掩模基板的平整度模擬系統的制作方法

專利名稱：掩模基板的平整度模擬系統的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體領域的曝光掩模的制造方法、掩模基板信息生成方法、半導體裝置的制造方法、掩模基板、曝光掩模及服務器。
背景技術：
隨著半導體器件的微細化的進展，對光刻工序的微細化的要求日益提高。器件的設計規則的微細化已達0.13μm，必須控制的圖形尺寸精度要求達到10nm程度的極嚴格的精度。其結果是，近年來，半導體制造過程中采用的光刻工序中的問題日益凸現。
問題有作為圖形形成工序的高精度化的要因之一的光刻工序中采用的掩模基板的平整度。就是說，在伴隨微細化的光刻工序中的焦點容限減小中，掩模基板的平整度已經不能忽視。
經過本發明人等對掩模基板的平整度的反復研究的結果，搞清楚了以下問題。
掩模基板的表面形狀千差萬別，即使是同樣的平整度，也有凸形、凹形、鞍形及其混合形等各種形狀。因此，例如是同樣的平整度，在利用真空吸盤將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺的場合，根據掩模臺和真空吸盤的性質配合情況的不同，可出現在吸附時掩模基板發生大變形的場合，幾乎不變形的場合或相反平整度良好的場合。
這是因為吸附后的掩模基板的平整度與吸附前的掩模基板的表面形狀有關，于是，即使是同樣的掩模基板也會因為真空吸附的部位不同而改變。然而，由于過去只對平整度進行管理，由于掩模基板的表面形狀而使得在將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺時出現掩模基板平整度大為惡化的場合。
于是，顯而易見，利用在這種平整度劣化的掩模基板上形成圖形而得到的曝光掩模制造半導體器件，就成為制品成品率低的重要原因。

發明內容
如上所述，本發明人等，在對將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺前后的掩模基板的平整度進行比較時，確認存在由于掩模基板的表面形狀而使得吸附后的平整度惡化，從而發現這一平整度惡化是制品成品率低的主要原因。
本發明正是考慮到上述情況而提出的，其目的在于提供可以解決在將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺后掩模基板的平整度惡化而引起晶片曝光裝置制品成品率低的問題的、有效的曝光掩模的制造方法，掩模基板信息生成方法，半導體裝置的制造方法，掩模基板，曝光掩模及服務器。
本發明的第一方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩模基板和該上述第一信息和上述第二信息的對應關系，從作成的對應關系中選擇表示所希望的平整度的第二信息的工序；將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板，以與上述多個掩模基板有別的方式制備的工序；以及在制備的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。
本發明的第二方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括從表示各掩模基板和各掩模基板的主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的對多個掩模基板的對應關系中，選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板，以與上述多個掩模基板有別的方式制備的工序；以及在制備的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。
本發明的第三方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的信息的工序；作成上述各掩模基板和該上述信息的對應關系的工序；從作成的對應關系中選擇表示凸狀的表面形狀的信息工序；從上述多個掩模基板中選擇具有與所選擇的此信息有著上述對應關系的掩模基板的選擇工序；以及在所選擇的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。
本發明的第四方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示根據測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結構將各掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩模基板和該上述第一信息和上述第二信息的對應關系的工序；從作成的對應關系中選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板，以與上述多個掩模基板有別的方式制備的工序；以及在制備的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。
