專利名稱：光刻裝置及集成電路制造方法
技術領域：
本發明涉及一種光刻投影裝置，包括用于保持構圖裝置的支撐結構，以通過投影光束的照射對所述投影光束構圖；構成和設置為將構圖裝置的受照射部分成像到基底的目標部分上的投影系統，以及用于確定所述構圖裝置相對于所述投影系統的空間位置的組件，所述組件包括一測量單元，該測量單元具有足以確定所述空間位置的許多傳感器。
背景技術：
這里使用的術語“構圖裝置”應廣義地解釋為能夠給入射的輻射光束賦予帶圖案的截面的裝置，其中所述圖案對應于在基底的目標部分上形成的圖案；本文中也使用術語“光閥”。一般地，所述圖案與在目標部分中形成的器件如集成電路或者其它器件的特定功能層相對應(參見下文)。這種構圖裝置的示例包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二進制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。這種掩模在輻射光束中的布置使入射到掩模上的輻射能夠根據掩模上的圖案而選擇性的被透射(在透射掩模的情況下)或者被反射(在反射掩模的情況下)。在使用掩模的情況下，支撐結構一般是一個掩模臺，它能夠保證掩模被保持在入射輻射束中的所需位置，并且如果需要則該臺會相對光束移動。
-可編程反射鏡陣列。這種裝置的一個例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理是(例如)反射表面的已尋址區域將入射光反射為衍射光，而未尋址區域將入射光反射為非衍射光。用一個適當的濾光器，從反射的光束中濾除所述非衍射光，只保留衍射光；按照這種方式，光束根據矩陣可尋址表面的定址圖案而產生圖案。可編程反射鏡陣列的另一實施例利用微小反射鏡的矩陣排列，通過使用適當的局部電場，或者通過使用壓電致動器裝置，使得每個反射鏡能夠獨立地關于一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已尋址反射鏡以與未尋址反射鏡不同的方向將入射的輻射光束反射；按照這種方式，根據矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對反射光束進行構圖。可以用適當的電子裝置進行該所需的矩陣定址。在上述兩種情況中，構圖裝置可包括一個或者多個可編程反射鏡陣列。關于如這里提到的反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利US5,296,891、美國專利US5,523,193、PCT專利申請WO 98/38597和WO 98/33096中獲得，這些文獻在這里引入作為參照。在可編程反射鏡陣列的情況中，所述支撐結構可以是框架或者工作臺，例如，所述結構根據需要可以是固定的或者是可移動的；-可編程LCD陣列。例如由美國專利US5,229,872給出的這種結構的一個例子，它在這里引入作為參照。如上所述，在這種情況下支撐結構可以是框架或者工作臺，例如所述結構根據需要可以是固定的或者是可移動的。
為簡單起見，本文的其余部分在一定的情況下具體以掩模和掩模臺為例；可是，在這樣的例子中所討論的一般原理應適用于上述更寬范圍的構圖裝置。
光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構圖裝置可產生對應于IC一個單獨層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂覆輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅晶片)的目標部分上(例如包括一個或者多個管芯(die))。一般地，單一的晶片將包含相鄰目標部分的整個網格，該相鄰目標部分由投影系統逐個相繼輻射。在目前采用掩模臺上的掩模進行構圖的裝置中，有兩種不同類型的機器。在一類光刻投影裝置中，通過將全部掩模圖案一次曝光在目標部分上而輻射每一目標部分；這種裝置通常稱作晶片步進器或步進-重復裝置。另一種裝置(通常稱作步進-掃描裝置)通過在投影光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺來輻射每一目標部分；因為一般來說，投影系統有一個放大系數M(通常＜1)，因此對基底臺的掃描速度V是對掩模臺掃描速度的M倍。關于如這里描述的光刻設備的更多信息可以從例如US6,046,729中獲得，該文獻這里作為參考引入。
