曝光裝置檢查用掩模、曝光裝置檢查方法和曝光裝置的制作方法

專利名稱：曝光裝置檢查用掩模、曝光裝置檢查方法和曝光裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及用掩模圖形使晶片等的被曝光對象曝光的曝光裝置的檢查方法、曝光裝置檢查用掩模和曝光裝置。
背景技術：
人們知道在曝光裝置中在被曝光對象上形成的像的特性會因投影光的偏振狀態而變化。
例如，人們知道在進行由2個光束相干施行的曝光的情況下，如

圖14所示，在把TM波111(P偏振)當作投影光的情況下，和把TE波112(S偏振)當作投影光的情況下，后者的一方所得到的相干波的對比度高。在這里，所謂TM波，指的是光入射面與電向量的振動方向平行的光，所謂TE波，指的是光入射面與電向量的振動方向垂直的光。
此外，人們還知道在考慮作為在被曝光對象的抗蝕劑表面上的光吸收率的情況下，把TM波當作入射光的一方，可以得到比把TE波當作入射光更高的光吸收率。特別是如果把TM波的入射角做成為所謂的布儒斯特(Brewster)角，則可以使反射率幾乎變成為零。
為此，人們探討了在曝光裝置中積極地控制照明光的偏振狀態，借助于此使成像特性變化的方案。
例如，在專利文獻1中，公開了使照明光變成為線性偏振光后，主要用TE波成像的方法。此外，在專利文獻2中，公開了使照明光變成為線性偏振光后，主要用TM波成像的方法。
特許第3246615號公報( - 欄，圖1等)[專利文獻2]特許第2836483號公報( - 欄，圖3等)
歸因于照明光學系統的光學構件的污染·變質，或者提供振動的位置錯開，在曝光裝置組裝時所設定的照明光的偏振方向會發生變化。像這樣的照明光的偏振方向的變動，將給曝光裝置的成像特性造成影響。因此，在使用這樣的曝光裝置時，就必須檢查是否產生了偏振方向的變動，并根據檢查結果適宜實施光學構件的凈化等。
但是，直接確認照明光未變成為所希望的偏振狀態這件事，在現有的曝光裝置中根本未進行過。根據抗蝕劑的曝光狀態等對曝光寬余度或焦點深度等進行檢測，以判定未得到所希望的成像狀態這件事，雖然用現有的曝光裝置也可以進行，但是，由于得不到所希望的成像狀態的理由，除去照明光的偏振方向變動之外，被認為還有各種各樣的可能，故偏振方向的變動的事實，不能立即判定。

發明內容
本發明，就是為解決該問題而完成的，目的在于提供可以簡便地檢查曝光裝置的照明光的偏振狀態而無須分解裝置等的曝光裝置的檢查方法、曝光裝置檢查用掩模和曝光裝置。
為了實現上述目的，本發明的曝光裝置檢查用掩模，是一種為了對做成為把光掩模載置到與被曝光對象光學性地共軛的共軛位置上，通過上述光掩模把來自光源的曝光用光束投影到上述被曝光對象上的曝光裝置的上述曝光用光束的偏振狀態進行檢查，而載置到上述光掩模的位置上的曝光裝置檢查用掩模，其特征在于具備配置在上述光源與上述共軛位置之間在上述共軛位置上形成上述光源的像的光源像形成用光學系統，和配置在形成上述光源的像的光束的光路上，選擇性地使多個偏振方向的光束透過的偏振構件。
在該曝光裝置檢查用掩模中，上述偏振構件具備偏振軸方向彼此不同的多個偏振器，并可構成為使得該多個偏振器選擇性地插入到上述光路內。在該情況下，就可以做成為使得在每一個上述多個偏振器上都設置上述光源像形成用光學系統，并伴隨著上述偏振器向上述光路內的插入向上述光路內插入該光源像形成用光學系統。
另外，上述光源像形成用光學系統，可以用目的為在上述共軛位置上形成上述光源像的針孔構成。
