設備，其可以被用在納米光刻術和微光刻術中。
發明概述和優勢
根據本發明的物質組合物包括第一組分、交聯劑和陽離子光敏引發劑。所述第一組分含有單體部分和至少一個陽離子可聚合官能團(cationically polymerizable functional group)。所述交聯劑與所述第一組分反應，并且含有至少三個陽離子可聚合官能團。
由于具有低粘度，在低溫(例如室溫)和低壓下，使用常規工具和設備，該物質組合物可以被用在納米光刻術和微光刻術中。該物質組合物也適合更新的、獨特的組合納米壓印和光刻法技術(combinednanoimprint-and-photolithography techniques)。此外，本發明的物質組合物特別適合被旋轉涂布(spin-coated)到多種基板上，在該基板上厚度和均勻性可以被精確控制。使用該物質組合物，也可以實現高通量。
附圖簡述
本發明的其他優勢將被容易地意識到，如同當結合考慮附圖，通過參考下面詳細的說明更好地被理解一樣，其中
圖1是掃描電子顯微鏡(SEM)顯微圖，圖解了用本發明的物質組合物獲得的1μm直徑凸起點狀圖案；[10]圖2是SEM顯微圖，圖解了用本發明的物質組合物獲得的20μm直徑凹陷圓形圖案；[11]圖3是SEM顯微圖，圖解了用本發明的物質組合物獲得的100 nm以下(大約50nm)縫隙或溝槽圖案；[12]圖4是SEM顯微圖，圖解了用本發明的物質組合物獲得的大約20nm縫隙或溝槽圖案；[13]圖5是SEM顯微圖，圖解了用本發明的物質組合物獲得的50至100nm直徑小孔陣列；和[14]圖6是SEM顯微圖，圖解了通過剝離工藝(lift-offprocess)產生的金(Au)納米點陣列(nanodot arrays)。
優選實施方案詳述[15]根據本發明的物質組合物主要被用在納米光刻術和微光刻術中。這些技術也分別被稱為納米壓印光刻技術(NIL)和微壓印光刻術(microimprint lithography)。在這些技術中，所述物質組合物被施用于基板作為液體抗蝕劑，未固化的膜得以形成，然后被固化，形成固化的抗蝕膜。術語基板(substrate)和基板層(substrate layer)在全文中被互換使用。固化的抗蝕膜是所述物質組合物的各種組分的反應產物。最終，該物質組合物和所形成的固化抗蝕膜被用作抗蝕層，其結合基板層而形成制品，例如在硅基板或電子或光子微芯片的一部分上的圖形化結構，用于不同行業中的使用和應用。
除了納米光刻技術和微光刻技術之外，所述物質組合物可以被用在其他技術中，包括，但不限于納米尺寸接觸印刷(nanoscale contactprinting)、紫外輔助的納米壓印光刻技術(UV-assisted nanoimprintlithography)、步進快閃式壓印光刻技術(S-FIL)和組合納米壓印和光刻法。因此，本發明的物質組合物經常被用在如接觸對準器(contactaligners)、納米刻印機(nanoimprinters)、粘合機、印刷機(presses)及類似物這類工具中。
由于本發明的物質組合物具有低粘度，該物質組合物優選通過旋轉涂布被施用于基板或基板層上，以形成均勻、薄的和未固化的膜。
然而，應當理解，該物質組合物也可以通過浸漬涂敷、噴涂或本領域中已知的其他合適的涂布方法被施用。可選地，在任何接觸印刷之前，該物質組合物可以作為液滴而被施用。
如上述，本物質組合物的低粘度允許低溫和低壓的壓印。使用低溫和低壓使得能夠使用常規工具和設備，例如常規光刻法接觸對準器。優選地，本物質組合物使得能夠使用在0與100℃之間的低溫，更優選地在20與60℃之間，最優選地為室溫。由于本物質組合物，優選的壓力范圍為10大氣壓以下，更優選1大氣壓以下。
所述物質組合物包括第一組分、交聯劑和陽離子光敏引發劑。如從下面的描述明顯可見，優選的物質組合物基于環氧官能團的陽離子聚合和交聯，更具體而言是脂環系環氧官能團的陽離子聚合和交聯。