本發明的第五方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括從表示各掩模基板和各掩模基板的主面的表面形狀的第一信息和表示根據測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結構將各掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的對多個掩模基板的對應關系中，選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板，以與上述多個掩模基板有別的方式制備的工序；以及在制備的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。
本發明的第六方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括取得表示各掩模基板各掩模基板的主面的表面形狀的第一信息的工序；取得表示根據上述掩模基板的主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結構將上述掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；以及判斷根據上述模擬所取得的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎規格并在判斷合乎規格時處理上述掩模基板形成曝光掩模的工序。
本發明的第七方面的掩模基板信息生成方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及對應地存儲上述各掩模基板和上述第一信息及上述第二信息的工序。
本發明的第八方面的掩模基板信息生成方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的信息的工序；以及存儲在所取得的信息中表示主面的表面形狀為凸狀的信息及與其相對應的掩模基板的工序。
本發明的第九方面的掩模基板信息生成方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示根據測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結構將各掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；以及對應存儲上述各掩模基板和上述第一信息和上述第二信息的工序。
本發明的第十方面的半導體裝置的制造方法的特征在于包括將利用上述第一至第三方面任何一個的曝光掩模的制造方法制造的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上的工序；利用照明光學系統對形成于上述曝光掩模上的圖形進行照明，在所希望的基板上成像形成上述圖形的像的工序；以及根據上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的層圖形化，并用于半導體元件的形成的工序。
本發明的第十一方面的半導體裝置的制造方法的特征在于包括具備由具有主面的基板和在上述主面上形成的遮光體所組成的圖形，將上述主面的周邊區域的表面形狀朝向上述基板的周緣側，高度較上述主面的中央區域的表面低的形狀的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上的工序；利用照明光學系統對形成于上述曝光掩模上的圖形進行照明，利用投影光學系統使上述圖形的像在所希望的基板上形成成像的工序；以及根據上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的層圖形化，并用于半導體元件的形成的工序。
本發明的第十二方面的掩模基板的特征在于具備由具有主面的基板和覆蓋上述主面的遮光體組成的圖形，上述主面的周邊區域的表面形狀為朝向上述基板的周緣側，高度較上述主面的中央區域的表面低的形狀。
本發明的第十三方面的曝光掩模的特征在于具備由具有主面的基板和在上述主面上形成的遮光體所組成的圖形，上述主面的周邊區域的表面形狀為朝向上述基板的周緣側，高度較上述主面的中央區域的表面低的形狀。
