屏蔽裝置及集成電路制造方法

專利名稱：屏蔽裝置及集成電路制造方法
技術領域：
本發明系有關包含載體基板，例如玻璃基板。載體基板系運載可預定集成電路裝置圖案之石版印刷圖案，例如互連進程，接觸孔或所謂孔徑位置，或摻雜區域位置。再者，校準復數石版印刷平面所需之輔助圖案系被安置于該載體基板上。
已出版日本專利申請案JP 11329937 A系揭示網線數據庫被兩校準系統使用之石版印刷系統。安置電路裝置于網袋上之方法或特別是小系列熟練制造方法并不被詳述。
本發明目的系詳述促使電路裝置被以低制造支出來制造之簡單屏蔽裝置及簡單方法。再者，預期詳述相關資料記錄及相關程序。
有關屏蔽裝置之目的系藉由具有被詳述于權利要求1特征之屏蔽裝置來達成。
依據本發明之屏蔽裝置系包含被安置于至少兩部分區域，也就是兩、三或三個以上中部分區域中之石版印刷圖案。為了較佳理解，此后開始僅參考兩部分區域。各部分區域系包含集成電路裝置圖案。
本發明系以藉由簡單方式熟練安置可校準復數石版印刷平面之輔助圖案，以便使用單組屏蔽選擇性制造大量制造中之至少兩不同電路裝置之一而不造成硅區域相當大損失之考量為基礎。因此，依據本發明之屏蔽裝置上系具有兩類型可校準復數石版印刷平面之輔助圖案，亦即-制造一電路裝置而不同時制造另一電路裝置期間之校準復數石版印刷平面之第一輔助圖案，-制造另一電路裝置而不同時制造該一電路裝置期間之校準復數石版印刷平面之第二輔助圖案。
即使僅兩輔助圖案被呈現，這些可以兩電路裝置可藉由如選擇部分圖案被同時制造之方式來組合。
附加之一發展中-同時制造兩電路裝置期間之校準復數石版印刷平面之第三輔助圖案。
第三輔助圖案意指同時制造兩電路裝置期間不需任何第一輔助圖案及第二輔助圖案之任何組合。于是，不需有關該組合之任何方法，例如編程方法。
因此，由于兩類型輔助圖案或由于三個不同類型輔助圖案，及由于屏蔽不被暴露之部分區域或選擇被暴露之一部份區域或被暴露之復數部份區域，系可以不同方式執行三個不同制造方法，亦即獨立制造一電路裝置或另一電路裝置及同時制造兩者或所有電路裝置。
特別是，可制造彼此相異產品電路裝置之預定電路裝置圖案系被安置于屏蔽裝置上。制造少量半導體晶圓之制造準備階段或圖案制造階段，例如藉助第三輔助圖案同時制造所有被安置于屏蔽裝置上之電路裝置階段系適合以檢查所有電路裝置設計。相對地，制造大量半導體晶圓，如25半導體晶圓以上之制造階段，因為另一電路裝置可以少許支出來屏蔽，所以藉由第一及第二輔助圖案僅制造該兩電路裝置之一而不需半導體晶圓上之另一電路裝置空間系輕易可行。雖然屏蔽，但第一輔助圖案或第二輔助圖案仍可確保以非常緊密容限執行半導體制造之校準。
屏蔽裝置之一發展中，第一輔助圖案系被安置于一部份區域處且較佳亦于一部份區域中，但較佳非于其它位置處。第二輔助圖案系被安置于另一部份區域處且較佳亦于另一部份區域中，但較佳非于其它位置處。第三輔助圖案系被安置于兩個或復數部份區域所形成之全部區域處及亦于全部區域內。于是，輔助圖案及相關輔助圖案被其使用之制造之相關區域之間系具有緊密空間關系。若輔助圖案被安置于半導體晶圓被分割為復數片或芯片之分割區域，則輔助圖案并不需半導體晶圓上之任何附加空間要求。
另一發展中，特別是部分區域之間，第一輔助圖案系被安置于不同于第二輔助圖案者之位置處。此方法確保輔助圖案清楚分配至部份區域。可替代或除此之外，第三輔助圖案系被安置于不同于第一輔助圖案及第二輔助圖案者之位置處。特別是，第三輔助圖案系被安置較第一輔助圖案及第二輔助圖案更接近屏蔽裝置邊緣。然而，輔助圖案多重使用亦可行，如第一輔助圖案及第三輔助圖案。
下一發展中，各例中輔助圖案系被安置接近被分配至它們之部份區域角落。經驗顯示角落中之映像誤差最大，所以預定容限必須被順從系正確地。四角區域例中，若輔助圖案被放置于所有四個角落中，則校準方法系可以簡單方法來執行。若區域中樣具有另一輔助圖案，則例如當決定穿越所有輔助圖案之平面位置時，該校準可被促進。若輔助圖案被放置于稍后被映像至鋸齒線之位置，則此意指輔助圖案被放置接近該角落及相關區域外側。