所述第一組分含有單體部分和至少一個陽離子可聚合官能團。所述第一組分基于100重量份物質組合物，優選以90-98重量份存在于所述物質組合物中，更優選94重量份。一般而言，所述物質組合物的第一組分決定或控制了固化抗蝕膜的化學和物理性質，包括固化之后的表面能和在壓印和固化之后的某些脫模(mold-release)特性的類似性質。一般而言，所述第一組分具有相對較高的分子量，因此是不揮發性的。
優選地，所述第一組分的陽離子可聚合官能團選自環氧官能團、乙烯基醚官能團及其組合，并且優選地，所述第一組分含有兩個陽離子可聚合官能團。然而，該第一組分可以包括兩個以上的陽離子可聚合官能團。所述第一組分的單體部分可以是有機單體或有機硅氧烷單體。示例性有機單體包括但不限于芳基，例如苯基、降冰片烷和它們的組合。另一方面，盡管不是必需的，有機硅氧烷單體一般含有(SiR2O)或(SiRO3/2)單元，其中R是氫、甲基、苯基、烴或氟碳基。從下面最優選的第一組分的化學表示明顯可見，R最優選為甲基。
最優選的第一組分的化學表示被公開在下面。
上面公開的最優選的第一組分是4-乙烯基-1-環己烷-1，2-環氧化物和SiH-官能硅氧烷化合物的反應產物。最優選的第一組分一般地是低分子量、短鏈的硅氧烷環氧低聚物(環氧功能性單體，更具體而言是硅氧烷二環氧化物(silicone diepoxy))，其提供了在固化之后具有低表面能的固化抗蝕膜，因此，提供了在壓印和固化之后的合適的脫模特性。[23]所述交聯劑與所述第一組分反應，并且含有至少三個陽離子可聚合官能團。所述交聯劑基于100重量份物質組合物，優選以1-9重量份存在于所述物質組合物中，更優選為5重量份。固化后，交聯劑與第一組分反應，具體地是與該第一組分的陽離子可聚合官能團反應，以形成交聯網絡，即固化的抗蝕膜。
如同第一組分，同樣優選地，交聯劑的陽離子可聚合官能團選自環氧官能團、乙烯基醚官能團及其組合。同樣優選地，所述交聯劑含有四個陽離子可聚合官能團。然而，該交聯劑可以包括四個以上的陽離子可聚合官能團。交聯劑可以是有機分子或有機硅氧烷型分子。在任何情況下，從下面最優選的交聯劑的化學表示明顯可見，最優選的是，交聯劑含有硅氧烷。
最優選的交聯劑的化學表示被公開在下面。
如同所述第一組分，上面公開的最優選的交聯劑也是4-乙烯基-1-環己烷-1，2-環氧化物和SiH-官能硅氧烷化合物的反應產物。上面舉例說明的最優選的交聯劑一般而言是環氧官能的交聯劑，更具體而言是具有四個脂環系環氧基的硅氧烷環氧化物。在最優選的第一組分和交聯劑中的硅氧烷含量增加了干法蝕刻抗性(dry etch resistance)，并且也提供了低表面能，這使其在形成圖形之后的處理過程中更容易被分離，例如從掩模中分離。
陽離子光敏引發劑，有時也被稱為光酸發生劑(photoacidgenerator)，是在暴露于紫外光之后經歷光化分解的化學品。在該分解之后，活性陽離子種類和陰離子種類存在。一般而言，所述陽離子種類為超強質子(H+)，其能夠誘導所述第一組分的不飽和部位與交聯劑的交聯。優選地，陽離子種類包括鎓鹽，例如二芳基碘鎓鹽(diaryliodoniumsalt)、三芳基硫鎓鹽(triarylsulfonium salt)或四芳基鏻鹽(tetraarylphosphonium salt)，而陰離子種類選自BF4-、PF6-、AsF6-、SbF6-和(C6F5)4B-。所述陽離子光敏引發劑一般基于100重量份物質組合物，以0.1-2重量份存在于所述物質組合物中，更優選為1重量份。