本發明的第十四方面的服務器的特征在于包括用來對包含表示各掩模基板和各掩模基板的主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的多個掩模基板的對應關系的信息的頁面，進行存儲處理的單元；對來自客戶機的要求提供上述頁面的消息進行接收處理的單元；以提出要求的客戶機側可以顯示的形式對上述頁面進行發送處理的單元；以及對從上述頁面發送到的上述客戶機側發來的上述基板掩模的申請消息進行處理的單元。
對于本發明的上述以及其他的目的和新特征，根據本說明書的記載和附圖可以得到清楚的了解。


圖1為示出本發明的第1實施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。
圖2(a)為掩模基板1的主面的平面圖，用于說明第1及第2區域；圖2(b)為用于說明掩模基板的第1區域1的斷面圖；圖2(c)為用于說明掩模基板的第1區域1的另一斷面圖；圖2(d)為用于說明掩模基板的第2區域2的斷面圖。
圖3(a)為用于說明掩模基板1的第1區域1的概略斜視圖；圖3(b)為用于說明掩模基板1的第1區域1的另一概略斜視圖；圖3(c)為用于說明掩模基板1的第1區域1的另一概略斜視圖；圖3(d)為用于說明掩模基板1的第1區域1的另一概略斜視圖。
圖4為示出本發明的第3實施方案的曝光掩模的制造方法的流程的流程圖。
圖5為示出本發明的第4實施方案的曝光掩模的制造方法的流程的流程圖。
圖6為示出本發明的第6實施方案的服務器的示意圖。
具體實施例方式
下面參照附圖對本發明的實施方案予以說明。
(第1實施方案)圖1為示出本發明的第1實施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。
首先，制備由在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成涂覆它的遮光體而構成的11片掩模基板A～K，對這些掩模基板A～K的每一個，都利用基板平整度測定裝置(ニデツク公司制)測定主面，并取得在利用真空吸盤吸附到曝光裝置的掩模臺之前的11片掩模基板A～K的主面的形狀及平整度(步驟S1)。
此處，測定在圖2(a)中除掉掩模基板的周緣區域的142mm見方的區域(第1區域)1的平整度。第1區域1實際上是形成圖形的圖形形成區域。
另外，在此實施方案中，第1區域1的表面形狀的凸凹，分別如圖2(b)，圖2(c)所示，意味著相對第1區域1的兩端的連線L1為上凸及下凹的形狀。圖3(a)，圖3(b)分別大概示出表面形狀為上凸及下凹的情況。
另一方面，第2區域2的表面形狀的凸凹，如圖2(d)所示，意味著朝著掩模基板的周緣部，高度較之第1區域1的表面低的形狀情況(凸)或高的形狀的情況(凹)。另外，對于第2區域2將在第2實施方案中予以詳細描述。
之后，根據所取得的上述結果，對11片掩模基板A～K按照其各自的表面形狀進行分類(步驟S2)。其結果如表1所示。表面形狀的種類(第1信息)，可根據上述的測定結果分類為凸型、凹型、鞍型及半圓錐型。另外，在利用吸盤吸附到曝光裝置的掩模臺之前的第1區域1的平整度的測定值(第2信息)在0.4～0.5μm的范圍內。圖3(c)、圖3(d)分別大概示出表面形狀為鞍型、半圓錐型的情況。
表1

之后，利用真空吸盤依次將上述11片掩模基板A～K吸附到ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模臺上，并對利用真空吸盤吸附后的各掩模基板的主面的平整度進行測定(步驟S3)。此處，測定除掉掩模基板的周緣區域的142mm見方的區域第1區域1(圖2(a))的平整度。其后如表1所示，對11片掩模基板A～K，生成表面形狀的種類和利用真空吸盤吸附前后的平整度的值的對應關系(步驟S4)。
從表1可知，表面形狀為凸型的掩模基板A～C的吸附后的平整度與吸附前相同或稍好，而表面形狀為凹型或鞍型的掩模基板D～G的平整度在吸附后大大惡化。
另外，對于表面形狀為半圓錐型的掩模基板，平整度是分別對掩模基板的配置方向按照吸附的規定方向配置(掩模基板H，I)和在與規定方向正交即旋轉90度的方向上配置而改變吸附掩模基板的部位(掩模基板J、K)兩種的情況進行測定的。
可以看到，其結果，如表1所示，半圓錐型的掩模基板H～K的真空吸附后平整度隨掩模基板相對吸附的配置方向而改變。
就是說，可以看到，半圓錐型的掩模基板H～K的真空吸附后平整度因吸附掩模基板的部位不同而改變。
具體而言，象掩模基板H、I那樣，如果在掩模臺上的掩模基板的配置方向相對吸附是按照規定方向配置，則描繪半圓錐形弧線的邊為位于曝光裝置的掩模臺的吸附部位，平整度幾乎無改善，另一方面，如掩模基板J、K，如在旋轉90度的方向上配置，則描繪半圓錐形弧線的邊不位于曝光裝置的掩模臺的吸附部位，平整度小于0.3μm，可以確認平整度有改善(表1)。另外，在表1未示出其他的表面形狀的掩模基板A～G旋轉情況的理由是，即使旋轉平整度也沒有改善。
