專利名稱：具有tft上濾色器結構并使用面內切換模式的液晶顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及液晶裝置，更具體來說，涉及一種具有濾色器的液晶顯示裝置。
背景技術：
隨著各種便攜式電子設備(如移動電話、PDA、筆記本計算機等)的發展，對輕、薄且小的平板顯示(FPD)裝置的需求正在增長。在平板顯示裝置(如LCD(液晶顯示器)、PDP(等離子顯示板)、FED(場發射顯示器)、VFD(真空熒光顯示器)等)領域的研究很活躍。當前，人們對易于大量生產、使用簡單驅動系統并提供高畫面質量的液晶顯示器(LCD)很感興趣。
根據液晶分子的排列，LCD裝置具有各種顯示模式。然而，在各種顯示模式中，由于扭轉向列(TN)模式液晶顯示裝置具有高對比度、快速響應以及低驅動電壓，因而得到了廣泛的使用。TN模式液晶顯示裝置包括其上排列有像素區的陣列基板，面對該陣列基板的濾色器基板，以及形成在陣列基板與濾色器基板之間的液晶。此外，在陣列基板和濾色器基板的外表面處形成有偏振片，以使得偏振光可以到達液晶。此外，液晶按螺旋狀扭轉，并排列在陣列基板與濾色器基板之間。
在現有技術的液晶顯示裝置中，選通線和數據線排列在陣列基板上。薄膜晶體管(TFT)排列在陣列基板上。在面對陣列基板的濾色器基板上形成有用于顯示彩色圖像的濾色器層。在TFT陣列基板和濾色器基板上排列有像素，以形成像素矩陣，這些像素精確地相互對準。如果形成在TFT陣列基板和濾色器基板上的像素區未精確對準，那么從背光單元產生的光可能會泄漏。因此，在現有技術的液晶裝置中，TFT陣列基板和濾色器基板的對準是非常重要的。
為了解決失對準的問題，并且為了關注用于制造液晶顯示裝置的特定基板，提供了一種具有TFT上濾色器(COT)的液晶顯示裝置。在COT液晶裝置中，濾色器層形成在TFT陣列基板上。在具有COT結構的液晶顯示裝置中，由于濾色器層形成在TFT陣列基板上，因此在制造TFT陣列基板時，可能要執行用于形成濾色器的潛在的復雜工藝。通過在TFT陣列基板上形成濾色器層，可以改進顯示裝置的孔徑比。而且，當TFT陣列基板包括濾色器層時，更易于布置TFT陣列基板和上基板。
圖1A是示出一種具有COT結構的現有技術液晶顯示裝置的像素區的平面圖。參照圖1，多條選通線102a和與該多條選通線102a垂直相交的多條數據線107限定了多個像素區。此外，在像素區的一側形成有薄膜晶體管130。薄膜晶體管130連接到選通線102a和數據線107。
在選通線102a和數據線107的上部處形成有黑底(black matrix)110。該黑底110阻擋不需要的光從選通線和數據線的下部之下透射。此外，在像素區中形成有包括紅色、綠色以及藍色子濾色器層(未示出)的濾色器層。濾色器層為液晶顯示裝置提供了彩色顯示能力。在像素區中還形成有像素電極109。像素電極109向像素區中的液晶施加電場。
由于濾色器層形成在其上形成有TFT的陣列基板上，所以將具有這種結構的液晶顯示裝置稱為陣列上濾色器(COA)或TFT上濾色器(COT)。
圖1B是沿圖1A的具有COT結構的現有技術液晶顯示裝置的線A-A’所截取的剖面圖。參照圖1B，選通線(未示出)和從選通線分叉的柵極102形成在透明基板101上，并且柵絕緣層103形成在柵極102上。在柵絕緣層103上形成有薄膜晶體管的有源層104，源極106a和漏極106b連接到該有源層104。在源極106a與漏極106b之間插有歐姆層105。數據線107形成在柵絕緣層103上。數據線107連接到源極106a，并與源極106a一起形成。連接到漏極106b的像素電極109形成在像素區處，以向液晶層120施加電場。由夾層鈍化層108把源極106a和漏極106b與數據線107絕緣開來。黑底110和濾色器層111分開形成在鈍化層108上。
在每個像素區中形成有包括紅色、綠色以及藍色子濾色器層的濾色器層。黑底110形成在反傾斜域區(reverse tilt domain region)處，如選通線、數據線以及其中形成有TFT的區域，從而防止漏光。將上基板布置成面對TFT陣列基板。上基板包括透明基板150和形成在基板150上的公共電極151。此外，在TFT陣列基板上還可以形成有用于對準液晶120的配向層112和152。在上基板150與TFT陣列基板101之間填充有液晶材料120。