本發明的曝光裝置檢查方法，是一種用來對其構成為配置有發出曝光用光束的光源，用來把該曝光用光束投影到被曝光對象上的投影光學系統，和在對于上述被曝光對象和上述投影光學系統光學性地共軛的共軛位置上形成了掩模圖形的光掩模，把該掩模圖形投影到上述被曝光對象上的曝光裝置進行檢查的曝光裝置檢查方法，其特征在于具備如下步驟把用來在上述共軛位置上形成上述光源像的光源像形成用光學系統插入到上述光源與上述共軛位置之間，同時，在把偏振器插入到了形成該光源像的光束的光路中后，使上述偏振器的偏振軸方向變化以執行通過上述光源像形成光學系統和上述偏振器和上述投影光學系統的上述曝光用光束的向上述被曝光對象進行的投影的曝光步驟，和比較在每一個上述偏振軸方向上都不同的在上述被曝光對象上邊的上述曝光用光束的光強度分布，判定上述曝光用光束的偏振狀態的判定步驟。
在該曝光裝置檢查方法中，上述判定步驟，可以借助于已涂敷到上述被曝光對象上的抗蝕劑的感光狀態對上述光強度分布進行比較。或者，上述判定步驟，可以對被作為上述被曝光對象設置的攝像元件檢測出來的光強度分布進行比較。
本發明的曝光裝置，是一種具備向被曝光對象發出曝光用光束的光源；具備向上述被曝光對象上投影的掩模圖形的光掩模；載置上述被曝光對象的被曝光對象載置裝置；用來向上述被曝光對象投影該曝光用光束的投影光學系統；把上述光掩模載置到對于上述被曝光對象和上述投影光學系統光學性地共軛的共軛位置上的光掩模載置裝置的曝光裝置，其特征在于具備為了判定上述曝光用光束的偏振狀態而被載置到上述光掩模載置裝置上的檢查用掩模，該檢查用掩模，具備為了在上述共軛位置上形成上述光源像被做成為位于上述光源與上述共軛位置之間的光源像形成用光學系統；插入到形成上述光源像的光束的光路中使得其偏振軸方向可變的偏振構件。
倘采用本發明，不必分解裝置等，采用僅僅執行與執行通常的曝光裝置的曝光工序的情況下同樣的工序的辦法，就可以檢查曝光裝置的照明光的偏振狀態。
附圖的簡單說明圖1示出了本發明的實施形態所使用的曝光裝置30的概略構成。
圖2示出了多個2次光源面40的構成例。
圖3示出了本發明的實施形態1的檢查用掩模50的構成。
圖4是具有檢查用掩模50的遮光圖形53和針孔55的擴大圖。
圖5示出了把檢查用掩模50載置到曝光裝置30上后的狀態。
圖6示出了檢查用掩模50的偏振器圖形55-59的構造。
圖7示出了使用檢查用掩模50檢查曝光裝置30的方法。
圖8的曲線圖示出了2次光源41的相對光強度，和一直到晶片35露出來為止使已涂敷到晶片35上邊的抗蝕劑感光所需要的最小感光量(閾值曝光量)之間的關系。
圖9示出了使用檢查用掩模50檢查曝光裝置30的方法。
圖10示出了本發明的實施形態2的檢查用掩模50’的構成。
圖11是具有圖10所示檢查用掩模50’的遮光圖形53和針孔55的擴大圖。
圖12示出了檢查自然偏振(隨機偏振)的2次光源41的偏振狀態的方法。
圖13示出了作為本實施形態的變形例的檢查用掩模50”的構成。
圖14是用來說明把TM波111(P偏振光)當作投影光的情況下和把TE波112(S偏振光)當作投影光的情況下的不同的說明圖。
符號說明10光掩模11圖形形成部分
12玻璃基板30曝光裝置32照明光學系統33投影光學系統34光掩模載置臺35晶片36晶片載置臺37載置臺驅動機構38載置臺驅動機構402次光源面412次光源42偏振軸方向49光軸50、50′、50″檢查用掩模51透明基板53遮光圖形55針孔56-59 偏振片圖形Ln遮光部分Sp透過部分66-69、66′-69′、66″-69″ 曝光位置81-84 偏振片圖形90薄膜具體實施方式