之后，在以上述方式預先了解了真空吸附的吸附前后的表面形狀的種類及平整度的值的11片掩模基板A～K組成的掩模基板組中，選擇出具有符合規格的平整度掩模基板，并另外制備與其表面形狀種類相同的11片掩模基板A～K(步驟S5)。此處，作為這種另外制備的掩模基板，選擇與掩模基板J形狀相同的掩模基板的場合進行說明。
另外，因為掩模基板A～K與上述另外制備的掩模基板是在圖形形成區域的平整度處于規定的規格內的情況下形成的，但表面形狀會因為標準偏差而產生差異。
之后，在上述另外制備的掩模基板上涂覆光刻膠。
其后，接著進行眾所周知的制造方法的曝光掩模制作工序。就是說，利用電子束掃描裝置對掩模基板上的光刻膠掃描出所希望的圖形。然后，將光刻膠顯影而形成光刻膠圖案，之后以此光刻膠圖形作為掩模，利用反應離子蝕刻裝置對掩模基板的遮光體進行蝕刻加工而形成遮光體圖形。其后，剝離光刻膠圖形，清洗掩模基板表面，就完成具有所希望的掩模圖形的曝光掩模(步驟S6)。另外，上述的所希望的圖形，例如包含電路圖形、或是包含電路圖形及對準用圖形。
將這樣得到的曝光掩模置于ArF晶片曝光裝置中，測定平整度時可確認為0.2μm的良好值。于是，如果采用將這種平整度高的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上，利用照明光學系統對在上述曝光掩模上形成的圖形進行照明，利用投影光學系統將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，可格外增加晶片曝光時的焦點容限，大大提高DRAM等的半導體制品的成品率。
這樣，根據本實施方案，可解決由于將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺而使掩模基板的主面的平整度惡化所引起的制品成品率低的問題，從而實現有效的曝光掩模的制造方法。
掩模基板A～K及上述另外制備的掩模基板，最好預先形成位置對準用的標記。另外，作為將掩模基板吸附到掩模臺的裝置，也不限于真空吸盤。
(第2實施方案)在第1實施方案中，只是對示于圖2(a)的掩模基板1的主面的第1區域1取得表面形狀及平整度(步驟S1)，而在本實施方案中是對第1區域1和包圍此第1區域1的第2區域這2兩個區域取得表面形狀及平整度。
此處，第1區域1為以掩模基板中心為區域中心，一邊的長度為142mm的矩形區域，第2區域2為包圍第1區域1，一邊的長度為150mm的口狀區域(從矩形區域中去掉以此矩形區域的中心為區域中心且較其為小的矩形區域后的區域)。在將掩模基板1設置于曝光裝置的掩模臺上之際，利用真空吸盤吸附的區域(掩模吸附區域)大致包含第2區域2。就是說，用來將掩模基板吸附到掩模臺上的力大體作用在第2區域2上。
在現有技術的延長線上，如果不僅考慮管理圖形形成區域，也包括掩模吸附區域的平整度，則第1區域1變大，由此就變成管理包含掩模吸附區域的區域的平整度。
然而，在現在的掩模制造技術中，要使掩模基板1的主面整個平整是非常困難的，現在的情況是掩模基板1的主面的平整度在端部急劇惡化，因此如果加大第1區域1，掩模基板1的中心部的平整度良好，但掩模基板1的端部的平整度很壞，因此掩模基板1的主面的整體的平整度的測定結果下降。因此，在本實施方案中，如上所述，對包含掩模中心的第1區域1和包圍它的第2區域2分別取得平整度及表面形狀。
對在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成遮光體而構成的掩模基板的主面的平整度、及表面形狀利用基板平整度測定裝置(ニデツク公司制)進行測定，并制備第1區域1的平整度和表面形狀、第2區域2的平整度和表面形狀分別不同的13片掩模基板A～M。
之后，依次將上述13片掩模基板A～M吸附到ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模臺上，并對利用真空吸盤吸附后的各掩模基板的主面的平整度進行測定。
之后，對13片掩模基板A～M，作成表面形狀的種類和利用真空吸盤吸附前后的第1及第2區域的平整度的值的對應關系，其結果如表2所示。
表4

如表2-4所示，在耐劃傷性和耐熱性方面，使用了實施例1或3的丸的實施例4-9的涂有抗反射膜的塑料透鏡，好于使用了對比例1的丸的對比例2-4的涂有抗反射膜的塑料透鏡，此外，暴露在大氣中后，前者的耐熱性隨時間的降低比后者小。從實施例5、7和9的涂有抗反射膜的塑料透鏡的數據來看，由于實施例3的丸中五氧化二鈮的混合比提高了，因而經涂覆透鏡的折射率和吸光度降低了。
本申請的實施例闡述了本發明的優選實施方案。但是，混合比處在實施例混合比范圍內的組合物也是優選的。同樣，厚度處在實施例所述厚度范圍內的抗反射膜也是優選的。最后，層結構屬于實施例中公開的層結構的光學元件也是優選的。