在用光刻投影裝置的制造方法中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對基底進行各種處理，如打底，涂敷抗蝕劑和弱烘烤。在曝光后，可以對基底進行其它的處理，如曝光后烘烤(PEB)，顯影，強烘烤和測量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎，對例如IC的器件的單層形成圖案。這種圖案層然后可進行任何不同的處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學-機械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么必須對每一新層重復全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現器件陣列。然后采用例如切割或者鋸割技術將這些器件彼此分開，單個器件可以安裝在載體上，與管腳等連接。關于這些處理的進一步信息可從例如Peter van Zant的“微芯片制造半導體加工實踐入門(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一書(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。
為了簡單起見，投影系統在下文稱為“鏡頭”；可是，該術語應廣義地解釋為包含各種類型的投影系統，包括例如折射光學裝置，反射光學裝置，和反折射系統。輻射系統還可以包括根據這些設計類型中任一設計的操作部件，該操作部件用于引導、整形或者控制輻射的投影光束，這種部件在下文還可總體地或者單獨地稱作“鏡頭”。另外，光刻裝置可以是具有兩個或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)的類型。在這種“多級式”器件中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。例如在US5,969,441和WO 98/40791中描述的二級光刻裝置，這里作為參考引入。
在本申請中，雖然具體結合本發明的裝置在制造IC中的應用，但是應該明確理解這種裝置可能具有許多其它應用。例如，它可用于制造集成光學系統、用于磁疇存儲器的引導和檢測圖案、液晶顯示板、薄膜磁頭等等。本領域的技術人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，在說明書中任何術語“中間掩模版”，“晶片”或者“管芯(die)”的使用應認為分別可以由更普通的術語“掩模，“基底”和“目標部分”代替。
在本文件中，使用的術語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長)和遠紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm的波長范圍)，以及粒子束，如離子束或者電子束。
具有用于確定構圖裝置相對于投影系統的空間位置的組件的光刻投影裝置例如從美國專利6,359,678中已知。然而，具有US6,359,678中公開的組件的一個問題是，構圖裝置相對于投影系統的位置測量不夠準確。不準確的原因之一是，溫度變化引起組件尺寸變化，反過來又引起熱機械應力，和/或振動會影響構圖裝置相對于投影系統的位置測量。特別是，投影系統和傳感器之間關于x軸和/或y軸的相對旋轉可產生測量誤差。其他不準確是通過利用傳感器直接在構圖裝置上測量時因局部高度差和在小角度下反射而引起的。
在2001年11月出版的研究公開內容中，公開了一種用于確定構圖裝置相對于投影系統的空間位置的組件，其中傳感器直接位于投影系統上。雖然在該公開中提出的解決方案解決了一些關于投影系統和各自的傳感器之間相對旋轉的問題，但是利用這種提出的解決方案僅僅能夠部分地補償構圖裝置相對于投影系統的動態移動。
