專利名稱：液晶顯示設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及其中大量薄膜晶體管與像素電極一起排列的液晶顯示設備，并且具體涉及使用橫向電場的液晶顯示設備。
背景技術：
圖1是示出了傳統液晶顯示設備的TFT基底的平面圖。圖2是沿著圖1的I-I的剖視圖。首先，將參照圖1與圖2描述傳統液晶顯示設備。在透明基底1上形成了由Cr膜形成的掃描線2和平行掃描線2延伸的公共導線3。其次，在掃描線2與公共導線3上積淀絕緣膜，以致覆蓋掃描線2與公共導線3。在該絕緣膜上形成用于提供像素信號的漏極導線7，從而經過掃描線2與公共導線3。作為漏極導線7一部分的漏極8與源極9連接到半導體層6。在公共導線3上，源極9組成存儲電極10，并且延伸到每個像素的中心以形成像素電極11。半導體層6、漏極8與源極9和在半導體層6下面的掃描線2組成薄膜晶體管作為開關元件21。標記20表示存儲器。
然后，在絕緣膜5上形成中間層絕緣膜13。在中間層絕緣膜13上形成了用于將電場提供到液晶的上像素電極14與屏蔽公共電極15。
這時，屏蔽公共電極15屏蔽從漏極導線7泄漏到像素顯示區域的電場。通過在中間層絕緣膜13上光刻相同的層形成了上像素電極14與屏蔽公共電極15。上像素電極14與屏蔽公共電極15比掃描線2與漏極導線7更靠近液晶層200，從而它們作為導線層位于最上層，并且由諸如ITO之類的透明材料形成。上像素電極14通過在垂直方向上穿過絕緣膜13的接觸孔17，連接到下像素電極11。以同樣方式，屏蔽公共電極15通過在垂直方向上穿過絕緣膜13的接觸孔18，連接到作為下層的公共導線3。
此后，在中間層絕緣膜13上形成了上像素電極14與屏蔽公共電極15，并且顯示區域的表面通過定向膜(沒有示出)覆蓋，并且受到摩擦處理以形成TFT基底100。而且，放置彩色濾光(CF)基底300以面對TFT基底100，并且液晶層200夾在并且保持在TFT基底100與彩色濾光基底300之間。
然而，如此構成的傳統液晶顯示設備具有一結構，以致當在屏蔽公共電極15與漏極導線7之間出現中間層短路時，不可能通過激光切割，分離短路部分。
發明內容
本發明的一個目的是提供了一種液晶顯示設備，即使當屏蔽公共電極與漏極導線之間出現中間層短路時，該液晶顯示設備也可通過激光切割分離短路部分。
根據本發明的液晶顯示設備，包括第一基底；在第一基底上彼此平行的柵極導線與公共導線；在第一基底上提供以致覆蓋柵極導線與公共導線的第一絕緣膜；在第一絕緣膜上提供以致經過柵極導線與公共導線的漏極導線；在第一絕緣膜上提供以致覆蓋漏極導線的第二絕緣膜；公共電極與像素電極，由透明材料形成并且在第二絕緣膜上提供，以致彼此平行并且彼此面對地放置以形成平行面對電極部分；面對第一基底放置的第二基底；以及夾在第一基底與第二基底之間的液晶層。公共電極在寬度方向上覆蓋漏極導線，同時公共電極的寬度設定為大于漏極導線的寬度，并且在與漏極導線重疊部分的一部分處具有縫隙部分(非電極部分)。在公共電極和平行面對電極部分中的像素電極之間產生電場，以在平行于第一基底的平面內使液晶層的液晶分子旋轉，從而進行顯示。
在這種情況下，公共電極的縫隙部分(非電極部分)盡可能優選地靠近公共導線放置。而且，公共電極縫隙部分的長度優選地在平行于漏極導線的方向上盡可能小(幾微米量級)到通過激光修復能夠切割所述縫隙部分的程度。
根據本發明的液晶顯示設備，與下漏極導線重疊的屏蔽公共電極中提供了縫隙部分(非電極部分)。因此，即使當漏極導線與屏蔽公共電極之間出現中間層短路時，其將作為嚴重缺陷的線缺陷引入到屏幕上的顯示，然而，通過用激光修復切割縫隙的兩側以分離短路部分可修復線缺陷。
圖1是示出了傳統液晶顯示設備的平面圖。
圖2是沿著圖1與圖3的I-I線的剖視圖。
圖3是示出了根據本發明第一實施例的液晶顯示設備的平面圖。
圖4是示出了根據本發明第二實施例的液晶顯示設備像素的平面圖。
具體實施例方式
將參照附圖描述根據本發明實施例的液晶顯示設備。圖3是示出了根據本發明第一實施例液晶顯示設備的TFT基底處像素的平面圖。圖2也是沿著圖3的I-I線的剖視圖，并且圖2與示出了傳統液晶顯示設備的圖1的I-I線的剖視圖是通用的。在下列實施例中，像素電極11、14和平行于像素電極提供的公共電極7設計為V形的形狀。事實上，本發明可應用于線形的像素電極11、14與公共電極7。