下一發展中，各例中輔助圖案系包含至少一校準標記及至少一重疊標記。校準標記系促進屏蔽裝置及半導體晶圓上部分已被制造之集成電路裝置之校準。例如，校準標記系為十字狀或校準標記系包含彼此被平行安置之復數條棒。然而，其它校準標記亦可行。
重疊標記系促進檢查藉助屏蔽裝置被執行之放射偏移。例如，重疊標記系包含被填入或保持開啟之至少一幀或至少一矩形或方形區域。藉由該重疊標記，可制造所謂盒中盒(box-in-box)結構并于抗阻劑照射期間使用它們做順從容限之順從測試。若照射期間偏移過大，則抗阻劑系被移除。此后，新抗阻劑層系被敷設及照射或曝光。
下一發展中，屏蔽裝置額外包含被空間分配至部分區域或全部區域之測試圖案。例如，各區域系具有被用來制造各例中僅包含少量晶體管，如一百或一百以下晶體管之十個獨立電路裝置之測試圖案。無晶體管之測試電路亦被使用。例如，合適測試電路裝置系為振蕩器電路。一改進中，測試圖案同樣地被安置于被映像至鋸齒線區域之區域。測試圖案多重使用亦可行，例如被安置于第一測試圖案及第二測試圖案之部分區域間之測試圖案，及第一測試圖案及第三測試圖案或第二測試圖案及第三測試圖案之屏蔽裝置邊緣區域中之測試圖案。
屏蔽裝置下一發展中，第一輔助圖案及第一測試圖案系形成一部份區域周源之一幀。第二輔助圖案及第二測試圖案系形成另一部份區域周源之另一幀。第三幀系藉由第三輔助圖案及該兩幀周圍之第三測試結構來形成。幀中之輔助圖案及測試圖案安置系可避免簡單方式制造期間之測試圖案混亂。
下一發展中，屏蔽裝置系為被用于1∶1照射之屏蔽，也就是說被安置于屏蔽上之圖案系于曝光期間被轉移為相同大小之抗阻劑。替代發展中，屏蔽裝置系為如比率4∶1或5∶1縮小用于照射之所謂網線。為了照射或曝光，晶圓步進對準曝光器或晶圓掃描儀系被用于屏蔽例及網線例中。
屏蔽裝置下一發展中，具有彼此相異互連組件之集成電路石版印刷圖案系被安置于部分區域中。可替代或除此之外，具有相等組件互等接線之復數電路裝置之圖案系被安置于部分區域中。例如，依據基本版本用于硬盤個別控制器之四個控制電路系被放置于第一部分區域中，而具有如集成依電性內存之擴充功能版本之個別控制器之三個控制電路系被放置于第二部分區域中。藉由此法，相同類型復數電路裝置系可于被選擇產品電路稍后制造期間同時曝光。
屏蔽裝置另一發展中，兩部分區域之間系具有較佳為第一填充圖案及第二填充圖案之填充圖案。一改進中，第一填充圖案系環繞或包圍第一部分區域，第一輔助圖案及第一測試圖案，而非第二部分區域，第二填充圖案，第二測試圖案及第二輔助圖案。一改進中，第二填充圖案系環繞或包圍第二部分區域，第二輔助圖案及第二測試圖案。然而，第一部分區域，第一填充圖案，第一輔助圖案及第一測試圖案并不被第二填充圖案環繞。該填充結構系為如彼此等距之條形或方形。此發展系以選擇屏蔽裝置上特定產品之電路裝置，其它圖案僅可以裝置遞增支出被明顯屏蔽之考量為基礎。若遞增支出不被消耗，則具有交叉區域，然而，填充圖案可以簡單方式安置，所以該交叉區域很少干擾。填充圖案亦特別適用于具有小于0.35或0.25微米之最小特征尺寸之先進互補金屬氧化半導體(CMOS)技術，以確保促進制程之半導體晶圓結構同構型。較不嚴苛同構型要求技術中，同值黑化或輻射傳導區域可被安置于填充圖案位置中。
本發明另外有關電子資料記錄，其資料系依據本發明或其發展之一定義屏蔽裝置之圖案位置。該電子資料記錄系包含復數資料域，其部分再次被組合形成群組，如第一部分區域群組，第二部分區域群組及全部區域群組。例如，資料系以二進制型式被包含于資料記錄中。