發明內容
因此本發明的一個目的是提供一種光刻投影系統，它包括用于更準確地確定構圖裝置相對于投影系統的位置的組件。特別是，本發明旨在提供一種包括這樣一種組件的光刻投影裝置，所述組件對于因動態運動引起的熱機械應力和旋轉變化相對不敏感。
這些目的通過根據權利要求1的光刻投影裝置來實現。該裝置包括用于提供輻射投影光束的輻射系統；用于支撐構圖裝置的支撐結構，所述構圖裝置用于根據所需的圖案對投影光束進行構圖，用于將帶圖案的光束投影到基底的目標部分上的投影系統，以及用于確定所述構圖裝置相對于所述投影系統的空間位置的組件，所述組件包括一測量單元，該測量單元具有足以確定所述空間位置的數量的傳感器，其中所述數量的傳感器安裝在投影系統上。與目前的技術相比，該組件不需要額外的結構條(construction bar)(MF條)，這具有大量優點。該組件在真空下較好地工作(perform)，不容易產生污染的危險。并且，該組件可更廉價地獲得。此外，在其中安裝投影系統的框架的擺動也不會導致位置檢測的偏差。該組件具有更好的短時穩定性。該組件不太復雜。此外，不需要參考標架測量。除此之外，導致真空腔中的部件數量大大減少，并因此導致更低的放氣速度。作用于投影系統的熱量降低，這意味著缺乏用于減少動態擾動力的存在的冷卻水。在投影系統附近和投影系統上，大大增加了布置空間。由于這些優點，光刻裝置的配置方面僅僅存在少量的不同。
傳感器的安裝例如可以借助于螺栓和/或通過夾具來實現。傳感器至少具有安裝在投影系統上的光學部件。
在本發明的另一個實施方式中，其特征在于所述測量單元包括6自由度的干涉儀測量系統。干涉測量技術已經證實是可靠的，穩固的和準確的。
在本發明的另一個實施方式中，其特征在于在至少一個所述傳感器使用所述構圖裝置的圖案區之外的所述構圖裝置的反射部件上的激光束。這具有用于位置測量的輻射能夠不受構圖裝置的圖案影響的優點。由于圖案的局部形貌(topography)以及在該局部形貌上反射之后，產生波前的變化，并產生其測量誤差。
在另一個實施方式中，本發明涉及一種如上所述的光刻投影裝置，該光刻投影裝置中的構圖裝置沿掃描方向被照射，其中所述構圖裝置相對于所述投影系統的空間位置通過利用第一平面中的至少三個測量點來確定，第一平面相對于掃描方向成一角度，第一直線上的至少兩個測量點不在第一平面內，至少一個點既不在第一平面內也不在第一直線上。這導致構圖裝置的六自由度的精確確定。
本發明還涉及一種通過光刻工藝制造集成電路(IC)的方法，該方法包括-提供輻射系統以形成輻射的投影光束，輻射投影光束來自由輻射源發射的輻射；-提供用于保持構圖裝置的支撐結構，以便由投影光束照射而對所述投影光束構圖；-提供用于保持基底的基底臺，以及-提供構成和設置為將構圖裝置的受照射部分成像到基底的目標部分上的投影系統，其特征在于-至少一次確定構圖裝置相對于支撐結構的位置，-在光刻投影裝置工作過程中，根據支撐結構的位置測量來確定構圖裝置相對于投影系統的位置。
現在結合附圖解釋本發明，這些附圖僅僅意在顯示實施例而不是為了限制本發明的范圍，其中圖1是光刻投影裝置的示意性的總覽圖，圖2是根據現有技術的圖1中光刻投影裝置的一部分的更詳細視圖。
圖3是根據本發明的圖2所示光刻投影裝置的相同部分的視圖。
圖4是根據本發明的具有中間掩模版的中間掩模版臺(RS)夾盤。
圖5是根據本發明的中間掩模版臺夾盤的透視圖。
圖6a，6b和6c是前面圖中示出的中間掩模版臺的側視圖。
具體實施例方式
圖1示意性地表示了本發明一具體實施方案的一光刻投影裝置1。
該裝置包括-輻射系統Ex，IL，用于提供輻射投影光束PB(例如波長為11-14nm的EUV輻射)。在這種具體的情況下，輻射系統還包括輻射源LA；-第一目標臺(掩模臺)MT，設有用于保持掩模MA(例如中間掩模版)的掩模保持器，并與用于將該掩模相對于物體PL精確定位的第一定位裝置PM連接；
-第二目標臺(基底臺)WT，設有用于保持基底W(例如涂覆抗蝕劑的硅晶片)的基底保持器，并與用于將基底相對于物體PL精確定位的第二定位裝置PW連接；-投影系統(“鏡頭”)PL，用于將掩模MA的輻射部分成像在基底W的目標部分C(例如包括一個或多個管芯(die))上。