第一組分與交聯劑之間交聯之后，固化的抗蝕劑優選具有通式 [28]所述物質組合物也可以包括非反應性稀釋劑，用于減小該物質組合物的粘度。盡管不是必需的，非反應性稀釋劑一般是高沸點(＞80℃)有機溶劑，并且優選選自PGMEA、PGME、2-庚酮、二甲苯和它們的組合。本發明的物質組合物的粘度低，這樣它可以通過旋轉涂布被適當地施用，并且優選地，該物質組合物在室溫(大約20℃)下，具有1至10,000厘沲(cSt)之間的運動粘度，更優選地從10至1,000厘沲，最優選地從50至200厘沲。物質組合物的較低粘度有助于獲得該物質組合物的較薄的膜，即液體抗蝕劑的較薄的膜。相對于物質組合物的其他組分(第一組分、交聯劑和陽離子光敏引發劑)的量，改變非反應性稀釋劑的量有助于控制未固化膜的厚度，并最終控制固化抗蝕膜的厚度。該厚度可以在100nm以下至幾微米的范圍內。
如必要，所述物質組合物也可以包括添加劑，以改變期望的物理和化學性質。添加劑一般不結合到交聯網絡中，并且一般以相對少的量被使用。如果被包括，此類添加劑包括但不限于那些選自穩定劑、粘合增進劑、脫模劑(mold release agents)和它們的組合的添加劑。穩定劑被用于防止物質組合物在貯存中的凝膠化，以及防止一旦被施用，由于低水平的曝光而早期固化。粘合增進劑，例如3-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷，被用于改善基板的表面粘合。減小接觸表面的表面能的脫模劑(release agents)在各種技術中涉及。
如上述，作為液體抗蝕劑的物質組合物和所形成的固化抗蝕膜被用于形成制品。該制品包括基板層和抗蝕層。優選地，所述基板層由硅或玻璃形成，而所述基板層也可以由金屬和塑料形成。抗蝕層是所述物質組合物的各種組分(第一組分、交聯劑和陽離子光敏引發劑)的反應產物，即由所述物質組合物的各種組分(第一組分、交聯劑和陽離子光敏引發劑)形成。技術上，該抗蝕層是在基板層上形成的。更具體而言，內涂層被置于基板層和抗蝕層之間。這樣，更詳細地，所述內涂層在基板層上形成，而所述抗蝕層在內涂層上形成。內涂層是由聚合物形成的。合適的聚合物的一個例子是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。然而，包括但不限于聚苯乙烯和聚倍半硅氧烷的其他聚合物是合適的，只要所述聚合物在有機溶劑中是可溶的。優選地，聚合物是具有30℃以上Tg的非晶態聚合物。由聚合物形成的內涂層被用于在物質組合物被旋轉涂布到基板層的過程中，使基板層被物質組合物，即液體抗蝕劑更好地濕潤。基板層的更好濕潤確保膜的均勻性。因為形成內涂層的聚合物可以通過普通的有機溶劑例如丙酮去除，所以該內涂層也可以被用作剝離制造工藝中的犧牲層(sacrificial layer)，這是本領域普通技術人員已知的。
因為陽離子聚合不是氧抑制的，故本發明的物質組合物對氧是不敏感的，并且當被用作紫外可固化液體抗蝕劑時產生較少的缺陷。另外，已知，與丙烯酸功能性單體和低聚物的自由基聚合相比，脂環系環氧化物在固化之后的收縮是低的。本發明的低收縮提供了作為抗蝕劑的幾種優勢。一個例子是，模制圖形(mold pattern)可以被精確和可靠地復制。同樣，已知，在固化之后的收縮傾向于引起固化抗蝕膜從基板上分層，尤其是在某些基板例如金屬和塑料上。因此，低收縮可以保證固化抗蝕膜在此類基板上的更好膜粘合。
實施例[32]根據本發明的物質組合物被裝載和混合。更具體而言，94重量份的第一組分、5重量份的交聯劑和1重量份的陽離子光敏引發劑用常規混合器裝載并且混合。所有重量份都基于100重量份物質組合物。
然后所述物質組合物被旋轉涂布，如在下面關于“膜制備”所述，以產生各種納米尺寸和微米尺寸圖形。用本物質組合物展示的各種納米尺寸和微米尺寸圖形使用常規接觸對準器和365 nm波長處進行的紫外光固化。這些示例性圖形的掃描電子顯微鏡(SEM)顯微圖被圖解在圖1-6中。
膜制備[34]在納米壓印之前，所述物質組合物的薄膜被旋轉涂布在硅基板上。由于在環氧官能硅氧烷抗蝕劑與基板之間的高界面能，膜反潤濕將一般發生在旋轉涂布過程中，尤其是對于薄膜而言，如上所述。為在本發明的實施例中克服該問題，PMMA作為聚合物，溶解在作為有機溶劑的甲苯中，被首先旋轉涂布到硅基板上，作為內涂層。如上述，該內涂層證明是對防止反潤濕非常有效的，因此能夠獲得均勻膜，其厚度在幾微米至100nm以下的范圍內。