當制造具有COT結構的液晶顯示裝置時，當在每個像素中形成像素電極109之后執行用于形成黑底110和濾色器層111的工藝。由于黑底110和濾色器層111由感光有機層形成，因此在形成黑底110和濾色器層111時應當分別執行光掩模工藝。光掩模工藝增加了液晶顯示裝置的制造時間。而且，光掩模非常昂貴，使得液晶顯示器的制造成本顯著增加了。
在現有技術中，一般通過色素分散方法形成濾色器層，在色素分散方法中，通過相應的光掩模工藝形成紅色、綠色以及藍色子濾色器。通過使用色素分散方法形成濾色器層。黑底是單獨形成的。因此，總共需要4個光掩模工藝。在現有技術中，強烈需要減少掩模的數量。
發明內容
因此，本發明旨在提供一種具有TFT上濾色器結構并使用面內切換模式的液晶顯示裝置，其基本上克服了由于現有技術的局限和缺點而導致的一個或更多個問題。
本發明的一個目的是提供一種用于使用減少的制造工藝數量來制造具有TFT上濾色器結構的液晶顯示裝置的方法。
本發明另一目的是提供一種具有寬視角的液晶顯示裝置。
本發明的其它特征和優點將在下面的說明中得到闡述，其部分地根據說明即可顯見，或者可以通過對本發明的實踐來獲知。通過下述文字說明及其權利要求以及附圖中具體指出的結構，可以實現并獲得本發明的目的和其它特征、方面以及優點。
為了實現根據本發明目的的這些和其他優點，如這里所具體實現和廣泛描述的，提供了一種液晶顯示裝置，其包括位于第一基板上并與多條數據線相交叉的多條選通線，限定像素區；形成在像素區中的至少一個公共電極；位于像素區中的至少一個像素電極，該至少一個像素電極對應于所述公共電極；形成在排除選通線和數據線以外的像素區內的濾色器層；以及具有至少三層的黑底，該至少三層的內層是電極材料。
在另一方面中，提供了一種制造液晶顯示裝置的方法，其包括以下步驟在第一基板上形成多條選通線和一選通焊盤電極；在第一基板上形成多條數據線和一數據焊盤電極；在所述多條數據線和數據焊盤電極上形成夾層；在夾層上形成濾色器層；在濾色器層上形成鈍化層；形成多個接觸孔，其用于露出選通焊盤電極和數據焊盤電極；以及在濾色器層上形成至少三層以形成黑底和像素電極，該至少三層中的一層包括電極材料。
在另一方面中，提供了一種液晶顯示裝置，其包括位于第一基板上并與多條數據線相交叉的多條選通線，限定像素區；形成在像素區中的至少一個公共電極；位于像素區中的至少一個像素電極，該至少一個像素電極具有至少三層，并且該至少一個像素電極對應于公共電極；形成在排除選通線和數據線以外的像素區內的濾色器層；以及具有與所述至少一個像素電極相同的至少三層的黑底，該至少三層的內層是電極材料。
應當明白，以上一般性描述和以下詳細描述都是示例性和說明性的，旨在提供對如權利要求所述發明的進一步說明。
附圖被包括進來以提供對本發明進一步的理解，其被并入且構成本說明書的一部分，示出了本發明的實施例，并與說明一起用于解釋本發明的原理。
圖1A是示出具有COT結構的現有技術液晶顯示裝置的像素區的平面圖。
圖1B是沿圖1A的具有COT結構的現有技術液晶顯示裝置的線A-A’所截取的剖面圖。
圖2是在根據本發明一實施例的具有薄膜晶體管上濾色器結構的液晶顯示裝置的陣列基板中的示例性像素區的平面圖。
圖3A是沿圖2的液晶顯示裝置的陣列基板中的線I-I’所截取的示例性像素區的剖面圖。
圖3B是分別沿圖2的液晶顯示裝置的陣列基板中的線II-II’和III-III’所截取的示例性選通焊盤和示例性數據焊盤的剖面圖。
圖4A是在根據本發明一實施例的液晶顯示板的像素區外部的示例性焊盤單元的剖面圖。
圖4B是在根據本發明一實施例的液晶顯示板外部的示例性焊盤單元的平面圖。
圖5A是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中形成示例性柵極和公共電極的剖面圖。