其次，參看圖面詳細地對本發明的實施形態進行說明。
本實施形態的曝光裝置30，如圖1所示，具備未畫出來的光源，照明光學系統32，投影光學系統33，光掩模載置臺34，晶片載置臺36，載置臺驅動機構37，載置臺驅動機構38。
在本實施形態中，作為未畫出來的光源的像的2次光源41，規定為是在照明光學系統32內的2次光源面40上形成的光源。2次光源面40，位于投影光學系統33的入射光瞳面或與該面光學性地共軛的面上。此外，該2次光源41，規定是為借助于未圖示的偏振器在規定的方向上線性偏振光源。例如，如圖2(a)所示，配置為對于光軸49對稱的2個2次光源41(2重極照明)分別如箭頭42所示，被做成為使得發出把以照明光學系統32的光軸49為中心的圓的切線方向當作偏振軸方向的線性偏振的光。
在2次光源面40上的2次光源41的排列、個數和偏振軸方向42，如圖2(b)-(f)所示，可以考慮各種各樣的形式。同圖(b)雖然與同圖(a)同樣是2重極照明，但是偏振軸方向42卻被做成為以光軸49為中心的放射狀。同圖(c)雖然與同圖(a)同樣偏振軸方向42朝向切線方向，但是，2次光源41以光軸49為中心90度間隔地設置4個這點(4重極照明)不一樣。同圖(d)雖然與同圖(c)同樣是4重極照明，但是，偏振軸方向42在以光軸49為中心的放射方向的這一點不一樣。
同圖(e)雖然偏振軸方向與同圖(a)同樣是切線方向，但是，2次光源41，以光軸49為中心45度間隔地設置8個(8重極照明)這一點不一樣。同圖(f)與同圖(e)比較偏振軸方向42在以光軸49為中心的放射方向這一點不一樣。
以下，設2次光源面40是具有圖2(a)的2重極照明(偏振軸方向42為切線方向)的形態的面進行說明。
返回到圖1，光掩模載置臺34，是用來載置光掩模10的載置臺。光掩模10具備具有要投影到晶片35上邊的掩模圖形(在這里，規定為是以圖1的紙面方向(縫隙方向X)為長度方向的縫隙)的圖形形成部分11，和已粘貼到該圖形形成部分11的背面上的玻璃基板12。光掩模載置臺34，采用保持該玻璃基板12的辦法，做成為使得已載置到晶片載置臺36上邊的晶片35與圖形形成部分11對于投影光學系統33變成為光學性地共軛。此外，光掩模載置臺34，被構成為可借助于載置臺驅動機構37在包括圖1所示的掃描方向Y的方向上進行移動。同樣，晶片載置臺36，被構成為可借助于載置臺驅動機構38在包括掃描方向Y的方向上進行移動。
要在圖形形成部分11上形成的掩模圖形，可借助于2次光源41均一地照明，借助于此，就可以把掩模圖形投影到晶片35上邊。
在這樣的曝光裝置30中，為了檢查2次光源41的偏振方向是否已變成為例如圖2(a)的箭頭42所示的那樣的所希望的方向，在本實施形態中，要使用圖3和圖4所示的那樣的檢查用掩模50。該檢查用掩模50，如圖5所示，取代光掩模10，載置到光掩模載置臺34上邊使用。
如圖3所示，本實施形態的檢查用掩模50，具備透明基板51。透明基板51，例如是厚度6.35mm左右，作為材料可以使用熔融石英、螢石等。透明基板51的正面一側的面(晶片載置臺36一側的面)被做成為使得對于晶片35和投影光學系統33變成為光學性地共軛，因此，背面一側的面(2次光源41一側的面)就變成為從共軛位置離開若干間隔的位置。