結果[35]因為抗蝕劑是低粘度液體，即在固化之前被旋轉涂布在基板上的物質組合物，故納米壓印本發明的物質組合物僅僅需要在相對低溫(100℃以下)下的低壓。所需的壓力非常低(1大氣壓以下)。這使得使用常規光刻接觸對準器能夠進行納米圖案成形。用透紫外光的物質制造模具(molds)。該物質是熔融氧化硅。在壓印和紫外整片曝光(flood exposure)和熱處理之后，模具和基板被分離，并且，模具圖形的復制件被壓印在抗蝕劑中(例如，參見圖1-6)。在去除凹陷圖形區中的剩余層之后，進行剝離工藝。
其他性質[36]膜收縮通常觀察到，在液體向固態的相變過程中，可能發生聚合誘導的收縮。在基于不同化學的所有紫外可固化體系中，環氧型陽離子固化，如涉及本發明的物質組合物的環氧型陽離子固化，顯示了最低的收縮。我們的組合物的膜收縮是通過用偏振光橢圓率測量儀測量固化之前和之后的膜厚度變化而進行評價的。觀察到，不超過3％的收縮，這與對環氧材料的普遍結論是一致的。我們的測量顯示，平均膜收縮為2％。
氧反應性離子蝕刻(RIE)性質由于在膜中的硅組分，固化抗蝕膜顯示了非常令人感興趣的氧RIE蝕刻性質。例如，對于目前的材料，在首先的3分鐘的蝕刻中，20nm的層被去除；然而之后不再觀察到膜的蝕刻。這是由于在氧等離子體蝕刻處理之后，在膜的頂層上形成氧化硅，其充當硬掩模(hard mask)，以防止膜的內部部分被氧等離子體攻擊。此性質非常有用，因為它將使膜比普通有機納米壓印抗蝕劑例如PMMA和PS具有更高的蝕刻選擇性。它也取消了對內涂層厚度的限制。
本發明已經以舉例說明的方式被描述，應當理解，已經被使用的術語意欲具有描述而非限定的詞語性質。明顯地，鑒于上述教導，本發明的許多修改和變更是可能的。因此，應當理解，除了如具體所述之外，在權利要求書范圍內，本發明也都可以被實踐。
權利要求
1.物質組合物，包括第一組分，其含有單體部分和至少一個陽離子可聚合官能團；交聯劑，其與所述第一組分反應，且含有至少三個陽離子可聚合官能團；和陽離子光敏引發劑。
2.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述第一組分含有兩個陽離子可聚合官能團。
3.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述第一組分的所述單體部分是選自芳基、降冰片烷和它們的組合的有機單體。
4.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述第一組分的所述單體部分是含有(SiR2O)或(SiRO3/2)單元的有機硅氧烷單體，其中R是氫、甲基、苯基、烴或氟碳基。
5.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述第一組分的所述陽離子可聚合官能團選自環氧官能團、乙烯基醚官能團和它們的組合。
6.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述第一組分是
7.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述交聯劑含有四個陽離子可聚合官能團。
8.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述交聯劑含有硅氧烷。
9.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述交聯劑的所述陽離子可聚合官能團選自環氧官能團、乙烯基醚官能團和它們的組合。
10.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述交聯劑是