圖5B是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中形成示例性薄膜晶體管和數據電極的剖面圖。
圖5C是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中形成夾層和濾色器的示例性層的剖面圖。
圖5D是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中疊置金屬、ITO層以及CrOx的示例性層的剖面圖。
圖5E是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中形成黑底部分和電極的示例性圖案的剖面圖。
圖5F是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中完成示例性選通焊盤和數據焊盤的剖面圖。
具體實施例方式
以下對本發明的優選實施例進行詳細描述，在附圖中示出了它們的示例。
圖2是在根據本發明一實施例的具有薄膜晶體管上濾色器(COT)結構的液晶顯示裝置的陣列基板中的示例性像素區的平面圖。參照圖2，液晶顯示裝置包括陣列基板和面對該陣列基板的上基板。在陣列基板內按矩陣排列有多個薄膜晶體管。在陣列基板上還形成有濾色器層。多條選通線202a和與該多條選通線202a相交叉的多條數據線205在諸如玻璃的透明基板上限定了多個像素區。具體來說，M條選通線202a和N條數據線205限定了M×N個像素區。
在像素區中設有公共線204a。公共線204a平行于選通線202a。在像素區中至少一個公共電極204從公共線204a延伸。該至少一個公共電極204平行于數據線205。此外，在像素區中設有至少一個像素電極230。該至少一個像素電極230平行于所述至少一個公共電極204。可以由與選通線202a相同的材料形成公共電極204，并可將其形成在與選通線202a相同的層上。然而，為了改進孔徑比，可以在與像素電極230相同的層上由銦錫氧化物(ITO)形成公共電極204。由形成在所述至少一個公共電極204與所述至少一個像素電極230之間的水平電場來驅動液晶。
在本發明一實施例中，可以在像素電極230與公共電極204之間設置絕緣層(未示出)。此外，像素電極230的一部分交疊選通線202a，在它們之間設置有絕緣層，從而形成電容器。
雖然在圖2中未示出，但是在每個像素區內形成有濾色器層。形成在每個像素區中的濾色器層包括紅色、綠色以及藍色子濾色器層中的一個。只在像素區內形成有濾色器層。即，在選通線或數據線上未形成有濾色器層。相反，在選通線202a和數據線205上形成有黑底部分220，以阻擋從像素區外部的下部發出的不希望的光。
在本發明的實施例中，黑底部分220與所述至少一個像素電極230一起形成，并由不透明金屬薄膜形成以防止漏光。黑底部分220未形成在與濾色器層相同的層上，而形成在與所述至少一個像素電極230相同的層上。可以將不透明薄金屬層用于黑底部分220，以阻擋不希望的光。例如，可以將Cr層用作該薄金屬層。然而，由于Cr層對外部光是高反射的，所以可能會降低液晶顯示裝置的對比度。因此，在黑底部分220內的Cr層上形成具有低反射率的CrOx層，從而防止黑底部分220反射外部光。
黑底部分220還包括透明電極，如ITO(銦錫氧化物)，用于與黑底一起形成像素電極。具體來說，按順序疊置Cr層、CrOx層以及透明電極層，對這三層一起進行構圖，以形成像素電極230和黑底部分220。然而，Cr層、CrOx層以及ITO層的疊置順序通常可以是以下順序之一(a)Cr層-CrOx層-ITO層；(b)Cr層-ITO層-CrOx層；(c)ITO層-Cr層-CrOx層；(d)ITO層-CrOx層-Cr層；(e)CrOx層-Cr層-ITO層；以及(f)CrOx層-ITO層-Cr層。由于CrOx層防止了Cr層的反射，所以不能使用其中將CrOx層形成在Cr層下方的疊置順序。由此，在本發明的多個實施例中，不使用疊置次序(d)ITO層-CrOx層-Cr層、(e)CrOx層-Cr層-ITO層以及(f)CrOx層-ITO層-Cr層。