再者，本發明系有關依據本發明或其發展之一定義屏蔽裝置圖案位置之程序。該程序特別包含組合第一部分區域，第一輔助圖案及較佳第一測試圖案來形成第一區塊，及組合第二部分區域，第二輔助圖案及較佳第二測試圖案來形成另一區塊之功能。一改進中，該程序可組合這兩個區塊及第三輔助圖案及第三測試圖案來形成第三區塊，其亦被稱為屏蔽裝置之全部區塊。
再者，本發明系有關依據本發明或其發展之一特別使用屏蔽裝置來制造集成電路裝置之方法。以下步驟系依據本發明之方法來執行-制造包含至少兩個部分區域具有可集成有用電路裝置之圖案之屏蔽裝置，該有用電路裝置系因該有用電路裝置被產品使用者稍后使用，而測試電路對產品使用者不重要之事實而不同于測試電路裝置。
-選擇用于照射之一部分區域及排除照射之另一部分區域，適當方法例系為屏蔽裝置被切開或不需要之部分區域被屏蔽。
-被敷設抗阻劑基板，如制造半導體晶圓至少一次或重復地照射，及轉移該被選擇部分區域為抗阻劑層而不轉移另一部分區域為抗阻劑層。此例中，該被選擇部分區域系較佳以半導體晶圓被密集覆蓋該被選擇部分區域之方式被映像入抗阻劑層。該被選擇部分區域接著緣對緣放置于半導體晶圓上。
依據本發明之方法系因復數彼此相異有用電路裝置之圖案可被安置于一屏蔽裝置而確保屏蔽裝置制造成本很低。另一方面，由于被選擇電路裝置制造期間之多重曝光，所以成本僅些微增加。
例如一改進中，一旦屏蔽裝置再次從曝光裝置被移除且被儲存若干星期，則另一部分區域系被選擇用于照射。已被用來制造之部分區域及若合適之其它部分區域系被排除照射及曝光。此后，另一被敷設抗阻劑制造半導體晶圓系至少一次或重復地被照射，該被選擇部分區域之圖案系被轉移為抗阻劑層而其它部分區域不被轉移為抗阻劑層。其它產品亦可以低制造成本來生產。
下一改進中，屏蔽裝置于各例中系被引進制造半導體基板亦被引進之曝光裝置。此意指屏蔽裝置仍運載所有部份區域之圖案。照射之后，屏蔽裝置及制造半導體基板系從照射裝置被移除。屏蔽裝置系被儲存以便下次使用。相對地，制造半導體基板系獨立于屏蔽裝置之儲存而被進一步處理。因此，例如被儲存之屏蔽裝置數量與分割屏蔽裝置為不同部分區域或藉由具相同效應之不同方法選擇部分區域相較下系被降低。
依據本發明之另一發展中，以下步驟系特別被執行于制造準備或圖案制造情況中-引進屏蔽裝置及被敷設抗阻劑制造準備半導體基板至照射裝置，
-亦照射制造準備半導體基板并將兩部分區域之圖案轉移為該制造準備半導體基板之抗阻劑層。
制造準備中，例如準備半導體基板上，產品A之電路裝置系存活，而其它部份區域中之產品B之電路裝置系被破壞。相對地，另一準備半導體基板上，產品B系存活，而產品A系被破壞。假設少量半導體晶圓被制造于制造準備時，則該程序與降低制造屏蔽裝置成本相較時特別可接受。
相對地，制造階段中，僅屏蔽裝置一部分區域被照射，導致制造電路裝置被以半導體晶圓鋸齒格校準之鄰接照射區域。再者，即使不同產品之部分區域被安置于相同屏蔽組或網線組內，全部晶圓區域均可以被選擇部分區域作密集覆蓋。
特別是相當小系列例中，屏蔽裝置及方法系特別適用于低制造支出之制造，例如小于1000晶圓被處理之制造產品。
幀系提供給各生產部分區域，該幀系包含被制造電路之制造控制或品質控制之所有光學結構或電子結構。再者，填充結構系被提供于若合適促進或促成該制造之部分區域之間。
本發明實施例系參考附圖被解釋如下，其中

圖1顯示來自制造兩產品之一網線組之一網線平面圖，圖2顯示制造準備及針對四個不同產品制造集成電路之制造階段，及圖3顯示制造四個產品之一之半導體晶圓平面圖。
圖1顯示來自制造兩產品I及II之一網線組之一網線10平面圖。除了網線10之外，該網線組系包含如另外30個或另外30個以上網線。該網線組中之各網線系類似網線10被安置于如玻璃基板之網線基板12上。各網線之左手邊緣區域14系提供包覆且不包含任何圖案。類似網線10，該網線組中之各網線系系包含制造有用電路裝置之圖案被安置其中之兩部分區域16，18。部分區域16位于網線10中央部份且具有幾乎正方形。制造產品I之圖案系被安置于部分區域16中。部分區域18位于網線10左手部份且具有一矩形。制造產品II之圖案系被安置于部分區域18中。