本發明的優點正如上文中詳細闡述的，按照本發明方法獲得的汽相沉積用組合物即便是在合成樹脂基材上也能形成高折射層，所述的合成樹脂基材必須在低溫、短時間、且不使用離子槍或等離子體設備的條件下進行汽相沉積；不損傷所形成的高折射層所固有的良好物理性能，即，所形成的高折射層具有高折射性；而且，包含著形成在這種合成樹脂基材上的高折射層的抗反射膜具有良好的耐劃傷性、良好的耐化學性和良好的耐熱性，且抗反射膜的耐熱性隨時間降低很少。
具體而言，如果在掩模臺上的掩模基板的配置方向相對吸附是按照規定方向配置，則描繪半圓錐形弧線的邊為位于曝光裝置的掩模臺的吸附部位，平整度低下，另一方面，如果在旋轉90度的方向上配置，則描繪半圓錐形弧線的邊不位于曝光裝置的掩模臺的吸附部位，平整度小于0.4μm，可以確認在此方向(旋轉90度的方向)上配置的大部分的掩模基板的平整度有改善。
另外，還確認在利用真空吸盤吸附后的第1區域的平整度幾乎與吸附前的第1區域的表面形狀沒有關系。就是說，在利用真空吸盤吸附前后的掩模基板的主面的形狀變化幾乎是由第2區域的表面形狀決定。
此外，可以確認，盡管第2區域的平整度與第1區域的平整度相比較，數值格外地差，在第2區域的表面形狀為凸形的場合，在利用真空吸盤吸附后的掩模基板的第1區域的表面形狀幾乎不改變。
從以上看出，通過對多個掩模基板形成其第1區域1及第2區域2的表面形狀的種類和在利用真空吸盤吸附前后的掩模基板主面的平整度的值的對應關系，就不需要為了掩模吸附區域的平整度進行管理而將掩模基板的第1區域1擴大到必要以上，可以不必將第1區域1的平整度提高到必要以上的嚴格的數值，而可以將其設定為現實的數值。并且，通過考慮第2區域2的表面形狀，可以更可靠地選擇在利用真空吸盤吸附前后的掩模基板主面的的平整度的變化小的掩模基板。
之后，在以上述方式預先了解了真空吸附的吸附前的第1區域1及第2區域2的表面形狀的種類及掩模基板主面的吸附后的平整度的值的13片掩模基板A～M組成的掩模基板組中，選擇出具有符合規格的平整度掩模基板，并另外制備與其表面形狀種類相同的13片掩模基板A～M。
此處，作為這種另外制備的掩模基板，制備與掩模基板F表面形狀(第1區域為凹，第2區域為凸)相同的掩模基板。對此掩模基板的測定結果為，第1區域的平整度在0.3μm以下，第2區域的平整度在4μm以下。
之后，在掩模基板上涂覆光刻膠。
其后，接著進行眾所周知的制造方法的曝光掩模制作工序。就是說，利用電子束掃描裝置對掩模基板上的光刻膠掃描出所希望的圖形。然后，將光刻膠顯影而形成光刻膠圖形，之后以此光刻膠圖形作為掩模，利用反應離子蝕刻裝置對掩模基板的遮光體進行蝕刻加工而形成遮光體圖形。其后，剝離光刻膠圖形，清洗掩模基板表面，就完成具有所希望的掩模圖形的曝光掩模。另外，上述的所希望的圖形，例如包含電路圖形，或是包含電路圖形及位置對準用圖形。
將這樣得到的曝光掩模置于ArF晶片曝光裝置中，測定第1區域1的平整度時，可確認為0.2μm的良好的平整度。于是，如果采用將這種平整度高的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上，利用照明光學系統對在上述曝光掩模上形成的圖形進行照明，利用投影光學系統將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，可格外增加晶片曝光時的焦點容限，大大提高DRAM等的半導體制品的成品率。
這樣，根據本實施方案，與第1實施方案同樣，可解決由于將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺而使掩模基板的主面的平整度惡化所引起的制品成品率低的問題，實現有效的曝光掩模的制造方法。
掩模基板A～M及上述另外制備的掩模基板，最好預先形成位置對準用的標記。另外，作為將掩模基板吸附到掩模臺的裝置也不限于真空吸盤。
另外，從表2可知，第2區域的表面形狀為凸狀時在利用真空吸盤吸附后的第1區域的平整度良好，所以也可以作成并使用第2區域的表面形狀為凸狀的掩模基板或曝光掩模。
在第2區域2中，具有如上表面形狀即凸狀的掩模基板或曝光掩模，可以利用例如，與石英基板的周緣區域及其內側區域(中央區域)相比中央區域的研磨速率高這一點來得到。具體而言，利用研磨裝置對石英基板的主面以比過去長的時間進行研磨而得到。其后，按照眾所周知的方法，使遮光體成膜而得到掩模基板，并且通過遮光體圖形化而得到曝光掩模。
于是，如果采用將形成具有這種表面形狀(此處為凸狀)的第2區域的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上，利用照明光學系統對在上述曝光掩模上形成的圖形進行照明，利用投影光學系統將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，與第1實施方案一樣，可格外增加晶片曝光時的焦點容限，大大提高DRAM等的半導體制品的成品率。