如這里指出的，該裝置屬于反射型(即具有反射掩模)。可是，一般來說，它還可以是例如透射型(具有透射掩模)。另外，該裝置可以利用其它種類的構圖裝置，如上述涉及的可編程反射鏡陣列型。
輻射源LA(例如產生激光的等離子體或者放電等離子體EUV輻射源)產生輻射光束。該光束直接或在橫穿過如擴束器Ex等調節裝置后，饋送到照明系統(照明器)IL上。該照明器IL包括調節裝置AM，用于設定光束強度分布的外和/或內徑向范圍(通常分別稱為σ-外和σ-內)。另外，它一般包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。按照這種方式，照射到掩模MA上的光束PB在其橫截面具有所需的均勻度和強度分布。
應該注意，圖1中的輻射源LA可以置于光刻投影裝置的殼體中(例如當輻射源LA是汞燈時經常是這種情況)，但也可以遠離光刻投影裝置，其產生的輻射光束被(例如通過合適的定向反射鏡的幫助)引導至該裝置中；當光源LA是受激準分子激光器時通常是后面的那種情況。本發明和權利要求包含這兩種方案。
光束PB然后與保持在掩模臺MT上的掩模MA相交。橫向穿過掩模MA后，光束PB通過鏡頭PL，該鏡頭將光束PB聚焦在基底W的目標部分C上。在第二定位裝置PW(和干涉測量裝置IF)的輔助下，基底臺WT可以精確地移動，例如在光束PB的光路中定位不同的目標部分C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM將掩模MA相對光束PB的光路進行精確定位。一般地，用圖1中未明確顯示的長沖程模塊(粗略定位)和短沖程模塊(精確定位)，可以實現目標臺MT、WT的移動。可是，在晶片步進器中(與步進-掃描裝置相對)，掩模臺MT可與短沖程致動裝置連接，或者固定。掩模MA與基底W可以使用掩模對準標記M1、M2和基底對準標記P1、P2進行對準。
所示的裝置可以按照二種不同模式使用1.在步進模式中，掩模臺MT基本保持不動，整個掩模圖像被一次投影(即單“閃”)到目標部分C上。然后基底臺WT沿x和/或y方向移動，以使不同的目標部分C能夠由光束PB照射；2.在掃描模式中，基本為相同的情況，但是給定的目標部分C沒有暴露在單“閃”中。取而代之的是，掩模臺MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向”，例如y方向)以速度v移動，以使投影光束PB在掩模圖像上掃描；同時，基底臺WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時移動，其中M是鏡頭PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。以這種方式，可以曝光相當大的目標部分C，而沒有犧牲分辨率。在圖1中，示出用于確定構圖裝置相對于投影系統的空間位置的組件12，該組件構成光刻投影裝置1的一部分。參考圖2進一步說明組件12。
在下面的說明中，使用笛卡兒坐標系，該坐標系的y方向平行于光刻投影裝置1中的掃描方向。
在圖2中，示出依照現有技術(US-B1-6,359,678)的組件12，該組件用于確定構圖裝置(中間掩模版)23相對于包含投影光學裝置的部件11的位置。該部件11也稱為投影系統11或者“鏡頭”組件11。中間掩模版23安裝在中間掩模版臺13的下面。中間掩模版23在圖2中不可見，因此以虛線繪出。在z方向，將來自傳感器21的激光束15從部件11引向中間掩模版23。在x方向，將激光束17引向部件11和中間掩模版臺13。在y方向，將激光束19引向部件11和中間掩模版臺13。在圖2中，示出將激光束17和19分別成對地引向組件12。理論上可以使用單一光束17，19，但是出于實際原因使用一對光束。
中間掩模版23相對于部件11的位置根據直接在中間掩模版23上的z測量來確定。在x方向和y方向上，中間掩模版23相對于部件11的位置根據激光束17和19的測量獲得。因為已知中間掩模版23在中間掩模版臺13上的位置位于xy平面內，因此可以利用激光束的測量來獲得上述相對位置。發出激光束17和19的傳感器不在部件11上。