11.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述第一組分和/或所述交聯劑是4-乙烯基-1-環己烷-1，2-環氧化物和SiH-官能硅氧烷化合物的反應產物。
12.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述陽離子光敏引發劑包括活性陽離子種類和陰離子種類，其中所述陽離子種類包括鹽。
13.如在權利要求12中所述的物質組合物，其中所述鹽是二芳基碘鹽、三芳基硫鹽或四芳基鹽，所述陰離子種類選自BF4-、PF6-、AsF6-、SbF6-和(C6F5)4B-。
14.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述第一組分以90-98重量份存在，所述交聯劑以1-9重量份存在，和所述陽離子光敏引發劑以0.1-2重量份存在，所有含量都基于100重量份所述物質組合物。
15.如在權利要求1中所述的物質組合物，還包括非反應性稀釋劑，用于減少所述物質組合物的粘度。
16.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述非反應性稀釋劑選自PGMEA、PGME、2-庚酮、二甲苯和它們的組合。
17.如在權利要求1中所述的物質組合物，還包括添加劑，其選自穩定劑、粘合增進劑、脫模劑和它們的組合。
18.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述第一組分含有兩個環氧官能團和所述第一組分的所述單體部分是有機硅氧烷單體；和所述交聯劑含有硅氧烷和四個環氧官能團。
19.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述組合物通過旋轉涂布、浸漬涂敷或噴涂被施用于基板上以形成膜。
20.如在權利要求1中所述的物質組合物，其中所述組合物在接觸印刷之前作為液滴被施用于基板上。
21.權利要求1所述的物質組合物在納米尺寸接觸印刷、納米壓印光刻技術(NIL)、微壓印光刻術、紫外輔助的納米壓印光刻技術、步進快閃式壓印光刻技術(S-FIL)和組合納米壓印和光刻法中的應用。
22.權利要求1所述的物質組合物在工具中的應用，所述工具選自接觸對準器、納米刻印機、粘合機和印刷機。
23.權利要求1所述的物質組合物在0至100℃的溫度下和/或10大氣壓以下的壓力下的應用。
24.固化抗蝕膜，包括下述組分的反應產物第一組分，其含有單體部分和至少一個陽離子可聚合官能團；交聯劑，其與所述第一組分反應，且含有至少三個陽離子可聚合官能團；和陽離子光敏引發劑。
25.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，其中所述第一組分的所述單體部分是含有(SiR2O)或(SiRO3/2)單元的有機硅氧烷單體，其中R是氫、甲基、苯基、烴或氟碳基。
26.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，其中所述第一組分的所述陽離子可聚合官能團選自環氧官能團、乙烯基醚官能團和它們的組合。
27.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，其中所述第一組分是
28.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，其中所述交聯劑含有硅氧烷。
29.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，其中所述交聯劑的所述陽離子可聚合官能團選自環氧官能團、乙烯基醚官能團和它們的組合。
30.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，其中所述交聯劑是