另外，過去對石英基板進行研磨是要使整個主面盡量平整。為此，力求控制研磨速率使其不要有明顯的差別，使研磨時間長。所以，即使是由于研磨的標準偏差而引起第2區域的表面形狀變成凸狀或凹狀，其程度較之本實施方案的的掩模基板或曝光掩模的程度明顯地小。
(第3實施方案)在本實施方案中，與在利用真空吸盤吸附后的掩模基板的主面的表面形狀相當的掩模基板的主面的表面形狀是利用模擬取得的。
首先，通過利用基板平整度測定裝置(ニデツク公司制)進行測定而求出在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成遮光體而構成的掩模基板的主面的表面形狀及平整度、圖形形成區域(圖2(a)的第1區域1)的平整度，并制備表面形狀和平整度分別不同的13片掩模基板A～M。
之后，根據ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模吸盤結構和上述13片掩模基板A～M的主面的上述測定的平整度，利用有限元法對利用真空吸盤將13片掩模基板A～M順序吸附到ArF晶片曝光裝置的掩模臺上時的掩模基板A～M的主面的平整度經模擬而取得。另外，也可采用解析法代替有限元法。接著，為確認這一模擬是否正確，將上述13片掩模基板A～M利用真空吸盤順序實際吸附到ArF晶片曝光裝置，并測定在利用真空吸盤吸附后的各掩模基板的主面的平整度。可以確認，其結果為，由模擬取得的掩模基板A～M的主面的平整度與實際上置于ArF晶片曝光裝置中利用基板平整度測定裝置進行測定和經濟最大的有效PPI分別等于16.3、22.6、27.6、和33.9。另外，當視野等于1.19m時，在進行渲染的情況下，子像素渲染最大PPI約等于49。上述等于30.6的有效PPI設置在理想PPI和經濟最大PPI值之間，因此，根據該實施例在LCD上的渲染被認為有效。
表1

因此，根據本發明的顯示器不用縮放器，而通過根據垂直分辨率渲染圖像信號而消除了圖像信號的失真。縮放器的省去降低了制造成本。
上述LCD可以由其他顯示器如PDP或OLED代替。
盡管這里詳細描述了本發明的優選實施例，但是應當清楚地明白，對本領域普通技術人員來說，對這里講述的基本發明構思的很多變化和/或修改將仍然落入如所附權利要求限定的本發明的精神和范圍之內。
圖4為示出本發明的第3實施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。在圖4的流程圖中，在步驟S3中，通過模擬取得在利用真空吸盤吸附掩模基板時的掩模基板的主面的表面形狀。于是，在步驟S4中，生成利用表面形狀和基板平整度測定裝置取得的平整度和通過模擬取得的平整度的對應關系。步驟S1、S2、S5、S6與圖1中的相同。
之后，在步驟S5中利用基板平整度測定裝置測定掩模基板的主面的表面形狀，并且在上述13片掩模基板A～M之外，另外制備利用真空吸盤將掩模基板依次吸附到曝光裝置的掩模臺時的掩模基板的主面的表面形狀通過模擬為0.2μm的平整度的掩模基板。
之后，在步驟S6中，繼續眾所周知的制造方法的曝光掩模制造工序。就是說，利用電子束掃描裝置對掩模基板上的光刻膠掃描出所希望的圖形。然后，將光刻膠顯影而形成光刻膠圖形，之后以此光刻膠圖形作為掩模，利用反應離子蝕刻裝置對掩模基板的遮光體進行蝕刻加工而形成遮光體圖形(掩模圖形)。其后，剝離光刻膠圖形，清洗掩模基板表面，就完成具有所希望的掩模圖形的曝光掩模。將此曝光掩模實際置于ArF晶片曝光裝置中，利用基板平整度測定裝置測定其主面的表面形狀及平整度時為與模擬值相同的0.2μm的平整度，可確認為良好的平整度。于是，如果采用將這種平整度高的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上，利用照明光學系統對在上述曝光掩模上形成的圖形進行照明，利用投影光學系統將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，可格外增加晶片曝光時的焦點容限，大大提高DRAM等的半導體制品的成品率。
這樣，根據本實施方案，也可與第1實施方案、第2實施方案一樣，解決由于將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺而使掩模基板的主面的平整度惡化所引起的制品成品率低的問題，實現有效的曝光掩模的制造方法。
掩模基板A～M及上述另外制備的掩模基板，最好預先形成位置對準用的標記。另外，作為將掩模基板吸附到掩模臺的裝置也不限于真空吸盤。