由于CrOx層具有弱電導率，所以不能使用疊置順序(a)(其為Cr層-CrOx層-ITO層)來形成選通焊盤或數據焊盤，在這些焊盤中從Cr層進行疊置。而且，疊置順序(c)(其為ITO層-Cr層-CrOx層)可能導致Cr層的刻蝕劑穿透多孔ITO層并刻蝕形成在ITO層下方的選通焊盤或數據焊盤。因此，在以上所列多個疊置順序中，在本發明的實施例中使用疊置順序(b)(其為Cr層-ITO層-CrOx層)。根據這種疊置順序而得到的黑底部分220防止了漏光。而且，一起形成黑底部分220和像素電極230。因此，在本發明的實施例中，可以減少工藝數量。
如圖2所示，在選通線202a的端部處形成有選通焊盤電極202P，并且在數據線205的端部處形成有數據焊盤電極205P，以將外部提供的信號提供給選通線205a和數據線205。在本發明一實施例中，更導電的ITO層是選通焊盤和數據焊盤的最上一層。然而，根據疊置順序(b)(其為Cr層-ITO層-CrOx層)，CrOx層覆蓋ITO層。因此，如下所述地去除CrOx層交疊選通焊盤和數據焊盤的部分。
圖3A是沿圖2的液晶顯示裝置的陣列基板中的線I-I’所截取的示例性像素區的剖面圖。參照圖3A，在基板201上形成有柵極202和多個公共電極204。柵極202和公共電極204可以由導電金屬層(如鋁或鋁和鉬的雙層)形成。在柵極202和公共電極204上形成有柵絕緣層203。例如，柵絕緣層203可以包括二氧化硅(SiO2)層。在柵絕緣層203的TFT區上形成有薄膜晶體管。該薄膜晶體管包括由半導體層形成的有源層208，和分別與有源層208相連接的源極206和漏極207。源極206和漏極207與有源層208相連接。在源極206與漏極207之間插入有歐姆接觸層209。
在柵絕緣層203上的預定位置處形成有數據線205。此外，可以在源極206、漏極207以及數據線205上形成二氧化硅(SiO2)層或氮化硅(SiNx)層作為夾層210。在每個像素區內的夾層210上形成有濾色器層211。濾色器層211僅形成在像素區內，以不交疊選通線202a(圖2中所示)和數據線205。濾色器層211包括紅色、綠色以及藍色子濾色器層中的一個。在濾色器層211上形成有鈍化層212以保護下方的部件。鈍化層212可以由透明有機層形成。
在鈍化層212上一起形成黑底部分220和像素電極230。像素電極230平行于公共電極204。在本發明的一個實施例中，每個像素電極230都位于相鄰的公共電極204之間。因此，像素電極230與公共電極204相互交替。因此，像素電極230與公共電極204形成一個像素和公共電極對。黑底部分220在選通線202a(圖2中所示)、數據線205以及TFT區上形成一陣列。濾色器層形成在由黑底部分220包圍的區域中。
在本發明的實施例中，按順序次序疊置不透明金屬層213(如用于黑底的Cr層213)、透明層214(如用于像素電極230的ITO層214)以及低反射率層215(如用于防止Cr層213反射外部光的CrOx層215)，以形成黑底部分220和像素電極230。還可以在黑底部分220和像素電極230上形成用于液晶的初始配向的配向層240a。黑底部分220覆蓋形成在選通線202a和數據線205的端部處的選通焊盤電極202P和數據焊盤電極205P。在陣列基板(其包括多個薄膜晶體管)的一側處形成有面對陣列基板201的上基板250。在陣列基板201與上基板250之間填充有液晶材料。
圖3B是分別沿圖2的液晶顯示裝置的陣列基板中的線II-II’和III-III’所截取的示例性選通焊盤和示例性數據焊盤的剖面圖。參照圖3B，選通焊盤包括選通焊盤電極202P，該選通焊盤電極202P可以位于所述多條選通線202a之一的一端處。形成像素電極230和黑底部分220的Cr層213、ITO層214以及CrOx層215的部分交疊選通焊盤電極202P。數據焊盤包括形成在柵絕緣層203上的數據焊盤電極205P。形成像素電極230和黑底部分220的Cr層213、ITO層214以及CrOx層215的部分交疊數據焊盤電極205P。