在該透明基板51的背面一側上，固定性地設置有用鉻(Cr)蒸鍍膜等形成的遮光圖形53。在該遮光圖形53上，可網格狀地形成多個針孔55。在這里，假定如圖3(b)所示，在沿著縫隙方向X的行L1-L4和沿著掃描方向Y的列C1-C3的交點上，形成有3×4＝12個針孔55。此外，還假定把照明光學系統32設計為使得只有排列在1個行Li(i＝1到4)上的3個針孔55才可以用來自2次光源41的照明光同時進行照明。
該針孔55起著在透明基板51的正面一側的面附近，就是說在對于晶片35和投影光學系統33光學性地共軛的位置附近形成2次光源41的像41’的針孔光學系統的作用。1個針孔55，如圖4所示，在遮光圖形53上邊具有50微米左右的直徑。
此外，如圖3(b)所示，在透明基板51的正面一側上形成有偏振器圖形56-59。偏振器圖形56-59把偏振軸設定為使得來自2次光源41的照明光之內僅僅使規定的偏振方向的光通過，在每一個偏振器圖形上偏振軸方向都不一樣。在這里，如圖3(b)所示，把偏振器圖形56-59的偏振軸56a-59a規定為從縫隙方向X分別左旋0度、90度、45度、135度。
此外，各個偏振器圖形56-59，以縫隙方向X為長度方向在透明基板51的正面一側固定性地形成為使得分別與1個行L1或L4上邊的3個針孔55中的任何一者對應。當使檢查用掩模50在掃描方向Y上移動，1個行Li上邊的3個針孔55插入到2次光源41的照明路徑內時，與此同時，對應的1個偏振器圖形56-59也被插入到該照明路徑中。
偏振器圖形56-59，如圖6所示，用交互地配置用鉻(Cr)等的導電性金屬膜形成的遮光部分Ln和透過部分Sp構成的線條和間隔圖形(L/S圖形)構成。在這里，設步距周期方向的遮光部分Ln和透過部分Sp之比大體上是1∶1，步距周期約為150nm左右。在曝光裝置30是曝光波長193nm的ArF曝光裝置的情況下，結果變成為步距周期比曝光波長更短，把這樣的構造叫做金屬絲光柵偏振器。金屬絲光柵偏振器，具有在用遮光部分Ln和透過部分Sp構成的L/S圖形的周期方向上使電向量進行振動的光，以比與之垂直的光高的透射率透射的性質。
其次，參看圖7說明使用這樣的檢查用掩模50的曝光裝置30的檢查步驟。在這里，設2次光源面40是圖7(a)所示的那樣的2重極照明，其偏振軸方向42在以光軸49為中心的圓的切線方向上延伸。此外，假定在晶片載置臺36上邊，要裝載已涂敷上抗蝕劑的晶片35。
首先，如圖7(b)左圖所示，借助于偏振器圖形56(偏振軸56a為0度)和行L1的針孔55，將2次光源41的像41′以規定曝光量D1向抗蝕劑上邊投影。在該情況下，如設2次光源41的偏振軸方向42朝向圖7(a)所示的那樣的切線方向，由于偏振軸方向42與偏振軸56a變成為垂直的關系，故偏振器圖形56幾乎不會使來自2次光源41的光通過。為此，如圖7(b)右圖所示，在抗蝕劑上邊的曝光位置66上，就不會形成2次光源41的像41’。
其次，驅動載物臺驅動機構37，如圖7(c)左圖所示，借助于偏振器圖形57(偏振軸57a為90度)與行L2的針孔55，恰好以曝光量D1(與使用偏振器圖形56的情況下同一曝光量)把2次光源41的像41’投影到抗蝕劑上邊。另外，驅動載置臺驅動機構38，使用由偏振器圖形57進行曝光的曝光位置67變成為與上述的曝光裝置66不同的地方。在借助于該偏振器圖形57進行曝光的情況下，如果2次光源41的偏振軸方向42是圖7(a)那樣的狀態，則偏振軸方向42與偏振軸57a一致。為此，偏振器圖形57，就可以使來自2次光源41的光的全部都通過。為此，如圖7(c)右圖所示，就可以在曝光位置67上邊清晰地顯影2次光源41的像41’。