在上述各實施方案中，例如，晶片曝光裝置也可以不是ArF晶片曝光裝置。另外，在掩模圖形形成之后，再測定掩模基板的主面的平整度，從該測定數據通過模擬取得在將掩模基板置于曝光裝置時的掩模基板的主面的表面形狀也可以。由此，在形成掩模圖形時生成的掩模基板的主面的變形也可納入通過模擬取得的結果，可以管理更高精度的掩模基板的主面的表面形狀及平整度。此外，掩模也不限定ArF用或KRF用的，例如，也可應用真空紫外線曝光用的反射型掩模、X射線曝光用掩模、電子束曝光掩模等掩模。
(第4實施方案)在本實施方案中，與在利用真空吸盤吸附后的掩模基板的主面的表面形狀相當的掩模基板的主面的表面形狀是利用模擬取得的。
圖5為示出本實施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。
在步驟S1中，通過利用基板平整度測定裝置(ニデツク公司制)進行測定而求出在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成遮光體而構成的一片掩模基板的主面的表面形狀及平整度、圖形形成區域(圖2(a)的第1區域1)的平整度。
之后，在步驟S2中，根據ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模吸盤結構和上述一片掩模基板主面的上述測定的平整度，利用有限元法對利用真空吸盤將上述一片掩模基板順序吸附到ArF晶片曝光裝置的掩模臺上時的掩模基板的主面的平整度經模擬而取得。另外，也可采用解析法代替有限元法。
接著，在步驟S3，判斷經模擬取得的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎規格，在判斷為合乎規格的場合，在步驟S4中，進入曝光掩模制造工序。
另一方面，在步驟S3中，在判斷上述掩模基板的平整度不合乎規格的場合，在步驟S5中，剝離上述掩模基板的石英基板上的遮光體薄膜。接著，在步驟S6中，對石英基板的表面進行研磨。接著，在步驟7中，在石英基板的經過研磨的表面上形成新的遮光體薄膜，返回到步驟S1的平整度測定。
本實施方案，也可與第1實施方案、第2實施方案、第3實施方案一樣，解決由于將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺而使掩模基板的主面的平整度惡化所引起的制品成品率低的問題而實現有效的曝光掩模的制造方法。
另外，上述掩模基板，最好預先形成位置對準用的標記。另外，作為將掩模基板吸附到掩模臺的裝置也不限于真空吸盤。
另外，例如，晶片曝光裝置也可以不是ArF晶片曝光裝置。另外，在掩模圖形形成之后，再測定掩模基板的主面的平整度，從該測定數據通過模擬取得在將掩模基板置于曝光裝置時的掩模基板的主面的表面形狀也可以。由此，在形成掩模圖形時生成的掩模基板的主面的變形也可納入通過模擬取得的結果，可以管理更高精度的掩模基板的主面的表面形狀及平整度。此外，掩模也不限定ArF用或KRF用的，例如，也可應用真空紫外線曝光用的反射型掩模、X射線曝光用掩模、電子束曝光掩模等掩模。
(第5實施方案)下面對本發明的第5實施方案的掩模基板信息生成方法予以說明。
本實施方案的掩模基板信息生成方法包括對表1的11片掩模基板A～K的每一個，按照圖1的流程圖的例如步驟S1～S3，取得主面的表面形狀和吸附前后的主面的平整度的工序；對11片掩模基板A～K，如表1所示，對應列出掩模基板和表面形狀的種類和平整度的值的工序；以及在個人計算機(PC)中存儲該對應關系的工序。
此外，也可將存儲于個人計算機(PC)等之中的上述對應關系顯示出來。具體而言，例如，可以在存放11片掩模基板A～K的容器上貼上印刷有顯示內容的貼紙。
通過采用上述的對應關系的顯示方法，可解決由于將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺之后使掩模基板的主面的平整度惡化所引起的制品成品率低的問題，容易進行有效的掩模基板的管理。
此外，在圖1的流程圖的步驟S2之后，在圖1的流程圖的步驟S2中取得的信息中，將表示主面的表面形狀為凸狀的信息和與其相對應的掩模基板相對應，通過將這種對應關系存儲于個人計算機(PC)中，可實施與本實施方案的掩模基板信息生成方法不同的掩模基板信息生成方法。在此場合也可與本實施方案的掩模基板信息生成方法同樣地將該對應關系利用貼紙等顯示，同樣可很容易地進行掩模基板的管理。
此處是以表1中的11片掩模基板A～K為例對掩模基板信息生成方法進行說明的，對表2的13片掩模基板A～M也可以同樣地實施掩模基板信息生成。
(第6實施方案)圖6為示出本發明的第6實施方案的服務器的示意圖。在第5實施方案中，作為顯示的示例舉出的是貼紙，在本實施方案中是顯示于服務器(服務器裝置)上，因此本實施方案的掩模基板信息生成方法可應用于電子商務(電子信函商務)。