由于選通焊盤和數據焊盤應該分別將外部提供的掃描信號和外部提供的數據信號提供給選通線202a和數據線205，并且選通焊盤和數據焊盤與TCP(帶載包裝)相接觸以使這些焊盤與驅動電路相連接，因此應該暴露更導電的ITO層，作為最上一層。因此，在本發明的實施例中，去除位于ITO層214上的CrOx層215。
圖4A是在根據本發明一實施例的液晶顯示板的像素區外部的示例性焊盤單元的剖面圖。圖4B是在根據本發明一實施例的液晶顯示板外部的示例性焊盤單元的平面圖。參照圖4A，通過密封膠(sealant)410將陣列基板200與上基板420相互接合起來，并且在陣列基板200與上基板420之間填充液晶。在陣列基板200中形成有公共電極204、數據線205以及濾色器層211。在陣列基板200的密封膠410外有形成選通焊盤和數據焊盤。例如，如圖4A所示，在密封膠410外形成包括選通焊盤電極202P的選通焊盤430。如圖4B所示，選通焊盤430位于液晶顯示裝置400的外部。
在選通焊盤電極202P的上部上形成有弱導電性的CrOx層，并且必須去除該CrOx層以暴露更導電的ITO層。具體來說，在接合了陣列基板200與上基板420之后，隨后通過灰化工藝去除選通焊盤電極202P上的CrOx層。作為灰化工藝的結果，使用金屬材料，尤其是形成了Cr膜與CrOx膜的雙層以及與該雙層疊置在一起的ITO層，形成了黑底和像素電極。
因此，根據本發明的實施例，提供了一種具有COT結構的液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置的選通焊盤和數據焊盤中的每一個都包括多個疊置層，該多個疊置層包括CR層和ITO層。該ITO層是暴露的。下面參照圖5A到5F對具有COT結構的液晶顯示裝置的制造方法進行描述，在該COT結構中像素電極和黑底是一起形成的。
圖5A是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中形成示例性柵極和公共電極的剖面圖。參照圖5A，例如通過光刻工藝在陣列基板201上形成柵極202和公共電極204。同時，還在該基板的選通焊盤部分處形成選通焊盤電極202P。隨后，例如通過等離子增強化學汽相淀積(PECVD)在柵極202和公共電極204上形成柵絕緣層203。該柵絕緣層203可以由二氧化硅層形成。
圖5B是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中形成示例性薄膜晶體管和數據電極的剖面圖。接下來，參照圖5B，在柵絕緣層上和柵極202上方形成薄膜晶體管。形成薄膜晶體管的工藝包括以下工藝在柵絕緣層203上和柵極202上方形成由半導體層形成的有源層208，和形成與有源層208相接觸的源極206和漏極207。
與源極206和漏極207一起，還在柵絕緣層203上形成數據焊盤電極205P和數據線205。源極206和漏極207、數據線205以及數據焊盤電極205P可以通過光刻工藝來形成。
圖5C是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中形成夾層和濾色器的示例性層的剖面圖。參照圖5C，隨后在源極206和漏極207上形成夾層210。可以將無機絕緣層或有機絕緣層用作夾層210。在形成夾層210之后，在夾層210上形成包括紅色、綠色以及藍色子濾色器層的感光濾色器層211。具體來說，在每個像素區中都形成包括紅色、綠色以及藍色子濾色器層中的一個的濾色器層211。不在選通線(未示出)和數據線205的上部上形成濾色器層211。在將感光濾色器層211施加至夾層210之后，通過光掩模工藝在相應的像素區處形成紅色、綠色以及藍色子濾色器層。進而在濾色器層211上形成鈍化層212。
圖5D是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中疊置金屬、ITO層以及CrOx的示例性層的剖面圖。參照圖5D，當在濾色器層211上形成鈍化層之后，形成接觸孔，以露出選通焊盤區中的柵極和數據焊盤區中的數據電極。然后，按順序次序在鈍化層212上形成不透明金屬層213、用作像素電極的ITO層214以及CrOx層215。不透明金屬層213可以是Cr層。在選通焊盤和數據焊盤上一起形成不透明金屬層213、ITO層214以及CrOx層215的三層。