部分區域16系被四個校準標記20至26，四個重疊標記30至36，兩個測試結構40，42及另一輔助圖案44包圍，其一起形成完全包圍部分區域16之幾乎正方形幀46。校準標記20至26及重疊標記30至36于各例中系被放置于部分區域16之角落。例如，校準標記20至26于各例中系包含彼此被平行安置及運作于垂直方向之三個或五個條棒。重疊標記30至36于各例中系包含一方形幀。例如，校準標記20至26及重疊標記30至36于各例中之尺寸系小于20微米。測試結構40系位于幀46之上幀網格右手部份中之校準標記20，22之間。測試結構42系位于幀46之下幀網格左手部份中之校準標記24，26之間。
部分區域18系被校準標記50至56，重疊標記60至66，測試結構70，72及另一輔助結構74包圍，其一起形成一矩形幀76。校準標記50至56及重疊標記60至66于各例中系被放置于幀76之角落。另一實施例中，校準標記50至56于各例中系包含三個或五個垂直條棒。重疊標記60至66于各例中系為矩形幀。測試結構70系位于校準標記50及52之間。測試結構72系位于幀76之下幀網格上之校準標記54及56之間。幀76之結構尺寸系等于幀46之結構尺寸。
兩幀46及76系被四個校準標記80至86，四個重疊標記90至96，兩個測試結構100，102及另外輔助結構104，106包圍，其一起形成一超幀108。校準標記80至86及重疊標記90至96系被放置于超幀108之角落，且具有相同如校準標記20至26及50至56及重疊標記30至36及60至66之建構。測試結構100系被安置于超幀108之上幀網格中之校準標記80及82之間。測試結構102系被安置于超幀108之下幀網格中之校準標記84及86之間。
個別幀46，76及108中之校準標記20至26，50至56，80至86及重疊標記30至36，60至66，90至96與個別其它幀相較時系類似。網線組之其它網線中，校準標記及重疊標記亦被放置于個別幀角落鄰近處，但若適合則具有參考圖1被解釋之重疊標記相關之偏移。
網線10亦包含幀46，76及超幀108中之其它標記，如用于水平校準之標記，其系被建構類似校準標記20至26，但其條棒系位于水平方向。
如以下參考圖2及圖3對來自不同網線組之一網線解釋，三個不同制造方法可以亦包含網線10之網線組來執行，亦即-使用超幀108且不需部分區域16，18分別覆蓋來制造產品I及II，
-使用幀46且以部分區域18，幀76及超幀108同時覆蓋來僅制造產品I，及-使用幀76且以部分區域16，幀46及幀106同時覆蓋來僅制造產品II。
例如，幀46，76及108間之區域系被黑化。然而，亦有無黑化之因此另一實施例中，網線10額外運載被安置于兩填充幀110，112中之填充結構。填充幀110系鄰接幀46。填充幀112系鄰接幀76。填充幀110及112均位于超幀108之內。填充幀110及112之功能同樣地參考圖2及圖3被更詳細解釋如下。
另一實施例中，填充幀110及112鄰接側之間系具有一距離。例如，該距離系大于10微米或大于100微米圖2顯示制造及針對四個不同產品A至D制造集成電路準備之制造階段。網線制造商被委托制造包含一網線150之一網線組。被類似超幀108之超幀152環繞之該網線150系包含-針對四個產品A之四個子區域160至166于其左上角中，部份區域160至166系被安置為兩列及兩行來形成產品A之一方形部份區域。
-針對三個產品B，右手邊緣區域上及中央部份中，三個方形子區域170至174系被安置為一行。