在透明基底1上形成了由Cr膜形成的掃描線2和平行于掃描線2的公共導線3。然后，在掃描線2與公共導線3上積淀絕緣膜，從而覆蓋掃描線2與公共導線3，并且在該絕緣膜上形成用于提供像素信號的漏極導線7。作為漏極導線7一部分的漏極8與源極9連接到半導體層6。在公共導線3上，源極9組成存儲電極10，并且延伸到像素的中心以形成像素電極11。半導體層6、漏極8與源極9和在半導體層6下面的掃描線2組成薄膜晶體管作為開關元件21。標記20表示存儲器。
然后，在絕緣膜5上形成中間層絕緣膜13。在中間層絕緣膜13上形成了用于將電場提供到液晶的上像素電極14與屏蔽公共電極15。
屏蔽公共電極15屏蔽從漏極導線7泄漏到像素顯示區域的電場。通過在中間層絕緣膜13上光刻相同的層形成了上像素電極14與屏蔽公共電極15。上像素電極14與屏蔽公共電極15比掃描線2與漏極導線7更靠近液晶層，以致它們作為導線層位于最上層，并且由透明材料形成。上像素電極14通過在垂直方向上穿過絕緣膜的接觸孔17，連接到下像素電極11。以同樣方式，屏蔽公共電極15通過在垂直方向上穿過絕緣膜的接觸孔18，連接到下公共導線3。
而且，提供了屏蔽公共電極15，以致與在屏蔽公共電極15下層中形成的漏極導線7重疊，并且其設計為比漏極導線7寬。而且，在屏蔽公共電極15中與漏極導線7重疊部分處提供了縫隙部分16。縫隙部分16為沒有電極的部分。
在中間層絕緣膜13上形成了上像素電極14與屏蔽公共電極15，并且顯示區域的表面通過定向膜(沒有示出)覆蓋，并且受到摩擦處理以形成TFT基底100。而且，放置彩色濾光基底300以面對TFT基底100，并且液晶層200夾在并且保持在TFT基底100與彩色濾光基底300之間。
如此構造的液晶顯示設備為一種液晶顯示設備，其中屏蔽公共電極15與平行面對電極部分的像素電極11和14之間產生電場，以在平行于TFT基底100的平面內使液晶層200的液晶分子旋轉，從而進行顯示。屏蔽公共電極15在其寬度方向上覆蓋漏極導線7，同時其寬度大于漏極導線7的寬度，并且在與漏極導線7重疊部分的一部分處具有縫隙部分16(非電極部分)。
如上所述，在根據此實施例的液晶顯示設備中，在與下漏極導線7重疊的屏蔽公共電極15中提供了縫隙部分16(非電極部分)。在此情況中，當由于工藝中某些因素導致屏蔽公共電極15與漏極導線7之間出現短路部分12時，其作為漏極導線7的線缺陷(line defect)而出現，成為屏幕顯示的嚴重缺陷。因此，激光切割應用于激光切割部分19處指示的縫隙部分16的兩側，并且可分離屏蔽公共電極15的短路部分12，以致可消除/修復線缺陷。
其次，將參照圖4的平面圖描述根據本發明第二實施例的液晶顯示設備。此實施例用于由于某些原因在公共導線3上不能放置屏蔽公共電極15中提供的縫隙部分16(非電極部分)的情況。在此實施例中，縫隙部分16盡可能靠近公共導線3放置。在此實施例中，激光切割也應用于激光切割部分19處指示的縫隙部分16的兩側，并且可分離屏蔽公共電極15的短路部分12，以致可消除/修復線缺陷。第二實施例具有與第一實施例相同的作用和效果。
權利要求
1.一種液晶顯示設備，包括第一基底；在第一基底上彼此平行的柵極導線與公共導線；在第一基底上提供的第一絕緣膜，從而覆蓋柵極導線與公共導線；在第一絕緣膜上提供的漏極導線，從而經過柵極導線與公共導線；在第一絕緣膜上提供的第二絕緣膜，從而覆蓋漏極導線；公共電極與像素電極，它們由透明材料形成并且在第二絕緣膜上提供，從而彼此平行且彼此面對地放置以形成平行面對電極部分，公共電極在寬度方向上覆蓋漏極導線，同時公共電極的寬度設定為大于漏極導線的寬度，并且在與漏極導線重疊部分的一部分處具有縫隙部分(非電極部分)；面對第一基底放置的第二基底；以及夾在第一基底與第二基底之間的液晶層，其中在公共電極與平行面對電極部分中的像素電極之間產生電場，以在平行于第一基底的平面內使液晶層的液晶分子旋轉，從而進行顯示。
2.如權利要求1所述的液晶顯示設備，其中公共電極的縫隙部分(非電極部分)盡可能靠近公共導線放置。
3.如權利要求2所述的液晶顯示設備，其中平行于漏極導線的方向上公共電極的縫隙部分的長度盡可能小到激光修復能夠切割該縫隙部分的程度。
全文摘要
在作為不同層與漏極導線重疊的屏蔽公共電極的中心提供了縫隙部分。當漏極導線與屏蔽公共電極之間出現中間層短路時，其在屏幕顯示上引入了嚴重缺陷，然而，通過采用激光修復來切割短路部分的縫隙的兩側并且分離短路部分，可修復/消除線缺陷。
文檔編號G02F1/1343GK1621927SQ200410097380
公開日2005年6月1日 申請日期2004年11月29日 優先權日2003年11月28日
發明者橫川新二, 野上祐輔 申請人:Nec液晶技術株式會社