在圖3中，示出根據本發明的圖1的組件12，該組件用于確定中間掩模版23相對于包含投影光學系統的部件11的位置。在該部件11上，安裝有直接測量中間掩模版臺13的位置的傳感器27和25。激光束26和28用于這些測量。兩個成對的激光束構成一個測量點。為了清楚起見，這種成對的激光束只用一條線表示，如用傳感器25的激光束28(即，總數為4)的情況。
在圖3的布置中，該組件12包括與圖2所示傳感器21不同的傳感器21′。傳感器21′產生三對激光束而不是兩對。將這三對激光束中的兩對引向中間掩模版23上的兩個反射條，而將一對引向中間掩模版臺13底部上的反射條33，如下面參考圖4所做的進一步說明。此外，由傳感器25產生的兩對激光束28和由傳感器27產生的三對激光束26如參考圖5所做的詳細說明。
在光刻投影裝置的工作過程中，輻射源照射中間掩模版23。傳感器21′以這種方式設置，即該傳感器使用確定中間掩模版23和中間掩模版臺13的z位置的激光束15。按照這種方式，利用直接與部件11相連的傳感器來測量中間掩模版臺13的x，y和z位置。由于已知中間掩模版23相對于中間掩模版臺13的位置，因此根據這種測量也可得知中間掩模版相對于透鏡組件11的x和y位置。在一個實施方式中，通過至少一次在輻射光束外面與帶圖案區域外面測量距一部分分化板23的距離，可以確定中間掩模版23相對于部件11的z位置。然后，進一步假定在掃描期間中間掩模版23相對于中間掩模版臺13的z位置不改變。因此，在光刻投影裝置1的工作過程中不需要連續監測中間掩模版23的z位置。
如對本領域的技術人員是顯而易見的，關于中間掩模版23的位置的信息可以從傳感器21’，25和27得到，這三個傳感器以不同于圖3所示的方式設置。例如傳感器25和27可以集成為一個傳感器，該傳感器能夠確定與傳感器25和27單獨確定的相同的位置信息。
圖4以底視圖示出中間掩模版臺夾盤(RS夾盤)31。RS夾盤31包括反射部件33，35和37。中間掩模版23以本身已知的方式附著于RS夾盤31上。兩個附加的反射條41，43位于掩模區域外面，并位于中間掩模版23上。中間掩模版23上存在一圖案，該圖案用標號45表示，標號47表示沿圖案45掃描的輻射光束，如本領域的技術人員已知的。
需要強調的是，與根據圖2的先有技術的情況相反，所有的反射條33，41，43均位于圖案外面，因此在工作過程中位于投影光束PB照射的區域外面。這防止了由圖案對三對激光束15的任何有害影響，所述有害影響可影響從光束得到的信息的測量精度。
傳感器21′，25，27將它們各自的激光束15，28，26引向反射部件33，35和37。反射的激光束給出有關RS夾盤31相對于圖3中投影系統11的位置的信息。反射部件33，37和35分別沿參考坐標系的z，x和y方向反射光。
在圖5中，以透視圖示出中間掩模版臺夾盤31。該圖用于進一步示出本發明的作用方式。在x方向上，反射條37附著于中間掩模版臺夾盤31上。在y方向上，如箭頭39表示的掃描方向，形成為點狀的反射面35附著于中間掩模版臺夾盤31上。用于沿z方向傳播的光的反射條33附著于中間掩模版臺夾盤33的底部，由于在圖5的透視圖中不能直接看到，所以用虛線示出。也用虛線示出中間掩模版23本身和中間掩模版23上的反射條41和43。反射面35沿y方向是小斑點的原因是在光刻投影裝置1的工作過程中，中間掩模版臺夾盤31沿x方向的移動是少量的。反之，由于中間掩模版臺夾盤沿y方向的移動是大量的，因此沿x方向需要反射條37。為了在曝光用的光(exposure light)掃描掩模的時間內確保引向反射條37的激光束能進行適當反射，反射條37必須能足以用于更大量的移動。曝光用的光在掩模上掃描的長度是沿y方向的圖案長度和狹縫長度之和。
由于總共使用六對激光束，因此可提供六自由度(6DOF)干涉儀測量系統。由于沿y方向有三對激光束，沿x方向有兩對激光束，因此激光束28和26一起提供關于在x和y方向上中間掩模版臺13的位置信息，以及關于沿x方向的傾斜(Ry，即繞y軸旋轉)，沿y方向的傾斜(Rx，即繞x軸旋轉)以及繞z軸旋轉(Rz)的信息。所以，這三個反射部件35可以不在一條直線上。優選地，它們位于直角三角形的三個角上。