31.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，其中所述第一組分和/或所述交聯劑是4-乙烯基-1-環己烷-1，2-環氧化物和SiH-官能硅氧烷化合物的反應產物。
32.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，其中所述第一組分以90-98重量份存在，所述交聯劑以1-9重量份存在，和所述陽離子光敏引發劑以0.1-2重量份存在，所有含量都基于100重量份所述物質組合物。
33.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，還包括非反應性稀釋劑，用于減少所述物質組合物的粘度。
34.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，其中所述第一組分含有兩個環氧官能團和所述第一組分的所述單體部分是有機硅氧烷單體；和所述交聯劑含有硅氧烷和四個環氧官能團。
35.如在權利要求24中所述的固化抗蝕膜，具有如下通式
36.制品，包括基板層；和抗蝕層，其在所述基板層上形成，且含有下述組分的反應產物第一組分，其含有單體部分和至少一個陽離子可聚合官能團；交聯劑，其與所述第一組分反應，且含有至少三個陽離子可聚合官能團；和陽離子光敏引發劑。
37.如在權利要求36中所述的制品，其中所述基板層是由硅或玻璃形成的。
38.如在權利要求36中所述的制品，還包括內涂層，其被置于所述基板層和所述抗蝕層之間。
39.如在權利要求38中所述的制品，其中所述內涂層是由聚合物形成的。
40.如在權利要求39中所述的制品，其中所述聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯。
41.如在權利要求36中所述的制品，其中所述第一組分的所述單體部分是含有(SiR2O)或(SiRO3/2)單元的有機硅氧烷單體，其中R是氫、甲基、苯基、烴或氟碳基。
42.如在權利要求36中所述的制品，其中所述第一組分的所述陽離子可聚合官能團選自環氧官能團、乙烯基醚官能團和它們的組合。
43.如在權利要求36中所述的制品，其中所述第一組分是
44.如在權利要求36中所述的制品，其中所述交聯劑含有硅氧烷。
45.如在權利要求36中所述的制品，其中所述交聯劑的所述陽離子可聚合官能團選自環氧官能團、乙烯基醚官能團和它們的組合。
46.如在權利要求24中所述的制品，其中所述交聯劑是
47.如在權利要求36中所述的制品，其中所述第一組分和/或所述交聯劑是4-乙烯基-1-環己烷-1，2-環氧化物和SiH-官能硅氧烷化合物的反應產物。
48.如在權利要求36中所述的制品，其中所述第一組分以90-98重量份存在，所述交聯劑以1-9重量份存在，和所述陽離子光敏引發劑以0.1-2重量份存在，所有含量都基于100重量份所述物質組合物。
49.如在權利要求36中所述的制品，還包括非反應性稀釋劑，用于減少所述物質組合物的粘度。
50.如在權利要求36中所述的制品，其中所述第一組分含有兩個環氧官能團和所述第一組分的所述單體部分是有機硅氧烷單體；和所述交聯劑含有硅氧烷和四個環氧官能團。
全文摘要
物質組合物，其被用作液體抗蝕劑，包括含有單體部分和至少一個陽離子可聚合官能團的第一組分，和與該第一組分反應且含有至少三個陽離子可聚合官能團的交聯劑。該物質組合物也包括陽離子光敏引發劑。在暴露于紫外光之后，該物質組合物通過固化而交聯，形成固化的抗蝕膜，該固化的抗蝕膜為所述第一組分、交聯劑和陽離子光敏引發劑的反應產物。一種制品包括基板層和在該基板層上由該物質組合物形成的抗蝕層。
文檔編號G03F7/038GK101084468SQ200580012162
公開日2007年12月5日 申請日期2005年6月1日 優先權日2004年6月1日
發明者P-F·傅, L·J·郭, X·陳 申請人:道康寧公司, 密歇根大學董事會