參照圖5C和5D，在本發明另一實施例中，當在夾層210上形成濾色器層211之后，形成多個接觸孔(在圖5C和5D中未示出)，以露出選通焊盤區中的柵極和數據焊盤區中的數據電極。可以在形成用于露出漏極的接觸孔時一起形成該多個接觸孔。然后，當在選通焊盤和數據焊盤上形成該多個接觸孔之后，在濾色器層211上形成鈍化層212。然后，按順序次序在鈍化層212上形成不透明金屬層213、用作像素電極的ITO層214以及CrOx層215。不透明金屬層213可以是Cr層。在選通焊盤和數據焊盤上一起形成該不透明金屬層213、ITO層214以及CrOx層215的三層。
圖5E是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中形成黑底部分和電極的示例性圖案的剖面圖。如圖5E所示，利用光刻工藝對按順序次序疊置的不透明金屬層213、ITO層214以及CrOx層215進行構圖。在該光刻工藝過程中可以使用相同的刻蝕劑對CrOx層215和ITO層214進行刻蝕。但是，使用與用于ITO層214的刻蝕劑不同的刻蝕劑來刻蝕不透明金屬層213。然而，如果可以使用與用于ITO層的刻蝕劑相同的刻蝕劑來刻蝕不透明金屬層213，那么只使用一種刻蝕劑就可以刻蝕所述三層。通過光刻法形成黑底部分220，其覆蓋其中待形成選通線、數據線以及薄膜晶體管的區域；和像素電極230，其向液晶提供水平電場。與黑底部分220和像素電極230一起，還在選通焊盤和數據焊盤上形成選通焊盤圖案202P’和數據焊盤圖案205P’，選通焊盤圖案202P’和數據焊盤圖案205P’中的每一個都包括不透明金屬層213、ITO層214以及CrOx層215的疊層。
由于這些工藝的結果，形成了具有使用面內切換模式的COT結構的陣列基板，其包括形成在陣列基板上的濾色器層、像素電極以及公共電極。然后，將通過分立工藝形成的陣列基板與上基板相互接合起來。當接合上基板與陣列基板時，在陣列基板上形成密封線(未示出)。在通過密封膠將陣列基板與上基板相互接合起來之后，完成了形成在密封膠外部的選通焊盤和數據焊盤。具體來說，在選通焊盤區和數據焊盤區內，應該露出導電ITO層，以提供電接觸。
圖5F是在根據本發明一實施例的液晶顯示裝置的陣列基板的制造工藝中完成示例性選通焊盤和數據焊盤的剖面圖。參照圖5F，在將陣列基板與上基板相互接合起來之后，由于選通焊盤單元和數據焊盤單元覆蓋有弱導電CrOx層215，所以從選通焊盤區和數據焊盤區去除該CrOx層215。執行灰化工藝以去除該CrOx層215。隨后，通過液晶注入工藝在陣列基板與上基板之間的空間中填充液晶材料(在圖5F中未示出)，以完成該液晶顯示裝置。
在本發明的實施例中，當制造具有使用面內切換模式的COT結構的液晶顯示裝置時，通過一起形成黑底和像素電極，減少了制造工藝的數量。具體來說，通過使用多個疊層來制造黑底和像素電極層，在該多個疊層中，按順序次序疊置有不透明金屬層、ITO層以及CrOx層。由此，可以一起形成黑底和像素電極。
對于本領域的技術人員，很明顯，可以在不脫離本發明的精神或范圍的情況下對本發明的具有TFT上濾色器結構并使用面內切換模式的液晶顯示裝置進行各種修改和變型。由此，本發明旨在覆蓋落在所附權利要求及其等同物的范圍內的對本發明的修改和變型。
權利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括位于第一基板上并與多條數據線相交叉的多條選通線，限定像素區；形成在像素區中的至少一個公共電極；位于像素區中的至少一個像素電極，該至少一個像素電極對應于所述公共電極；形成在排除選通線和數據線以外的像素區內的濾色器層；以及具有至少三層的黑底，該至少三層的內層是電極材料。
2.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述像素電極和黑底具有相同的疊層。