圖6a，6b和6c示意性地示出通過中間掩模版臺夾盤31的橫截面。它們分別示出沿y方向，x方向以及再沿y方向的視圖，從而確定用于計算中間掩模版13精確位置的各個參數和變量。所示的參數和變量具有下面的含義x1＝通過兩對光束28中之一測得的x位置；x2＝通過兩對光束28中另一個測得的x位置；y1，y2，y3＝分別通過三對光束26中之一測得的y位置；z1＝通過引向反射條33的光束15測得的z位置；zr1，zr2＝通過引向反射條41，43的光束15測得的z位置；這些位置是非實時測量的。
a1，a2，b1，e1，e2，zx，zy＝圖6a，6b，6c中規定的預定常數。
中間掩模版臺夾盤31的位置x，y和z是根據下面的通用公式利用激光束15，28，26測得的相對于參考點的距離來確定，這代表理想情況。利用反射條/面必須增加與小余弦相關的校正x＝x1+Ry*a1y＝{(y1+y2)/2}+{Rx*(a1+a2)/2}z＝z1+Rx*zy+Ry*zxRx＝(y1-y3)/b1
Ry＝(x1-x2)/b1Rz＝(y1-y2)/(e1+e2)激光束可以具有一個公共原點，或者可以由獨立的各個激光源產生。
附加的反射條41和43用于非實時地確定中間掩模版39本身相對于參考點的沿z方向的位置和Ry定向。
由于沿x方向和z方向的有限行程，因此反射部件35還可以由三個作為反射器的立體角組成。
權利要求
1.光刻投影裝置(1)，包括用于提供輻射投影光束的輻射系統；用于支撐構圖裝置的支撐結構(MT)，所述構圖裝置用于根據所需的圖案對投影光束(PB)構圖；用于將帶圖案的光束投影到基底的目標部分上的投影系統(PL)；以及用于確定所述構圖裝置相對于所述投影系統(PL)的空間位置的組件，所述組件包括一測量單元，該測量單元具有足以確定所述空間位置的數量的傳感器，其特征在于所述數量的傳感器安裝在投影系統(PL)上。
2.根據權利要求1的光刻投影裝置(1)，其特征在于光刻投影裝置(1)利用EUV輻射源工作。
3.根據權利要求1或2的光刻投影裝置(1)，其特征在于所述測量單元包括6自由度的干涉儀測量系統。
4.根據前面任一項權利要求的光刻投影裝置(1)，其特征在于至少一個所述傳感器使用所述構圖裝置的圖案區外的所述構圖裝置的反射部件上的激光束。
5.根據前面任一項權利要求的光刻投影裝置(1)，光刻投影裝置(1)中的構圖裝置沿掃描方向被照射，其特征在于所述構圖裝置相對于所述投影系統(PL)的空間位置通過利用第一平面中的至少三個測量點來確定，第一平面相對于掃描方向成一角度，第一直線上的至少兩個測量點不在第一平面內，至少一個點既不在第一平面內也不在第一直線上。
6.根據權利要求5的光刻投影裝置(1)，其特征在于所述測量點位于所述支撐結構(MT)上。
7.根據權利要求5或6中任一項的光刻投影裝置(1)，其特征在于至少兩個測量點位于所述構圖裝置的圖案區外的構圖裝置上。
8.一種通過光刻工藝制造集成電路(IC)的方法，該方法包括-提供輻射系統(3，4)以形成來自輻射源(6)發射的輻射的輻射投影光束(PB)；-提供用于保持構圖裝置的支撐結構(MT)，以便由投影光束照射來對所述投影光束構圖；-提供用于保持基底的基底臺(WT)，以及-提供構成和設置為將構圖裝置的受照射部分成像到基底的目標部分上的投影系統(5)，其特征在于-至少一次確定構圖裝置相對于支撐結構的位置，-在光刻投影裝置工作過程中，根據支撐結構的位置測量來確定構圖裝置相對于投影系統的位置。
全文摘要
本發明涉及一種光刻投影裝置(1)。該投影裝置包括用于支撐構圖裝置例如中間掩模版的支撐結構。當通過投影光束PB照射中間掩模版時，利用中間掩模版上的圖案對投影光束進行構圖。投影系統PL構成和設置為使中間掩模版的受照射部分成像到基底的目標部分上。存在有用于確定中間掩模版相對于投影系統(PL)的空間位置的組件。該組件包括一測量單元，該測量單元具有足以確定所需空間位置的數量的傳感器。
文檔編號G03F7/20GK1577103SQ20041006180
公開日2005年2月9日 申請日期2004年6月25日 優先權日2003年6月27日
發明者P·R·巴特雷, W·J·博克斯, D·J·P·A·弗蘭肯, B·A·J·盧蒂克惠斯, E·A·F·范德帕施, M·W·M·范德維斯特, M·J·M·恩格爾斯 申請人:Asml荷蘭有限公司