另外，曝光量D1，在使用偏振器圖形57的情況下，也可以設定為一直到晶片35露出來為止使已涂敷到晶片35上邊的抗蝕劑感光所需要的最小感光量(閾值曝光量)。來自2次光源41的照明光的相對光強度I和閾值曝光量D，處于圖8所示的曲線圖的關系。于是，在設想相對光強度I是I1的情況下，就可以把閾值曝光量設定為D1。
接著，驅動載置臺驅動機構37，如圖7(d)左圖所示，借助于偏振器圖形58(偏振軸58a為45度)和行L3的針孔55，恰好以曝光量D1把2次光源41的像41’投影到抗蝕劑上邊。另外，驅動載置臺驅動機構38，使用由偏振器圖形58進行曝光的曝光位置68變成為與上述的曝光裝置66和67不同的地方。在該情況下，如果2次光源41的偏振軸方向42如圖7(a)所示的那樣，由于結果變成為偏振軸方向42與偏振軸58a相差45度，故偏振器圖形58就使來自2次光源41的光的 通過。為此，如圖7(d)右圖所示，雖然在曝光位置68上會顯影2次光源41的像41’，但是，抗蝕劑的感光的比率卻變得比曝光位置67小。就是說，相對于在曝光位置67處，例如一直到底面為止可以除去抗蝕劑，在曝光位置68處則變成為抗蝕劑只能除去得淺。
最后，驅動載置臺驅動機構37，如圖7(e)左圖所示，借助于偏振器圖形59(偏振軸59a為135度)和行L4的針孔55，以恰好的曝光量D1把2次光源41的像41’投影到抗蝕劑上邊。另外，驅動載置臺驅動機構38，使用由偏振器圖形59進行曝光的曝光位置69變成為與上述的曝光位置66到68不同的地方。在該情況下，如果2次光源41是偏振軸方向42是圖7(a)所示的那樣，則結果就變成為偏振軸方向42與偏振軸59a相差為135度。為此，偏振器圖形59，就與偏振器圖形58同樣，使來自2次光源41的光的 通過。因此，在2次光源41的偏振軸方向變成為圖7(a)所示的那樣的情況下，在曝光位置68和曝光位置69處抗蝕劑的感光的比率就變成為相同。
對像以上那樣地曝光的晶片35的曝光位置66-69的狀態進行比較，根據該比較結果，判定2次光源41的偏振方向是否已變成為預期的那樣的方向。具體地說，要使用圖像解析或各種非接觸測定設備等判定曝光位置66-69的抗蝕劑的顯影狀態。
2次光源41的偏振軸方向42，如果是圖7(a)所示的那樣，則曝光位置66-69的狀態，就將變成為圖7(b)-(e)所示的那樣的曝光狀態。因此，在未變成為圖7(b)-(e)那樣的狀態的情況下，就可以判定為偏振軸方向42未朝向預期那樣的方向。例如，在曝光位置67中，在抗蝕劑未被一直到底面為止都除去，或者曝光位置68與69的抗蝕劑除去量不同的情況下，就可以判定為偏振軸方向42未朝向預期那樣的方向。
如圖9(a)所示，采用偏振軸方向42為圓(圓心49)的切線方向的8重極照明，使用偏振器圖形56-59使晶片35曝光的情況下，曝光位置66’-69’的曝光狀態，就變成為圖9(b)-(e)所示的那樣。在不能得到這樣的曝光狀態的情況下，就可以判定為偏振軸方向42未朝向預期那樣的方向。
其次，用圖10和圖11說明本發明的實施形態2。在該實施形態2的檢查用掩模50’中，在下述一點上與實施形態1不同如圖10所示，在透明基板51的背面一側與遮光圖形53同樣形成偏振器圖形81-84(參看同圖(a))，如圖11所示，重復地形成針孔55和偏振器圖形82-84。2次光源41的偏振軸方向的檢查方法等，與實施形態1是同樣的。