3.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述黑底的所述至少三層包括按順序次序的導電不透明層的第一層、電極材料的第二層以及反射遮蔽層的第三層。
4.如權利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，第一層是Cr層，第二層是ITO層，第三層是CrOx層。
5.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述至少一個公共電極形成在與選通線相同的層中。
6.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，還包括形成在濾色器層上的鈍化層，其中，黑底和所述至少一個像素電極形成在該鈍化層上。
7.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟在第一基板上形成多條選通線和一選通焊盤電極；在第一基板上形成多條數據線和一數據焊盤電極；在所述多條數據線和數據焊盤電極上形成夾層；在夾層上形成濾色器層；在濾色器層上形成鈍化層；形成多個接觸孔，其用于露出選通焊盤電極和數據焊盤電極；以及在濾色器層上形成至少三層以形成黑底和像素電極，該至少三層中的一層包括電極材料。
8.如權利要求7所述的方法，其中，所述形成至少三層的步驟包括以下步驟按順序次序在濾色器層上形成第一Cr層、第二ITO層以及第三CrOx層。
9.如權利要求7所述的方法，其中，所述在夾層上形成濾色器層的步驟包括以下步驟在通過交叉多條選通線和多條數據線所限定的像素區中形成紅色、綠色以及藍色子濾色器層中的一個。
10.如權利要求8所述的方法，其中，所述形成至少三層的步驟包括以下步驟在濾色器層上形成至少三層；在濾色器層上的所述至少三層上形成光刻膠圖案；以及通過使用所述光刻膠圖案對該至少三層進行構圖，形成所述黑底和像素電極。
11.如權利要求8所述的方法，還包括以下步驟露出選通焊盤電極和數據焊盤電極上的電極材料。
12.如權利要求11所述的方法，其中，所述露出選通焊盤電極和數據焊盤電極上的電極材料的步驟是在將第一基板接合到面對該第一基板的上基板之后執行的。
13.如權利要求11所述的方法，其中，通過灰化工藝從所述選通焊盤電極和數據焊盤電極去除第三層。
14.一種液晶顯示裝置，包括位于第一基板上并與多條數據線相交叉的多條選通線，限定像素區；形成在像素區中的至少一個公共電極；位于像素區中的至少一個像素電極，該至少一個像素電極具有至少三層，并且該至少一個像素電極對應于公共電極；形成在排除選通線和數據線以外的像素區內的濾色器層；以及具有與所述至少一個像素電極相同的至少三層的黑底，該至少三層的內層是電極材料。
15.如權利要求14所述的液晶顯示裝置，其中，所述至少一個像素電極的所述至少三層包括按順序次序的導電不透明層的第一層、電極材料的第二層以及反射遮蔽層的第三層。
16.如權利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，第一層是Cr層，第二層是ITO層，并且第三層是CrOx層。
17.如權利要求14所述的液晶顯示裝置，其中，所述至少一個公共電極形成在與選通線相同的層中。
18.如權利要求14所述的液晶顯示裝置，還包括形成在濾色器層上的鈍化層，其中，黑底和所述至少一個像素電極形成在該鈍化層上。
全文摘要
具有TFT上濾色器結構并使用面內切換模式的液晶顯示裝置。液晶顯示裝置包括位于第一基板上并與多條數據線相交叉的多條選通線，限定像素區；形成在像素區中的至少一個公共電極；位于像素區中的至少一個像素電極，該至少一個像素電極對應于公共電極；形成在排除選通線和數據線以外的像素區內的濾色器層；以及具有至少三層的黑底，該至少三層的內層是電極材料。
文檔編號G02F1/1368GK1704830SQ20051007581
公開日2005年12月7日 申請日期2005年5月30日 優先權日2004年5月31日
發明者金東國, 樸承烈 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社