-針對四個產品C，左下角中，四個子區域180至186同樣地被安置為為兩列及兩行。
-針對四個產品D，右下角中，四個子區域190至196同樣地被安置為為兩列及兩行。
分別針對產品A，B，C及D之子區域160至166，170至174，180至186及190至196于各例中系形成被包含校準標記，重疊標記及測試結構之專用幀環繞之部分區域。超幀152亦包含校準標記，重疊標記及測試結構。相對地，個別子區域160至196并不被具有僅環繞它們之輔助結構之幀環繞。
以包含網線150之該網線組為基礎，四個測試晶圓系被制造，見箭頭200及202。箭頭200例中，測試晶圓210系被制造用于產品A之測試電路。
校準圖案，重疊圖案及測試結構系被安置于被制造于測試晶圓210上之超幀152a中；其已藉助被被安置于超幀152中之校準圖案，重疊圖案及測試結構來制造。垂直鋸齒線220至226及水平鋸齒線230，232及234系為切去用于產品A之芯片。用于產品B，C及D之許多其它芯片因為不必位于鋸齒線220至234之隔網中而于切割期間被鋸開。
如箭頭240及242所示，測試接著被執行來檢查產品A至D之測試電路設計。一實施例中，假設這些測試完全無誤地進行。垂直虛線244系描繪制造準備或生產準備結尾。例如，亦包含網線150之網線組系被保存于網線庫中直到產品A在接收顧客訂單之后被制造為止。
鑒于子區域160至196于制造測試晶圓210時并不被屏蔽，具有四個隔板250至256之一曝光裝置系被使用，藉助其，僅子區域160至166，也就是產品A之部分區域及僅環繞此部份區域之幀，及若適合之相關填充幀，系被轉移為制造晶圓260。隔板250系覆蓋超幀152之上幀格網。右手隔板252系覆蓋產品B之子區域170至174。下隔板254系覆蓋產品C及產品D之子區域190至196。左手隔板256系覆蓋超幀152之左手幀格網。被制造于制造晶圓260上之曝光結構系參考圖3被更詳細解釋如下。
圖3顯示使用網線150執行石版印刷方法結束后之制造晶圓260細節平面圖。各例中藉由部份曝光制造之四個部份區域300至306系被安置于兩行S1，S2及兩列Z1，Z2之矩陣型式，其部份于各例中系分別包含四個子區域310至316，320至326，330至336及340至346。例如，四個子區域310至316系藉助子區域160，162，166及164來制造，特別是以子區域160制造子區域310及以子區域162制造子區域312。
部份區域300至306于各例中系被幀350至356環繞。幀350至356于各例中系包含角落中之校準標記及重疊標記。測試結構系被安置于幀350至356之邊緣區域。被放置于部份區域300至306子區域，如子區域310，312，314及316之間者系為鋸齒線稍后將運作之垂直及水平狹條。一實施例中，校準圖案，重疊圖案及測試結構系同樣地被安置于該狹條內。
再者，各幀350至356系被凹陷及突出矩形區域交替之填充幀360至366環繞。鄰近部份區域300至306之填充幀系彼此鄰接。距離A1系明定被以填充結構曝光之填充幀區域寬度之兩倍。一實施例中，距離A1系為900微米。另一實施例中，距離A1之大小系介于如100微米及1毫米之間。幀350至356之格網于各例中系具有如90微米之寬度，見距離A2。水平鋸齒線370至382及垂直鋸齒線390至400之位置系藉由圖3中之箭頭描繪。因為制造晶圓260上之所有電路裝置均位于鋸齒線格網中，所以分割有效而不會破壞電路裝置。
圖3所示結構系以箭頭標示之列方向402及箭頭標示之行方向404被延續。對應超幀152之超幀不被安置于制造晶圓260上。
一實施例中，四個以上部份區域系位于產品制造曝光區域內。再者，其它實施例并不使用填充幀360至366另一實施例中，超幀108并不出現。而幀46及76之校準標記及測試結構系于同時制造產品I及II期間被使用。為了校準，僅校準標記20，52，54及26被使用，也就是被安置于包含兩部份區域之全部區域角落中之校準標記。相對地，校準標記22，50，56及24于同時制造期間并不被用于校準。