以上雖然對發明的實施形態進行了說明，但是本發明并不限于這些。例如，在上述實施形態中，雖然把2次光源41設為是偏振后的光源進行的說明，但是，本發明，如圖12(a)所示，也可以在檢查自然偏振(隨機偏振)的2次光源41是否真正地投影隨機偏振的光的檢查中使用。就是說，如圖12(b)-(e)所示，采用分別使用偏振器圖形56-59使晶片35的曝光位置66”-69”曝光的辦法，就可以檢查隨機偏振的2次光源41。在已真正地得到了隨機偏振的情況下，曝光位置66”-69”的曝光狀態就將變成為幾乎相同。在不相同的情況下，就可以判定為未得到隨機偏振。
此外，在上述的實施形態中，在透明基板51的正面一側形成了偏振器圖形56-59。但是，只要把偏振器圖形56-59配置在要形成在針孔55中通過的2次光源41的像41’的光束所要通過的位置上即可，例如，如圖13所示，也可以配置在保護透明基板51的薄膜90上。在該情況下，理想的是在薄膜90處把形成2次光源41的像的光束所要通過的區域的附近予以遮光。
同樣，具有針孔55的遮光圖形53，也沒有必要非在透明基板51的背面一側形成不可，總之只要是在晶片35的光學性地共軛位置上形成2次光源像41的像41’的圖形即可。例如，也可以在2次光源41一側設置保護透明基板51的薄膜，在該薄膜上邊形成具有針孔55的遮光圖形53。
此外，在上述實施形態中，雖然為了在晶片35的光學性地共軛的位置上形成2次光源41的像使用的是具有針孔55的遮光圖形53，但是，只要是在晶體35的光學性地共軛位置上可形成2次光源41的像41′的圖形即可，例如也可使用微透鏡陣列。
此外，在上述實施形態中，與偏振器圖形56-59各個相對應地，固定地形成有3個一組的針孔55(行L1～L4)，但是針孔53，也可以構成為使得1行僅僅設置3個，并選擇性地使偏振器圖形56-59移動到該1行3個的針孔55的前邊。
此外，也可以采用僅僅準備1塊偏振器圖形，并使之旋轉的辦法，來變更偏振軸方向。
此外，在上述實施形態中，為了檢查2次光源41的偏振軸方向42，雖然使用的是已涂敷上抗蝕劑的晶片35，但是也可以代之以把攝像元件例如CCD載置到晶片載置臺36上，根據其攝像信號判定偏振軸方向42。
權利要求
1.一種曝光裝置檢查用掩模，用于對把光掩模載置到與被曝光對象光學性地共軛的共軛位置上，通過上述光掩模把來自光源的曝光用光束投影到上述被曝光對象上的曝光裝置的上述曝光用光束的偏振狀態進行檢查，而載置到上述光掩模的位置上，其特征在于具備配置在上述光源與上述共軛位置之間在上述共軛位置上形成上述光源的像的光源像形成用光學系統，和配置在形成上述光源的像的光束的光路上，選擇性地使多個偏振方向的光束透射的偏振構件。
2.根據權利要求1所述的曝光裝置檢查用掩模，其特征在于上述偏振構件具備偏振軸方向彼此不同的多個偏振器，并構成為使得該多個偏振器選擇性地插入到上述光路內。
3.根據權利要求1或2所述的曝光裝置檢查用掩模，其特征在于上述偏振軸方向分別被做成為0度、45度、90度、135度。
4.根據權利要求2所述的曝光裝置檢查用掩模，其特征在于在上述多個偏振器的每一個上，都設置有上述光源像形成用光學系統。
5.根據權利要求1所述的曝光裝置檢查用掩模，其特征在于上述光源像形成用光學系統，是用于在上述共軛位置上形成上述光源像的針孔。
6.根據權利要求1所述的曝光裝置檢查用掩模，其特征在于具備作為上述被曝光對象側的正面側的面與上述共軛位置一致的透明基板，上述光源像形成用光學系統在上述透明基板的背面側形成，上述偏振構件在上述透明基板的上述正面側形成。