首先，例如，通過光纖11生成表示對應關系的表1或表2或表3那樣的表，將包含其作為信息的頁面上傳到服務器12。服務器12將上述頁面存儲于硬盤等存儲單元中。
服務器12，通過因特網連接到多個客戶機(客戶機裝置)13。也可以以專線代替因特網。或者也可以是因特網與專線的組合。
服務器12包括對來自客戶機13的要求提供上述頁面的消息進行接收處理的眾所周知的單元；以提出要求的客戶機側可以顯示的形式對上述頁面進行發送處理的單元；以及對從上述頁面發送到的上述客戶機13側發來的上述基板掩模的申請消息進行處理的單元。這些眾所周知的單元，例如由局域網卡，存儲裝置，服務器軟件，CPU等構成，將這些裝置協調起來進行所希望的處理。
服務器12，如接收到來自客戶機13的要求提供上述頁面的消息，就向客戶機13發送在客戶機13的顯示器上顯示如圖6所示的畫面14所必需的信息。在畫面14中顯示有具有表1所示的內容的表15，用來通過核選選擇所希望的基板的核選框16以及將買入在核選框16中核選的掩模基板的決定傳送到服務器12決定圖標17。在圖6中，為簡單起見，示出的是具有示于表1的內容的表15，也可以使用具有示于表2的內容或示于表3的內容的表。
根據本實施方案，因為可以購入在將掩模基板吸附到曝光裝置的掩模臺之后平整度高的掩模基板，可以解決由于將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺而使掩模基板的主面的平整度惡化所引起的制品成品率低的問題，實現有效的服務器。
以上對本發明的實施方案進行了說明，但本發明不限于這些實施方案。例如，在上述實施方案中，凸型形狀的掩模基板獲得良好結果，但由于置放掩模基板的曝光裝置的不同，也有凹型形狀的掩模基板獲得良好結果的場合。就是說，因為真空吸附后的掩模基板的平整度受到掩模吸附臺和掩模吸附面的形狀和性質配合情況的很大影響，應該選擇的主面的形狀隨所使用的掩模吸附臺而改變。
此外，在上述各實施方案中，是針對ArF晶片曝光裝置用的掩模基板的場合進行說明的，但作為其他的掩模基板也可以利用例如，KrF晶片曝光裝置用的掩模基板、真空紫外線曝光用的反射型掩模基板、X射線曝光用掩模基板、電子束曝光用掩模基板等。
此外還有，在上述各實施方案中，包含各種階段的發明，通過公開的多個結構要件的適宜組合可抽出多種發明。例如，在即使是從實施方案所示的全部結構要件中去掉幾個結構要件也可以解決在發明概述中提出的課題的場合，就可以將這種去掉結構要件的結構作為發明而抽出。此外，在不脫離本發明的主旨的范圍內，可實施種種變形。
如以上的詳細說明所述，根據本發明，可實現解決在將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺后掩模基板的平整度惡化而引起晶片曝光裝置制品成品率低的問題的、有效的曝光掩模的制造方法，掩模基板信息生成方法，半導體裝置的制造方法，掩模基板，曝光掩模及服務器。
權利要求
1.一種掩模基板的平整度模擬系統，其特征在于包括取得有關掩模基板的主面的平整性的第一信息的、測定基板的平整性的單元；以及取得由根據上述第一信息和與曝光裝置的掩模吸盤結構有關的信息進行的把上述掩模基板設置于上述曝光裝置時的模擬得到的、有關上述主面的平整度的第二信息的單元。
2.如權利要求1所述的掩模基板的平整度模擬系統，其特征在于在上述掩模基板上預先形成有位置對準用掩模。
3.如權利要求1所述的掩模基板的平整度模擬系統，其特征在于由上述模擬得到的上述第二信息的取得使用了有限元法。
4.如權利要求1或3所述的掩模基板的平整度模擬系統，其特征在于包括作成在吸附到曝光裝置的掩模臺上前取得的有關上述掩模基板主面的平整性的信息和由上述模擬取得的有關平整度的信息的對應關系的單元。
5.如權利要求1或3所述的掩模基板的平整度模擬系統，其特征在于包括判斷由模擬取得的上述掩模基板的平整度是否合乎規格的單元。
6.如權利要求1～3中任一項所述的掩模基板的平整度模擬系統，其特征在于上述平整性是表面形狀、平整度、或表面形狀和平整度。
全文摘要
提供一種掩模基板的平整度模擬系統，可以解決在將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺后掩模基板的平整度惡化而引起晶片曝光裝置制品成品率低的問題。該掩模基板的平整度模擬系統包括取得有關掩模基板的主面的平整性的第一信息的測定基板的平整性的單元；以及取得有關由根據上述第一信息和與曝光裝置的掩模吸盤結構有關的信息進行的把上述掩模基板設置于上述曝光裝置時的模擬得到的有關上述主面的平整度的第二信息的單元。
文檔編號G03F1/60GK1652022SQ20051005607
公開日2005年8月10日 申請日期2002年5月31日 優先權日2001年5月31日
發明者伊藤正光 申請人:株式會社東芝