另一實施例中，填充圖案被安置于網線上僅各部份區域兩鄰接側處而非其它兩側處。然而，鄰接部份區域之曝光會造成晶圓上之填充結構幀。此實施例中，距離A1僅對應填充圖案格網寬度。特別是，因為屏蔽系藉由如被與曝光裝置焦點處之網線一起放置之網線支架來實施，所以填充結構于屏蔽或網線邊緣并非必要。僅額外需要隔板被放置被聚焦平面外側且被鈍化映像。然而，此因填充圖案或適當距離而可接受。
兩填充圖案裝置例中，藉由不同曝光制造之填充結構系可以重疊型式及非重疊型式被安置于晶圓上。
權利要求
1.一種制造集成電路裝置之屏蔽裝置(10)，具有一載體基板(12)，具有被該載體基板(12)運載且被安置于至少兩部分區域(16，18)之石版印刷圖案，其中各部分區域(16，18)系包含用于集成電路裝置(A，B)之圖案，具有可于制造一電路裝置(A)而不同時制造另一電路裝置(B)期間校準復數石版印刷平面之第一輔助圖案(20)，具有可于制造另一電路裝置(B)而不同時制造該一電路裝置(A)期間校準復數石版印刷平面之第二輔助圖案(50)。
2.如權利要求1的該屏蔽裝置(10)，其特征在于可于同時制造兩電路裝置(A，B)期間校準復數石版印刷平面之第三輔助圖案(80)，該第三輔助圖案(80)系包含第一輔助圖案(20)及第二輔助圖案(50)之組合，或該第三輔助圖案(80)系出現于第一輔助圖案(20)及第二輔助圖案(50)之外。
3.如權利要求1或2的該屏蔽裝置(10)，其特征在于其中該第一輔助圖案(20)系被安置于一部份區域(16)處且較佳亦于一部份區域(16)中，其中該第二輔助圖案(50)系被安置于另一部份區域(18)處且較佳亦于另一部份區域(18)中，其中該第三輔助圖案(80)系被安置于被該部份區域形成之全部區域(16，18)處及亦于該全部區域(16，18)內，及/或其中該部份區域(16，18)之間，第一輔助圖案(32)系被安置在不同于第二輔助圖案(60)之位置處，及/或其中該第三輔助圖案(80)系被安置在不同于該第一輔助圖案(20)及該第二輔助圖案(50)，較佳較接近該屏蔽裝置(10)邊緣之位置處。
4.如前述權利要求任一項的該屏蔽裝置(10)，其特征在于該第一輔助圖案(20)系被安置于接近一部份區域(16)角落處，較佳至少一第一輔助圖案(20)接近該一部份區域(16)之各角落，及/或其中該第二輔助圖案(50)系被安置于接近另一部份區域(18)角落處，較佳至少一第二輔助圖案(50)接近該另一部份區域(18)之各角落，及/或其中該第三輔助圖案(80)系被安置于接近被該部份區域(16，18)形成之全部區域角落，較佳至少一第三輔助圖案(80)接近該全部區域之各角落。
5.如前述權利要求任一項的該屏蔽裝置(10)，其特征在于第一輔助圖案(20)系包含至少一校準標記(20)，其可促進該屏蔽裝置(10)及集成電路裝置之校準，較佳是校準標記(20)系包含至少一十字線或較佳是校準標記(20)系包含彼此平行被安置之復數直線結構，及/或其中輔助圖案(30)系包含至少一重疊標記(30)，其可促進藉助該屏蔽裝置(10)檢查被執行之放射偏移，較佳是重疊標記(30)系包含至少一幀或至少一矩形或方形區域。
6.如前述權利要求任一項的該屏蔽裝置(10)，其特征在于可于制造一電路裝置(A)時同時制造一測試電路裝置之至少一第一測試圖案(40)，可于制造另一電路裝置(B)時同時制造一測試電路裝置之至少一第二測試圖案(70)，及/或可于制造該電路裝置(A，B)時同時制造一測試電路裝置之至少一第三測試圖案(100)。