7.根據權利要求1所述的曝光裝置檢查用掩模，其特征在于具備作為上述被曝光對象側的正面側的面與上述共軛位置一致的透明基板，和保護該透明基板的薄膜，上述光源像形成用光學系統在上述透明基板的背面側形成，上述偏振構件在上述薄膜上形成。
8.根據權利要求1所述的曝光裝置檢查用掩模，其特征在于具備透明基板，和保護該透明基板的薄膜，上述光源像形成用光學系統在上述薄膜上形成，上述偏振構件在上述透明基板上邊形成。
9.根據權利要求1所述的曝光裝置檢查用掩模，其特征在于上述偏振構件，通過以預定的步距周期反復形成透光部分和由導電性金屬構成的遮光部分構成，其步距周期被做成為等于或小于上述曝光用光束的波長。
10.根據權利要求1所述的曝光裝置檢查用掩模，其特征在于上述光源像形成用光學系統，沿著在上述光掩模上形成的縫隙的形狀形成多個。
11.一種曝光裝置檢查方法，用于對配置有發出曝光用光束的光源，用來把該曝光用光束投影到被曝光對象上的投影光學系統，和在對于上述被曝光對象和上述投影光學系統光學性地共軛的共軛位置上形成了掩模圖形的光掩模，把該掩模圖形投影到上述被曝光對象上的曝光裝置進行檢查，其特征在于具備如下步驟把用于在上述共軛位置上形成上述光源像的光源像形成用光學系統插入到上述光源與上述共軛位置之間，并且，在把偏振器插入到形成該光源像的光束的光路中后，使上述偏振器的偏振軸方向變化以執行介由上述光源像形成光學系統、上述偏振器和上述投影光學系統的上述曝光用光束向上述被曝光對象進行的投影的曝光步驟，和比較在每一個上述偏振軸方向上不同的在上述被曝光對象上的上述曝光用光束的光強度分布，判定上述曝光用光束的偏振狀態的判定步驟。
12.根據權利要求11所述的曝光裝置檢查方法，其特征在于上述判定步驟，借助于涂敷到上述被曝光對象上的抗蝕劑的感光狀態對上述光強度分布進行比較。
13.根據權利要求11所述的曝光裝置檢查方法，其特征在于上述判定步驟，對通過作為上述被曝光對象配置的攝像元件檢測出來的光強度分布進行比較。
14.一種曝光裝置，具備向被曝光對象發出曝光用光束的光源；具備向上述被曝光對象上投影的掩模圖形的光掩模；載置上述被曝光對象的被曝光對象載置裝置；用來向上述被曝光對象投影該曝光用光束的投影光學系統；對把上述光掩模載置到對于上述被曝光對象和上述投影光學系統光學性地共軛的共軛位置上的光掩模載置裝置，其特征在于具備為了判定上述曝光用光束的偏振狀態而被載置到上述光掩模載置裝置上的檢查用掩模，該檢查用掩模，具備為了在上述共軛位置上形成上述光源像被做成為位于上述光源與上述共軛位置之間的光源像形成用光學系統；和插入到形成上述光源像的光束的光路中使得其偏振軸方向可變的偏振構件。
全文摘要
本發明用于簡便地檢查曝光裝置的照明光的偏振狀態。把檢查用掩模50載置到曝光裝置30的光掩模載置臺34上。檢查用掩模50，在透明基板51的背面一側具備遮光圖形53，借助于在該遮光圖形53上形成的針孔55，在透明基板51的正面一側形成2次光源41的像41’。形成該像41’的光束通過偏振器圖形56－59，投影到已涂敷到晶片35上的抗蝕劑上邊。抗蝕劑的除去比率因偏振器圖形56－59的偏振軸方向而變化，根據該變化，就可以判定2次光源41的偏振方向是否處于預期的方向。
文檔編號G03F1/68GK1605934SQ20041008116
公開日2005年4月13日 申請日期2004年9月30日 優先權日2003年10月7日
發明者福原和也 申請人:株式會社東芝