7.如權利要求6的該屏蔽裝置(10)，其特征在于第一輔助圖案(20，30)及第一測試圖案(40)系形成一部份區域(16)周圍之一幀(46)，及其中第二輔助圖案(50)及第二測試圖案(70)系形成另一部份區域(18)周圍之另一幀(76)，及/或其中該第三輔助圖案(80)及第三測試圖案(100)系形成該兩幀(46，76)周圍之另一幀(108)。
8.如前述權利要求任一項的該屏蔽裝置(10)，其特征在于該屏蔽裝置(10)系為用于1∶1照射之一屏蔽，特別是一晶圓步進對準曝光器或一晶圓掃描儀，或其中該屏蔽裝置(10)系為縮小該石版印刷圖案之照射之網線，特別是一晶圓步進對準曝光器或一晶圓掃描儀。
9.如前述權利要求任一項的該屏蔽裝置(10)，其特征在于具有彼此相異接線組件之集成電路裝置(A，B)之石版印刷圖案系被安置于該部分區域(16，18)中，及/或其中具有相等接線組件之復數電路裝置(A)之石版印刷圖案系被安置于部分區域(16，18)中。
10.如前述權利要求任一項的該屏蔽裝置(10)，其特征在于填充圖案系位于該第一部份區域(16)及該第二部份區域(18)之間，較佳是一第一填充圖案幀(110)系環繞該第一部份區域(16)及較佳該第一輔助圖案(20)及較佳該第一測試圖案，及較佳是一第二填充圖案幀(112)系環繞該第二部份區域(18)及較佳該第二輔助圖案(50)及較佳該第二測試圖案。
11.一種電子資料記錄，其該資料系依據該前述權利要求任一項來定義屏蔽裝置(10)之該圖案位置。
12.一種定義如權利要求1至10任一項的屏蔽裝置(10)之該圖案位置之程序，特別具有組合第一部分區域(16)及與該第一部分區域(16)相關之輔助圖案(20)來形成第一區塊，及組合第二部分區域(18)及與該第二部分區域(18)相關之輔助圖案(50)來形成另一區塊之功能。
13.一種特別使用如權利要求1至10任一項的屏蔽裝置(150)制造集成電路裝置(A，B)之方法，具有以下不受被明定順序限制被執行之步驟制造包含至少兩個部分區域(160，170)具有各例中集成有用電路裝置(A，B)之圖案之一屏蔽裝置(150)，選擇用于照射之一部分區域(160)及排除該照射之另一部分區域(170)，至少一次或重復照射一被敷設抗阻劑制造基板(260)，及轉移該被選擇部分區域(160)之圖案為該抗阻劑層而不轉移另一部分區域(170)之圖案為該抗阻劑層。
14.如權利要求13的該方法，其特征在于以下步驟選擇用于照射之另一部分區域(170)及排除該照射之該一部分區域(160)，至少一次或重復照射另一被敷設抗阻劑制造基板，及轉移該被選擇部分區域(170)之圖案為該抗阻劑層而不轉移該一部分區域(160)之圖案為該抗阻劑層。
15.如權利要求13或14的該方法，其特征在于以下步驟于照射之前引進該屏蔽裝置(150)至照射裝置及引進一制造基板(260)至該照射裝置，及較佳特別于重新引進該屏蔽裝置(150)之前及特別于重新引進另一制造基板之前，將該屏蔽裝置(150)從該照射裝置移除。
16.如權利要求12至15任一項的該方法，其特征在于以下特別于該制造基板(260)引進及/或照射之前被執行之步驟引進該屏蔽裝置(10)及被敷設抗阻劑制造準備基板(210)至照射裝置，照射該制造準備基板(210)及轉移該兩部分區域(16，18)之圖案為該制造準備基板(210)之該抗阻劑層。
全文摘要
特別對具有兩部分區域(16，18)，其中各部分區域(16，18)系包含用于集成電路裝置之圖案之屏蔽裝置作解釋。一部分區域(16)系被一輔助圖案幀(46)環繞。另一部分區域(18)系被另一輔助圖案幀(76)環繞。藉由使用該幀(46，76)可達成簡單制造。
文檔編號G03F1/14GK1774674SQ200480010271
公開日2006年5月17日 申請日期2004年4月14日 優先權日2003年4月17日
發明者J·弗羅因德, M·斯特特 申請人:因芬尼昂技術股份公司